专利名称：超解析光盘母膜、光盘原膜及其工艺的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种超解析光盘母膜、光盘原膜及其工艺，且特别是有关于一种能够改善母膜(mother mold)表面粗糙以及母膜上光阻层预先曝光现象的超解析光盘母膜、光盘原膜及其工艺。
图1为公知以激光直接聚焦于光阻层上的光盘母膜工艺示意图。请参照图1，公知光盘母膜的制作提供一基板100，于基板100上形成一光阻层102。接着再以激光束106透过物镜104聚焦于光阻层102上，以使得光阻层102中的记录区域108曝光。其中，所形成记录区域108的尺寸会受限于物理绕射极限0.61λ/NA，λ为激光的波长，而NA为物镜的数值孔径(numerical aperture)因此若要提高母膜的记录密度，则可以从使用短波长的激光以及使用高数值孔径的物镜两方面进行。
然而，目前所使用物镜的数值孔径约为0.9，而其最大值为1，故提高物镜的数值孔径已难有效地提升记录密度。而目前所使用的激光的波长也无法再大幅度的缩短(目前激光光波长为364nm)，即使可以缩短激光的波长，也必须花费大量的财力才能够完成。此外，在使用较短波长的激光进行曝光时，所选用的光阻层也需与激光的波长匹配，否则光阻层对激光的光感度会降低，仍然无法达到高分辨率的需求。由上述可知，不论是缩短激光的波长或是增加物镜的数值孔径对于记录密度的增进十分有限，因此若要有效的提升记录密度就必须寻求其它途径。
为了使得记录区域的尺寸能够突破光学绕射极限，各种光学近场记录的方式相继被提出。如近场探针记录(near-field probe opticalrecording)技术的开发，其可记录或读取的讯坑(pit)大小约在40nm至80nm之间。另一方面，近场固态浸入式镜头(Solid Immersion Lens，SIL)可有效提升物镜的等效数值孔径，但是其必须使用飞行头技术，且光学头与记录材料之间的工作距离必须小于半波长，如此将导致此技术很难应用于光盘母膜的制作上。此外，由材料超解析(如热致超解析法、表面等离子体超解析法)来突破光学绕射极限的方式也被提出。
图2A为公知以热致超解析法(thermal-induced super resolution)制作光盘母膜的示意图。请参照图2A，公知热致超解析法提供一基板200，于基板200上形成一光阻层202。接着于光阻层202表面上形成一热致超解析薄膜208。接着再以激光束206透过物镜204聚焦于热致超解析薄膜208上，激光束206照射于热致超解析薄膜208后，热致超解析薄膜208中照射区域210的温度会呈现高斯分布而产生超解析效应，进而使得光阻层202上被曝光的记录区域212尺寸小于激光束206的绕射极限。
图3A为公知以表面等离子体超解析法(surface plasmon superresolution)制作光盘母板的示意图。请参照图3A，公知表面等离子体超解析法提供一基板300，于基板300上形成一光阻层302。接着于光阻层302表面上形成一表面等离子体超解析结构308，其中表面等离子体超解析结构308包含有一介电层308a、一表面等离子体超解析薄膜308b以及一介电层308c。接着再以激光束306透过物镜304聚焦于表面等离子体超解析结构308上，激光束306照射于表面等离子体超解析薄膜308b后，表面等离子体超解析薄膜308b与介电层308c的界面处(interface)在适当条件下会产生具有横向与纵向分量的表面等离子体波。其中，由表面等离子体波310(如箭头所绘示)可以获得光学近场强度增强的效果，进而使得光阻层302上被曝光的记录区域312尺寸小于激光束306的绕射极限。
由上述可知，在不改变激光束206波长以及物镜204数值孔径的条件下，热致超解析法以及表面等离子体超解析法能够进一步地将记录密度往上提升。
图3B以及图2B为公知光盘母膜的光阻层上残留薄膜微粒的示意图。请同时参照图2B以及图3B，基板200(300)上的光阻层202(302)在经过激光束曝光后，必须再以显影、定影的方式将记录区域212(312)形成于基板200(300)上。而在显影、定影的前必须将热致超解析薄膜208或是表面等离子体超解析结构308中的膜层完全移除，但是在移除的过程中常会残留一些薄膜微粒214(314)在光阻层202(302)表面上，这些薄膜微粒214(314)会造成母膜表面粗糙。若再以此母膜进行原膜(stamper)的制作时，原膜同样会有表面粗糙的问题。
除了母膜表面粗糙的问题外，公知在制作热致超解析薄膜208或是表面等离子体超解析薄膜308b时采用溅镀的方式，然而溅镀工艺中会有等离子体产生，此将导致光阻层202(302)预先曝光，进而使得激光束在光阻层202(302)上写上讯号的功能丧失或特性不佳。
发明内容
本发明的目的在提出一种能够改善母膜表面粗糙以及母膜上光阻层预先曝光现象的超解析光盘母膜工艺。
