一种自容式触控面板及触控式显示面板的制作方法

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种自容式触控面板及触控式显示面板。

背景技术：

随着显示技术的飞速发展，触控式显示面板在电子产品上的应用日益广泛。触控式显示面板包含触控面板，电容式触控面板是目前的主流产品之一，根据触控原理，可以将电容式触控面板分为自容式触控面板和互容式触控面板，其中，自容式触控面板具有扫描速度快的优点，适用于单点和手势触控。

自容式触控面板的触控原理为：自容式触控面板具有一由多个自电容触控电极组成的电极阵列，各个自电容触控电极分别与地构成一电容，当手指触摸自容式触控面板时，手指的电容会叠加至面板电容上，使得面板的电容量增加；在触摸检测时，自容式触控面板依次检测横向的自电容触控电极，以及纵向的自电容触控电极，根据触摸前后电容的变化，分别确定触摸点的横向坐标和纵向坐标，然后组合成平面的触摸坐标，获得触摸点的位置信息。

如图1所示，现有的一种自容式触控面板包括：多个同层设置且相互绝缘的触控电极10，多个所述触控电极10呈矩阵式排列，各个所述触控电极10分别通过一条信号传输线20连接至触控集成电路30。但是，图1中所示的自容式触控面板具有缺点：随着自容式触控面板的尺寸增加，触控信号线的长度伴随地增长(尤其对于处于远端的自电容触控电极所连接的信号传输线)，对应地走线阻抗也越大，而阻抗过大会增加电阻电容负载，从而造成不同区域的触控性能差异化的问题；此外，阻抗过大还会引起无法驱动触控或增加触控功耗的问题，对触控性能造成极大地负面影响。

技术实现要素：

针对现有技术的不足之处，本申请提供了一种自容式触控面板及触控式显示面板，以改善因走线阻抗大而对触控性能造成负面影响的问题。

第一方面，本申请提供了一种自容式触控面板，包括：

一触控集成电路；

一信号传输布线层，包括沿行方向或列方向延伸的多条信号传输线，每一所述信号传输线分别与所述触控集成电路电性连接；

一第一绝缘层，设置于所述信号传输布线层的一面上，所述第一绝缘层上开设有多个信号过孔；

一触控电极阵列层，设置于所述第一绝缘层背离所述信号传输布线层的一面上，所述触控电极阵列层包括多个相互绝缘的触控电极，每一所述触控电极通过所述信号过孔分别独立地连接一条所述信号传输线；以及

多个冗余电极，至少一条所述信号传输线上连接有一个或多个所述冗余电极，并且所述冗余电极与所述触控电极之间无连接。

在本申请的一些实施例中，每一所述信号传输线上并联有至少一所述冗余电极，以降低所有信号传输线的阻抗。

在本申请的一些实施例中，多个所述冗余电极设置于所述第一绝缘层背离所述信号传输布线层的一面上，并与所述触控电极阵列层处于同一层，有利于简化所述自容式触控面板的制备工艺。

在本申请的一些实施例中，所述冗余电极布设于与所述信号传输线相对应的位置处，以便于所述冗余电极并联于所述信号传输线。

在本申请的一些实施例中，所述第一绝缘层上还开设有多个冗余过孔，所述冗余电极通过所述冗余过孔与所述信号传输线连接，不但可以简化所述自容式触控面板的制备工艺，而且能够增加所述信号传输线的传输截面积，从而降低对应的走线阻抗。

在本申请的一些实施例中，所述冗余电极布设于所述触控电极的周围；和/或，所述触控电极上与所述信号传输线相对应的位置处设有至少一缺口，所述冗余电极设置于所述缺口内，并且所述冗余电极的边缘与所述缺口的边缘不接触。

在本申请的一些实施例中，所述冗余电极设置于所述信号传输线的延伸方向上，并且所述冗余电极设置于所述触控电极与所述信号传输线的连接处的一侧或两侧。

在本申请的一些实施例中，在所述触控电极与所述信号传输线的连接处的远离所述触控集成电路的一侧设有所述冗余电极。

第二方面，本申请提供了一种触控式显示面板，包括：

一阵列基板；

一显示元件层，设置于所述阵列基板的一面上；以及

一自容式触控面板，设置于所述显示元件层背离所述阵列基板的一面上，所述自容式触控面板包括：

一触控集成电路；

一信号传输布线层，包括沿行方向或列方向延伸的多条信号传输线，每一所述信号传输线分别与所述触控集成电路电性连接；

一第一绝缘层，设置于所述信号传输布线层的一面上，所述第一绝缘层上开设有多个信号过孔；

一触控电极阵列层，设置于所述第一绝缘层背离所述信号传输布线层的一面上，所述触控电极阵列层包括多个相互绝缘的触控电极，每一所述触控电极通过所述信号过孔分别独立地连接一条所述信号传输线；以及

