一种单膜石墨烯触控器件的制作方法

本实用新型大致涉及触摸器件领域，尤其涉及一种采用精密激光系统诱导基材单膜制备成的超薄石墨烯触控器件。

背景技术：

目前，触控屏广泛应用于电子消费品、公共信息终端、工业控制、多媒体教学等，其市场持续增长。目前，市面上常用的触控屏为电容式，其工作原理为人的手指在触控屏上接触后会产生耦合电容，触控屏的ic控制器可以感知到触控屏图形化电极上电流的变化，从而可以获得触摸的坐标位置。

一般而言，触控屏中常用的透明电极材料为氧化铟锡(ito)，为一种导电氧化物薄膜。ito薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。它是液晶显示器(lcd)、等离子显示器(pdp)、电致发光显示器(el/oled)、触摸屏(touchpanel)、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。相比较而言，石墨烯材料仅一个碳原子层厚，其载流子迁移率极高，是迄今为止发现的电导率高的材料；石墨烯薄膜具有极高的力学强度，并且非常柔软(甚至可以在一定程度折叠)，可替代ito玻璃用于制造触摸屏(特别是柔性电子产品)和其他需要透明导电材料的应用领域。

但是当前大面积石墨烯薄膜的制备一般需要高温生长于铜箔等金属衬底表面。应用时，需要将石墨烯从生长衬底转移到所需基底表面。过程复杂且无法保证石墨烯性能稳定，对于包含感应层和驱动层的触控器件而言，必须分别制备感应层石墨烯图形薄膜和驱动层石墨烯图形薄膜，在后段工艺中完成多次贴合，增加了制造成本和触控器件的整体质量。

背景技术部分的内容仅仅是实用新型人所知晓的技术，并不当然代表本领域的现有技术。

技术实现要素：

针对现有技术存在问题中的一个或多个，本实用新型提供一种单膜石墨烯触控器件，包括：基材单膜，所述基材单膜包括感应层和驱动层，所述感应层或所述驱动层均包括由激光诱导生成的石墨烯图形，用于获取触控耦合电容信号；银浆电路，所述银浆电路布置在所述感应层或所述驱动层周边，用于电路连通；光学双面胶，所述光学双面胶布置在所述基材单膜表面，用于封装粘合；盖板，所述盖板与所述光学双面胶贴合，将所述基材单膜封装为石墨烯触控器件。

根据本实用新型的另一个方面，所述基材单膜一面为所述感应层，另一面为所述驱动层。

根据本实用新型的另一个方面，所述银浆电路包括银浆电极，所述银浆电极设置在所述感应层石墨烯图形和所述驱动层石墨烯图形边缘；银浆引线，所述银浆导线设置在所述银浆电极周边，用于连通所述银浆电极；和银浆导柱，所述银浆导柱贯通所述基材单膜，用于连通所述感应层的所述银浆引线和所述驱动层的所述银浆引线。

根据本实用新型的另一个方面，所述基材单膜上设置有若干通孔，所述银浆导柱设置在所述通孔内。

根据本实用新型的另一个方面，所述基材单膜厚度为5-30微米，优选20微米。

根据本实用新型的另一个方面，所述石墨烯图形线条宽度为2-5微米。

根据本实用新型的另一个方面，所述银浆引线包括压合区银浆引线，所述压合区银浆引线宽度为10-20微米；和非压合区银浆引线，所述非压合区银浆引线宽度为50-300微米。

根据本实用新型的另一个方面，所述银浆电极厚度为3-10微米。

根据本实用新型的另一个方面，所述光学双面胶厚度为10-30微米，优选20微米。

根据本实用新型的另一个方面，所述盖板厚度为10-150微米，优选50微米。

相比较于现有技术，本实用新型专利具有如下的有益效果：

1、采用基材单膜制备触控器件的感应层和驱动层石墨烯图形，降低了触控器件内部薄膜数量，降低了器件重量和硬件成本；

2、采用银浆导柱完成了单膜双面上的感应层和驱动层的电气连接，保证了基材单膜各面上石墨烯图形的连通，满足了触控器件柔性。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1是根据本实用新型的一个实施例的单膜石墨烯触控器件剖面结构示意图；

