光敏传感器及制作方法、显示面板与流程

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及光敏传感器及制作方法、显示面板。

背景技术：

指纹识别传感器按传感原理可分为光学指纹传感器、半导体电容传感器、半导体热敏传感器、半导体压感传感器、超声波传感器和射频传感器等。目前，指纹识别传感器广泛应用在移动产品(如手机、平板电脑等)中，以增强移动产品使用的安全性。

然而，目前的指纹识别传感器仍有待改进。

技术实现要素：

本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：

目前，指纹识别传感器的使用对环境有特定的要求，影响用户的使用体验。例如，当指纹上有水的残留时将不能完成指纹识别的操作。发明人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于目前指纹识别传感器的信噪比和灵敏度较低导致的。目前为了解决指纹识别传感器信噪比较低的问题，现有方案采取降低指纹识别传感器按电流的方式，具体的，对控制指纹识别传感器的薄膜晶体管进行改进，使用具有更低漏电流的氧化物薄膜晶体管，然而该方案对信噪比的提升较为有限。

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种光敏传感器。该光敏传感器包括：第一类型半导体层；本征半导体层，所述本征半导体层设置在所述第一类型半导体层的一侧；第二类型半导体层，所述第二类型半导体层设置在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一侧，其中，所述本征半导体层中具有能够产生表面等离激元效应的金属粒子，所述金属粒子分散分布在所述本征半导体层中。由此，该光敏传感器具有较高的信噪比和灵敏度，显著提升用户的使用体验。

根据本发明的实施例，所述金属粒子包括金、银、铜、铂以及铝的至少之一。由此，上述金属粒子可以产生表面等离激元效应，从而可以增强光敏传感器的光线吸收率，提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，所述本征半导体层包括层叠设置的第一部和第二部，所述第一部靠近光入射所述光敏传感器的一侧，位于所述第一部中的金属粒子的排布密度大于位于所述第二部中的金属粒子的排布密度。由此，在靠近光入射光敏传感器的一侧设置较多的金属粒子，可以有更多的金属粒子发生表面等离激元效应，进一步增强光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，所述第一部的厚度为1000-3000埃米。本征半导体层中非晶硅在上述厚度范围内对光线具有较强的吸收能力，将第一部的厚度设置在上述范围内，也即是说，在光线较多的区域设置排布密度较大的金属粒子，可以有更多的光线使金属粒子发生表面等离激元效应，进一步增强光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，所述第一部中每间隔200-600埃米的厚度处设置有一层所述金属粒子，所述第二部中每间隔1000-2000埃米的厚度处设置有一层所述金属粒子。由此，可以进一步增强光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，所述第二类型半导体层位于光入射所述光敏传感器的一侧，所述第二类型半导体层由透明半导体材料构成，所述第二类型半导体层和所述本征半导体层的界面处设置有所述金属粒子。由此，第二类型半导体层与本征半导体层的界面处具有最强的表面等离激元效应，可以进一步增强光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，所述第一类型半导体层为p型半导体层，所述第二类型半导体层为n型半导体层，所述第一类型半导体层的厚度为1000-3000埃米，所述第二类型半导体层的厚度为500-2000埃米。由此，可以使该光敏传感器具有良好的使用性能。

根据本发明的实施例，该光敏传感器进一步包括：第一电极，所述第一电极设置在所述第一类型半导体层远离所述本征半导体层的一侧；第二电极，所述第二电极位于所述第二类型半导体层远离所述本征半导体层的一侧。由此，可以通过第一电极和第二电极向光敏传感器施加电压，使光敏传感器实现工作。

根据本发明的实施例，所述光敏传感器为指纹识别传感器。由此，该指纹识别传感器具有较高的信噪比和灵敏度，可以显著提升用户的使用体验。

在本发明的另一方面，本发明提出了一种制作光敏传感器的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：形成第一类型半导体层；在所述第一类型半导体层的一侧形成本征半导体层，所述本征半导体层中具有能够产生表面等离激元的金属粒子，所述金属粒子分散分布在所述本征半导体层中；在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一侧形成第二类型半导体层。由此，利用简单的方法即可获得具有较高信噪比和灵敏度的光敏传感器，且该光敏传感器可以显著提升用户的使用体验。