本发明的另一目的在提出一种能够改善原膜表面粗糙的超解析光盘原膜工艺。
本发明的再一目的在提出一种具有平整表面的超解析光盘母膜结构。此外，由表面平整的超解析光盘母膜可以制作出一具有平整表面的超解析光盘原膜。
为达本发明的上述目的，提出一种超解析光盘母膜工艺提供一基板，并形成一超解析结构于基板上。接着形成一光阻层于超解析结构上。然后，提供一物镜以及一曝光光源，曝光光源透过物镜而由基板侧入射以对光阻层进行曝光，其中曝光光源经过超解析结构而照射于光阻层上，以将多个记录区域上的光阻层曝光。最后再移除记录区域上的光阻层，以达到记录数据的目的。
为达本发明的上述目的，提出一种超解析光盘原膜工艺提供一基板，并形成一超解析结构于基板上。接着形成一光阻层于超解析结构上。然后，提供一物镜以及一曝光光源，曝光光源透过物镜而由基板侧入射以对光阻层进行曝光，其中曝光光源经过超解析结构而照射于光阻层上，以将多个记录区域上的光阻层曝光。接着再移除记录区域上的光阻层以形成一光盘母膜。而在光盘母膜制作完成后，形成一金属薄膜于光盘母膜的表面上，接着形成一电铸层于金属薄膜上，而电铸层例如是以电铸(electro-plating)的方式形成于光盘母板上。最后再将金属薄膜与电铸层由光盘母膜剥离，以制作出光盘原膜。
为达本发明的上述目的，提出一种超解析光盘母膜结构主要由一基板、一超解析结构以及一图案化的光阻层构成。其中，超解析结构配置于基板与图案化光阻层之间。
本发明中，超解析结构例如为一热致超解析结构，而热致超解析结构例如由第一介电层/热致超解析薄膜/第二介电层所构成的三层结构。其中，第一介电层配置于基板上，热致超解析薄膜配置于第一介电层上，而第二介电层则配置于热致超解析薄膜上。
本发明中的表面等离子体超解析结构例如第一介电层/热致超解析薄膜所构成的双层结构。其中，第一介电层配置于基板上，而热致超解析薄膜配置于第一介电层上。
本发明中的热致超解析结构例如由热致超解析薄膜/第二介电层所构成的双层结构。其中，热致超解析薄膜配置于基板上，而第二介电层则配置于热致超解析薄膜上。
本发明中的热致超解析结构例如由热致超解析薄膜所构成的单层结构。
上述热致超解析薄膜的材质例如为银(Ag)、钒(V)、锌(Zn)、锗(Ge)、铟(In)、鍗(Te)、锑(Sb)、镓(Ga)、砷(As)、锡(Sn)或硒(Se)，而第一介电层、第二介电层的材质例如为SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx等介电材质。
本发明中，超解析结构例如为一表面等离子体超解析结构，而表面等离子体超解析结构例如由第一介电层/表面等离子体超解析薄膜/第二介电层所构成的三层结构。其中，第一介电层配置于基板上，表面等离子体超解析薄膜配置于第一介电层上，而第二介电层则配置于表面等离子体超解析薄膜上。
上述表面等离子体超解析薄膜的材质例如为银(Ag)、钒(V)或锌(Zn)的氧化物，或是镓(Ga)、锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)、碲，而第一介电层以及第二介电层的材质例如为SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx等介电材质。
图1为公知以激光直接聚焦于光阻层上的光盘母膜工艺示意图；图2A为公知以热致超解析法制作光盘母膜的示意图；图2B与图3B为公知光盘母膜的光阻层上残留薄膜微粒的示意图；图3A为公知以表面等离子体超解析法制作光盘母板的示意图；图4A至图4D为依照本发明第一实施例以热致超解析法制作光盘母膜的示意图；图5为依照本发明第一实施例以热致超解析法所制作出的光盘母膜结构示意图；图6至图7为依照本发明第一实施例以热致超解析法所制作出的光盘母膜进行原膜(stamper)制作的示意图；图8为依照本发明第二实施例以表面等离子体超解析法制作光盘母板的示意图；图9为依照本发明第二实施例以表面等离子体超解析法所制作出的光盘母板结构示意图；以及图10至图11为依照本发明第二实施例以表面等离子体超解析法所制作出的光盘母膜进行原膜制作的示意图。
附图标记说明100、200、300、400、500基板102、202、302、402、502光阻层104、204、304、404、504物镜106、206、306激光束108、212、312、412、512记录区域
208、408b热致超解析薄膜210、410照射区域214、314薄膜微粒308、508表面等离子体超解析结构308a、408a、508a第一介电层308b、508b表面等离子体超解析薄膜308c、408c、508c第二介电层310、510表面等离子体波406、506曝光光源408热致超解析结构414、514金属薄膜416、516电铸层热致超解析薄膜408b的材质例如为银(Ag)、钒(V)、锌(Zn)、锗(Ge)、铟(In)、鍗(Te)、锑(Sb)、镓(Ga)、砷(As)、锡(Sn)或硒(Se)。第一介电层408a与第二介电层408c的材质例如为SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx等介电材质。其中，热致超解析薄膜408b例如由溅镀工艺镀制而成。
