专利名称:使ddr2或ddr1共用一主机板的方法及装置的制作方法
技术领域：
本发明是有关使电脑主机板分别结合不同存储器的方法及装置，尤其是有关使DDR1及DDR2可分别结合同一主机板的方法及装置。
背景技术：
在电脑日新月异的变化下，存储器已从过去的EDO存储器、SIMM存储器等，转变至更高速的Rambus存储器、DDR1(DOUBLE DATA RAM I存储器)与即将上市之DDR2。在存储器制造技术快速的发展下，谁能适时掌握变化，就能在变化激烈的市场中取得优胜。
DDR2即将上市，可预见的是配合DDR2的主机板将逐渐成为市场上的主流。但由于DDR1的价格必然较DDR2便宜，因此配合DDR1的主机板仍将会有市场上的需求。目前在主机板的设计上，仍无使同一主机板分别结合DDR2或DDR1的规划。意思是说DDR2与DDR1不能共用一个连接器(Connector)。由于主机板的设计无法达成一板多用途的功能，因此必需分别制造结合DDR2或DDR1的主机板，使主机板的制造量能被分散，而增加制造成本，且会增加DDR2或DDR1的主机板总合的库存量，客户端也会弹性减少库存量。如果可以设计一种转接结构，使DDR2或DDR1可分别结合同一块主机板，便可以解决上述必须分别制造个别主机板所产生的问题。
台湾专利公告第566617号揭示一种快闪存储器读写转接器，系利用一转换匣周边分别设有一CF(COMPACT FLASH)插槽、USB(UNIVERSAL SERIAL BUS)插座及PCMCTA界面(国际标准界面)接头，以对应连结至一CF快闪存储器、USB界面及PCMCIA界面，使CF快闪存储器连接至USB界面或PCMCIA界面的数据读写装置或电脑主机连结。但上述台湾专利所揭示的转接器，无法用以连结DDR1或DDR2，因此不能被利用做为使DDR2及DDR1共用主机板的设计。为能提供一种使DDR2或DDR1共用一主机板的设计，经发明人等一再研究后，终完成本发明。
发明内容
本发明的主要目的，在提供一种转接装置，使DDR2或DDR1共用一主机板。
本发明的另一目的，在提供一种转接装置，使同一主机板可分别结合DDR2或DDR1，以提升单一主机板的制造产能，降低制造成本及库存量，提升主机板的销售竞争力。
本发明的又一目的，在提供一种使DDR2或DDR1共用一主机板的方法，使同一主机板可分别结合DDR2或DDR1，达到一主机板多用途的功能。
本发明主要系使主机板结合一DDR2连接器，使DDR2连接器可结合DDR2，或结合一转接卡后，再使转接卡结合一DDR1连接器以结合DDR1。并利用一电压转接器的输出端，提供DDR2或DDR1所需电力。当要使主机板结合DDR2时，电压转换器的输出端卽输出一适合DDR2使用的电压至DDR2连接器；当要使主机板结合DDR1时，利用使电压转接器的输入端接地的方法，使电压转接器的输出端输出匹配DDR1的电压，即可达成使同一主机板可分别结合DDR2或DDR1的功能。
本发明的其他目的、功效及实施例，请参阅图式详细设明如下。
图1为本发明转接卡结合DDR2连接器及DDR1连接器实施例的示意图。
图2为本发明电压转换器实施例的电路图。
图3为本发明转接卡接地的实施例示意图。
图4为DDR2电路方块示意图。
具体实施方式
DDR2具有240支接脚(Pin)，使用约1.8V(伏特)的电源；而DDR1具有184支接脚，使用约2.5V的电源。DDR2与DDR1的接脚数目和使用的电压不同，所以无法使DDR1共用DDR2的连接器，而必须有一个可连接DDR2连接器的转接卡，转接卡具有一接地端点，并使转接卡可连接DDR1连接器；并必须有一个电压转接器，利用电压转接器的输入端是否与转接卡的接地端点连接，分别提供DDR1或DDR2使用的电压。
本发明使DDR2或DDR1共用一主机板的方法，系使主机板结合一电压转换器及一DDR2连接器；当要使主机板结合DDR2时，电压转换器的输出端卽输出一适合DDR2使用的电压至DDR2连接器；当要使主机板结合DDR1连接器时，使DDR2连接器连接一转接卡的一端，转接卡的另一端连接DDR1连接器，并使电压转换器的输入端与转接卡的接地端点连接，电压转换器的输出端即输出一适合DDR1使用的电压至DDR1连接器，使主机板可分别结合DDR2或DDR1。