根据本发明的实施例，所述本征半导体层包括层叠设置的第一部和第二部，所述第一部靠近光入射所述光敏传感器的一侧，位于所述第一部中的金属粒子的排布密度大于位于所述第二部中的金属粒子的排布密度。由此，在靠近光入射光敏传感器的一侧设置较多的金属粒子，可以有更多的金属粒子发生表面等离激元效应，进一步增强最终获得的光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，所述第二类型半导体层位于光入射所述光敏传感器的一侧，形成所述本征半导体层包括：在所述第一类型半导体层的一侧沉积第一非晶硅层；在所述第一非晶硅层远离所述第一类型半导体层的一侧沉积所述金属粒子，并在所述金属粒子远离所述第一非晶硅层的一侧沉积第二非晶硅层，依次重复沉积所述金属粒子和所述第二非晶硅层的步骤，直至所述第二非晶硅层和所述第二类型半导体层的界面处形成有所述金属粒子，以便获得所述本征半导体层。由此，利用简单的方法即可将金属粒子设置在本征半导体层中，且在本征半导体层和第二类型半导体层的界面处设置金属粒子，可以进一步增强表面等离激元效应，进一步增强最终获得的光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，所述第一部的厚度为1000-3000埃米，所述第一部中相邻两层所述金属粒子之间的非晶硅层的厚度为200-600埃米，所述第二部中相邻两层所述金属粒子之间的非晶硅层的厚度为1000-2000埃米。由此，可以进一步增强最终获得的光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，所述金属粒子是利用溅射沉积方法形成的，通过控制所述溅射沉积过程中的功率、沉积腔压强、惰性气体流量、扫描次数以及沉积腔工作温度，实现所述金属粒子在所述本征半导体层中的分散分布。由此，通过控制上述参数可以实现金属粒子在本征半导体层中的分散分布，防止金属粒子对本征半导体层的光电效应产生不良影响。

在本发明的另一方面，本发明提出了一种显示面板。根据本发明的实施例，该显示面板包括：阵列基板，所述阵列基板上设置有光敏传感器以及薄膜晶体管，所述光敏传感器为前面所述的，所述薄膜晶体管被配置为控制所述光敏传感器。由此，该显示面板具有前面所述的光敏传感器的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示面板的识别功能具有较高的灵敏度，且光敏传感器集成在显示面板中，可以节省最终移动产品的空间，使得移动产品实现轻薄化。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1显示了根据本发明一个实施例的光敏传感器的结构示意图；

图2显示了根据本发明另一个实施例的光敏传感器的结构示意图；

图3显示了根据本发明一个实施例的不同厚度非晶硅透过率的曲线图；

图4显示了根据本发明一个实施例的光敏传感器的结构示意图；

图5显示了根据本发明一个实施例的制作光敏传感器方法的流程示意图；以及

图6显示了根据本发明一个实施例的显示面板的结构示意图。

附图标记说明：

100：第一类型半导体层；200：本征半导体层；210：第一部；220：第二部；300：第二类型半导体层；400：第一电极；500：第二电极；600：阵列基板；700：薄膜晶体管；710：栅极；720：栅绝缘层；730：有源层；740：源极；750：漏极；1000：光敏传感器；10：金属粒子。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种光敏传感器。根据本发明的实施例，参考图1，该光敏传感器包括：第一类型半导体层100、本征半导体层200以及第二类型半导体层300，其中，本征半导体层200设置在第一类型半导体层100的一侧，且本征半导体层200中具有能够产生表面等离激元效应的金属粒子10，金属粒子10分散分布在本征半导体层200中，第二类型半导体层300设置在本征半导体层200远离第一类型半导体层100的一侧。由此，该光敏传感器具有较高的信噪比和灵敏度，可以显著提升用户的使用体验。

根据本发明的实施例，本发明采用提升光电流的方式提高光敏传感器的信噪比，本领域技术人员能够理解的是，提升光电流可从提升量子效率和减少光电流的传输损失两个方面进行，其中，提升量子效率包括提升内量子效率和提升外量子效率，减少光电流的传输损失包括减少界面缺陷和减少晶内缺陷，而发明人发现，由于产线的限制，提升内量子效率以及减少界面缺陷和减少晶内缺陷均比较困难，因此，本发明采用提升外量子效率的方式来提高光敏传感器的信噪比。

