光记录重放方法和光记录媒体的制作方法

专利名称：光记录重放方法和光记录媒体的制作方法
技术领域：
本发明涉及光记录媒体和使用它的光记录重放方法。
众所周知，在ROM型光记录媒体中，一般是通过制造阶段基板上形成的预置坑来记录数据，在重写型光记录媒体中，例如使用相变化材料作为记录层的材料，一般利用于其相状态变化的光学特性变化来记录数据。
相反，在追加型光记录媒体中，作为记录层的材料，一般使用花青系色素、酞花青系色素、偶氮色素等有机色素，利用基于其化学变化(根据情况施加化学变化并伴随物理性变形)的光学特性变化来记录数据。
但是，有机色素因日光等照射而恶化，所以在使用有机色素作为记录层的材料时，难以提高长期保存的可靠性。在追加型光记录媒体中，为了提高长期保存的可靠性，最好由有机色素以外的材料来构成记录层。作为由有机色素以外的材料来构成记录层的例子，如(日本)特开昭62-204442号公报记载的那样，已知叠层两层反应层并将其用作记录层的技术。
另一方面，近年来，提出了使数据的记录密度提高，并且可实现非常高的数据传输速率的下一代光记录媒体。在这种下一代光记录媒体中，为了实现大容量-高数据传输速率，必然将用于数据记录-重放的激光束的束点直径压缩得非常小。这里，为了缩小束点直径，需要使用于将激光束进行聚焦的物镜的数值孔径(NA)在0.7以上，例如增大到0.85左右，同时使激光束的波长λ在450nm以下，例如缩短到400nm左右。
但是，如果将用于聚焦激光束的物镜高NA化，则产生光记录媒体的弯曲和倾斜的容许度、即倾斜余量非常小的问题。设用于记录-重放的激光束的波长为λ，作为激光束光路的光透过层(透明基体)的厚度为a，则倾斜余量T可用以下的式(1)表示。
T＝λ/d·NA3(1)从式(1)可知，物镜的NA越大，倾斜余量会越小。此外，设产生波面像差(慧形像差)的光透过层(透明基体)的折射率为n，倾角为θ，则波面像差系数W可用以下的式(2)表示。
W＝{d·(n2-1)·n2·sinθ·cosθ·(NA)2}/{2λ(n2-sin2θ)3/2} (2)从式(1)和式(2)可知，为了增大倾斜余量，并且抑制慧形像差的产生，减小被记录-重放中使用的激光束入射的透光层(透明基体)的厚度d是非常有效的。
根据这样的理由，在下一代的光记录媒体中，为了确保充分的倾斜余量，并且抑制产生慧形像差，需要使透光层(透明基体)的厚度薄至100μm左右。因此，在下一代的光记录媒体中，难以在如CD和DVD等现行的光记录媒体那样的透光层(透明基体)上形成记录层等，正在研究在基体上形成的记录层等上根据旋转涂敷法等形成薄的树脂层来作为透光层(透明基体)的方法。因此，在下一代的光记录媒体的制作中，与从光入射侧依次进行成膜的现行的光记录媒体不同，从光入射面的相反侧依次进行成膜。
但是，将由两层反应层来构成如下一代光记录媒体那样形成在基体上的记录层的情况，与通过两层反应层来构成如CD和DVD等现行的光记录媒体那样形成在光透过层(透明基体)上的记录层的情况相比，信号重放时产生的噪声电平容易增大(C/N比容易变小)的问题明显。
另一方面，因近年来对地球环境关注的提高，所以作为光记录媒体的记录层的材料，也期望选择环境负担更小的材料。而且，为了提高长期保存的可靠性，作为光记录媒体的记录层材料，期望选择对腐蚀-变质等具有充分抗性的材料。
本发明人深入研究的结果，发现使用Sn和ZnS等环保型材料，可用简单的膜结构进行良好的光记录-重放。
即，根据以下的本发明，可实现上述目的。
(1)一种光记录重放方法，其特征在于，在基板上，至少存在母材和辅助材料，从外部向所述母材施加按照要被记录的信息进行了强度调制的能量，通过使该母材和辅助材料的至少一方进行状态变化来改变光学特性，并且读取基于该光学特性变化的反射率的变化，重放所述信息。
(2)一种光记录重放方法，其特征在于，在基板上，至少使引起状态变化的母材和辅助材料相邻存在，从外部向所述母材和辅助材料施加按照要被记录的信息进行了强度调制的能量，通过使该母材和辅助材料的至少一方进行状态变化来改变光学特性，并且读取伴随该光学特性变化的反射率的变化，重放所述信息。
