光记录介质和光记录方法

专利名称：：光记录介质和光记录方法
技术领域：
：本发明涉及一种具有相变记录层的高密度光记录介质如DVD+RW、DVD-RW、BD-RE、HDDVDRW以及该光记录介质的记录方法。
背景技术：
：电子信息容量的增加已很显著，而且由于处理大量数据的记录装置需要更多的记录时间，因此需要能够更快记录的光记录介质。特别地，盘形光记录介质的提速已在增加，因为转速可以提高记录和再现速度。在这种光记录介质中，具有筒单的记录机制的那些已变得普遍，因为它们能够使光记录介质和记录装置的价格降低，所述简单的记录机制为仅利用记录期间照射光的强度调制来进行记录。仅在槽中记录的光记录介质也变得很普遍，因为它能保证与光学只读装置的高兼容性。例如在专利文献l中公开的常身见槽记录中，形成记录标记，使得该标记在槽宽度上延伸以满足DVD-ROM的调制标准，即"调制M〉0.6，其中调制M二(最大反射率-最小反射率)/最大反射率。该实例中，记录速度是DVD基准速度的2.4x，其中2.4x速度约为8.4米/秒。在这种低的记录速度的情况下，光束的扫描速度较小，即使记录标记的宽度大于槽宽度，也能获得足够的擦除比，因为结晶利用来自通过的光束的余热进行。在仅在槽中记录的光盘中，光记录介质如CD-RW、DVD+RW和DVD-RW已经作为使用可重写的相变介质的光记录介质付诸实际应用，并且已为各种介质开发了可高速记录的光记录介质。此外，包括允许较大容量记录的蓝光光盘、可以通过蓝色激光二极管(LD)进行更大容量记录的光盘系统已经付诸实际使用，并且可预期对这种光盘系统的提速。在上迷可重写DVD中，DVD+RW已经标准化到8x速度(约28米/秒)、DVD-RW标准化到6x速度(约21米/秒)、并且Blu射线盘标准化到2x速度(约9.84米/秒)。已期待对提速的进一步开发。到现在为止，相变光记录介质的提速已经通过将具有高结晶速度的材料用于记录层或通过与保护层结合来提高结晶化速度而实现。然而，已经了解到，对应于超过8x速度的DVD的快速记录速度，光记录介质的结晶速度的提高会引起如下所述的各种负面影响。第一点是，在记录过程中大晶体在非晶标记中生长，表观标记长度短于预定的，导致再现(reproducing)中的误差。如图1A-1C中所示，当在高结晶速度的光记录介质上进行记录时，依赖于记录条件在标记中发生异常晶体生长。已知的是，异常的晶体生长导致再现信号的失真(distortion)并增加误差。此处，图1A是表示异常再结晶区域的示意图；A和C代表正常标记，而B是具有异常再结晶区域的标记。此外，图1B显示了标记A至C的再现信号，图1C显示了二进制化(binarization)后标记A至C的再现信号。该误差倾向于随着可记录速度的提高而增加。该问题的可能对策是在低速区域解决该问题而不大量地增加记录层中的结晶速度，以及开发改善较高速度区域的记录特性的记录方法。然而，从相变记录的原理可容易地推断出，低结晶速度下的高速记录抑制了记录标记形成期间的晶体生长速度并且拓宽了作为非晶态层的记录标记，并发生上述问题。因此认为，难以既实现高速度的记录又实现宽范围的可记录速度。此外，专利文献2公开了作为尝试通过改变写入策略的时间常数来实现具有宽范围记录速度的足够的重写性能的实例。这种情况中，通过拓宽记录标记而进行了尝试。此外，在专利文献3公开的方法中，在较高速度下盖写变得困难且具有不足的记录速度范围的问题。第二点是所谓的交叉光，其中已记录的非晶标记被在相邻道内进行的记录部分再结晶。具有高结晶速度的光记录介质容易再结晶，因此应该分配足够的熔化区域以便足够大小的非晶标记即使在再结晶的情况下也能被记录。为此，应该」提高LD的功率，存在的问题是LD倾向于不必要地加热相邻道并使已记录的非晶态标记的一部分结晶。第三点的问题是用相当于常规低速光记录介质的记录条件进行低速记录是不可能的。换句话说，不能保持向后的兼容性。即使对DVD来说实现了超过8x速度的记录，也存在问题，即牺牲了使用者的方便，除非可以使用8x速度的常规驱动器。还没有实现用于更高速记录的光盘系统，其不具有因异常的再结晶而使误差增加和因交叉光而使抖动增加的问题且保持向后的兼容性，即使用常规的低速记录驱动器仍保持在低速下在相同光记录介质中进行记录。目前，需要立即提供这种光盘系统。通常，高反射率的晶相被认为是非记录态，由低反射率的非晶相组成的标记和由高反射率的晶相组成的间隙是通过对施加的激光束进行强度调制来形成，并用相变记录材料将信息记录在光盘上。图2显示了记录中激光束照射图案的实例。由非晶相组成的标记可由反复的、交替的峰值功率(PP=PW)和偏压功率(Pb)的脉冲照射来形成。由晶相组成的间隙由具有上述功率的中等强度的擦除功率(Pe)连续照射来形成。当照射由峰值功率和偏压功率组成的脉冲序列时，在记录层中反复进行熔化和骤冷，从而形成非晶标记。当照射擦除功率时，将记录层熔化，然后退火或保持其固体状态的同时退火以进行结晶，从而形成间隙。图2是1T写入策略的实例，其中形成非晶标记的脉沖周期为1T(T代表基准时钟周期)。2T写入策略用于更高速的记录，其中脉冲周期为2T。如上所述，为了形成非晶标记，有必要熔化记录层一次。因为在高速记录中缩短了照射峰值功率的时间，所以需要较高的功率。然而，由于激光二极管(LD)的输出功率有限，所以因功率不足而不能形成有利的标记。因此，对用于高速记录的记录层材料来说，较低的熔点是必要的。已经提出了各种满足上述需要的相变记录材料。其中，已知Ag-In-Sb-Te材料作为具有优异的重写性能的材料并被广泛用于CD-RW和DVD+RW。Ag-In-Sb-Te材料是通过将Ag和In引入作为包含63原子％-83原子％的Sb的Sb-Te二元体系固溶体的Sb-Te5相中制成。具有各种附加元素的Sb-TeS体系通常能够通过增加Sb的组成比来提高结晶速度，因此能够对应于高速记录。这种Sb-TeS相的缺点在于，它具有12(TC-130。C的低结晶温度。因此，有必要引入如Ag、In和Ge的元素以将结晶温度提高到160。C-180。C来改善非晶标记的稳定性。这能够形成适合于在高达约4x速度下进行高速DVD记录的记录层。为了对例如相当于DVD的8x速度或更快的高速记录进一步提速，必须提高Sb组分，以改善结晶速度。然而，提高Sb组分倾向于使初始化变难，导致初始化后反射率不均匀。这样增加了噪音，且不能实现低抖动的有利记录。此外，Sb的增加进一步降低了结晶温度，所以它没有帮助，反而增加添加剂的量。添加剂的简单增加也使初始化变难，导致噪音增加，且不能实现具有低抖动的有利记录。