根据本发明的实施例，提升外量子效率具体是在本征半导体层中加入能够产生表面等离激元效应的金属粒子，当光线入射到金属粒子与电介质(如本征半导体层中的非晶硅，或者，第二类型半导体层)的分界面时，金属粒子表面的自由电子发生集体振荡，光波与金属粒子表面的自由电子耦合形成一种沿着金属粒子表面传播的近场电磁波，如果自由电子的振荡频率与入射光波的频率一致就会产生共振，在共振状态下电磁场的能量被有效地转变为金属粒子表面自由电子的集体振动能，形成一种特殊的电磁模式，电磁场被局限在金属粒子表面很小的范围内并发生增强，由此，可以增强光敏传感器的光线吸收率，从而提高光敏传感器的信噪比，提升光敏传感器的响应能力。

下面根据本发明的具体实施例，对该光敏传感器的各个结构进行详细说明：

根据本发明的实施例，金属粒子10可以包括金、银、铜、铂以及铝的至少之一。由此，上述金属粒子可以产生表面等离激元效应，从而可以增强光敏传感器的光线吸收率，提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，金属粒子10分散分布在本征半导体层200中，其中，分散分布是指金属粒子10在本征半导体层200中不形成连续的层状结构，由此，可以防止形成连续的金属层，避免造成信号的屏蔽，避免金属粒子对本征半导体层的正常使用产生不良影响。

根据本发明的实施例，参考图2，本征半导体层200包括层叠设置的第一部210和第二部220，其中，第一部210靠近光入射光敏传感器的一侧，且位于第一部210中的金属粒子10的排布密度大于位于第二部220中的金属粒子10的排布密度。由此，在靠近光入射光敏传感器的一侧设置较多的金属粒子，可以有更多的金属粒子发生表面等离激元效应，进一步增强光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，本征半导体层200可以是由非晶硅(a-si)构成的，第一部210的厚度可以为1000-3000埃米。发明人发现，非晶硅的厚度在1200埃米左右时，其对光线的吸收特性较强，继续增加非晶硅的厚度，其对光线的吸收不再明显增加(参考图3)，将第一部210的厚度设置在上述范围内，第一部210中的非晶硅对光线具有较强的吸收能力，可以有更多的光线使金属粒子发生表面等离激元效应，从而可以进一步增强光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

关于本征半导体层(即i层)厚度的具体值不受特别限制，本领域技术人员可以选择pin器件i层常用的厚度，例如，根据本发明的实施例，本征半导体层200的厚度可以为5000-10000埃米。

根据本发明的实施例，本征半导体层200包括层叠设置的第一部210和第二部220，则第一部210的厚度与第二部220的厚度之和为本征半导体层200的总厚度，例如，当本征半导体层200的厚度为10000埃米时，第一部210的厚度为1000-3000埃米，则第二部220的厚度为7000-9000埃米。

根据本发明的实施例，参考图4，第一部210中每间隔200-600埃米的厚度(如图中所示出的d1)处设置有一层金属粒子10，第二部220中每间隔1000-2000埃米的厚度(如图中所示出的d2)处设置有一层金属粒子10。由此，在第一部和第二部中分别设置多层金属粒子，且各层金属粒子之间具有合适的间隔距离，可以进一步增强光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。需要说明的是，每间隔d1厚度或者d2厚度处的金属粒子均形成不连续的结构，具体的，可通过控制溅射沉积过程中的参数形成不连续的结构，防止金属粒子对本征半导体层的正常使用产生不良影响。

根据本发明的优选实施例，第一部210中每间隔500埃米的厚度处设置有一层金属粒子10，第二部220中每间隔1500埃米的厚度处设置有一层金属粒子10。由此，可以进一步增强光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，参考图4，第二类型半导体层300位于光入射光敏传感器的一侧，第二类型半导体层300由透明半导体材料构成，且第二类型半导体层300和本征半导体层200的界面处设置有金属粒子10。第二类型半导体层由透明半导体材料构成，可以保证光线能够从第二类型半导体层一侧射入到光敏传感器中，此时第二类型半导体层和本征半导体层的界面处具有最强的光线，在上述界面处设置金属粒子，可以获得最强的表面等离激元效应，进一步增强光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。关于构成第二类型半导体层的透明半导体材料不受特别限制，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如，根据本发明的具体实施例，上述透明半导体材料可以为氧化铟锡(ito)。

关于第一类型半导体层和第二类型半导体层的具体类型和厚度不受特别限制，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计，例如，根据发明的具体实施例，第一类型半导体层100可以为p型半导体层，第二类型半导体层300可以为n型半导体层，第一类型半导体层100的厚度可以为1000-3000埃米，第二类型半导体层300的厚度可以为500-2000埃米。由此，可以使该光敏传感器具有良好的使用性能。

