薄膜晶体管阵列基板及触控显示面板的制作方法

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及触控显示面板。

背景技术：

随着触控显示技术的发展，内嵌式触控(in-celltouch)显示面板越来越多地应用到手机等电子显示设备中。因内嵌式触控显示面板将触控功能与显示功能集成在一起，即将触控电路与显示电路均做在薄膜晶体管阵列基板(thinfilmtransistorarraysubstrate,tftarraysubstrate)上，有利于穿透度的提升，且可以使手机等电子显示设备做得更加轻薄。

内嵌式触控显示面板的触控功能通过集成于薄膜晶体管阵列基板中触控电极及电连接触控电极的触控走线和驱动芯片来完成。其中，触控电极与薄膜晶体管阵列基板中的公共电极电性连接，因此，触控电极的电压变化将直接影响公共电极的电压状态，进而影响显示面板的显示功能。公共电源线和驱动芯片分别通过触控走线电性连接触控电极，从而实现对触控电极的电压传输和信号采集。但是，考虑到驱动芯片中用于连接触控走线的通道数目有限，以及触控走线数目对面板解析率的影响，实际生产中通常无法保证每一个触控电极均连接相同数目的触控走线，连接触控电极的触控走线数目对该触控电极上电压状态有直接影响，进而影响公共电极上电压分布的均一性，造成显示面板出现上下分屏、显示不均的问题。

技术实现要素：

基于上述现有技术中的不足，本申请提供一种薄膜晶体管阵列基板及触控显示面板，通过合理配置触控电极与第一公共电源线之间电性连接的触控走线的数量，消除或减弱不同触控电极上的电压突变，使触控电极和公共电极上电压分布趋于一致，进而提升显示面板的显示均匀性。

本申请提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

衬底基板，具有非显示区；

薄膜晶体管阵列层，设置于所述衬底基板上；以及

触控功能层，设置于所述薄膜晶体管阵列层中，包括多个触控电极，每个所述触控电极分别与第一公共电源线和驱动芯片均通过触控走线电性连接；

多个所述触控电极包括沿第一方向排列的第一触控电极、第二触控电极、以及第三触控电极，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量大于或等于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量；

或者，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量大于或等于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量。

根据本申请一实施例，所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量小于或等于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量；

或者，所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量小于或等于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量。

根据本申请一实施例，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量大于或等于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量；且

所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量小于或等于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量。

根据本申请一实施例，所述第一触控电极与所述第二触控电极沿所述第一方向相邻排列，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量；或

所述第二触控电极与所述第三触控电极沿所述第一方向相邻排列，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量。

根据本申请一实施例，所述第一触控电极、所述第二触控电极及所述第三触控电极沿所述第一方向依次相邻排列；

所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量；且

所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量。

根据本申请一实施例，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量大于或等于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量；且

所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量小于或等于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量。

根据本申请一实施例，所述第一触控电极与所述第二触控电极沿所述第一方向相邻排列，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量；或

所述第二触控电极与所述第三触控电极沿所述第一方向相邻排列，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量。

根据本申请一实施例，所述第一触控电极、所述第二触控电极及所述第三触控电极沿所述第一方向依次相邻排列；

所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量；且

所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量。

根据本申请一实施例，所述薄膜晶体管阵列层包括设置于所述衬底基板上的有源层、设置于所述有源层上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的栅极、设置于所述栅极上的层间绝缘层、以及设置于所述层间绝缘层上的源漏极；

所述源漏极上设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置有公共电极，所述公共电极上设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层上设置有像素电极；

所述公共电极通过所述第一绝缘层上的过孔与所述触控电极电性连接，所述像素电极通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的过孔与所述源漏极电性连接。

根据本申请一实施例，所述第一公共电源线和所述驱动芯片均设置于所述非显示区，且沿所述第一方向设置于所述触控功能层的相对两端。

根据本申请一实施例，所述驱动芯片的同侧还设置有第二公共电源线，所述第二公共电源线与所述触控电极之间通过所述触控走线电性连接。

根据本申请一实施例，连接所述触控电极与所述第一公共电源线的触控走线上设置有第一开关晶体管，连接所述触控电极与所述第二公共电源线的触控走线上设置有第二开关晶体管。

本申请还提供一种触控显示面板，包括如上所述的薄膜晶体管阵列基板。

根据本申请一实施例，所述触控显示面板还包括与所述薄膜晶体管阵列基板相对设置的彩膜基板，以及设置于所述薄膜晶体管阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶。