换句话说，很难获得具有Sb-Te5体系的记录层，其满足相当于DVD的8x速度的高速记录的结晶速度、简单的初始化和非晶标记的保存稳定性。考虑到该因素，已经建议将具有附加元素、以Sb为主要成分的促进非晶材料如Ga-Sb体系和Ge-Sb体系作为具有较高结晶速度和优异的非晶标记稳定性的Sb-Te5相的代替。Ga-Sb和Ge-Sb两者都具有富含Sb组成的共晶点，其中Sb的成分超过80原子。/。，具有它们的共晶点附近的组成的这些材料可用作高速记录材料。与Sb-Te5相体系类似，Sb组分的增加能加速结晶。因为结晶在180。C左右，非晶标记的稳定性优异而不用添加其它元素。然而，这些共晶点为59(TC左右，高于Sb-Te5相体系55(TC的共晶点，记录功率可能不足。此外，根据本发明的发明人的研究，高熔点的材料容易在初始化后反射率不均勻。因此，最终初始化后噪音也增加，进行具有低抖动的有利记录是困难的。其原因并不清楚，但通过简单地增加初始化功率并不能解决。因此，较低的熔点是有利的。本发明的发明人研究了Sb组分68原子％、低共晶点约49(TC的In-Sb体系并发现该In-Sb体系是结晶速度高、初始化后发射率不均匀性小和非晶标记稳定性优异的材料。然而，进一步的研究表明，尽管其有优异的非晶相稳定性，但该In-Sb体系具有低结晶稳定性的缺点。例如，图3A和3B中的波形图显示了在80。C的温度下进行100小时的保存试验前(图3A)和后(图3B)的组成接近其共晶组成的In-Sb合金非记录部分(晶体部分)的反射率降低。保存试验结果表明反射率降低了10%或更多，并有该介质不满足标准的风险。此外，在反射率降低的条件下记录引起了严重劣化的抖动，从而不能进行有利的记录。另一方面，专利文献4针对In-Sb体系提出了一种合金，具有表示如下的组成<formula>seeoriginaldocumentpage8</formula>其中x和y表示原子%；x为40原子％-80原子％,且0原子％<y<30原子％。表示为M的元素的实例为Zn、Cd、Tl、Pb、Po、Li和Hg。而且，专利文献5提出将微晶用作由20原子％-60原子％的In和40原子0/0-80原子％的Sb组成的记录薄层。另外，作为添加到该记录薄层中的元素，给出了Al、Si、P、S、Zn、Ga、Ge、As、Se、Ag、Cd、Sn、Te、Ti、Pb和Bi。而且，专利文献6提出使用一种合金，其具有表示如下的组成In50—xSb50—xM2x其中0原子。/cKx<5原子％。该合金中表示为M的元素的实例为Bi、Cd、P、Sn、Zn和Se，In与Sb的组成比限定为1/1。而且，专利文献7提出使用作为记录层的一种合金，其具有表示如下的组成(M100-xSbx)100-ylny其中x和y表示原子。/。；x为20原子％-80原子％，且y为2原子。/。-50原子％。该合金中表示为M的元素的实例为Zn、Cd、Hg、Tl、Pb、P、As、B、C和S。M的量较大，在M的最小量即x=20原子％且y=50原子％的情况下，Sb的组成为40原子％，In的组成为50原子％。而且，专利文献8提出使用作为记录层的一种合金的结晶层，其具有表示:feo下的纟且成(In100-xSbx)ioo-yMy其中x和y表示原子。/。；50原子％≤X≤70原子％,且0原子。/。≤y≤20原子％。该合金中表示为M的元素的实例为Al、Si、P、Zn、Ga、Ge、As、Se、Ag、Cd、Sn、Te、Tl、Bi、Pb、Mo、Ti、W、Au、P和Pt。在上述组成式中，In的比率为24原子％-70原子％。然而，考虑到20世纪80年代，提交这些申请的大致年代即1984-1987年的技术水平，上述专利文献4-8并没有考虑在目前DVD的最短标记长度为0.4pm或更低的情况下具有能形成极小标记的层组成的光记录介质。当然它们不会考虑与DVD和蓝光光盘的高速记录的适应性，并且它们既没有公开也没有暗示任何具体细节。专利文献1:日本公开未审专利申请(JP-A)No.2002-2370969专利文献2JP-ANo.2003-16643专利文献3日本专利(JP-B)No.3572068专利文献4JP-ANo.63-79242专利文献5日本专利公开(JP-B)No.04-1933专利文献6JP-ANo.63-206922专利文献7JP-ANo.63-66742专利文献8JP-ANo.63-155440
发明内容本发明旨在提供一种光记录介质和光记录方法，其能够实现可以进行高速记录的光盘系统，其中所述光盘系统能够在没有以下问题的情况下进行记录，所述问题例如因异常再结晶引起的误差增加和因交叉光引起的抖动增加，并且可以在高速记录的同时保持向后的兼容性，从而在低速记录的驱动器中可以在相同的光记录介质上进行低速记录。此外，本发明提供了用于高密度记录的光记录介质，其中所述光记录介质能够在8x速度或更快速度下与DVD兼容或在4x速度或更快速度下与蓝光光盘兼容，且所述光记录介质包括重写性能优异的相变记录层并提供稳定的非晶相和晶相以及简单的初始化。解决上述问题的方法如下。即<1>一种光记录方法，包括以下步骤使光照射到包括具有导向槽的基底并至少包括在该基底上的相变记录层的光记录介质上，以及从光的入射方向观测，对应于该槽的凸起部分或凹入部分的任一种，在该相变记录层上记录非晶相的标记和晶相的间隙，其中，通过标记长度记录法记录信息，并且标记和间隙的临时长度表示为nT,其中T表示基准时钟周期，且n表示自然数；所述间隙至少由照射功率Pe的擦除脉冲来形成；所有4T或更大长度的标记是由交替照射功率Pw的加热脉冲和功率Pb的冷却脉冲且Pw〉Pb的多脉沖而形成的；并且Pe和Pw满足下式0.15《Pe/Pw《0.4,且0.4<tw/(tw+tb)<0.8,其中，tw表示加热脉沖的长度之和，且Tb表示冷却脉沖的长度之和。<2>—种光记录方法，包括以下步骤使光照射到包括具有导向槽的基底并至少包括在该基底上的相变记录层的光记录介质上，以及从光的入射方向观测，对应于该槽的凸起部分或凹入部分的任一种，在该相变记录层上记录非晶相的标记和晶相的间隙，其中，通过标记长度记录法记录信息，并且标记和间隙的临时长度表示为nT，其中T表示基准时钟周期，且n表示自然数；所述间隙至少由照射功率Pe的擦除脉沖来形成，且所述标记可由照射功率Pw的加热脉冲来形成，lPw>Pb;并且Pe和Pw满足下式0.15《Pe/Pw<0.5。<3>根据<1>和<2>任一项的光记录方法，其中，当用波长640nm-660nm的激光束进行记录和再现时，在10x速度或更快的基准速度下进行记录，以及当用波长400nm-410nm的激光束进行记录和再现时，在4x速度或更快的基准速度下进行记录。