(3)如(1)或(2)的光记录重放方法，其特征在于，使所述母材为膜状，并使所述辅助材料相邻存在。
(4)一种光记录重放方法，其特征在于，在基板上，至少使引起状态变化的母材和辅助材料混合并膜状地存在，从外部向其施加按照要被记录的信息进行了强度调制的能量，通过使该母材和辅助材料的至少一方进行状态变化来改变光学特性，并且读取该光学特性变化，重放所述信息。
(5)如(1)的光记录重放方法，其特征在于，使所述母材为膜状，并与所述辅助材料混合。
(6)如(1)至(5)任何一项的光记录重放方法，其特征在于，在所述母材中，存在用于使其定常状态稳定的稳定材料。
(7)如(1)至(6)任何一项的光记录重放方法，其特征在于，通过照射激光束来施加所述能量。
(8)如(1)、(4)或(5)的光记录重放方法，其特征在于，所述辅助材料将从Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag、Al、Nb、Au、Cu、Ta中至少选择的一种元素作为主要成分。
(9)如(2)或(3)的光记录重放方法，其特征在于，所述辅助材料将从Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag中至少选择的一种元素作为主要成分。
(10)一种光记录媒体，包括基板、以及在基板上设置的记录层；其特征在于，该记录层包括母材和辅助材料，所述母材通过从外部施加按照要被记录的信息进行了强度调制的能量而引起状态变化。
(11)一种光记录媒体，包括基板、以及在基板上设置的记录层；其特征在于，该记录层形成至少使引起状态变化的母材和辅助材料相邻存在的结构，所述母材和辅助材料的至少一方通过来自外部按照要被记录的信息进行了强度调制的能量，引起状态变化而使光学特性变化，并且伴随该光学特性的变化使反射率变化。
(12)如(10)或(11)的光记录媒体，其特征在于，使所述母材为膜状，与所述辅助材料相邻存在。
(13)一种光记录媒体，包括基板、以及在基板上设置的记录层；其特征在于，该记录层形成至少使引起状态变化的母材和辅助材料混合并膜状存在的结构，该母材和辅助材料的至少一方通过来自外部按照要被记录的信息进行了强度调制的能量，引起状态变化而使光学特性变化。
(14)如(10)或(13)的光记录媒体，其特征在于，所述母材为膜状，在其内混合所述辅助材料。
(15)如(10)至(14)任何一项的光记录媒体，其特征在于，在所述母材中，存在用于使其定常状态稳定的稳定材料。
(16)如(10)至(15)任何一项的光记录媒体，其特征在于，通过照射激光束来施加所述能量。
(17)如(10)、(13)或(14)的光记录媒体，其特征在于，所述辅助材料将从Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag、Al、Nb、Au、Cu、Ta中至少选择的一种元素作为主要成分。
(18)如(11)或(12)的光记录重放方法，其特征在于，所述辅助材料将从Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag中至少选择的一种元素作为主要成分。
图2表示本发明实施方式第2例的光记录媒体的模式图。
图3表示本发明实施方式第3例的光记录媒体的模式图。
图4表示本发明实施方式第4例的光记录媒体的模式图。
图5A表示例1的光记录媒体中的未记录部分的X射线衍射结果的曲线图。
图5B表示记录部分的X射线衍射结果的曲线图。
图6A表示例4的光记录媒体中的未记录部分的X射线衍射结果的曲线图。
图6B表示记录部分的X射线衍射结果的曲线图。
图7A表示例15的光记录媒体中的未记录部分的X射线衍射结果的曲线图。
图7B表示记录部分的X射线衍射结果的曲线图。
实施例的光记录重放方法中使用的光记录媒体10为追记型，如