根据本发明的实施例，参考图4，该光敏传感器还可以包括：第一电极400和第二电极500，其中，第一电极400设置在第一类型半导体层100远离本征半导体层200的一侧，第二电极500设置在第二类型半导体层300远离本征半导体层200的一侧。由此，可以通过第一电极和第二电极向光敏传感器施加电压，使光敏传感器实现工作。

根据本发明的实施例，位于光入射光敏传感器一侧的电极由透明导电材料构成，由此，可以保证光线能够透过该电极射入到光敏传感器中。

根据本发明的实施例，该光敏传感器可以为指纹识别传感器。由此，该指纹识别传感器具有较高的信噪比和灵敏度，可以显著提升用户的使用体验。

在本发明的另一方面，本发明提出了一种制作光敏传感器的方法。根据本发明的实施例，该方法制作的光敏传感器可以为前面所描述的光敏传感器，由此，由该方法制作的光敏传感器可以具有与前面所描述的光敏传感器相同的特征以及优点，在此不再赘述。

根据本发明的实施例，参考图5，该方法包括：

s100：形成第一类型半导体层

根据本发明的实施例，在该步骤中，形成第一类型半导体层。关于第一类型半导体层的具体类型和厚度，前面已经进行了详细描述，在此不再赘述。

根据本发明的实施例，可以在第一电极的一侧形成第一类型半导体层，第一电极和后续设置的第二电极可以为光敏传感器施加电压，使光敏传感器实现使用。

关于第一类型半导体层的形成方法不受特别限制，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如，根据本发明的实施例，第一类型半导体层可以是通过等离子体增强化学的气相沉积法(pecvd)形成的。

s200：在第一类型半导体层的一侧形成本征半导体层

根据本发明的实施例，在该步骤中，在第一类型半导体层的一侧形成本征半导体层，具体的，在第一类型半导体层远离第一电极的一侧形成本征半导体层。根据本发明的实施例，形成的本征半导体层中具有能够产生表面等离激元效应的金属粒子，且金属粒子分散分布在本征半导体层中。由此，可以利用金属粒子产生的表面等离激元效应来增强最终获得的光敏传感器的光线吸收率，从而提高光敏传感器的信噪比和灵敏度，显著提升用户的使用体验，且金属粒子分散分布在本征半导体层中，可以防止金属粒子对本征半导体层的正常使用产生不良影响。

根据本发明的实施例，本征半导体层可以是由非晶硅构成的，且本征半导体层包括层叠设置的第一部和第二部，其中，第一部靠近光入射光敏传感器的一侧，且位于第一部中的金属粒子的排布密度大于位于第二部中的金属粒子的排布密度。由此，在靠近光入射光敏传感器的一侧设置较多的金属粒子，可以有更多的金属粒子发生表面等离激元效应，进一步增强最终获得的光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，第一部的厚度可以为1000-3000埃米。将第一部的厚度设置在上述范围内，第一部中的非晶硅对光线具有较强的吸收能力，可以有更多的光线使金属粒子发生表面等离激元效应，从而可以进一步增强最终获得的光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。关于将第一部的厚度设置在上述范围的原理，前面已经进行了详细描述，在此不再赘述。

根据本发明的实施例，形成本征半导体层可以是通过以下步骤实现的：首先，在第一类型半导体层远离第一电极的一侧沉积第一非晶硅层，随后，在第一非晶硅层远离第一类型半导体层的一侧沉积金属粒子，并在金属粒子远离第一非晶硅层的一侧沉积第二非晶硅层，随后，依次重复沉积金属粒子和第二非晶硅层的步骤，直至第二非晶硅层远离第一类型半导体层的一侧设置有金属粒子为止，以便获得本征半导体层。

其中，非晶硅层可以是通过pecvd方法形成的，在沉积非晶硅层的过程中，通过控制沉积时间来控制非晶硅层的厚度，以便在任意两层非晶硅层之间形成金属粒子。由此，利用简单的方法即可将金属粒子设置在本征半导体层中。

根据本发明的实施例，金属粒子可以是通过溅射沉积形成的，通过控制溅射沉积过程中的功率、沉积腔压强、惰性气体流量、扫描次数以及沉积腔工作温度等参数，可以实现金属粒子在本征半导体层中的分散分布。由此，通过控制上述参数可以实现金属粒子在本征半导体层中的分散分布，防止金属粒子对本征半导体层的光电效应产生不良影响，且分散分布的金属粒子也不会在后续的pecvd工艺中发生放电。

