加快Nand Flash写操作的方法及装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及嵌入式系统领域，特别是指一种加快Nand Flash写操作的方法及装 置。
【背景技术】
[0002] 在嵌入式系统中，由于程序的大小远远超过了 CPU(中央处理器）内部的存储空 间，所以一般都将程序存储到CPU外部的闪存中。Nand Flash闪存由于其存储空间大、价格 低廉等优势，被广泛的应用到各类的嵌入式系统中。
[0003] Nand Flash的数据是以bit (比特、位）的方式保存在存储单元中，一般来说，一个 单元中只能存储一个bit。这些单元以8个或者16个为单位，连成比特行（bit line)，形 成所谓的字节（8位字节为byte/16位字节为word)，这就是Nand Flash的位宽。这些比特 行会再组成页（page)，页又组成块（block)。
[0004] 以大页Nand Flash为例，一个Nand Flash由若干个块组成（具体多少个块，由 Nand Flash存储空间大小决定，存储空间越大，所含块数也多），一个块由64个页组成，一 个页有2048+64个字节的存储空间；一个块的大小是128KB (小页Nand Flash的块大小为 16KB)〇
[0005] Nand Flash以页为单位读写数据，以块为单位擦除数据。
[0006] 现有的技术对Nand Flash执行写操作的方法如图1所示，在定位到需要写入的地 址在Nand Flash中所属的块后，先读出整个块的数据，然后擦除整个块的数据，修改读出的 整个块的数据中对应地址的数据，最后将修改好的整块数据写入该块中。
[0007] 这种方法带来两个问题：
[0008] 第一、这种方法对Nand Flash的写操作经历了读取、擦除、修改、写入四个步骤，而 且是对整个块的操作。哪怕仅仅只是要修改了一个字节的数据，也要操作整个块的数据，极 大的降低了 Nand Flash写操作的速度；
[0009] 第二、频繁的对Nand Flash进行擦除操作将大大减少Nand Flash的使用寿命。
【发明内容】
[0010] 本发明提供一种加快Nand Flash写操作的方法及装置，该方法加快了 Nand Flash 写操作的速度，增加了 Nand Flash的使用寿命。
[0011] 为解决上述技术问题，本发明提供技术方案如下：
[0012] -种加快Nand Flash写操作的方法，所述Nand Flash的各个页按照一定的字节 分为若干个扇区，所述方法包括：
[0013] 步骤SlOl :根据预先建立的索引表，判断目标扇区的标识信息是否为"是"，若是， 则转至步骤S102,其中所述索引表中包括表示各个扇区中的当前数据是否为OxFF的标识 信息，所述目标扇区是目标地址所在的扇区，所述目标地址是待写入的地址；
[0014] 步骤S102 :将待写入数据写入所述目标扇区；
[0015] 步骤S103 :将所述目标扇区的标识信息设置为"否"。
[0016] -种加快Nand Flash写操作的装置，所述Nand Flash的各个页按照一定的字节 分为若干个扇区，所述装置包括：
[0017] 第一判断模块，用于根据预先建立的索引表，判断目标扇区的标识信息是否为 "是"，若是，则转至第一写入模块，其中所述索引表中包括表示各个扇区中的当前数据是否 为OxFF的标识信息，所述目标扇区是目标地址所在的扇区，所述目标地址是待写入的地 址；
[0018] 第一写入模块，用于将待写入数据写入所述目标扇区；
[0019] 第一设置模块，用于将所述目标扇区的标识信息设置为"否"。
[0020] 本发明具有以下有益效果：
[0021] 现有技术对Nand Flash执行写操作时，先读出目标块中的数据至缓存，然后擦除 Nand Flash中目标块的数据，再修改缓存中目标地址的数据，最后将修改好的整块数据写 入目标块中。与现有技术相比，本发明的加快Flash写操作的方法中，将Nand Flash的各 个页按照一定的字节分为若干个扇区，以扇区为读取和写入数据的最小单元，在进行数据 存储时，首先根据索引表，判断目标扇区的标识信息是否为"是"（目标扇区是否可以在不进 行擦除的情况下直接写入数据），若是，则将待写入数据写入目标扇区并将目标扇区的标识 信息设置为"否"。
[0022] 现有技术对Nand Flash的写操作经历了读取、擦除、修改、写入四个步骤，读取 和写入占用了大量的时间；而且是对整个块的操作，哪怕仅仅只是要修改了一个字节的数 据，也要操作整个块的数据，极大的降低了 Nand Flash写操作的速度；本发明的加快Nand Flash写操作的方法通过索引表判读Nand Flash中的各个扇区是否能被直接写入，而不会 对Nand Flash进行读取操作，并且仅针对扇区进行操作，由于总体上减少了对Nand Flash 的读写、擦除操作，所以大大提高了 Nand Flash的使用寿命。
[0023] 现有技术对Nand Flash的最小操作单元为页，当向Nand Flash写入数据的时候 是一页一页写入的，降低了 Nand Flash写操作的速度；本发明的加快Nand Flash写操作的 方法以扇区为最小操作单元对Nand Flash进行读取与写入操作（由于在对Nand Flash的 写操作在绝大时候数据量都不会太大，一般都不会超过Nand Flash的扇区容量），由于扇 区的大小远远小于块，故可以最大限度的减少了一次写入Nand Flash的数据量，进一步提 高了对Nand Flash写操作的速度。
[0024] Nand Flash有一定的擦除操作次数的限制，频繁的擦除将会大大降低Nand Flash 的使用寿命，本发明的加快Nand Flash写操作的方法中，当目标扇区可以在不进行擦除的 情况下直接写入数据，减少了对Nand Flash的擦除次数，大大提高了 Nand Flash的使用寿 命。
[0025] 故本发明的加快Nand Flash写操作的方法加快了 Nand Flash写操作的速度，增 加了 Nand Flash的使用寿命。
【附图说明】
[0026] 图1为现有技术中Nand Flash写操作的方法流程图；
[0027] 图2为本发明的加快Nand Flash写操作的方法流程图一；
[0028] 图3为本发明的加快Nand Flash写操作的方法流程图二；
[0029] 图4为本发明的加快Nand Flash写操作的方法流程图三；
[0030] 图5为本发明的加快Nand Flash写操作的方法流程图四；
[0031] 图6为本发明的加快Nand Flash写操作的装置结构图一；
[0032] 图7为本发明的加快Nand Flash写操作的装置结构图二；
[0033] 图8为本发明的加快Nand Flash写操作的装置结构图三；
[0034] 图9为本发明的加快Nand Flash写操作的装置结构图四。
【具体实施方式】
[0035] 为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具 体实施例进行详细描述。
[0036] -方面，本发明提供一种加快Nand Flash写操作的方法，如图2所示，其特征在 于，Nand Flash的各个页按照一定的字节分为若干个扇区，该方法包括：
[0037] 步骤SlOl :根据预先建立的索引表，判断目标扇区的标识信息是否为"是"，若是， 则转至步骤S102,其中索引表中包括表示各个扇区中的当前数据是否为OxFF的标识信息， 目标扇区是目标地址所在的扇区，目标地址是待写入的地址；
[0038] 本步骤