图1所示，由基板12、在基板12上设置的记录层18、以及在记录层上设置的透光层20构成，其中，记录层具有辅助材料层14和相邻于其两侧的电介质的层(电介质层)16A、16B。另外，光记录媒体10的中央部分设有孔。对于具有这样结构的光记录媒体10，通过从透光层20侧照射激光束LB来进行数据的记录/重放。再有，也可以仅在辅助材料层14的一方上设置电介质层16A或16B。
基板12具有作为确保光记录媒体10所需要的机械强度的基体的作用，在其表面上设置沟22和/或岛24。这些沟22和岛24具有进行数据的记录和重放情况下的激光束的导向轨迹作用。
基板12的厚度被设定为约1.1mm，作为其材料，可使用各种材料，例如，可使用玻璃、陶瓷、或树脂。其中，从成形容易性的观点来看，树脂最好。作为这样的树脂，可列举出聚碳酸酯树脂、丙烯树脂、环氧树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、硅酮树脂、氟系树脂、ABD树脂、聚氨酯树脂等。其中，从加工性、光学特性等方面来看，最好是聚碳酸酯树脂。
所述电介质层16A、16B作为母材，由包含状态变化材料构成，这种材料通过激光束照射等的能量，使光反射率的光学特性变化。
作为所述母材的电介质材料，只要是引起状态变化的材料就没有特别限定，例如可将氧化物、硫化物、氮化物或它们的组合用作主要成分。更具体地说，最好是将从Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、Si3N4、SiC构成的组中选择的至少一种电介质材料作为主要成分，以ZnS-SiO2构成的电介质作为主要成分更好。
再有，‘以电介质材料作为主要成分’是指所述电介质材料的含有率最大。而‘ZnS-SiO2’意味着ZnS和SiO2的混合物。
此外，电介质材料的层厚度没有特别限定，但最好为5～200nm。如果其层厚度低于5nm，则即使是母材的充分的状态变化，除了不能获得作为层整体的光反射率等光学特性的充分变化以外，作为信号的C/N也不充分。另一方面，如果层厚度超过200nm，则成膜时间变长，有生产率下降的可能，而且，因电介质层16A、16B具有的应力，有发生破裂的可能。此外，还有可能剩下所述辅助材料层14的未受影响的部分。
所述辅助材料层14如字面上那样是促进母材反应的层，如上所述，至少在其一方中相邻于电介质层16A、16B，但如果照射具有规定以上功率的激光束，则通过其热量，构成辅助材料层14的元素对电介质层16A、16B产生影响，通过构成电介质层16A、16B的层局部或整体地产生状态变化(例如，非晶体向晶体转移)而成为记录标记。此时，在记录层18中形成了记录标记的混合部分和其以外的部分对于重放光的光学特性极大不同，所以可利用这种不同来进行数据的记录-重放。
此外，还可以伴有辅助材料层中含有的材料自身的状态变化(结晶生长)。这种情况下，通过该变化，可以期待C/N的提高。
所述辅助材料层14将从Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag、中选择的至少一个元素作为主要成分。
这里所说的主要成分最好占有构成辅助材料层14的元素的50％以上，更好是80原子％。
如果在50原子％以下，则使电介质层变化的效果不充分，C/N会减小。而且，记录灵敏度变差，需要用大的激光功率进行记录，所以容易引起膜自身的损坏等，保存可靠性恶化。
而且，为了将用于良好地进行电介质层的状态变化所需的激光束的功率抑制到某一程度以下，最好是在80原子％以上。
所述辅助材料层14的层厚度有充分的层厚度，以便通过被照射激光束的束点而使电介质层16A、16B变化，并且如果层积在必要层厚度以上，则最好为1～50nm，以便需要更多的热量，而2～30nm更好。