根据本发明的实施例，金属粒子可以包括金、银、铜、铂以及铝的至少之一。关于上述金属粒子溅射沉积过程中，各参数的具体数值不受特别限制，只要可以形成分散分布的金属粒子即可，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如，根据本发明的实施例，以铜粒子的溅射沉积过程为例，溅射功率可以为500w，沉积腔压强可以为0.3pa，惰性气体可以为氩气，气体流量可以为100sccm，扫描次数可以为1次，沉积腔工作温度可以为100℃，由此，铜粒子可以有效的附着并分散分布在非晶硅层上，获得具有铜粒子的本征半导体层，以增强最终获得的光敏传感器的光线吸收率，提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，第一部中相邻两层金属粒子之间的非晶硅层的厚度可以为200-600埃米，第二部中相邻两层金属粒子之间的非晶硅层的厚度可以为1000-2000埃米。由此，在第一部和第二部中分别设置多层金属粒子，且各层金属粒子之间具有合适的间隔距离，可以进一步增强最终获得的光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。根据本发明的优选实施例，第一部中相邻两层金属粒子之间的非晶硅层的厚度可以为500埃米，第二部中相邻两层金属粒子之间的非晶硅层的厚度可以为1500埃米。需要说明的是，“两层金属粒子”是指金属粒子形成的两层不连续的结构。

关于金属粒子发生等离激元效应增强光敏传感器的光线吸收率的原理，前面已经进行了详细描述，在此不再赘述。

s300：在本征半导体层远离第一类型半导体层的一侧形成第二类型半导体层

根据本发明的实施例，在该步骤中，在本征半导体层远离第一类型半导体层的一侧形成第二类型半导体层。关于第二类型半导体层的具体类型、厚度以及构成材料，前面已经进行了详细描述，在此不再赘述。

关于第二类型半导体层的形成方法不受特别限制，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如，根据本发明的实施例，第二类型半导体层可以是通过pecvd方法形成的。

根据本发明的实施例，第二类型半导体层可以位于光入射光敏传感器的一侧，且在第二类型半导体层和本征半导体层的界面处形成有金属粒子。第二类型半导体层位于光入射光敏传感器的一侧时，第二类型半导体层和本征半导体层的界面处具有最强的光线，在上述界面处设置金属粒子，可以获得最强的表面等离激元效应，进一步增强最终获得的光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，该方法还包括在第二类型半导体层远离本征半导体层的一侧形成第二电极。由此，可以通过第一电极和第二电极向光敏传感器施加电压，实现光敏传感器的使用。

在本发明的另一方面，本发明提出了一种显示面板。根据本发明的实施例，参考图6，该显示面板包括：阵列基板600，阵列基板600上设置有光敏传感器1000以及薄膜晶体管700，其中，光敏传感器1000为前面所描述的光敏传感器，薄膜晶体管700被配置为控制光敏传感器1000。由此，该显示面板具有前面描述的光敏传感器的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示面板的识别功能具有较高的灵敏度，且光敏传感器集成在显示面板中，可以节省最终移动产品的空间，使得移动产品实现轻薄化。

根据本发明的实施例，光敏传感器1000可以为指纹识别传感器。由此，可以提高该显示面板指纹识别的灵敏度。

发明人发现，目前的指纹识别均是采用独立的模块来进行工作，上述方案需要在移动产品进行设计的时候预留出单独的空间给指纹识别模块，不利于移动产品的轻薄化。

根据本发明的实施例，该光敏传感器1000集成在显示面板中，由此，不必再在移动产品上进行特殊的指纹识别模块的设计，可以有效节省移动产品的内部空间，利于移动产品的轻薄化。

根据本发明的实施例，参考图6，薄膜晶体管700可以包括栅极710、栅绝缘层720、有源层730、源极740、漏极750，其中，漏极750与光敏传感器1000的第一电极400电连接，由此，可以实现薄膜晶体管对光敏传感器的控制，以实现光敏传感器的使用。需要说明的是，此处的薄膜晶体管700为控制光敏传感器1000的薄膜晶体管，由于显示面板中也包括薄膜晶体管的结构，因此，薄膜晶体管700可以和显示面板中的其他薄膜晶体管同步制备，以简化工序。

在本发明的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。