在热致超解析结构408制作完成后，形成一光阻层402于热致超解析结构408上，光阻层402例如为一正光阻或是一负光阻，而光阻层402例如以旋转涂布(spin coating)的方式形成于热致超解析结构408上。本实施例与公知的差异在于热致超解析结构408与光阻层402的形成顺序相反，由于本发明在镀制热致超解析薄膜408b后才形成光阻层402，如此的工艺顺序将可以使得光阻层402不受溅镀工艺的影响，进而有效避免光阻层402预先曝光的问题。
在光阻层402形成后，提供一物镜404以及一曝光光源406。其中，曝光光源406透过物镜404而由基板400侧入射以对光阻层402进行曝光。换言之，曝光光源406经过热致超解析结构408而照射于光阻层402上，以将多个记录区域412上的光阻层402曝光。
曝光光源406照射于热致超解析薄膜408b后，热致超解析薄膜408b中照射区域410的温度会呈现高斯分布(Gaussian distribution)，即照射区域410的中央部份具有较高温度，照射区域410的边缘部份具有较低的温度。照射区域410中具有较高温度的中央部份允许曝光光源406通过，而照射区域410中具有较低温度的边缘部份并不允许曝光光源406通过，因此光阻层402上被曝光的记录区域412尺寸将会小于曝光光源406的绕射极限，即所谓超解析效应。
光阻层402曝光后，接着进行显影、定影的动作以将记录区域412上的光阻层402移除，即可完成光盘母膜的制作。本实施例中，当光盘母膜制作完成时，热致超解析结构408仍位于基板400与光阻层402间，并不需要作移除的动作，因此不会有公知光阻层202(图2B)因移除不完全而导致表面粗糙的问题。
本实施例图4A中的热致超解析结构408为第一介电层408a/热致超解析薄膜408b/第二介电层408c构成的三层结构外，本实施例中的热致超解析结构408例如为仅包含有热致超解析薄膜408b/第二介电层408c(图4B)或是第一介电层408a/热致超解析薄膜408b(图4C)的两层结构。然而，除了上述三层或是双层的热致超解析结构外，本实施例中的热致超解析结构480例如为仅具有热致超解析薄膜408b的单层结构。
图5为依照本发明第一实施例以热致超解析法所制作出的光盘母膜结构示意图。请参照图5，本实施例的热致超解析光盘母膜结构主要由一基板400、一热致超解析结构408以及一图案化的光阻层402所构成。对应于图4A来说，具有第一介电层408a、热致超解析薄膜408b以及第二介电层408c的热致超解析结构408配置于基板400与图案化光阻层402之间。光阻层402由于前述的曝光、显影、定影工艺，会具有许多记录区域412，而记录区域412的大小将直接影响到光盘母膜的记录容量。
图6至图7为依照本发明第一实施例以热致超解析法所制作出的光盘母膜进行原膜制作的示意图。首先请参照图6，在光盘母膜制作完成后，形成一金属薄膜414于光盘母膜的表面上，金属薄膜414例如与光盘母膜上的光阻层402共形(conformal)，接着再形成一电铸层416于金属薄膜414上，而电铸层416例如是以电铸的方式形成于光盘母板上。
接着请参照图7，在金属薄膜414以及电铸层416制作完成后，接着将金属薄膜414与电铸层416所构成的光盘原膜由光盘母膜的表面上剥离，即完成光盘原膜的制作。熟悉该项技术者应知，利用光盘原膜可于射出机上复制出白片，以便后续光盘片的制造。第二实施例图8为依照本发明第二实施例以表面等离子体超解析法制作光盘母板的示意图。请参照图8，本实施例的光盘母膜工艺提供一基板500，基板500例如为玻璃基板或是其它透光性好、硬度佳且不易变形的透明基板，而基板500的厚度例如介于0.2nm至1.2nm之间。接着形成一表面等离子体超解析结构508于基板500上，表面等离子体超解析结构508例如由一第一介电层508a、一表面等离子体超解析薄膜508b以及一第二介电层508c构成。其中，第一介电层508a配置于基板500上，表面等离子体超解析薄膜508b配置于第一介电层508a上，而第二介电层508c则配置于表面等离子体超解析薄膜508b上。
表面等离子体超解析薄膜508b的材质例如为银(Ag)、钒(V)、锌(Zn)的氧化物，或是镓(Ga)、锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)、碲。第一介电层508a以及第二介电层508c的材质例如为SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx等介电材质。其中，表面等离子体超解析薄膜508b例如由溅镀工艺镀制而成。