<4>根据<1>至<3>任一项的光记录方法，其中，进行记录，4吏得径向上两相邻道上的标记之间的平均最小距离大于道间距的一半。<5〉根据<1>至<4>任一项的光记录方法，其中，最长标记的调制M满足下式0,35<M《0.60。<6>—种光记录方法，包括将对应于根据<1>至<5>任一项的光记录方法的信息预先记录在其基底上。<7〉一种光记录介质，包括具有导向槽的基底并至少包括在该基底上的相变记录层，其中所述光记录介质的旋转线速度是变量，并且对应于在光记录介质上用拾取头(pick-uphead)以连续光照射测得的反射率开始下降的点的过渡线速度(transitionlinearvelocity)为5米/秒至35米/秒；并且所述相变记录层包括由以下组成式(1)表示的相变材料(Sb100-xInx)100-yZny…组成式(1)其中，组成式(l)中，x和y表示各个元素的原子百分比；10原子％≤x≤27原子。/。，且1原子％y≤10原子％。<8>—种光记录介质，包括具有导向槽的基底和在该基底上的至少一个相变记录层，其中所述光记录介质的旋转线速度是变量，并且对应于在光记录介质上用拾取头以连续光照射测得的反射率开始下降的点的过渡线速度为5米/秒至35米/秒；并且所述相变记录层包括由以下组成式(2)表示的相变材料<formula>seeoriginaldocumentpage12</formula>其中，组成式(l)中，x、y和z表示各个元素的原子百分比；0原子%《2《25原子％，10原子％≤x≤27原子。/。，且l原子％≤y《10原子％。<9>根据<7>至<8>任一项的光记录介质，保护层、相变记录层、第二保护层和反射层。<10>根据<7>至<9>任一项的光记录介质，其中所述相变记录层具有6nm至22nm的厚度。<11>根据<9>至<10〉任一项的光记录介质，其中所述光记录介质在相变记录层与第一保护层之间以及相变记录层与第二保护层之间的任何之间包括中间层，并且所述中间层包括Ge和Si中任一种的氧化物。图1A表示发生在记录标记中的异常晶体生长示意图，这导致再现信号的失真并放大误差。图1B是表示标记A至C的再现信号的示意图。图1C是表示二进制化后标记A至C的再现信号的示意图。图2是表示1T写入策略的示意图，其中形成非晶标记的脉冲周期为1T,其中T表示基准时钟周期。图3A是保存试验前，具有接近其共晶组成的组成的In-Sb合金的波形图。图3B是在温度80。C下100小时的保存试验后具有接近其共晶组成的组成的In-Sb合金的波形图。图4是表示过渡线速度的示意图。图5是兼容8x速度记录的光记录介质的TEM照片，其上已进行记录使得调制M为0.63。图6是光记录介质的TEM照片，其上已进行记录使A(Lrm)>l/2.Ltp。图7A是表示用于由标记和间隙组成的重写数据的1T写入策略的实例的示意图。图7B是表示图7A的脉沖发射条件的示意图。图8是表示2T写入策略实例的示意图。图9A是表示写入策略实例以及再结晶区域与小数值T;w/(Tw+Tb)W非晶标记之间关系的示意图，其中，对于具有4T或更大长度的每个标记长度来说，T^表示加热脉沖Pw的照射周期之和，Tb表示加热脉沖Pw的照射周期之和，且Tw/(TW+Tb)的数值是可变的。图9B是表示大数值Tw/(Tw+Tb)情况下的示意图。图10是表示块写入策略(blockwritestrategy)实例的示意图。图IIA是表示当用图10的写入策略进行记录时再结晶区域和非晶标记之间的关系以及表示形成泪滴形标记状态的示意图。图IIB是表示当用图10的写入策略进行记录时再结晶区域和非晶标记之间的关系以及表示即使用长的脉沖也能获得有利形状标记的状态的示意图。图12是表示本发明的块写入策略实例的示意图。图13是表示本发明的另一块写入策略实例的示意图。图14是表示本发明的又一块写入策略实例的示意图。图15是表示本发明的再一块写入策略实例的示意图。图16是表示本发明的光记录介质实例的示意图，展示了DVD+RW、DVD-RW和HDDVDRW。图17是表示本发明的光记录介质实例的示意图，展示了蓝光光盘。图18是表示以2T写入策略、6x速度的记录速度和通过改变记录功率来调节调制的情况下再现中的误差率评价结果的示意图。图19是表示实施例A-19中10次重写后t:w/(tw+Tb)和抖动cj/Tw之间关系的示意图，其中；表示加热脉冲的长度之和，Tb表示加热脉冲的长度之和。图20是表示实施例A-21中IO次重写后获得最小值抖动时的抖动数值的示意图。图21是表示实施例A-24和比较例A-14到A-15中抖动与调制之间关系的示意图。图22是表示实施例A-24和比较例A-14到A-15中抖动与调制之间关系的示意图。图23是表示Sb(In+Sb)与反射率下降(△%)之间关系的示意图。图24是表示在实施例B-14所用的标记形成过程中无冷却脉沖的写入策略的示意图。具体实施方式(光记录方法)本发明的光记录方法将光照射到包括具有导向槽的基底和在该基底上的至少一个相变记录层的光记录介质上，并且从光的入射方向观测，对应于该槽的凸起部分或凹入部分的任一种，将非晶相的标记和晶相的间隙记录在该相变记录层上，通过标记长度记录法记录信息并将标记和间隙的临时长度表示为nT，其中T表示基准时钟周期，n表示自然数。在第一方面，所述间隙至少由功率Pe的擦除脉冲来形成，所有4T或更大长度的标记由交替照射功率Pw的加热脉冲和功率Pb的冷却脉沖且Pw〉Pb的多脉冲形成；并且Pe和Pw满足下式0.15《Pe/Pw<0.4,且0."Tw/(i;w+"cb)《0.8,其中，Tw表示加热脉沖的长度之和，Tb表示冷却脉沖的长度之和。在第二方面，所述间隙至少由照射功率Pe的擦除脉沖来形成，所述标记由照射功率Pw的加热脉冲来形成，且Pw〉Pe;并且Pe和Pw满足下式0.15《Pe/Pw《0.5。下文通过说明本发明的光记录方法来揭示本发明的光记录介质的详情。首先，为了形成能够用其进行高速重写的光记录介质，通常将具有快速结晶速度的相变材料用于记录层，或者通过与保护层结合来加速结晶速度。当结晶很快时，可以高速地擦除非晶标记，并且可以高速重写。然而，结晶速度不能大幅提高，因为根据高速记录的提高的结晶速度引发上述问题。此外，当光记录介质的结晶速度不足时，非晶标记的残留部分保留在高速记录中，导致再现误差。实际用作相变光记录介质记录层的材料主要可分为Te为主要组分的材料和Sb为主要组分的其它材料。包括DVD+RW和DVD-RW在内的仅在槽中进行记录的光盘系统使用Sb为主要组分的记录层。