一种固态存储模块的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种存储模块，具体是一种固态存储模块。
【背景技术】
[0002]现代信息技术不断发展，产生了庞大的信息量，而半导体技术也在不断地提高，使得爆炸发展的信息量能够在基于半导体技术的存储介质中保存和传播。使用比较广泛的基于半导体技术的存储介质是Flash存储器。它包括NOR Flash存储器和NAND Flash存储器。其中，NAND Flash存储器因为集成度高，容量大，成本低，读写速度快，不易挥发，保存时间长等特点，在各行各业的电子产品中得到广泛应用。目前市场上的固态存储模块对于工作环境的要求过于苛刻，受到高温、震动、冲击等时工作状态不佳，因此有待于于改进。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种固态存储模块，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0005]一种固态存储模块，包括中央处理器、可编程逻辑器件、物理层芯片、内存、非易失闪存和接口 PO，所述中央处理器分别连接内存A、D-USB、0BC、物理层芯片、接口 P3和可编程逻辑器件，物理层芯片还分别连接RJ-45、接口 P3和接口 P4，可编程逻辑器件分别连接LCPORT、ΜΡ0、内存B、非易失闪存B和接口 Pl和接口 P6。
[0006]作为本实用新型的优选方案:所述OBC还连接非易失闪存A。
[0007]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型固态存储模块存储板采用最先进的军用COTS板卡标准VITA46 VPX系列总线标准。FVPX6-408-6F21M31D单板存储容量支持2TB，3TB，4TB，6TB，在极端的温度、湿度、振动环境下依然表现出卓越的性能。
【附图说明】
[0008]图1为固态存储模块的结构框图。
【具体实施方式】
[0009]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0010]请参阅图1，一种固态存储模块，包括中央处理器、可编程逻辑器件、物理层芯片、内存、非易失闪存和接口 PO，所述中央处理器分别连接内存A、D-USB, 0BC、物理层芯片、接口 P3和可编程逻辑器件，物理层芯片还分别连接RJ-45、接口 P3和接口 P4，可编程逻辑器件分别连接LC PORT, ΜΡ0,内存B、非易失闪存B和接口 Pl和接口 P6。
[0011]OBC还连接非易失闪存A。
[0012]本实用新型的工作原理是:本实用新型固态存储模块采用Xilinx的先进FPGAXC7V585T与Freescale的MPC8548 CPU作为控制器。存储板采用最先进的军用COTS板卡标准VITA46 VPX系列总线标准。FVPX6-408-6F21M31D单板存储容量支持2TB，3TB，4TB，6TB，对外提供6.25Gbps高速串行光纤接口，单板数据持续记录速率1.2GByte/s，瞬时记录速率3GByte/So FVPX6-408-6F21M31D固态存储模块完全按照军用设备标准进行温度、震动、冲击、盐雾等筛选实验，符合MIL-810F和GJB150环境测试标准，在极端的温度、湿度、振动环境下依然表现出卓越的性能。
【主权项】
1.一种固态存储模块，包括中央处理器、可编程逻辑器件、物理层芯片、内存、非易失闪存和接口 PO，其特征在于，所述中央处理器分别连接内存A、D-USB, OBC、物理层芯片、接口 P3和可编程逻辑器件，物理层芯片还分别连接RJ-45、接口 P3和接口 P4，可编程逻辑器件分别连接LC PORT, MPO,内存B、非易失闪存B和接口 Pl和接口 P6。2.根据权利要求1所述的一种固态存储模块，其特征在于，所述OBC还连接非易失闪存A0
【专利摘要】本实用新型公开了一种固态存储模块，包括中央处理器、可编程逻辑器件、物理层芯片、内存、非易失闪存和接口P0，所述中央处理器分别连接内存A、D-USB、OBC、物理层芯片、接口P3和可编程逻辑器件，物理层芯片还分别连接RJ-45、接口P3和接口P4，可编程逻辑器件分别连接LC？PORT、MPO、内存B、非易失闪存B和接口P1和接口P6。本实用新型固态存储模块存储板采用最先进的军用COTS板卡标准VITA46？VPX系列总线标准。FVPX6-408-6F21M31D单板存储容量支持2TB，3TB，4TB，6TB，在极端的温度、湿度、振动环境下依然表现出卓越的性能。
【IPC分类】G06F3/06
【公开号】CN205210860
【申请号】CN201520847604
【发明人】孙骥, 周灿荣
【申请人】上海飞斯信息科技有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年10月29日