本申请的有益效果是：本申请通过对触控电极与第一公共电源线和驱动芯片之间电性连接的触控走线的数量进行合理配置，消除或减弱了不同触控电极上因连接第一公共电源线和驱动芯片的触控走线数量的差异而产生的电压突变，使薄膜晶体管阵列基板中的触控电极和公共电极上电压分布趋于一致，进而提升显示面板的显示品质。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的局部截面示意图；

图2是本申请实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的俯视图；

图3是本申请实施例提供的触控电极与第一公共电源线和驱动芯片之间电性连接的触控走线的第一种布线方式示意图；

图4是本申请实施例提供的触控电极与第一公共电源线和驱动芯片之间电性连接的触控走线的第二种布线方式示意图；

图5a是第二触控电极与第一公共电源线和驱动芯片之间电性连接的触控走线的第一布线方式示意图；

图5b是第二触控电极与第一公共电源线和驱动芯片之间电性连接的触控走线的第二布线方式示意图；

图5c是第二触控电极与第一公共电源线和驱动芯片之间电性连接的触控走线的第三布线方式示意图；

图5d是第二触控电极与第一公共电源线和驱动芯片之间电性连接的触控走线的第四布线方式示意图；

图5e是第二触控电极与第一公共电源线和驱动芯片之间电性连接的触控走线的第五布线方式示意图；

图5f是第二触控电极与第一公共电源线和驱动芯片之间电性连接的触控走线的第六布线方式示意图；

图6是本申请实施例提供的触控电极与第一公共电源线和驱动芯片之间电性连接的触控走线的第三种布线方式示意图；

图7是本申请实施例提供的触控电极与第一公共电源线和驱动芯片之间电性连接的触控走线的第四种布线方式示意图；

图8是本申请实施例提供的触控电极与第一公共电源线、第二公共电源线及驱动芯片电性连接的触控走线的布线方式示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

本申请实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括多个触控电极，每个所述触控电极分别通过触控走线与第一公共电源线和驱动芯片电性连接，本申请实施例通过合理配置触控电极与第一公共电源线之间电性连接的触控走线的数量，消除或减弱不同触控电极上因连接第一公共电源线和驱动芯片的触控走线数量的差异而产生的电压突变，使薄膜晶体管阵列基板中的触控电极和公共电极上电压趋于一致，提升显示画面的品质。

如图1和图2所示，其中，图1是本申请实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的局部截面示意图，图2是本申请实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的俯视图。所述薄膜晶体管阵列基板包括衬底基板01、设置于所述衬底基板01上的薄膜晶体管阵列层02、以及设置于所述薄膜晶体管阵列层02之上的公共电极04和像素电极05；所述薄膜晶体管阵列基板还包括设置于所述薄膜晶体管阵列层02中的触控功能层03，所述触控功能层03用于实现所述薄膜晶体管阵列基板的触控功能。

可选地，所述薄膜晶体管阵列层02包括设置于所述衬底基板01上的有源层021、设置于所述有源层上的栅极绝缘层022、设置于所述栅极绝缘层022上的栅极023、设置于所述栅极023上的层间绝缘层024、以及设置于所述层间绝缘层024上的源漏极025，所述触控电极10与所述源漏极025同层设置。所述薄膜晶体管阵列层02与所述公共电极04之间设置有第一绝缘层06，所述公共电极04与所述像素电极05之间设置有第二绝缘层07；所述像素电极05通过所述第一绝缘层06和所述第二绝缘层07上的过孔与所述源漏极025电性连接，从而实现由所述薄膜晶体管层02向所述像素电极05的信号传递；所述公共电极04通过所述第一绝缘层06上的过孔与所述触控电极10电性连接。

进一步地，所述触控功能层03包括多个触控电极10。所述衬底基板01具有显示区aa和非显示区na，与所述非显示区na相对应的位置设置有第一公共电源线com1和驱动芯片ic；每个所述触控电极10分别与所述第一公共电源线com1和所述驱动芯片ic均通过触控走线20电性连接，其中所述第一公共电源线com1用于向所述触控电极10提供的公共电压信号，所述驱动芯片ic用于向所述触控电极10提供电压信号和进行信号采集分析。可选地，所述第一公共电源线com1和所述驱动芯片ic分别设置于所述触控功能层03的相对两端，从而从两端同时向所述触控电极10提供电压信号。