透光层20是构成激光束的入射面并且成为激光束的光路的层，作为其厚度，最好设定为10～300μm，设定为50～150μm更好。作为透光层20的材料，没有特别限定，但最好使用丙烯系或环氧系等紫外线固化型树脂。此外，也可以使用透光性树脂构成的透光性片和各种粘接剂或粘结剂来形成透光层20，取代使紫外线型固化树脂的膜。
下面，说明上述光记录媒体10的制造方法的一例。
首先，在形成了沟22和岛24的基板12上形成第2(从光入射侧起为第2号)电介质层16B。在形成第2电介质层16B时，例如可以采用包含第2电介质层16B的构成元素的化学种子的汽相生长法。作为这样的汽相生长法，例如可列举出真空镀敷法、溅射法等。
接着，在第2电介质层16B上形成辅助材料层14。该辅助材料层14也与第2电介质层16B同样，可以采用包含辅助材料层14的构成元素的化学种子的汽相生成法形成为。而且，在辅助材料层14上形成第1(从光入射侧起为第1号)电介质层16A。该第1电介质层16A也可采用包含第2电介质层16B的构成元素的化学种子的汽相生长法形成。
最后，在第1电介质层16A上形成透光层20。透光层20例如通过旋转涂敷法等来覆盖粘度调整后的丙烯系或环氧系的紫外线固化型树脂，可以通过照射紫外线进行固化等方法来形成。由此，完成光记录媒体的制造。
再有，上述光记录媒体的制造方法不限定于上述制造方法，也可以使用在公知的光记录媒体的制造中采用的制造技术。
下面，说明使用上述光记录媒体10的光记录重放方法。
对于光记录媒体10，从透光层20侧入射具有规定输出的激光束LB并照射到辅助材料层14。此时，最好是用于聚焦激光束LB的物镜26的数值孔径(NA)在0.7以上，在0.85左右更好，激光束LB的波长λ最好在450nm以下，在405nm左右更好。这样，可以使λ/NA＜640nm。
通过照射这样的激光束LB，构成辅助材料层14的元素被激光束LB加热，对相邻这些元素的电介质层16A、16B产生影响，局部或整体地产生状态变化(例如从非结晶向结晶的转移)，形成记录标记。形成了记录标记的部分的光学特性与其以外的部分(未记录区域)的光学特性十分不同。因此，通过照射用于读取的激光束时的记录标记部分和其以外部分的反射率不同，可以进行数据的重放。即，利用光学特性的调制，可以进行数据的记录-重放。
本发明不限定于以上的实施方式，可在被记述在权利要求范围中的发明范围内进行各种变更，不用说，这些变更也被包含在本发明的范围内。
例如，在上述实施方式的光记录媒体10中，辅助材料层14被夹置在第1和第2电介质层16A、16B间，但如图2所示的实施方式的第2例的光记录媒体30那样，也可以省略电介质层16A或16B的一方来构成记录层32。
此外，在上述实施方式的光记录媒体10、30中，辅助材料层14由单层构成，但本发明的光记录媒体不限定于此，只要是具有相同的效果，也可以由两层以上的层来构成。
下面，说明图3所示的本发明的实施方式的第3例。
实施方式的第3例中使用的光记录媒体40在与上述同样的基板12上，不设置电介质层，将作为母材的电介质材料构成的材料和状态促进材料构成的材料进行混合来构成单层结构的记录层42。具体地说，作为优选的电介质材料，是从Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、SiC、ZnO、MgO、MgF、Ta2O5、La2SiON、Si3N4、TiO2、InSnO组成的组中选择的至少一种作为主要成分，作为优选的状态促进材料，混合从Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag、Al、Nb、Au、Cu、Ta中至少选择一种材料来构成单层结构的记录层42。此外，该记录层42的外侧与上述同样被透光层20覆盖。
所述记录层42在将电介质材料和辅助材料进行混合的状态下，以非结晶状态或微结晶状态进行成膜，形成包含两个成分的结构。此外，也可以通过汽相生长法交替多次进行电介质材料和状态变化促进材料的成膜。记录层42的厚度为1～100nm，最好为2～50nm。