多个冗余电极，至少一条所述信号传输线上连接有一个或多个所述冗余电极，并且所述冗余电极与所述触控电极之间无连接。

在本申请的一些实施例中，所述显示元件层为有机发光二极管层。

在本申请的一些实施例中，所述触控式显示面板还包括：一封装层，设置于所述显示元件层背离所述阵列基板的一面上，所述自容式触控面板设置于所述封装层背离所述显示元件层的一面上。

在本申请的一些实施例中，所述触控式显示面板还包括：一第二绝缘层，设置于所述封装层背离所述显示元件层的一面上，所述自容式触控面板设置于所述第二绝缘层背离所述封装层的一面上。

本申请提供了一种自容式触控面板及触控式显示面板，通过在自容式触控面板的信号传输线上并联一个或多个冗余电极，以降低信号传输线的走线阻抗(尤其对于处于远端的自电容触控电极所连接的信号传输线)，改善因走线阻抗过大而引起的无法驱动触控、触控功耗大、不同区域的触控性能差异大等问题。优选将冗余电极与自电容触控电极布设于同一层，并且冗余电极布设于与信号传输线相对应的位置处，以达到简化制备工艺、降低生产成本的目的。包含所述自容式触控面板的触控式显示面板可以应用于多种类型的电子产品中，具有触控响应快速、触控性能理想的优点。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为现有技术中一种自容式触控面板的结构示意图。

图2为本申请一个实施例中提供的一种自容式触控面板的结构示意图。

图3为图2中虚线方框处的局部放大图。

图4为图3沿b-b方向剖切获得的截面示意图。

图5为本申请另一个实施例中提供的触控电极、冗余电极和信号传输线的布局示意图。

图6为本申请另一个实施例中提供的触控电极、冗余电极和信号传输线的布局示意图。

图7为本申请另一个实施例中提供的一种自容式触控面板的结构示意图。

图8为本申请另一个实施例中提供的一种自容式触控面板的结构示意图。

图9为本申请一个实施例中提供的一种触控式显示面板的结构示意图。

图10为本申请另一个实施例中提供的一种触控式显示面板的结构示意图。

图11为本申请另一个实施例中提供的一种触控式显示面板的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“垂直”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

本申请的术语“信号传输线的延伸方向”是指将信号传输线与触控集成电路的连接处作为起始点，信号传输线朝向触控电极延伸的方向。

第一方面，本申请实施例提供了一种自容式触控面板，如图2至图4所示，所述自容式触控面板1主要包括：一触控集成电路11、一信号传输布线层12、一第一绝缘层13、一触控电极阵列层14以及多个冗余电极15，所述触控集成电路11设置于所述自容式触控面板1的一端，所述触控电极阵列层14通过所述信号传输布线层12与所述触控集成电路11电性连接，所述信号传输布线层12、所述第一绝缘层13以及所述触控电极阵列层14依次设置，多个所述冗余电极15与所述触控电极阵列层14同层设置。

所述信号传输布线层12包括沿列方向延伸的多条信号传输线，每一所述信号传输线分别与所述触控集成电路11电性连接，多条所述信号传输线相互平行且彼此绝缘。需要说明的是，多条所述信号传输线也可以沿行方向延伸。

所述触控电极阵列层14包括多个相互绝缘的触控电极，每一所述触控电极独立地连接一条所述信号传输线，即：所述触控电极的数量与所述信号传输线的数量相同，在所述信号传输线的延伸方向上，每一所述信号传输线分别与一个所述触控电极连接，并与其他的所述触控电极电绝缘。每一所述触控电极均与地形成电容，从而组成电容矩阵。多个所述触控电极呈矩阵式排列于所述第一绝缘层13背离所述信号传输布线层12的一面上。所述触控电极的材料例如可以是氧化铟锡(in2o3:sn,ito)、氧化铟锌(zno:in,izo)、氧化镓锌(zno:ga,gzo)、氧化铝锌(zno:al,azo)等透明的金属氧化物，也可以是铜(cu)、钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、钛(ti)或其他低阻抗导电材料。

所述触控集成电路11的作用是：依据各个所述触控电极输出的触控感应信号，检测各个所述触控电极与地之间形成的电容的变化，从而获得所述电容矩阵的电容变化，进而判断触控位置。所述触控集成电路11例如可以是软性印刷电路板(flexibleprintedcircuit,fpc)。