如图3、图4、图5a至图5f所示，其中，图3是本申请实施例提供的触控电极与第一公共电源线和驱动芯片之间电性连接的触控走线的第一种布线方式示意图，图4是本申请实施例提供的触控电极与第一公共电源线和驱动芯片之间电性连接的触控走线的第二种布线方式示意图，图5a至图5f是第二触控电极与第一公共电源线和驱动芯片之间电性连接的触控走线的六种可供选择的布线方式示意图。

可选地，所述触控走线20通过第一开关晶体管sw1电性连接所述第一公共电源线com1和所述触控电极10，所述第一开关晶体管sw1用于控制所述第一公共电源线com1和所述触控电极10之间的电性导通状态。

多个所述触控电极10包括沿第一方向y排列的第一触控电极11、第二触控电极12、以及第三触控电极13。

根据本申请一实施例，参考图3和图5a至图5f所示，所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量大于或等于所述第一触控电极11与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，且所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量小于所述第三触控电极13与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量。需要说明的是，所述触控电极10与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量直接影响该触控电极10上的电压状态，而在实际生产中，考虑到驱动芯片通道和显示面板解析率的因素，连接不同触控电极的触控走线的数量会有差异，本实施例通过将连接触控电极和第一公共电源线的触控走线的数量进行上述合理配置，实现了第一触控电极11、第二触控电极12、及第三触控电极13上连接的触控走线20数量的阶梯性变化，避免了连接不同触控电极的触控走线数量的突变，该数量的突变会严重破坏触控电极和公共电极上电压分布的均匀性，本实施例有利于促使薄膜晶体管阵列基板中的触控电极和公共电极上电压分布趋于一致。

进一步地，所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量大于所述第一触控电极11与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量，且所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量小于或等于所述第三触控电极13与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量。需要说明的是，所述驱动芯片ic通过所述触控走线20向所述触控电极10传递电压信号和进行信号采集分析，所述驱动芯片ic和所述第一公共电源线com1共同影响着所述触控电极10上的电压状态，本实施例通过对连接触控电极和驱动芯片的触控走线的数量进行上述合理配置，避免了连接不同触控电极的触控走线数量的突变，使薄膜晶体管阵列基板中的触控电极和公共电极上电压分布趋于一致。

需要说明的是，关于所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1、及所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的布线方式，本实施例给出了图5a至图5f所示的六种实施方式，在应用时，可任选该六种实施方式中的一种或多种进行灵活应用。其中，图5a所示的第一布线方式tp1中，所述第二触控电极12与第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量为1，所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量为2；图5b所示的第二布线方式tp2中，所述第二触控电极12与第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量为1，所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量为3；图5c所示的第三布线方式tp3中，所述第二触控电极12与第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量为2，所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量为3；图5d所示的第四布线方式tp4中，所述第二触控电极12与第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量为1，所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量为4；图5e所示的第五布线方式tp5中，所述第二触控电极12与第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量为2，所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量为4；图5f所示的第六布线方式tp6中，所述第二触控电极12与第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量为3，所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量为4。此外，需要说明的是，所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1，及所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的布线方式不仅限于上述六种，在实际应用中可以基于相同的技术构思进行适应性扩展。

可选地，所述第一触控电极11与所述第二触控电极12沿所述第一方向y相邻排列。所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量等于所述第一触控电极11与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，且所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量大于所述第一触控电极11与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线的数量。通过上述设置可实现相邻的所述第一触控电极11和所述第二触控电极12上连接的触控走线20数量的阶梯性变化，有利于所述第一触控电极11和所述第二触控电极12上电压分布趋于一致，有效避免了电压较大幅度突变。

可选地，所述第二触控电极12与所述第三触控电极13沿所述第一方向y相邻排列，所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量小于所述第三触控电极13与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，且所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量等于所述第三触控电极13与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量。通过上述设置可实现相邻的所述第二触控电极12和所述第三触控电极13上连接的触控走线20数量的阶梯性变化，有利于所述第二触控电极12和所述第三触控电极13上电压分布趋于一致，有效避免了电压较大幅度突变。

可选地，所述第一触控电极11、所述第二触控电极12及所述第三触控电极13沿所述第一方向y依次相邻排列。所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量等于所述第一触控电极11与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量大于所述第一触控电极11与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量；且所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量小于所述第三触控电极13与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量等于所述第三触控电极13与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量。通过上述设置可实现相邻的所述第一触控电极11、所述第二触控电极12和所述第三触控电极13上连接的触控走线20数量的阶梯性变化，有利于所述第一触控电极11、所述第二触控电极12和所述第三触控电极13上电压分布趋于一致，有效避免了电压较大幅度突变。