Sb为主要组分的记录层可以提供较筒单的层组成的情况下的有利的重写性能，以及与只读光学设备的高兼容性。对于非晶态的结晶过程来说，在Te为主要组分的材料中，成核是主导的，而在Sb为主要组分的材料中，非晶区或者熔化区与结晶区的边界的晶体生长为主导。因此，采用Sb为主要组分的记录层，对于大的非晶标记来说完全结晶所需的时间长，而对小的标记来说所需时间短。因此，在没有必要将结晶加速到引起各种问题的速度的情况下，通过使用特定的光记录方法并通过记录窄的非晶标记可实现速度和有利的重写性能。此处，DVD中，槽(groove)是指在入射光的方向上导向槽的凸起部分，而平地(land)为凹进部分。此外，在具有蓝色LD的光盘系统中，存在槽为凹进部分而平地为凸起部分的情况。在任何情况下，本发明的槽中的记录是指在记录层中对应于导向槽的凸起部分和凹下部分的任一种进行记录。-结晶速度和记录速度之间的关系-作为结晶速度的又一性能，可使用过渡线速度的数值。过渡线速度可用通常用于评估记录和再现性能的装置，PulstecIndustrialCo.，Ltd.制造的DDU-1000和ODU-1000进行测量。过渡线速度可通过在以恒定线速度旋转光记录介质时，照射足以熔化所述记录层的强度的圓形激光束后测量反射率而获得。在使连续照射的光的功率保持恒定的同时，用不同的旋转线速度反复相同的测量，反射率在某一线速度下或之上开始下降，而在低的线速度下反射率仍保持较高。该反射率开始下降处的线速度被称为过渡线速度。这表示在图4中。该图中，在相对于线速度反射率几乎恒定的部分和反射率下降的部分绘制直线，交叉点被确定为过渡线速度。在低于过渡线速度的线速度下熔化后，记录层处在被完全再结晶的状态下。在过渡线速度之上的线速度，熔化后记录层不能完全再结晶，并且记录层部分保持为非晶相。过渡线速度不仅由记录层的结晶速度确定，而且由连续照射光的功率和包含于光记录介质中的层厚度来确定，即由光学条件和热学条件确定。当用波长为650士10nm且数值孔径为0.65±0.01的拾取头照射表面功率为15士lmW的连续光时，由上述记录层组成的结构和光记录介质的上述层组成可获得DVD的8x速度(约28米/秒)下的有利记录，以使过渡线速度为21米/秒至30米/秒。1然而，当用与8x速度下所用的记录方法相同的光记录方法在相同的光记录介质上在更高的线速度如DVD的10x速度(约35米/秒)和12x速度(约42米/秒)下进行记录时，由于相对于记录速度的低结晶速度，非晶标记的残留部分保留下来，并且不能实现有利的重写性能。因此认为，具有超过30米/秒的过渡线速度的光记录介质对于在1Ox速度或更高下的重写是必需的。然而，如上所述，例如异常再结晶颗粒的出现和交叉光的缺陷变得明显，仅通过使用具有高过渡线速度的光记录介质并不能实现有利的重写性能。考虑到这一因素，用特定的记录方法在具有相当于8x速度下过渡线速度的21米/秒至30米/秒的过渡线速度的光记录介质上进行记录，以使所记录的非晶标记较窄，并且即使在10x速度或更大下也获得有利的重写性能。此外，所述光记录介质具有与用于8x速度记录的相同的线速度，并且在可以用常规记录驱动器进行记录的高达8x速度下都保持了向后的兼容性。需要注意的是，即使在低速下也能记录窄标记，或者记录仅在径向位置限定的线速度区域进行，因为当将窄标记盖写在具有以常规方法记录的宽标记的部分上时不能实现有利的性能。在本发明的光记录方法中，当用波长为640nm-660nm的激光束进行记录和再现时，优选在10x速度或更大下进行记录，更优选在10x速度到16x下。此处，基准速度，即lx速度，为大约3.5米/秒。此外，能够通过波长为405士5nm的激光二极管进行较高密度记录的光盘系统如蓝光光盘和HDDVDRW也使用仅在槽中记录的方法。对于蓝光光盘，基准速度(lx速度)为4.92米/秒，而对于HDDVDRW为6.61米/秒，每种都已实际应用或发展到高达lx速度到2x速度。类似的光记录方法也可被有效地应用于这些光学系统的高速记录中。当用5mW-6mW的表面功率测量过渡线速度时，通过在15米/秒-19米/秒范围内的光记录介质的4x速度下，用变窄的标记应用光记录方法，能够获得有利的重写性能。在本发明的光记录方法中，当用波长为400nm-410nm的激光束进行记录和再现时，优选在4x速度或更大下进行记录，更优选在4x速度到8x速度下进行记录。-标记宽度和调制-非晶标记的宽度可通过检测最长标记的调制M来判断。当信号记录方法为EFM+调制时，调制M可表达为(I14H-I14L)/I14H，其中114H是作为最长信号的14T间隙的反射率，且I14L是14T标记的反射率。当调制M大时，标记较宽。当调制M小时，标记较窄。从与ROM的再现的兼容性来看，调制M较大。对于DVD+RW来说，能在高达4x速度下记录的光记录，它优选为0.60，能在高达8x速度下记录的光记录介质，它优选为0.55或更大。本发明中，调制M优选为0.35-0.60。当调制M小于0.35时，因为甚至从初始记录起就不能进行记录和再现，所以抖动和误差会增加。当调制M超过0.60时，即使第一次记录是有利的，抖动和误差也会由于作为残留部分的标记而在重写中增加。在可进行8x速度记录的光记录介质上，进行记录以使得调制M为0.63，并在透射电子显微镜(TEM)下观察该光记录介质。观察结果表明，如图5所示，在用于仅在槽部分中记录的光记录介质如DVD+RW和DVD-RW上的非晶标记，其宽度要大于槽宽度。通常，平地宽度与槽宽度的比为1:1,所以道间隙Ltp、径向上相邻两道中标记之间的距离Lrm、以及Lrm的平均值A(Lrm)具有A(Lrm)<l/2Ltp的关系。当在DVD的10x速度或更大下在该介质上进行高速重写时，宽标记不能完全结晶。因此，标记作为残余部分保留下来，导致抖动和误差的增加。然而，如图6所示，通过在A(Lrm)>1/2.Ltp的关系下进行记录，即使在DVD的10x速度(大约35米/秒)到12x速度(大约42米/秒)的速度下的高速重写中，也可以完全结晶，并且可以进行有利的重写。然而，图6中实例的调制较小在约0.5。尽管没有用TEM检查标记宽度，发现除了图6中的实例，当进行记录使得最长标记的调制M为0.35-0.60时，可以在高速下获得有利的重写性能。误差率可能在标记的较小调制的情况下如上所述增力口，但因为再现装置通过探测器如光二极管电子转换和读取标记的光学调制，所以调制的电动态范围是重要的。当反射率较小时，即使调制较大，也会存在由于电信号的小的绝对值难以分配动态范围而引起误差率的可能增加。