请参阅图1、2所示。本发明使一主机板10可分别结合一DDR2或一DDR1的转接装置，主要包括一转接卡30及一电压转换器60。主机板10结合一DDR2连接器20，用以结合DDR2。当主机板10不结合DDR2时，即可使DDR2连接器20结合转接卡30，转接卡30另一侧再结合DDR1连接器40。即可利用DDR1连接器40结合DDR150。
请参阅图2所示。本发明提供的电压转接器60，用以分别供应与DDR2、DDR1相配合的电压。电源转换器60主要包括一芯片U8、一CMOS(金属氧化物半导体)Q75、一晶体管Q78及相配合的多个电阻所组成。芯片U8的第4连接端为电源输入端61连结5V电源，并连接一接地的电阻R52；芯片U8的第1连接端、第2连接端之间连接一电阻R65，电阻R65与第2连接端的结合点另连接一接地的电阻R66及一CMOS Q75的源极。CMOS Q75的漏极连接另一接地的电阻R66。CMOS Q75的栅极连接晶体管Q78的集极，并连接至一电阻R52，电阻R52的另一端连接5V的电源。晶体管Q78的射极接地，基极连接另一电阻R52，另一电阻R52的另一端连接5V的电源。芯片U8的第6连接端连接第3、第2连接端，并作为供DDR1及DDR2使用电源的输出端62，输出端62连接DDR2连接器，并可连接至转接卡。晶体管Q78的基极与另一电阻R52的结合点作为电压转接器60接地的输入端63。
本发明系利用电压转接器60的输入端63是否接地，做为输出端62端输出DDR1使用电压或供DDR2使用电压的依据。
当使电压转接器60的输入端63接地时，晶体管Q78的基极接地，故其基极的电位为0，而集极的电位为5V，因此CMOS Q75的栅极电位也为5V。本发明选取适当的CMOS Q75，当CMOS Q75的栅极电位为5V以上时，其源极及漏极呈短路的状态，此时输出端62输出的电压，会因电源流经电阻R65再分流至两电阻R66产生的压降，而输出供DDR1使用约2.5V的较高电压。
当使电压转接器60的输入端63不接地时，晶体管Q78的基极不接地，故其基极电位大于0，而其集极电位小于5V，因此CMOS Q75的栅极电位也小于5V，而使其源极及漏极间并非呈短路的状态，此时输出端62输出的电压，会因电源流经电阻R65及R66产生的压降，而输出供DDR2使用约1.8V的较低电压。
请参阅图3所示。本发明的一种实施例，系在转接卡除了设有与DDR2连接器结合的接脚外，另设有至少两个接脚，其中一接脚接地，另一接脚连接至转接卡上连接至DDR1连接器供应DDR1电源的连接端。此两接脚可结合一连接器JP4。此连接器JP4与两个接脚连结的两端，分别以两导线电气连接至如图2所示电压转换器60的输入端63及输出端62。当使转接卡结合DDR2连接器，并使连接器JP4与两个接脚连结时，就会使电压转换器60的输入端63接地，而使电压转换器60的输出端62输出供DDR1使用的较高电压；否则，电压转换器60的输出端62将输出供DDR2使用的较低电压。
请参阅图4所示。本发明的另一种实施例，系在转接卡与DDR2连接器结合的接脚中，有一接脚接地，而此接脚的位置，系相对于DDR251的接脚中，一般未使用之接脚NCO-NC22中的一接脚，譬如接脚NC18，而使DDR2连接器相对于DDR251接脚NC18的连接端，利用导线电气连接至如图2所示电压转换器60的输入端63。当使转接卡结合DDR2连接器时，就会使电压转换器60的输入端63接地，而使电压转换器60的输出端62输出供DDR1使用的较高电压；否则，电压转换器60的输出端62将输出供DDR2使用的较低电压。
经由上述说明，本发明可使同一主机板可分别结合DDR2或DDR1，以提升单一主机板的制造产能，降低制造成本及库存量，提升主机板的销售竞争力。
以上所记载，仅为利用本发明技术内容之实施例，任何熟悉本技术领域：
的人员运用本发明所为的修饰、变化，皆属本发明主张的权利要求
书范围内，而不限于实施例所揭示的内容。
权利要求
1.一种使DDR2或DDR1共用一主机板的方法，包括使主机板结合一电压转换器及一DDR2连接器；当要使该主机板结合DDR2时，该电压转换器的输出端即输出一适合该DDR2使用的电压至该DDR2连接器；当要使该主机板结合DDR1连接器时，先使DDR2连接器连接一转接卡的一端，该转接卡的另一端连接该DDR1连接器，并使该电压转换器的输入端接地，该电压转换器的输出端即输出一适合该DDR1使用的电压至该DDR1连接器，以使该主机板可分别结合该DDR2或该DDR1。
2.根据权利要求