进一步可选地，所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量为1，而与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量为2；且所述第一触控电极11与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，以及与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量均为1；且所述第三触控电极13与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，以及与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量均为2。应当理解的是，本实施例的触控走线20的布线设置特征，实现了第一触控电极11、第二触控电极12、及第三触控电极13上连接的触控走线20数量的依次递增，使第一触控电极11、第二触控电极12、及第三触控电极13上电压逐步递增，有效避免了电压较大幅度突变，使电压分布趋于一致。

进一步可选地，所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量为2，而与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量为4；且所述第一触控电极11与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，以及与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量均为2；且所述第三触控电极13与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，以及与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量均为4。应当理解的是，本实施例的触控走线20的布线设置特征，实现了第一触控电极11、第二触控电极12、及第三触控电极13上连接的触控走线20数量的依次递增，使第一触控电极11、第二触控电极12、及第三触控电极13上电压的逐步递增，有效避免了电压较大幅度突变，使电压分布趋于一致。

根据本申请一实施例，参考图4和图5a至图5f所示，所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量小于所述第一触控电极11与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，且所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量大于或等于所述第三触控电极13与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量。需要说明的是，所述触控电极10与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量直接影响该触控电极10上的电压状态，而在实际生产中，考虑到驱动芯片通道和显示面板解析率的因素，连接不同触控电极的触控走线的数量会有差异，本实施例通过将连接触控电极和第一公共电源线的触控走线的数量进行上述合理配置，避免了连接不同触控电极的触控走线数量的突变，该数量的突变会严重破坏触控电极和公共电极上电压分布的均匀性，本实施例有利于促使薄膜晶体管阵列基板中的触控电极和公共电极上电压分布趋于一致。

进一步地，所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量小于或等于所述第一触控电极11与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量，且所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量大于所述第三触控电极13与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量。需要说明的是，所述驱动芯片ic通过所述触控走线20向所述触控电极10传递电压信号和进行信号采集分析，所述驱动芯片ic和所述第一公共电源线com1共同影响着所述触控电极10上的电压状态，本实施例通过对连接触控电极和驱动芯片的触控走线的数量进行上述合理配置，避免了连接不同触控电极的触控走线数量的突变，使薄膜晶体管阵列基板中的触控电极和公共电极上电压分布趋于一致。

需要说明的是，关于所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1、及所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的布线方式，本实施例给出了图5a至图5f所示的六种实施例方式，在应用时，可任选该六种实施方式中的一种或多种进行灵活应用。关于图5a至图5f所示的所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1及所述驱动芯片ic之间连接的触控走线20的布线特征在上述实施例中已经介绍，此处不再赘述。需要说明的是，本实施例中所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1、及所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的布线方式不仅限于上述六种，在实际应用中可以基于相同的技术构思进行适应性扩展。

可选地，所述第一触控电极11与所述第二触控电极12沿所述第一方向y相邻排列。所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量等于所述第三触控电极13与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，且所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量大于所述第一触控电极11与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线的数量。通过上述设置可实现相邻的所述第一触控电极11和所述第二触控电极12上连接的触控走线20数量的阶梯性变化，有利于所述第一触控电极11和所述第二触控电极12上电压分布趋于一致，有效避免了电压较大幅度突变。

可选地，所述第二触控电极12与所述第三触控电极13沿所述第一方向y相邻排列。所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量等于所述第三触控电极13与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，且所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量大于所述第三触控电极13与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量。通过上述设置可实现相邻的所述第二触控电极12和所述第三触控电极13上连接的触控走线20数量的阶梯性变化，有利于所述第二触控电极12和所述第三触控电极13上电压分布趋于一致，有效避免了电压较大幅度突变。

可选地，所述第一触控电极11、所述第二触控电极12及所述第三触控电极13沿所述第一方向y依次相邻排列。所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量小于所述第一触控电极11与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量等于所述第一触控电极11与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量；且所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量等于所述第三触控电极13与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，所述第二触控电极12与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量大于所述第三触控电极13与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量。通过上述设置可实现相邻的所述第一触控电极11、所述第二触控电极12和所述第三触控电极13上连接的触控走线20数量的阶梯性变化，有利于所述第一触控电极11、所述第二触控电极12和所述第三触控电极13上电压分布趋于一致，有效避免了电压较大幅度突变。