另一方面，尽管调制较小，但当光记录介质整体上的反射率较大时，由于信号的绝对值，对应于调制的电信号的动态范围可得以加宽。在DVD系统中，根据双层的ROM、DVD+RW和DVD-RW的标准，最小反射率为18%，当调制和反射率的积设定恒定时，在转变成电子信号后保证了相同宽度的动态范围。因此，在DVD系统中，当调制和反射率的积为0.18X0.60=0.108或更大时，能够获得相同的动态范围并能抑制误差率的增加。在本发明中，在标记窄于槽宽度的10x速度到16x速度的范围内，调制为0.40-0.55时，27%或更大的反射率对于充分的性能是足够的。此外，低反射率的光记录介质在其没有再现问题时无需满足这一关系。然而，在这点上，对于可重写DVD介质的最大反射率为30%或更小，因为光学再现装置由于DVD系统的特性而难以确定是否高反射率光记录介质是可重写的还是只读的。此外，使用蓝色LD的光盘系统可以处理较低反射率的光记录介质，对单层来说应该满足最小反射率为0.05，对双层来说应该满足最小反射率为0.016。接下来，对记录标记以保持窄的标记宽度的光记录方法进行说明。通过使记录层材料处于骤冷状态和退火状态来在将相变介质作为其记录层的光盘上进行记录。熔化后，记录层材料在骤冷时变成非晶态，并且它在退火时结晶。非晶相和晶相的光性能是不同的，因此可将信息记录和再现。也就是说，通过将激光束照射到基底上的薄膜记录层上来加热记录层并引发记录层结构中晶相和非晶相之间的相变以改变盘的反射率，由此相变光记录介质反复地记录信息。通常，高反射率的晶相代表非记录的状态，通过形成低反射率的非晶标记和高反射率的晶体间隙来记录信息。通常，通过照射已将脉沖分成3个或更多的值的强度调制的记录光来进行信息处理。图7A显示了用于重写由标记和间隙组成的数据的记录信号图形即写入策略的实例。非晶相的标记通过交替照射功率Pw的加热脉沖和功率Pb的冷却脉冲且Pw>Pb的多脉冲来形成。晶相的间隙通过照射中等强度的功率Pe的擦除脉冲来形成。当加热脉冲和冷却脉冲交替照射时，记录层在熔化和骤冷之间交替以形成非晶标记。当照射擦除脉冲时，记录层熔化然后退火，或记录层在其处于固态下退火以结晶，从而形成间隙。图7A是1T写入策略的实例，其中形成非晶标记的脉冲周期为1T,此处T表示基准时钟周期。2T写入策略用于在具有高结晶速度的介质上的高速记录或低速记录，此处脉冲周期为2T。图8表示2T写入策略的实例。这是公开于JP-BNo.3572068中的光记录方法的实例，其中通过交替照射m次功率Pw的加热脉冲和功率Pb的冷却脉沖来进行写入光的强度调制，其中Pw〉Pb，对于偶数的n来说r^2m,对于奇数的n来说n-2m+l。已经公开的是，与用于例如4x速度DVD+RW的1T写入策略相比，这种写入策略使得可以对高达10x速度的记录速度进行大范围的调制。在槽中记录的常规相变盘使用了具有高结晶速度的光记录介质；因此，为了防止在记录期间的再结晶的目的以及为了形成具有某一尺寸的非晶标记，为了保证足够的冷却时间而利用增加的加热脉沖功率和缩短的照射时间来进行2T写入策略是有利的。然而，现在已明了，使用没有为冷却分配长时间段的策略并且进一步使用不分配冷却脉冲的块写入策略，即使是在使用了用于在DVD+RW的4x速度下记录的1T写入策略或2T写入策略的情况下，对于在DVD的10x速度或更大下的高速记录也是有效的。这是因为这些策略能够在不增加标记宽度的情况下进行记录。-IT写入策略-1T写入策略用图7A中所示的1T写入策略的实例来说明。这种写入策略用于高达4x速度的较慢相变的光记录介质如DVD+RW,并且它使用脉沖调制方法。在4x速度记录中，基准周期Tw约为9.5纳秒。当标准脉沖占空的占空比约为0.5时，用于熔化记录层材料的加热脉冲(Pw)以及用于将其冷却并形成作为记录标记的非晶层的冷却脉沖(pb)的时间常数分别为4.25纳秒。这种情况下，只要激光束实际具有1.5纳秒-2纳秒的前边缘和后边缘，就保证了足够的冷却时间。然而，当将1T写入策略用于12x速度的DVD+RW时，例如，在占空比为0.5的情况下，加热脉沖和冷却脉沖的时间常数为大约1.6。因此，加热脉冲和冷却脉沖不能达到它们的设定值。这可从图7B中脉沖发射的波形观察到。当1T写入策略用于在10x速度或更大下记录时，由于与低速记录相比Pw的上升时间不足，不能熔化足够的区域，并且由于Pb的下降时间不足，再结晶进行较快。与熔化的区域有低的晶体生长速度的情况以及与应用2T写入策略的情况相比，再结晶可更快地进行，结果，可减小非晶区域。因此，在高速记录中可以获得具有减小的记录标记宽度和有利的擦除比即可进行重写的调制的光记录方法，这是本发明的主要目的。此处，对于长度为4T或更长的每个标记长度来说，^表示加热脉沖Pw的照射周期之和，化表示冷却脉冲Pb的照射周期之和，且Tw/(Tw+Tb)的值优选为0.4或更大。当Tw/(Tw+Tb)的值小于0.4时，显然，上升时间对于加热脉沖Pw来说不足，并且即使设高Pw的值也不能分配出足够的熔化区域。此外，存在一种趋向，即在太大的Tw/(^+Tb)值的情况下不能得到有利的抖动。该值应该为0.8或更小，优选为0.7或更小。更有利的是通过仅包括代替多脉沖的长脉冲Pw的块写入策略进行记录，而不设定Tw/(Tw+Tb)的值大于0.8。这只是取决于试验结果，原因并不清楚。关于小于4T的标记，即对于DVD的3T和对于蓝光光盘和HDDVD的2T和3T，Tw/(Tw+Tb)的值不必需保持在0.4-0.8的范围内。此外，间隙由照射Pe形成，并且Pe/Pw的值为0.15-0.4。当Pe/Pw的值小于0.15时，擦除记录的非晶标记的功率可能不足。当Pe/Pw的值超过0.4时，由于未知的原因，甚至从起始记录起抖动就劣化。-2T写入策略-图9A和图9B显示了具有不同Tw/(Tw+Tb)的值的写入策略实例和再结晶区域11和非晶态标记12的关系，其中对每个长度为4T或更大的标记长度来说，"U表示加热脉冲Pw的照射周期之和，化表示加热脉冲Pw的照射周期之和。图9A是小数值Tw/(Tw+TbW实例，图9B是大数值W(Tw+Tb)的实例。当调整峰值功率以将熔化区域的面积保持几乎恒定时，pw的分量越大即、/Ovv+Tb)的值越大则标记越窄，因为更大的面积再结晶。因此，优选较短的冷却脉沖以在高速下记录小宽度的标记。Tw/(Tw+V)的值优选为0.4或更大。当对于1T写入策略和2T写入策略来说线速度是等同的时，因为2T写入策略的L是两倍长，所以在足够的Pw的上升时间和熔化面积的情况下，该值可小于0.4。这反而增加了冷却脉冲的时间。因此，再结晶不会进行，标记宽度也不会减小。