对于这样构成的光记录媒体40，与上述图1的光记录媒体10同样，在照射激光束时，通过电介质材料中包含的辅助材料来使光学特性变化。
因此，使记录层42的光反射率等变化。光反射率的调制度由入射的激光束的功率(包含时间)来调制。
而且，在上述实施方式中使用的光记录媒体10、30、40中，在基板12上未配有反射层，但也可以如图4所示的光记录媒体50那样，设置反射层52，以便充分增大形成了记录标记的区域中的反射光电平和未记录区域中的反射光电平。
反射层52具有反射从透光层20侧入射的激光束，并再次从透光层20射出的作用，作为其厚度，最好设定为5～300nm，设定为10～200nm更好。反射层52的材料只要是可反射激光束就没有特别限制，例如，可以使用Mg、Al、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Ag、Pt、Au等。在它们当中，从具有高反射率来看，最好使用Al、Au、Ag、Cu或它们的合金(Ag和Cu的合金等)等金属材料。通过设置反射层52，在光记录后，通过多重干涉效应，可容易获得大的重放信号(C/N比)。，例和比较例以下，使用例子更具体地说明本发明，但本发明不限于这些例子。
(例1～3)根据以下所示的步骤，制作光记录媒体。
首先，将厚度1.1mm、直径120mm的聚碳酸酯基板放置在溅射装置中，在该聚碳酸酯基板的光反射层(仅例2)上，按照溅射法依次形成ZnS和SiO2的混合物构成的第2电介质层、Sn构成的辅助材料层、ZnS和SiO2的混合物构成的第1电介质层(仅例1、2)。
接着，在第1电介质层上，通过旋转涂敷法来涂敷丙烯系紫外线固化型树脂，照射紫外线并形成透光层(层厚度100μm)。
再有，在第1电介质层和第2电介质层中ZnS和SiO2的摩尔比为ZnS∶SiO2＝80∶20。
(例4～14)电介质层、基板、透光层与实施例1相同，制作辅助材料层为Sn以外的各种金属或半金属的光记录媒体。
(比较例1～3)对于例4～14，仅改变辅助材料层的材料，制作其他为同一条件的光记录媒体。
(例15)不设置电介质层，制作记录层为单层结构的光记录媒体。记录层通过Sn与ZnS∶SiO2＝80∶20的电介质材料的混合来形成。
(例16、17)将例15的Sn改变为Ag、Ti来形成。
(比较例4)省略例15的ZnS-SiO2来形成。
(例18～21)状态变化促进材料为Sn，改变电介质层材料来制作光记录媒体。
(例22～30)不设置电介质层来制作记录层为单层结构的光记录媒体。记录层通过ZnS∶SiO2＝80∶20和Mg、Nb、Bi、Mg、Au、Al、Au、Cu、Ta、Si各种金属或半金属的混合来制作。
(例31～52)对于例22～30，在各种材料中改变为ZnS∶SiO2＝80∶20，混合Mg(例31～35)、Ti(例36～43)、Sn(例44、45)、Nb(例46～48)、或Al(例49～52)来制作光记录媒体。
(例53～55)不设置电介质层来制作记录层为单层结构的光记录媒体。记录层通过各种材料和Zn的混合来制作。各种材料为ZnS、ZnO、ZnS∶SiO2(80∶20)。
分别制作上述光记录媒体，并将其分别放置在光盘评价装置(商品名DDU1000，パルステツク社制)。然后，对于各光记录媒体，在用于记录的激光束的波长为蓝色波长区域(405nm)，物镜的NA(数值孔径)为0.85时，将该激光束用记录头内的聚焦透镜从光透过层侧聚焦在光记录媒体上，进行光记录。
此时的记录信号条件设为调制方式(1，7)RLL；信道位长度0.12μm；记录线速度5.3m/s；信道时钟66MHz；记录信号8T。
接着，对于各例和各比较例中制作的状态变化促进材料的材料和层厚度及电介质层的材料和层厚度不同的光记录媒体，使用上述光盘评价装置来重放记录的信息，测定此时的重放信号的C/N比的值。这里，在重放装置中，用于重放的激光束的波长为405nm，物镜的NA(数值孔径)为0.85，激光束输出为0.3mW。
表1～表9表示其结果。
表1