进一步可选地，所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量为1，而与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量为2；且所述第一触控电极11与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，以及与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量均为2；且所述第三触控电极13与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，以及与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量均为1。应当理解的是，本实施例的触控走线20的布线设置特征，实现了第一触控电极11、第二触控电极12、及第三触控电极13上连接的触控走线20数量的依次递减，使第一触控电极11、第二触控电极12、及第三触控电极13上电压的逐步递减，有效避免了电压较大幅度突变，使电压分布趋于一致。

进一步地，参考图4及图6所示，定义：在第二方向x上，与所述第一触控电极11并排的触控电极构成第一矩阵101，与所述第二触控电极12并排的触控电极构成第二矩阵102，与所述第三触控电极13并排的触控电极构成第三矩阵103；其中，所述第一矩阵101内的至少部分触控电极与所述第一触控电极11具有相同的触控走线布线特征；所述第二矩阵102内的至少部分触控电极与所述第二触控电极12具有相同的触控走线布线特征；所述第三矩阵103内的至少部分触控电极与所述第三触控电极13具有相同的触控走线布线特征。关于各个矩阵内的触控电极的触控走线布线特征可以参考上述实施例，此处不再赘述。

进一步可选地，所述第二触控电极12与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量为2，而与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量为4；且所述第一触控电极11与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，以及与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量均为4；且所述第三触控电极13与所述第一公共电源线com1之间电性连接的所述触控走线20的数量，以及与所述驱动芯片ic之间电性连接的所述触控走线20的数量均为2。应当理解的是，本实施例的触控走线20的布线设置特征，实现了第一触控电极11、第二触控电极12、及第三触控电极13上连接的触控走线20数量的依次递减，使第一触控电极11、第二触控电极12、及第三触控电极13上电压的逐步递减，有效避免了电压较大幅度突变，使电压分布趋于一致。

进一步地，参考图4及图7所示，定义：在第二方向x上，与所述第一触控电极11并排的触控电极构成第一矩阵101，与所述第二触控电极12并排的触控电极构成第二矩阵102，与所述第三触控电极13并排的触控电极构成第三矩阵103；其中，所述第一矩阵101内的至少部分触控电极与所述第一触控电极11具有相同的触控走线布线特征；所述第二矩阵102内的至少部分触控电极与所述第二触控电极12具有相同的触控走线布线特征；所述第三矩阵103内的至少部分触控电极与所述第三触控电极13具有相同的触控走线布线特征。关于各个矩阵内的触控电极的触控走线布线特征可以参考上述实施例，此处不再赘述。

可选地，如图2及图8所示，所述第一公共电源线com1和所述驱动芯片ic分别对应所述非显示区na设置，且沿所述第一方向y设置于所述触控功能层03的相对两端。进一步地，所述驱动芯片ic的同侧还设置有第二公共电源线com2，所述第二公共电源线com2与所述触控电极10之间通过所述触控走线20电性连接，且所述第二公共电源线com2与所述驱动芯片ic连接相同的所述触控走线20。可选地，所述触控走线20通过第二开关晶体管sw2电性连接所述第二公共电源线com2和所述触控电极10，所述第二开关晶体管sw2用于控制所述第二公共电源线com2和所述触控电极10之间的电性导通状态。需要说明的是，所述第一公共电源线com1和所述第二公共电源线com2分别从所述触控功能层03的两端向所述触控电极10提供电压，可促进不同触控电极10上的电压均衡。

综上所述，本申请实施例提供的薄膜晶体管阵列基板包括多个触控电极，每个所述触控电极分别通过触控走线与第一公共电源线和驱动芯片电性连接，通过对触控电极与第一公共电源线之间电性连接的触控走线的数量进行合理配置，消除或减弱了不同触控电极上因连接第一公共电源线和驱动芯片的触控走线数量的差异而产生的电压突变，使薄膜晶体管阵列基板中的触控电极和公共电极上电压分布趋于一致，进而提升显示画面的品质。

本申请实施例还提供一种触控显示面板，该触控显示面板包括上述实施例所提供的薄膜晶体管阵列基板。该触控显示面板可以是液晶显示面板，从而进一步包括与所述薄膜晶体管阵列基板相对设置的彩膜基板，以及设置于所述薄膜晶体管阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶。该触控显示面板解决了因连接不同触控电极的触控走线数量突变而引起的公共电极的电压均一性差的问题，可实现高品质、均衡显示。

需要说明的是，虽然本申请以具体实施例揭露如上，但上述实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。