图2是根据本实用新型的一个实施例的单膜石墨烯器件感应层银浆电路布置示意图。

具体实施方式

在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语"中心"、"纵向"、"横向"、"长度"、"宽度"、"厚度"、"上"、"下"、"前"、"后"、"左"、"右"、"坚直"、"水平"、"顶"、"底"、"内"、"外"、"顺时针"、"逆时针"等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语"第一"、"第二"仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有"第一"、"第二"的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本实用新型的描述中，"多个"的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语"安装"、"相连"、"连接"应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接:可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之"上"或之"下"可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征"之上"、"上方"和"上面"包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征"之下"、"下方"和"下面"包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本实用新型。此外，本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本实用新型提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1-2所示，本实用新型的实施例提供一种单膜石墨烯触控器件，采用超精密激光诱导技术完成基材单膜双面的石墨烯图形制备，由银浆电路完成基材单膜双面石墨烯图形的电气连通。

下面参考图1-2详细描述该单膜石墨烯触控器件。如图1所示，本实用新型的一种单膜石墨烯触控器件，包括：基材单膜100，基材单膜100包括感应层110和驱动层120，感应层110或驱动层120均包括由激光诱导生成的石墨烯图形101，用于获取触控耦合电容信号；银浆电路，银浆电路布置在感应层或驱动层周边，用于电路连通；光学双面胶300，光学双面胶300布置在基材单膜100表面，用于封装粘合；盖板400，盖板400与光学双面胶300贴合，将基材单膜100封装为石墨烯触控器件。激光诱导石墨烯图形101改变了以往的石墨烯薄膜制备方式，能够在单膜上集成多种石墨烯图形101，方便了石墨烯触控器件的集成。

在本实用新型的一个具体实施例中，基材单膜100一面为感应层110，另一面为驱动层120。单膜制备石墨烯触控器件避免在后学工艺中多次贴合制造，减少了触控器件自身重量，同时降低了生产成本。

如图2所示，在本实用新型的一个具体实施例中，银浆电路包括银浆电极210，银浆电极设置在感应层110石墨烯图形101和驱动层120石墨烯图形101边缘；银浆引线220，银浆导线设置在银浆电极210周边，用于连通银浆电极210；和银浆导柱230，银浆导柱230贯通基材单膜100，用于连通感应层110的银浆引线210和驱动层120的银浆引线210。银浆电路一般采用丝网印刷方式获得电路图形。采用银浆导柱230完成基材单膜100的双面上的石墨烯图形101电气连通，能够保证在一张膜片上实现触控器件制造，满足了触控器件柔性要求。

在本实用新型的一个具体实施例中，基材单膜110上设置有若干通孔，银浆导柱230设置在通孔内。通孔的制备需要在制备银浆电路前完成。具体地，通孔尺寸要求在基材单膜上根据石墨烯图形设计的需要选定，通孔可以在激光诱导生成石墨烯图形前预留，也可以在激光诱导生成石墨烯图形的过程中调整激光参数，利用激光高能轰击完成通孔制备。

在本实用新型的一个具体实施例中，基材单膜100厚度为5-30微米，优选20微米。

在本实用新型的一个具体实施例中，石墨烯图形101线条宽度为2-5微米。

在本实用新型的一个具体实施例中，银浆引线220包括压合区银浆引线221，宽度为10-20微米，布置在石墨烯图形边缘，用于连通银浆电极210；和非压合区银浆引线222，宽度为50-300微米，用于连通银浆导柱230。

在本实用新型的一个具体实施例中，银浆电极210厚度为3-10微米。

在本实用新型的一个具体实施例中，光学双面胶300厚度为10-30微米，优选20微米。

在本实用新型的一个具体实施例中，盖板400厚度为10-150微米，优选50微米。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。