添加至与所述应力参考值相匹配的初始MOS管模型中；
[0037]S40:将不同尺寸MOS管的LOD效应模型进行整合获得整合后的LOD效应模型；
[0038]S50:对整合后的LOD效应模型中与所述预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管的LOD效应模型参数进行修改；
[0039]S60:对与所述预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管进行测试参数的目标重设后，获得最终的LOD效应模型。
[0040]具体的，请参考图3和图4，在本实施例中，所述不同尺寸的MOS管包括宽度Wl尺寸大于0.5 μπι的第一结构100和宽度W2尺寸小于等于0.5 μπι的第二结构110，本实施例以第一结构中MOS管宽度Wl尺寸为1.2 μπι且第二结构中MOS管宽度W2尺寸为0.5 μπι为例进行说明，其中，第二结构120也称之为H型结构；需要指出的是，MOS管的尺寸可以根据其他需求进行规定，例如还可以分为第三结构和第四结构等等，在此不作限定。
[0041]所述第一结构100和第二结构110中均包括栅极120和有源区130，所述栅极120横跨所述有源区130，所述栅极120的一侧边与所述有源区130的一侧边相平行。在所述第一结构100中，所述栅极120与有源区130相平行的两侧边之间的最小距离SAl或SBl为0.35 μ mo所述预设参考值SArefl或SBrefl对应所述第一结构100。在所述第二结构110中，所述栅极120与有源区130相平行的两侧边之间的最小距离SA2或SB2为0.69 μ m。所述不同应力参考值还包括待修正应力参考值SAref2或SBref2，所述待修正应力参考值SAref2或SBref2对应所述第二结构110。
[0042]具体的，在步骤S20中，对预设参考值SArefl或SBrefl下的第一结构100进行LOD效应模型参数的提取，获得第一 LOD效应模型参数，即SArefl = SBrefl = 0.35 μπι时的参数；同理，对待修正应力参考值SAref2或SBref2下的第二结构110进行LOD效应模型参数的提取，获得第二 LOD效应模型参数，即SAref2 = SBref2 = 0.69 μπι时的参数；
[0043]接着，在步骤S30中，将提取出的第一 LOD效应模型参数添加至初始MOS管模型中的第一结构100中，即添加至MOS管宽度Wl大于0.5 μπι中的LOD效应模型参数内；同理，再将提取出的第二 LOD效应模型参数添加至初始MOS管模型中的第二结构110中，即添加至MOS管W2宽度小于等于0.5 μπι中的LOD效应模型参数内；
[0044]接着，在步骤S40中，将第一 LOD效应模型参数和第二 LOD效应模型参数的模型进行整合，获得整合后的LOD效应模型；
[0045]接着，在步骤S50中，在预设参考值SArefl或SBrefl下，即SArefl = SBrefl =0.35 μ m时，对第二结构110中的第二 LOD效应模型参数进行相应的修改，使其满足预设参考值 SArefl 或 SBrefl ；
[0046]接着，在步骤S60中，对第二结构110进行测试参数的目标重设(Retarget)，获得最终的LOD效应模型，其中，所述测试参数包括阈值电压Vth和迀移率(Mobility)等参数。
[0047]经过上述提取LOD效应模型的方法，获得的测试参数拟合曲线均较为准确，不存在偏移等现象。
[0048]综上，在本发明实施例提供的提取LOD效应模型的方法中，在不同应力参考值下分别提取出多个不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数，接着，将不同的LOD效应模型参数分别添加至与所述应力参考值相匹配的初始MOS管模型中，再进行整合，接着，对与预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管的LOD效应模型参数进行修改，修改后再进行测试参数的目标重设，从而获得最终的LOD效应模型，实现对不同尺寸的MOS管同时进行LOD效应模型的准确提取，减少误差。
[0049]上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种提取LOD效应模型的方法，其特征在于，包括步骤: 提取初始MOS管模型； 在不同应力参考值下分别提取出多个不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数，所述不同尺寸MOS管对应不同应力参考值，所述应力参考值包括一预设参考值； 将不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数分别添加至与所述应力参考值相匹配的初始MOS管模型中； 将不同尺寸MOS管的LOD效应模型进行整合获得整合后的LOD效应模型； 对整合后的LOD效应模型中与所述预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管的LOD效应模型参数进行修改； 对与所述预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管进行测试参数的目标重设后，获得最终的LOD效应模型。
2.如权利要求1所述的提取LOD效应模型的方法，其特征在于，所述不同尺寸的MOS管包括宽度尺寸大于0.5 μπι的第一结构和宽度尺寸小于等于0.5 μπι的第二结构。
3.如权利要求2所述的提取LOD效应模型的方法，其特征在于，所述第一结构和第二结构中均包括栅极和有源区，所述栅极横跨所述有源区，所述栅极的一侧边与所述有源区的一侧边相平行。
4.如权利要求3所述的提取LOD效应模型的方法，其特征在于，在所述第一结构中，所述栅极与有源区相平行的两侧边之间的最小距离为0.35 μ mo
5.如权利要求4所述的提取LOD效应模型的方法，其特征在于，所述预设参考值对应所述第一结构。
6.如权利要求3所述的提取LOD效应模型的方法，其特征在于，在所述第二结构中，所述栅极与有源区相平行的两侧边之间的最小距离为0.69 μ mo
7.如权利要求6所述的提取LOD效应模型的方法，其特征在于，所述不同应力参考值还包括待修正应力参考值，所述待修正应力参考值对应所述第二结构。
8.如权利要求1所述的提取LOD效应模型的方法，其特征在于，所述测试参数包括阈值电压Vth和迀移率。
【专利摘要】本发明提出了一种提取LOD效应模型的方法，在不同应力参考值下分别提取出多个不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数，接着，将不同的LOD效应模型参数分别添加至与所述应力参考值相匹配的初始MOS管模型中，再进行整合，接着，对与预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管的LOD效应模型参数进行修改，修改后再进行测试参数的目标重设，从而获得最终的LOD效应模型，实现对不同尺寸的MOS管同时进行LOD效应模型的准确提取，减少误差。
【IPC分类】G06F17-50
【公开号】CN104657558
【申请号】CN201510091616
【发明人】廖梦星, 张昊
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2015年2月28日