技术特征：
1.一种基于rsoft的微纳光栅边缘堆积/填充缺陷仿真分析方法，其特征在于，包括以下步骤：利用rsoft软件搭建第一微纳光栅模型，并为所述第一微纳光栅模型赋参数值；在所述第一微纳光栅模型靠近光栅槽的光栅层上添加边缘堆积模型，且在所述光栅槽内添加填充缺陷模型，得到第二微纳光栅模型；其中，所述边缘堆积模型靠近所述光栅槽的侧面为平面、远离所述光栅槽的侧面为阶梯面；所述边缘堆积模型靠近所述光栅槽侧面的面为平面、远离所述光栅槽侧面的面为阶梯面，且所述边缘堆积模型的平面与所述光栅槽侧面贴合；分别变换所述边缘堆积模型的宽度误差参数、高度误差参数以及所述填充缺陷模型的宽度误差参数、深度误差参数，并进行仿真分析，得到所述第二微纳光栅模型的光谱响应曲线。2.如权利要求1所述的一种基于rsoft的微纳光栅边缘堆积/填充缺陷仿真分析方法，其特征在于，所述边缘堆积模型与所述填充缺陷模型的形状相同。3.如权利要求2所述的一种基于rsoft的微纳光栅边缘堆积/填充缺陷仿真分析方法，其特征在于，所述边缘堆积模型为阶梯状，每层阶梯的高度均相等，且上层阶梯的宽度小于下层阶梯的宽度。4.如权利要求3所述的一种基于rsoft的微纳光栅边缘堆积/填充缺陷仿真分析方法，其特征在于，下层阶梯的宽度为上层阶梯的宽度的两倍。5.如权利要求2-4任一所述的一种基于rsoft的微纳光栅边缘堆积/填充缺陷仿真分析方法，其特征在于，在所述光栅槽的两个侧面上均添加所述填充缺陷模型，所述填充缺陷模型的底面与所述光栅槽的底面贴合。6.如权利要求5所述的一种基于rsoft的微纳光栅边缘堆积/填充缺陷仿真分析方法，其特征在于，所述边缘堆积模型的平面与所述光栅槽的侧面位于同一平面。
技术总结
本发明公开了一种基于Rsoft的微纳光栅边缘堆积/填充缺陷仿真分析方法，利用Rsoft软件搭建第一微纳光栅模型，并为第一微纳光栅模型赋参数值；在第一微纳光栅模型靠近光栅槽的光栅层上添加边缘堆积模型，且在光栅槽内添加填充缺陷模型，得到第二微纳光栅模型；分别变换边缘堆积模型的宽度误差参数、高度误差参数以及填充缺陷模型的宽度误差参数、深度误差参数，并进行仿真分析，得到第二微纳光栅模型的光谱响应曲线；本发明可以指导微纳光栅设计分析，提高微纳光栅制备成功率，降低制备成本。降低制备成本。降低制备成本。
技术研发人员：赵永强 汤超龙
受保护的技术使用者：西北工业大学
技术研发日：2022.06.30
技术公布日：2022/9/30