在表面等离子体超解析结构508制作完成后，形成一光阻层502于表面等离子体超解析结构508上。光阻层502例如为一正光阻或是一负光阻，而光阻层502例如以旋转涂布的方式形成于表面等离子体超解析结构508上。本实施例与公知的差异在于表面等离子体超解析结构508与光阻层502的形成顺序相反，由于本发明在镀制表面等离子体超解析薄膜508b后才形成光阻层502，如此的工艺顺序可以使得光阻层502不受溅镀工艺的影响，进而有效避免光阻层502预先曝光的问题。
在光阻层502制作完成后，提供一物镜504以及一曝光光源506。其中，曝光光源506透过物镜504而由基板500侧入射以对光阻层502进行曝光。换言之，曝光光源506经过表面等离子体超解析结构508而照射于光阻层502上，以将多个记录区域512上的光阻层502曝光。
曝光光源506照射于表面等离子体超解析薄膜508b后，表面等离子体超解析薄膜508b与介电层308c的界面处在适当条件下会产生具有横向与纵向分量的表面等离子体波。其中，由表面等离子体波510(如箭头所绘示)可以获得近场强度增强的效果，进而使得光阻层502上被曝光的记录区域512尺寸小于曝光光源506的绕射极限，即所谓超解析效应。
光阻层502曝光后，接着进行显影、定影的动作以将记录区域512上的光阻层502移除，即可完成光盘母膜的制作。本实施例中，当光盘母膜制作完成时，表面等离子体超解析结构508仍位于基板500与光阻层502间，并不需要作移除的动作，因此不会有公知光阻层302(图3B)因移除不完全而导致表面粗糙的问题。
图9为依照本发明第二实施例以表面等离子体超解析法所制作出的光盘母板结构示意图。请参照图9，本实施例的表面等离子体超解析光盘母膜结构主要由一基板500、一表面等离子体超解析结构508以及一图案化的光阻层502构成。其中，具有第一介电层508a、表面等离子体超解析薄膜508b以及第二介电层508c的表面等离子体超解析结构508配置于基板500与图案化的光阻层502之间。光阻层502由于前述的曝光、显影、定影工艺，会具有许多记录区域512，而记录区域512的大小将直接影响到光盘母膜的记录容量。
图10至图11为依照本发明第二实施例以表面等离子体超解析法所制作出的光盘母膜进行原膜制作的示意图。首先请参照图10，在光盘母膜制作完成后，形成一金属薄膜514于光盘母膜的表面上，金属薄膜514例如与光盘母膜上的光阻层502共形，接着再形成一电铸层516于金属薄膜514上，而电铸层516例如是以电铸的方式形成于光盘母板上。
接着请参照图11，在金属薄膜514以及电铸层516制作完成后，接着将金属薄膜514与电铸层516所构成的光盘原膜由光盘母膜的表面上剥离，即完成光盘原膜的制作。熟悉该项技术者应知，利用光盘原膜可于射出机上复制出白片，以便后续光盘片的制造。
综上所述，本发明的超解析光盘母膜、光盘原膜及其工艺至少具有下列优点1.本发明的超解析光盘母膜结构中，其光阻层表面不会有薄膜移除不完全所导致的薄膜微粒，故具有较平整的表面。此外，由前述的光盘母膜所制作出的光盘原膜也不会有表面粗糙的问题。
2.本发明的超解析光盘母膜、光盘原膜的工艺中，不需将热致超解析结构或是表面等离子体超解析结构移除，故省去一道工艺步骤。
3.本发明的超解析光盘母膜、光盘原膜的工艺中，不会有光阻层预先曝光的问题。
虽然本发明已以一实施例如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当以权利要求书为准。
权利要求
1.一种超解析光盘母膜工艺，其特征为包括提供一基板；形成一超解析结构于该基板上；形成一光阻层于该超解析结构上；提供一物镜；提供一曝光光源，该曝光光源透过该物镜而由该基板侧入射以对该光阻层进行曝光，其中该曝光光源经过该超解析结构而照射于该光阻层上，以将复数个记录区域上的该光阻层曝光；以及移除该些记录区域上的该光阻层。
2.如权利要求1所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该超解析结构的制作包括形成一热致超解析薄膜于该基板上。
3.如权利要求2所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该热致超解析薄膜的材质包括银(Ag)、钒(V)、锌(Zn)、锗(Ge)、铟(In)、鍗(Te)、锑(Sb)、镓(Ga)、砷(As)、锡(Sn)或硒(Se)。
4.如权利要求2所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该热致超解析薄膜形成前还包括形成一第一介电层于该基板上。
5.如权利要求4所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该第一介电层的材质包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