所述第一绝缘层13为透明有机层或透明无机层，其材料例如可以是氧化硅(siox)、氮化硅(siox)、高透过率有机光阻等材料。所述第一绝缘层13上开设有多个信号过孔，每一所述触控电极通过所述信号过孔独立地连接一条所述信号传输线。

所述冗余电极15与所述信号传输线并联连接，以降低所述信号传输线的走线阻抗，并且所述冗余电极15与所述触控电极之间无信号传输。所述冗余电极15可以采用与所述触控电极相同的材料，也可以采用与所述触控电极不相同的材料，优选所述冗余电极15与所述触控电极的材料相同以简化制备工艺。

所述冗余电极15与所述触控电极可以均布设于同一层，也可以分别布设于不相同的层，优选所述冗余电极15与所述触控电极均布设于同一层以简化制备工艺，即：多个所述冗余电极15设置于所述第一绝缘层13背离所述信号传输布线层12的一面上，并与所述触控电极阵列层14处于同一层。

作为一个优选的实施方案，每一所述信号传输线上并联有至少一所述冗余电极15，以降低每一所述信号传输线的走线阻抗，所述冗余电极15布设于与所述信号传输线相对应的位置处。所述第一绝缘层13上还开设有多个冗余过孔，各个所述冗余电极15通过所述冗余过孔与所述信号传输线连接。各个所述触控电极上与所述信号传输线相对应的位置处设有至少一缺口16，所述冗余电极15设置于所述缺口16内，并且所述冗余电极15的边缘与所述缺口16的边缘不接触。所述冗余电极15和所述缺口16的水平截面均为矩形，且所述缺口16的水平截面的面积大于所述冗余电极15的水平截面的面积。

在本申请的一些实施例中，冗余电极15设置于信号传输线的延伸方向上，并且冗余电极15设置于触控电极与信号传输线的连接处的一侧或两侧。

在本申请的一些实施例中，在触控电极与信号传输线的连接处的远离触控集成电路11的一侧设有冗余电极15。

如图2至图4所示，一种自容式触控面板1，其触控电极阵列层14为20个触控电极组成的五行四列式矩阵，由下至上依次为第一行至第五行，由左至右依次为第一列至第四列，所述触控集成电路11设置于靠近第一行触控电极的端部。所述触控电极阵列层14对应20条沿列方向延伸的信号传输线。

对于所述触控电极阵列层14，其每一列的布局情况相同，现以第一列进行示例说明，对第二列至第四列不再赘述。在由下至上的方向上，将第一列的五个触控电极依次命名为e1、e2、e3、e4和e5，将五条分别与触控电极e1、e2、e3、e4和e5相连的信号传输线依次命名为l1、l2、l3、l4和l5。

触控电极e1的下方对应有信号传输线l1至l5，对应地，触控电极e1上与信号传输线l1至l5相对应的位置处分别设有两个沿列方向排列的所述缺口16，即：共设有十个缺口16，按两行五列式矩阵排列，每个所述缺口16内设有一所述冗余电极15，触控电极e1与信号传输线l1的连接处(标号a)位于与信号传输线l1对应的两个所述缺口16之间，即：信号传输线l1在a处继续延伸，以与位于a远离触控集成电路一侧的冗余电极15相连。触控电极e2的下方对应有信号传输线l2至l5，对应地，触控电极e2上与信号传输线l2至l5相对应的位置处分别设有两个沿列方向排列的所述缺口16，即：共设有八个缺口16，按两行四列式矩阵排列，每个所述缺口16内设有一所述冗余电极15，触控电极e2与信号传输线l2的连接处(标号b)位于与信号传输线l2对应的两个所述缺口16之间，即：信号传输线l2在b处继续延伸，以与位于b远离触控集成电路一侧的冗余电极15相连。

依次类推，触控电极e3的下方对应有信号传输线l3至l5，对应地，触控电极e3上共设有六个缺口16，按两行四列式矩阵排列，每个所述缺口16内设有一所述冗余电极15，触控电极e3与信号传输线l3的连接处(标号c)位于与信号传输线l3对应的两个所述缺口16之间，信号传输线l3在c处继续延伸，以与位于c远离触控集成电路一侧的冗余电极15相连。触控电极e4上共设有四个缺口16，按两行两列式矩阵排列，每个所述缺口16内设有一所述冗余电极15，触控电极e4与信号传输线l4的连接处(标号d)位于与信号传输线l4对应的两个所述缺口16之间，信号传输线l4在d处继续延伸，以与位于d远离触控集成电路一侧的冗余电极15相连。触控电极e5上共设有两个缺口16，按两行一列式矩阵排列，每个所述缺口16内设有一所述冗余电极15，触控电极e5与信号传输线l5的连接处(标号e)位于与信号传输线l5对应的两个所述缺口16之间，信号传输线l4在e处继续延伸，以与位于e远离触控集成电路一侧的冗余电极15相连。