表2


表3


表4


表5


表6


表7


表8



表9


从这些表所示的结果可知，在例1～55中，可获得C/N比为35dB以上的良好结构，使用这些光记录媒体，可获得可充分进行光记录-重放的结果。
在用透过型电子显微镜观察例1、例15的光记录媒体的记录-未记录部分时，在记录部分可看到ZnS和Sn的结晶化。此外，用X射线衍射，在记录后也可确认ZnS和Sn的结晶化。
在该X射线衍射中，X射线使用Cu-Kα，阴极管电压＝50kV，阴极管电流＝300mA。衍射峰值的鉴定是与JCPD卡进行核对。例如，β-Sn是04-0673号的材料，通过于其核对，可知β-Sn的衍射位置。
通过X射线衍射来对例1(ZnS-SiO2(80∶20)/Sn/ZnS-SiO2(80∶20)叠层型)的结构中记录部分和未记录部分进行解析(参照图5A、图5B)。
在未记录时(图5A)，可看到β-Sn的衍射峰值和ZnS的宽大的衍射峰值，由此可知Sn为晶体，ZnS是非晶体。记录后(图5B)，可明显看到ZnS的尖锐的衍射峰值，可知产生了结晶。此外，对于Sn，也观察β-Sn的衍射峰值，未观察到SnO2、SnS的衍射峰值。
在例4(ZnS-SiO2(80∶20)/Ti/ZnS-SiO2(80∶20)叠层型)的结构中，通过X射线衍射对记录部分和未记录部分进行解析(参照图6A、图6B)。
在未记录时(图6A)，略微可看到ZnS的宽大的衍射峰值，对于Ti，则看不到衍射峰值。由此可知，ZnS为非结晶。记录后(图6B)，可看到多个ZnS的衍射峰值，可知引起了结晶化。此外，出现了Zn的衍射峰值，通过记录，可知在进行ZnS和Zn的结晶化。
在例15(ZnS-SiO2(80∶20)+Sn混合型)的结构中，通过X射线衍射对记录部分和未记录部分进行解析(参照图7A、图7B)。
未记录时(图7A)，可看到β-Sn的衍射峰值，对于ZnS，几乎看不到衍射峰值。由此可知，Sn为结晶。记录后(图7B)，可明显看到β-Sn的尖锐的衍射峰值，可知引起了结晶化。此外，多次出现ZnS的衍射峰值，通过记录，可知在进行ZnS的结晶化。
如以上说明，根据本发明的光记录重放方法和光记录媒体，以减小对环境产生的负荷并且简单的结构，可以通过至今还没有的新的方法来进行数据的记录-重放。
权利要求
1.一种光记录重放方法，其特征在于，在基板上，至少存在母材和辅助材料，从外部向所述母材施加按照要被记录的信息进行了强度调制的能量，通过使该母材和辅助材料的至少一方进行状态变化来改变光学特性，并且读取基于该光学特性变化的反射率的变化，重放所述信息。
2.一种光记录重放方法，其特征在于，在基板上，至少使引起状态变化的母材和辅助材料相邻存在，从外部向所述母材和辅助材料施加按照要被记录的信息进行了强度调制的能量，通过使该母材和辅助材料的至少一方进行状态变化来改变光学特性，并且读取伴随该光学特性变化的反射率的变化，重放所述信息。
3.如权利要求1的光记录重放方法，其特征在于，使所述母材为膜状，并使所述辅助材料相邻存在。
4.如权利要求2的光记录重放方法，其特征在于，使所述母材为膜状，并使所述辅助材料相邻存在。
5.一种光记录重放方法，其特征在于，在基板上，至少使引起状态变化的母材和辅助材料混合并膜状地存在，从外部向其施加按照要被记录的信息进行了强度调制的能量，通过使该母材和辅助材料的至少一方进行状态变化来改变光学特性，并且读取该光学特性变化，重放所述信息。
6.如权利要求1的光记录重放方法，其特征在于，使所述母材为膜状，并与所述辅助材料混合。
7.如权利要求1至6任何一项的光记录重放方法，其特征在于，在所述母材中，存在用于使其定常状态稳定的稳定材料。
8.如权利要求1至6任何一项的光记录重放方法，其特征在于，通过照射激光束来施加所述能量。
9.如权利要求7的光记录重放方法，其特征在于，通过照射激光束来施加所述能量。
10.一种光记录媒体，包括基板、以及在基板上设置的记录层；其特征在于，该记录层包括母材和辅助材料，所述母材通过从外部施加按照要被记录的信息进行了强度调制的能量而引起状态变化。
11.如权利要求10的光记录媒体，其特征在于，在所述母材中，存在用于使其定常状态稳定的稳定材料。
全文摘要
一种光记录重放方法和光记录媒体，在环保型材料构成的记录层中，可以用简单的膜结构进行良好的光记录。光记录媒体(10)在基板(12)上有由按照要被记录的信息进行了强度调制的作为能量的激光束而进行状态变化的一对电介质层(14A、14B)，以及被它们夹置的辅助材料层(16)构成的记录层(18)。辅助材料层(16)以Sn、Ti、Bi、Ge、C等中的任一元素作为主要成分，而作为电介质层(14A、14B)中母材的电介质材料由包含ZnS、SiO
文档编号G11B7/243GK1479296SQ0314080
公开日2004年3月3日 申请日期2003年6月3日 优先权日2002年6月3日
发明者井上弘康, 三岛康儿, 儿, 贵, 青岛正贵, 平田秀树, 树, 宇都宫肇, 肇, 新井均, 知, 田中美知 申请人:Tdk股份有限公司