6.如权利要求2所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该热致超解析薄膜形成后还包括形成一第二介电层于该基板上。
7.如权利要求6所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该第二介电层的材质包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
8.如权利要求1所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该超解析结构的制作包括形成一第一介电层于该基板上；形成一表面等离子体超解析薄膜于该第一介电层上；以及形成一第二介电层于该表面等离子体超解析薄膜上。
9.如权利要求8所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该第一介电层的材质包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
10.如权利要求8所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该第二介电层的材质包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
11.如权利要求8所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该表面等离子体超解析薄膜的材质包括银(Ag)、钒(V)、锌(Zn)的氧化物，或是镓(Ga)、锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)、碲。
12.如权利要求1所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该光阻层为一正光阻。
13.如权利要求1所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该光阻层为一负光阻。
14.如权利要求1所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该曝光光源的波长包括257nm、364nm、405nm、458nm或650nm。
15.一种超解析光盘原膜工艺，其特征为包括提供一基板；形成一超解析结构于该基板上；形成一光阻层于该超解析结构上；提供一物镜；提供一曝光光源，该曝光光源透过该物镜而由该基板侧入射以对该光阻层进行曝光，其中该曝光光源经过该超解析结构而照射于该光阻层上，以将复数个记录区域上的该光阻层曝光；移除该些记录区域上的该光阻层，以形成一光盘母膜；形成一金属薄膜于该光盘母膜上；形成一电铸层于该金属薄膜上；以及将该金属薄膜与该电铸层由该光盘母膜剥离，以形成该光盘原膜。
16.如权利要求15所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该超解析结构的制作包括形成一热致超解析薄膜于该基板上。
17.如权利要求16所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该热致超解析薄膜的材质包括银(Ag)、钒(V)、锌(Zn)、锗(Ge)、铟(In)、鍗(Te)、锑(Sb)、镓(Ga)、砷(As)、锡(Sn)或硒(Se)。
18.如权利要求16所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该热致超解析薄膜形成前还包括形成一第一介电层于该基板上。
19.如权利要求18所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该第一介电层的材质包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
20.如权利要求16所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该热致超解析薄膜形成后还包括形成一第二介电层于该基板上。
21.如权利要求20所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该第二介电层的材质包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
22.如权利要求15所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该超解析结构的制作包括形成一第一介电层于该基板上；形成一表面等离子体超解析薄膜于该第一介电层上；以及形成一第二介电层于该表面等离子体超解析薄膜上。