此外，存在一种倾向，即太大的Tw/(Tw+Tb)值的情况下不能得到有利的抖动。该值应该为0.8或更小。更优选通过用仅包括长脉沖Pw的块写入策略来代替多脉沖进行记录，而不设定Tw/(Tw+Tb)的值大于0.8。这只是基于试验结果，原因并不清楚。关于小于4T的标记，即对于DVD的3T和对于蓝光光盘和HDDVD的2T和3T，Tw/(Tw+Tb)的值不必保持在0.4-0.8的范围内。此外，间隙由照射Pe形成，Pe/Pw的值为0.15-0.4。当Pe/Pw的值小于0.15时，擦除记录的非晶标记的功率可能不足。当Pe/Pw的值超过0.4时，由于未知的原因，甚至从起始记录开始抖动就劣化。-块写入策略-如图10中所示，可以照射仅为Pw的长脉冲来代替多脉沖。已经认为这种连续光是不利的，因为它形成如图11A中所示的泪滴形状的标记。这种泪滴标记引起再现误差并在重写中于后端的宽部分中留下残余部分。泪滴标记形成的原因之一在于热积聚效应提高了标记后端附近的温度。另一原因在于连续的加热促进了再结晶。热积聚效应在DVD的8x速度或更高的速度下得以减轻，当光记录介质具有骤冷构成时，可进一步减轻。因此，熔化区域在泪滴形状中不容易扩展。曾因其低结晶速度而被认为太慢的光记录介质可以产生长的但具有有利形状的如图IIB中所示的标记，因为该介质也具有低的再结晶速度。而且，如图12-15中所示，通过筒短地向Pw脉冲块的前部、后部和中部施加强于Pw的功率Ph或者通过在从Pw脉冲块向Pe擦除脉冲的过渡中施加冷却脉冲Pb来改进性能。在图12-14中，Ph简短地施加给3T脉冲，因为3T周期较短，所以整个脉冲会具有Pw的强度。此外，间隙由照射Pe形成，Pe/Pw的值为0.15-0.5。当Pe/Pw的值小于0.15时，擦除记录的非晶标记的功率可能不足。当Pe/Pw的值超过0.5时，由于未知的原因，甚至从起始记录开始抖动就劣化。<光记录介质的预才各式化>用于本发明光记录方法的光记录介质具有预先在其基底上记录的与本发明的光记录方法相关的信息。优选在光记录介质上预格式化与写入策略相关的参数如Tdl/T、T。ff、Td2、Td3、dT3、Tmp、T3和T。ffl，这些是图8中2T写入策略的实例，因为这些参数对光记录介质是特定的。对IT写入策略和块写入策略情况和对参数与图8中那些进行不同限定的2T写入策略情况也优选对参数进行预格式化。通过在操作前读取预格式化在主体光记录介质上的这些参数，光记录装置可以为给定扫描速度v设定最佳的记录参数，即写入策略。而且，预格式化的写入功率信息简化了更佳的记录条件的配置。可以使用任何的预格式化方法，其实例包括预置坑(pre-pit)法、摆动编码法和一各式化法。预置小坑法是涉及在光记录介质的任何给定区域内使用ROM坑的记录条件的预格式化信息的方法。该方法对于在基底形成中ROM坑形成的高产率以及采用ROM坑的高的再现可靠性和信息容量来说是有利的。然而，仍然存在许多需要解决的与形成ROM坑的技术即混合技术相关的问题，并且使用RW预置坑的预格式化技术仍然认为是十分困难的。格式化法是以与光记录装置中普通记录相同的方式记录信息的方法。然而，该方法要求光记录介质在其生产后应该进行格式化，这在大规模生产的情况下是困难的。而且，因为预格式化信息是可重写的，所以它不适合作为记录特定信息到光记录介质中的方法。摆动编码法是实际中采用的用于预格式化CD-RW和DVD+RW的方法。该方法釆用在沟槽的摆动，即记录介质的导槽中对光记录介质的地址信息进行编码的技术。编码方法可以是用于CD-RW的ATIP(预置槽中的绝对时间)的频率调制或者是用于DVD+RW的相位调制。摆动编码法在生产率方面是有利的，因为沟槽摆动在基底形成期间与地址信息一起在光记录介质的基底上形成。同时，与应形成特殊ROM坑的预置坑法不同，摆动编码法不需要这种特殊的措施，从而便于基底的形成。用于本发明的光记录方法的光记录介质没有特别的限制且可根据应用进行适当选择。该光记录介质包括具有导槽的基底和该基底上的至少一个相变层；它进一步包括根据需要的其它层。-相变记录层-记录层使用以下材料作为其母相，该材料包括作为主要组分的Sb和用于促进向非晶转变的其它元素。其实例包括Sb-In体系、Sb-Ga体系、Sb-Te体系和Sb-Sn-Ge体系。此处，主要组分定义为组成为50原子％或更高的组分。而且，可向这些母相中加入其它元素以改善各种性能。Sb-In体系优选具有如下组成范围(Sb1-xIn)1-yMy其中0.15≤x≤0.27，0.0≤y≤0.2,且M代表除Sb和In以外的一种或多种类型的元素。用具有170℃左右的高结晶温度以及优异的非晶相的保存稳定性的Sb和In的两组分体系，可以获得有利的重写性能。有利地加入元素M以便进一步改善保存稳定性、改善重写耐久性和易于格式化。选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ge、Ga、Se、Te、Zr、Mo、Ag和稀土元素中的任何一种元素都可作为元素M加入。这些元素的加入容易降低结晶速度；因此，可进一步加入Sn或Bi来改进结晶速度。元素M的总含量优选为20原子％或更低，以便不会损失重写性能。Sb-Ga体系优选在如下组成范围内使用(Sb1-xGax)1-yMy其中0.05≤x≤0.2，0.0≤y≤0.3,且M代表除Ga和Sb以外的一种或多种类型的元素。用具有180℃左右的高结晶温度以及优异的非晶相的保存稳定性的Sb和In的两组分体系，可以获得有利的重写性能。然而，为了更高的结晶速度而增加Sb的比例会引起如格式化后不均匀的反射率的问题。因此，有利地加入元素M以便改善高速记录的反射率的不均匀性。元素M的实例包括Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Se、Zr、Mo、Ag、In、Sn、Bi和稀土元素。这些元素的加入降低了室温或高温下保存后的结晶稳定性和反射率，引发了如下问题，即在等同于保存前的条件下不能进行记录。因此，可进一步加入Ge或Te。元素M的总含量优选为30原子﹪或更低，以便不会损失重写性能。Sb-Te体系优选在如下组成范围内使用(Sb1-xTex)1-yMy其中0.2≤x≤0.4,0.03≤y≤0.2，且M代表除Sb和Te以外的一种或多种类型的元素。用Sb和Te的两组分体系可以获得有利的重写性能。但存在的问题是，记录标记在高温保存下结晶，这是因为该两组分体系具有120。C左右的低结晶温度。因此，有必要加入元素M以提高结晶温度并改善非晶相的稳定性。