1所述的方法，其特征在于，该电压转换器的输入端系与该转接卡的接地端点电气连接。
3.根据权利要求
1所述的方法，其特征在于，该电压转换器包括一芯片、一CMOS、一晶体管及相配合的多个电阻所组成；该芯片的第4连接端为电源输入端连接一电源，并连接一接地的电阻；该芯片的第1连接端、第2连接端之间连接一电阻，该电阻与第2连接端的结合点另连接一接地的电阻及该CMOS的源极；该CMOS的漏极连接另一接地的电阻；该CMOS的栅极连接该晶体管的集极，并连接至一电阻，此一电阻的另一端连接该电源；该晶体管的射极接地，基极连接另一电阻，此另一电阻的另一端连接该电源；该芯片的第6连接端连接第3、第2连接端，并为该输出端；该晶体管的基极与此另一电阻的结合点作为该输入端。
4.根据权利要求
2所述的方法，其特征在于，该DDR2连接器连接该转接卡，该转接卡与该DDR2连接器结合的接脚中，有一接脚接地，而此接脚的位置，系相对于该DDR2的接脚中，未使用的接脚中的一接脚，而该DDR2连接器相对于此接脚的连接端与该输入端以导线电气连接；这样当该转接卡结合该DDR2连接器时，就会使该输入端接地。
5.根据权利要求
2所述的方法，其特征在于，该DDR2连接器连接该转接卡，该转接卡除了设有与该DDR2连接器结合的接脚外，另设有至少两个接脚，其中一接脚接地，另一接脚电气连接至该DDR1连接器供应DDR1电源的连接端；这样当该两接脚结合一连接器时，该连接器与该两接脚连结的两端，分别以导线电气连接至该输入端及该输出端，使该输入端接地。
6.一种使DDR2或DDR1共用一主机板的装置，系与电脑主机板结合，包括一电压转换器；该电压转换器具有一输入端及一输出端，该输出端以导线电气连接至一DDR2连接器及一DDR1连接器，这样当该输入端未接地时，该输出端输出一供DDR2使用的电压至DDR2连接器，而当该输入端接地时，该输出端输出一供DDR1使用的电压至DDR1连接器。
7.根据权利要求
6所述的装置，其特征在于，该电压转换器包括一芯片、一CMOS、一晶体管及相配合的电阻所组成；该芯片的第4连接端为电源输入端连接一电源，并连接一接地的电阻；该芯片的第1连接端、第2连接端之间连接一电阻，该电阻与第2连接端的结合点另连接一接地的电阻及该CMOS的源极；该CMOS的漏极连接另一接地的电阻；该CMOS的栅极连接该晶体管的集极，并连接至一电阻，此一电阻的另一端连接该电源；该晶体管的射极接地，基极连接另一电阻，此另一电阻的另一端连接该电源；该芯片的第6连接端连接第3、第2连接端，并为该输出端；该晶体管的基极与此另一电阻的结合点作为该输入端。
8.根据权利要求
6所述的装置，其特征在于，该电压转换器的输入端系与一转接卡的接地端点电气连接。
9.根据权利要求
8所述的装置，其特征在于，该DDR2连接器连接该转接卡，该转接卡与该DDR2连接器结合的接脚中，有一接脚接地，而此接脚的位置，系相对于该DDR2的接脚中，未使用之接脚中的一接脚，而该DDR2连接器相对于此接脚的连接端与该输入端以导线电气连接；这样当该转接卡结合该DDR2连接器时，就会使该输入端接地。
10.根据权利要求
8所述的装置，其特征在于，该DDR2连接器连接该转接卡，该转接卡除了设有与该DDR2连接器结合的接脚外，另设有至少两个接脚，其中一接脚接地，另一接脚电气连接至该DDR1连接器供应DDR1电源的连接端；这样当该两接脚结合一连接器时，该连接器与该两接脚连结的两端，分别以导线电气连接至该输入端及该输出端，使该输入端接地。
专利摘要
一种使DDR2或DDR1共用一主机板的方法及装置，系使主机板结合一电压转换器及一DDR2连接器；当要使主机板结合DDR2时，电压转换器的输出端卽输出一适合DDR2使用的电压至DDR2连接器；当要使主机板结合DDR1连接器时，使DDR2连接器连接一转接卡，转接卡的另一端连接DDR1连接器，并使电压转换器的输入端与转接卡的接地端点连接，电压转换器的输出端即输出一适合DDR1使用的电压至DDR1连接器，使主机板可分别结合DDR2或DDR1，以改善分别制造个别主机板所产生的问题。
文档编号G06F1/00GKCN1315016SQ200410031761
公开日2007年5月9日 申请日期2004年3月23日
发明者骆绍平, 高亿生 申请人:纬创资通股份有限公司导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan专利引用 (3),