23.如权利要求22所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该第一介电层的材质包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
24.如权利要求22所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该第二介电层的材质包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
25.如权利要求22所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该表面等离子体超解析薄膜的材质包括银(Ag)、钒(V)、锌(Zn)的氧化物，或是镓(Ga)、锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)、碲。
26.如权利要求15所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该光阻层为一正光阻。
27.如权利要求15所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该光阻层为一负光阻。
28.如权利要求15所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该曝光光源的波长包括257nm、364nm、405nm、458nm或650nm。
29.如权利要求15所述的超解析光盘母膜工艺，其特征为该电铸层的材质包括镍金属。
30.一种超解析光盘母膜结构，其特征为包括一基板；一超解析结构，配置于该基板上；以及一图案化的光阻层，配置于该超解析结构上。
31.如权利要求30所述的超解析光盘母膜结构，其特征为该超解析结构为一热致超解析结构，该热致超解析结构包括一第一介电层，配置于该基板上；一热致超解析薄膜，配置于该第一介电层上；以及一第二介电层，配置于该热致超解析薄膜与该光阻层之间。
32.如权利要求30所述的超解析光盘母膜结构，其特征为该超解析结构为一热致超解析结构，该热致超解析结构包括一热致超解析薄膜，配置于该基板上；以及一第二介电层，配置于该热致超解析薄膜与该光阻层之间。
33.如权利要求30所述的超解析光盘母膜结构，其特征为该超解析结构为一热致超解析结构，该热致超解析结构包括一第一介电层，配置于该基板上；以及一热致超解析薄膜，配置于该第一介电层上。
34.如权利要求31、32或33所述的超解析光盘母膜结构，其特征为该第一介电层的材质包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
35.如权利要求31、32或33所述的超解析光盘母膜结构，其特征为该热致超解析薄膜的材质包括银(Ag)、钒(V)、锌(Zn)、锗(Ge)、铟(In)、鍗(Te)、锑(Sb)、镓(Ga)、砷(As)、锡(Sn)或硒(Se)。
36.如权利要求31、32或33所述的超解析光盘母膜结构，其特征为该第二介电层的材质包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
37.如权利要求30所述的超解析光盘母膜结构，其特征为该超解析结构为一表面等离子体超解析结构，该表面等离子体超解析结构包括一第一介电层，配置于该基板上；一表面等离子体超解析薄膜，配置于该第一介电层上；以及一第二介电层，配置于该表面等离子体超解析薄膜与该光阻层之间。
38.如权利要求37所述的超解析光盘母膜结构，其特征为该第一介电层的材质包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
39.如权利要求37所述的超解析光盘母膜结构，其特征为该表面等离子体超解析薄膜的材质包括银(Ag)、钒(V)、锌(Zn)的氧化物，或是镓(Ga)、锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)、碲。
40.如权利要求37所述的超解析光盘母膜结构，其特征为该第二介电层的材质包括SiO2、SiNx、ZnS-SiO2、AlNx、SiC、GeNx、TiNx、TaOx或YOx。
全文摘要
一种超解析光盘母膜，主要由一基板、一超解析结构以及一图案化的光阻层构成。其中，超解析结构配置于基板与图案化光阻层之间。本发明的光盘母膜在制作时先将超解析结构形成于基板上，然后才形成光阻层于超解析结构上。上述工艺不会有使光阻层预先曝光的问题。此外，上述工艺所制作出的光盘母膜不会有薄膜微粒造成表面粗糙的问题，而以光盘母膜所制作的光盘原膜也不会有表面粗糙的问题。
文档编号G11B7/26GK1453779SQ0211860
公开日2003年11月5日 申请日期2002年4月25日 优先权日2002年4月25日
发明者陈炳茂 申请人:铼德科技股份有限公司