改善非晶相稳定性的元素M的实例包括Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、Zr、Mo、Ag、In和稀土元素。这些元素的加入容易降低结晶速度，所以可进一步加入Sn或Bi来改进结晶速度。除非元素M的总含量为3原子％或更大，否则加入是没有效果的，且优选为20原子％或更低，以便不会损失重写性能。Sb-Sn-Ge体系优选在如下组成范围内使用(Sb1—x-ySrixGey)i—zMz其中0.1<x《0.25，0.03《y<0.30,0.00《z《0.15，且M代表除Sb、Sn和Ge以外的一种或多种类型的元素。用Sb、Sn和Ge的三组分体系可以获得有利的重写性能。再加入一种或多种元素降低了抖动。有效元素的实例包括Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、Te、Zr、Mo、Ag、In和稀土元素。因为过量加入的反过来会使抖动劣化，元素M的总含量优选为最多15原子％或更少。记录层优选具有6nm或更大的厚度。当该厚度小于6nm时，结晶和调制极度降低，并且有利的记录是困难的。对于单层结构和双层结构中的背层来说，最大厚度优选为30nm或更小，更优选为22nm或更小。对于双层结构中的前层来说，优选为10nm或更小，更优选为8nm或更小。厚度超过上述范围的记录层具有降低的记录灵感度和劣化的重写耐久性。对于双层结构中前层的情况来说，不能保证透射光的强度，因此在背层中的记录和再现变得困难。除相变记录层以外的层组成等同于以下的光记录介质的。(光记录介质)本发明的光记录介质包括具有导向槽的基底和在该基底上的至少一个相变层。它进一步包括第一保护层、第二保护层、反射层和根据需要的其它层。光记录介质的旋转线速度是可变的，且对应于通过用拾取头在光记录介质上用连续光照射测得的反射率开始降低的点的过渡线速度(transitionlinearvelocity)为5米/秒-35米/秒。-过渡线速度-过渡线速度用作设计相对于变化的记录线速度能显示出适当重写性能的光记录介质的指标。过渡线速度可用通常用于评估记录和再现性能的装置，PulstecIndustrialCo.,Ltd制造的DDU-1000和ODU-1000进行测量。过渡线速度可通过测量在以恒定线速度旋转光记录介质时，辐照具有足以熔化所述记录层强度的圆形激光束后的反射率而获得。更具体来说，连续照射光的功率保持恒定的同时，用不同的旋转线速度重复相同的测量，虽然在低的线速度下反射率保持较高，但反射率在某一线速度下或之上开始下降。在反射率开始下降处的该线速度被称为过渡线速度。这展示在图4中。该图中，在相对线速度反射率几乎恒定的部分和反射率下降的部分画直线，交叉点被确定为过渡线速度。在低于过渡线速度的线速度下熔化后，记录层处在完全再结晶的状态下。在过渡线速度之上的线速度下，熔化后记录层不能完全再结晶，记录层部分地保持非晶相。过渡线速度不仅由记录层的结晶速度确定，而且由连续照射光的功率和包含于光记录介质中的层厚度即光学条件和热条件确定。当将连续光照射到以接近目标过渡线速度的旋转速度旋转的光记录介质上时，测量过渡线速度的连续光的功率应该足以熔化相变记录层。记录层是否已熔化可以根据将连续光以上述线速度照射时光记录介质的反射率的变化来确定。当反射率没有变化时，可以肯定地认为，功率不足以熔化记录层。因此，可以照射功率增加的光。近似表明功率大约为记录功率的1/2至2/3。需要的功率随着过渡线速度的增加而增加。当用上述方法测量的过渡线速度为5米/秒或更大时，在诸如基准速度为3.5米/秒的DVD、基准速度为4.92米/秒的蓝光光盘和基准速度为6.61米/秒的HDDVD的主要光盘系统的至少一个基准速度的速度下，可以进行重写。当过渡线速度较小时，由于在盖写中剩余的非晶标记，所以在基准速度下重写是不可能的。为了增加记录速度到例如2x速度和3x速度，更优选为更高的过渡线速度配置记录层的组成和光记录介质的层组成。当假定驱动中马达的旋转速度上限为10000rpm时，最外边缘的最大速度大约为60米/秒，因为主要光盘系统的光记录介质具有12cm的直径。因此，可以推断，尽管努力为各系统提速，但对于DVD最大速度为16x速度，对于蓝光光盘为12x速度，对HDDVD为9x速度。即使假定在60米/秒速度下记录，过渡线速度的适当上限也为35米/秒左右。这是因为该介质随着过渡线速度的增加在记录中易于再结晶，并且具有足够大小的非晶标记的形成变得困难。因此，适当选择记录层组成和层组成可提供一种光记录介质，其能在各个光盘系统的基准速度到60米/秒范围内的记录速度下进行记录。存在一些情况如CAV记录，其中在盘的最内边缘和最外边缘的记录速度是不同的。例如，旋转速度为常量，在最内边缘记录速度为DVD的5x速度，在最外边缘为12x速度，在之间速度依次增加。这种情况下，形成了具有均匀组成记录层的和具有均匀层组成的光记录介质，并且可通过优化写入策略和写入功率在5x速度到12x速度下进行记录。然而由于对写入策略和写入功率配置的限制，这是困难的。这样，在盘的内部和外部，盘可具有不同的过渡线速度，且记录可根据径向位置用更适当的线速度更容易地进行。应该对光记录介质进行配置，以使得过渡线速度对低速记录的内部来说是低的，对于高速记录的外部来说是高的。对于记录速度在DVD的5x速度到12x速度范围变化的光记录介质，过渡线速度优选在内部为12米/秒至26米/秒，在外部为20米/秒至35米/秒。通过改变记录层的组成或改变层的组成可以改变过渡线速度。对于记录层的组成，增加的Zn组分降低了结晶速度以及因此的过渡线速度；Zn的组成对于内部来说是高的，对于外部来说是低的。通过用Sn部分代替Sb而具有增加的Sn组分的材料提高了结晶速度以及因此的过渡线速度；Sn的组分对内部来说是低的，对外部来说是高的。通过改变内部和外部的溅射靶可在内部和外部形成具有不同组成的膜。过渡线速度也可以随层组成而变化，并可用层组成对其进行调节。可以使用各种方法，通过记录层厚度的调节是较简单的。组成相同时，小厚度的记录层倾向于具有较小的过渡线速度。因此，厚度在盘的内部较小而在盘的外部较厚。内部的薄记录层可通过溅射中在内部设置掩膜或闸门(shutter)来形成。<相变记录层>In-Sb体系显示出优异的非晶稳定性、低的熔点和高的结晶速度，且它适合作为高速记录用材料。然而，它的问题在于低的结晶稳定性，在高温保存试验中显示出反射率大幅下降。如在图23中显示Sb/(In+Sb)和反射率(△%)下降之间关系的示意图中所示，晶体是稳定的，且反射率的下降随增加的In即减少的Sb而减少。