需要说明的是，一所述缺口内可以仅设置一个冗余电极，一所述缺口内也可以设置多个所述冗余电极，只需满足所述缺口内所有的所述冗余电极的边缘均不与所述缺口的边缘相接触即可。所述缺口16和所述冗余电极15的形状和数量均不作具体限定，可以依据实际需要自行选择。

在本申请的另一个实施例中，如图5所示，以触控电极e3为例进行说明，触控电极e3上与信号传输线l3相对应的位置处分别设有两个所述缺口16，并且这两个所述缺口16分别位于触控电极e3与信号传输线l3的连接处(标号c)的两侧，这两个所述缺口16内分别设有一所述冗余电极15。触控电极e3上与信号传输线l4和l5相对应的位置处分别设有一个所述缺口16，其内分别设有两个相间隔的所述冗余电极15。

此外，各个所述触控电极上与所述信号传输线相对应的位置处可以设置一个或多个缺口，并且缺口内可以设置一个或多个冗余电极，仅需满足每一所述信号传输线并联连接有至少一所述冗余电极即可。

在本申请的另一个实施例中，如图6所示，以触控电极e3为例进行说明，触控电极e3上与信号传输线l3至l5相对应的位置处分别设有两个所述缺口16，形成两行三列的缺口阵列，其中，第一行的所述缺口16内仅设有一个所述冗余电极15，第二行的所述缺口16内设有两个相间隔的所述冗余电极15，触控电极e3与信号传输线l3的连接处(标号c)位于与信号传输线l3对应的两个所述缺口16之间。

作为一个优选的实施方案，对于靠近所述触控集成电路的一行所述触控电极，其分别对应连接的所述信号传输线为常规结构，即不并联连接有所述冗余电极，其余的所述信号传输线均并联连接有至少一个冗余电极；所述冗余电极布设于与所述信号传输线相对应的位置处，并且所述冗余电极通过所述信号过孔与所述信号传输线连接。这样设计的原因是：所述信号传输线较短，对应地走线阻抗较小，从而对触控性能无负面影响或负面影响较小，因此，其不并联连接有所述冗余电极有利于节约制造成本。

在本申请的另一个实施例中，如图7所示，一种自容式触控面板，其与图2中示出的自容式触控面板的区别之处仅在于：与第一行的四个触控电极分别对应连接的四条所述信号传输线(标号为l1-a、l1-b、l1-c和l1-d)为常规结构，这四条所述信号传输线均未并联连接有所述冗余电极。

作为一个替代性的实施方案，所述冗余电极布设于所述触控电极的周围，并且所述冗余电极设置在与所述信号传输线相对应的位置处，所述冗余电极通过所述信号过孔与所述信号传输线连接。

在本申请的另一个实施例中，如图8所示，一种自容式触控面板，其与图2中示出的自容式触控面板的区别之处在于：所述冗余电极15的布设方式不相同。

具体的，在所述自容式触控面板中，每一列的所述触控电极、所述信号传输线以及所述冗余电极布局情况相同，现以第一列进行示例说明，对第二列至第四列不再赘述。在由下至上的方向上，将第一列的五个触控电极依次命名为e1’、e2’、e3’、e4’和e5’，将五条分别与触控电极e1’、e2’、e3’、e4’和e5’相连的信号传输线依次命名为l1’、l2’、l3’、l4’和l5’。

触控电极e1’与所述触控集成电路11之间设有五个所述冗余电极15，这五个所述冗余电极15分别设置于与信号传输线l1’至l5’相对应的位置处。触控电极e1’与e2’之间设有四个所述冗余电极15，这四个所述冗余电极15分别设置于与信号传输线l2’至l5’相对应的位置处。触控电极e2’与e3’之间设有三个所述冗余电极15，这三个所述冗余电极15分别设置于与信号传输线l3’至l5’相对应的位置处。触控电极e3’与e4’之间设有两个所述冗余电极15，这两个所述冗余电极15分别设置于与信号传输线l4’至l5’相对应的位置处。触控电极e4’与e5’之间设有一个所述冗余电极15，这个所述冗余电极15设置于与信号传输线l5’相对应的位置处。

需要说明的是，对于多个所述冗余电极，可以是其中的部分所述冗余电极按照图8中所示的方式布设于所述触控电极的周围，其余的所述冗余电极按照图2中所示的方式布设于所述触控电极的所述缺口内。

第二方面，本申请实施例提供了一种触控式显示面板，如图9所示，所述触控式显示面板包括：依次设置的一阵列基板2、一显示元件层3、一封装层4以及一自容式触控面板1，其中，所述自容式触控面板1为第一方面中任意一种所述的自容式触控面板1。

所述阵列基板2包括：一衬底基板21和及一阵列电路层22，所述阵列电路层22设置于所述衬底基板21上，所述阵列电路层22包括多个薄膜晶体管(thinfilmtransistor,tft)。所述衬底基板21既可以是柔性衬底，也可以是刚性衬底。所述阵列电路层22可以采用喷墨打印(inkjetprinting,ijp)工艺或光刻(photolithography)工艺形成于所述衬底基板21上。

所述显示元件层3为有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,oled)层，即所述触控式显示面板为oled触控式显示面板。所述oled层包括依次设置的一阳极层、一空穴注入层、一空穴传输层、一发光层、一电子传输层、一电子注入层和一阴极层。所述oled层可以采用ijp工艺或光刻工艺形成于所述阵列基板2的一面上。

所述封装层4的材料为惰性化合物，可以选自氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)以及氧化铝(al2o3)中的一种或多种。所述封装层4可以是单层结构，也可以是多层结构。所述封装层4可以采用ijp工艺或薄膜沉积工艺形成于所述显示元件层3背离所述阵列基板2的一面上。

在本申请的一个实施例中，所述自容式触控面板1可以直接形成于所述封装层3上，具体包括步骤：

s1、在所述封装层背离所述显示元件层的一面上，采用ijp工艺或光刻工艺制备形成一信号传输布线层和一触控集成电路，所述信号传输布线层包括沿行方向或列方向延伸的多条信号传输线，每一所述信号传输线分别与所述触控集成电路电性连接；

s2、在所述信号传输布线层背离所述封装层的一面上，采用ijp工艺或薄膜沉积工艺制备形成一第一绝缘层，并采用激光开孔或机械开孔的方式在所述第一绝缘层上开设有多个信号过孔；

s3、在所述第一绝缘层背离所述信号传输布线层的一面上，采用ijp工艺或光刻工艺制备形成所述触控电极阵列层和多个冗余电极。

在本申请的另一个实施例中，如图10所示，相较于图9中示出的触控式显示面板，本实施例的触控式显示面板还包括：一第二绝缘层5，设置于所述封装层4背离所述显示元件层3的一面上，所述自容式触控面板1设置于所述第二绝缘层5背离所述封装层4的一面上，即所述自容式触控面板1不直接形成于所述封装层4上。

所述第二绝缘层5的材料可以与所述第一绝缘层13的材料相同。在制备所述自容式触控面板1之前，可以采用ijp工艺或薄膜沉积工艺在所述封装层4背离所述显示元件层3的一面上制备形成所述第二绝缘层13。

在本申请的另一个实施例中，如图11所示，相较于图10中示出的触控式显示面板，本实施例的触控式显示面板还包括：一偏光片层6，设置于所述自容式触控面板1背离所述封装层4的一面上。所述偏光片层6具有抗反射的作用，以增加所述触控式显示面板在强烈光线下的显示对比度。所述偏光片层6可以通过光学胶(opticallyclearadhesive,oca)粘附至所述自容式触控面板1背离所述封装层4的一面上。

需要说明的是，所述触控式显示面板的的结构并不局限于上述列举出的结构形式，在满足自容式触控需要的前提下，所述触控式显示面板还可以采用其他层结构形式。本领域技术人员可以理解的是，所述触控式显示面板还应包括其他用于实现显示功能的必要部件，这些必要部件为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。

第二方面中所述的触控式显示面板可以作为显示屏幕应用于多种类型的移动终端中，所述移动终端例如可以是：手机、平板电脑、数码相机、数码摄像机、游戏机、音频再生装置、信息终端机、智能可穿戴设备、智能称重电子秤、车载显示器、电视机等一切具有显示屏幕的产品，其中，所述智能可穿戴设备可为智能手环、智能手表、智能眼镜等。

以上对本申请实施例所提供的一种自容式触控面板及触控式显示面板，进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。