当为了In-Sb体系中结晶的稳定性增加Sb的份数时，与Sb-Te5体系类似，结晶速度会增加。然而，要点在于不仅通过提高结晶速度，而且通过配置具有为相关的记录线速度而调节的适当结晶速度的记录层，来获得有利的重写性能。这种情况下，例如可通过改变In和Sb的份数来调整结晶，并且如上所述，增加的In将大大降低反射率。在这点上，可将第三元素Zn加入到具有较高份数的Sb的In-Sb体系中。这样，可通过改变Zn的添加量来调节结晶速度，并可以进行低抖动的重写。当其它元素如Ge和Te作为第三元素加入时，可以通过改变第三元素的量来调节结晶速度。其中，Zn是优异的，在高速重写中显示了低的抖动并具有重写耐久性。此外，在本发明中必要的是，光记录介质不仅具有适当结合了In、Sb和Zn的相变材料的记录层，而且具有使过渡线速度处于适当范围内的层组成。因此，第一方面的相变记录层包括由以下组成式(1)表示的相变材料(Sb100-xInx)跳yZriy…组成式(1)其中，在组成式中(1)，x和y表示各元素的原子百分比；10原子％《x《27原子。/q，且l原子。/。《y《10原子0/。。如上所述，作为相变记录层材料的具有大份数的In的In-Sb体系倾向于在高温保存后反射率大幅降低10%或更大。Sb和In总量中的In的份数，即x优选为27原子％或更小，更优选22原子％或更小。图23表明，用上述的份数能够获得7%或更小或5%或更小的反射率下降。由于高温保存，较小的反射率降低是有利的，本发明的发明人已经认定，当反射率的降低为7%或更小时，通过再调节写入策略和写入功率，则可以进行有利的记录。小份数的In导致初始化的不均匀，降低了非晶态稳定性并减小了记录中的调制；因此，In的份数即x优选为10原子％或更大，更优选15原子％或更大。Zn的加入能提高向非晶相的转变，并且根据记录速度通过改变Zn的量可以适当调节结晶的速度。而且，由于未知的原因，Zn的加入具有降低重写中抖动的效果。通常，重写逐渐增加了抖动，但与加入其它元素的情况相比，可以通过Zn的加入抑制这样的增加。通过提高结晶温度，Zn的加入也具有改善非晶态稳定性的效果。Zn的份数，即上述组成式(1)中的y为1原子％或更大，优选为2原子％或更大。然而，太多的加入Zn降低了结晶速度，损害了高速记录。它也降低了初始化中某些部分的反射率。因此，Zn的份数，即上述组成式(l)中的y为10原子％或更小，优选为8原子％或更小。通过在上述组成式(1)的范围内适当结合In、Sb和Zn可设计出具有优异的重写性能、非晶态和晶体稳定性和简单初始化的相变记录层。此外，第二方面的相变记录层包括由以下组成式(2)表示的相变材料[(SbIOO-zSnz)100-xInx]100-yZny…组成式(2)其中，组成式(2)中，x、y和z表示各元素的原子百分比；0原子％《z《25原子Q/q，10原子Q/。《x《27原子。/q,且1原子％《y《10原子％。上所述组成式(2)表示的相变材料等同于用Sn部分代替Sb的组成式(l)所表示的相变材料。换句话说，它是一种具有以下组成的相变材料，其中作为相变记录层主要组分的Sb的一部分(1原子。/。-25原子。/。)被Sn替换。用Sn部分代替Sb提高了结晶速度和初始化中的非均匀性，结果可获得有利的重写性能。然而，相对于Sb的Sn的份数，即z为0原子％-25原子%,优选为2原子％-20原子％。当Sb的份数超过25原子Q/。时，调制减少了，抖动没减少。通过限定记录层和过渡线速度，本发明的光记录介质具有高的灵敏度、简单的初始化、非晶态和晶体稳定性并可以在保持低抖动的同时显示出优异的重写耐久性。组成式(2)中的x和y与组成式(1)中的等同。相变记录层的厚度优选为6nm-22nm，更优选为8nm-16nm。由于各种不利影响如调制减小、结晶速度显著降低和重写光稳定性的下降，在厚度小于6nm的情况下重写变得困难。当厚度超过22nm时，反复重写后抖动增加变得显著。图16和17显示了用于本发明光记录方法的光记录介质的构造实例。图16是介质如DVD+RW、DVD-RW和HDDVDRW的实例。图17是蓝光光盘的实例。在图16中，在具有导向槽的透明基底1上，从入射光的方向依次层压至少第一保护层2、记录层3、第二保护层4和反射层5。对于DVD和HDDVD的情况，通过旋涂法在反射层5上形成有机保护层。进一步结合有与基底相同尺寸且与基底的材料通常相同的板(未示出)。在图17中，从入射光的方向依次层压透明覆盖层7、第一保护层2、记录层3、第二保护层4、反射层5和具有导向槽的透明基底1。图16和17中所示的光记录介质是具有单层记录层的光记录介质的实例，也可以使用具有两个记录层且透明中间层在其间的光记录介质。这种情况下，对于入射光来说，前层必须是半透明的，因为记录和再现发生在背层。-基底-基底材料的实例包括玻璃、陶瓷和树脂。其中，树脂在成型性和成本方面来说有利的。树脂的实例包括聚碳酸酯树酯、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚苯乙烯树脂、丙烯腈苯乙烯共聚物树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、有机硅树脂、氟树脂、ABS树脂、聚氨酯树脂。其中，从成型性、光学性能和成本方面来说，尤其优选聚碳酸酯树酯和丙烯酸树脂。形成基底以使得尺寸、厚度和槽的形状符合标准。借助拾取头的伺服机构通过控制在槽中心照射的激光束来进行记录和再现。对该控制来说，对由导向槽衍射的在光束扫描方向的竖直方向上的光进行监控，并将激光束定位在槽的中心，以便放弃扫描方向上的横向信号水平。用于该控制的衍射光的信号强度由光束直径、槽宽度和槽深度之间的关系确定，通常将其变换成称作推挽信号的信号强度。信号强度随槽宽度的增加而增加，但因为记录标记之间的道间距是固定的而存在限制。例如，道间距为0.74|im的DVD记录系统在非记录状态下优选具有0.2至0.6的信号强度。对于DVD+RW、DVD+R、DVD-RW和DVD-R来说，类似的值也在它们各自的写入标准中限定。JP-ANo.2002-237096公开了对应于该值的槽宽度在槽的底部优选为0.17nm至0.30pm。对于高速光记录介质，它优选为0.20(im至0.30pm。在使用蓝色LD的记录和再现系统中，根据与光束直径的线性关系对槽宽度进行类似限定。在任何情况下，将槽宽度设定在道间距的大约一半或者略小于道间距的一半。该导向槽通常是摆动的，使得记录装置可以在记录中对频率进行采样。它通过转化摆动的相位并在确定的范围内改变频率来提供输入如地址和信息.关于本发明的光记录方法，记录需要的信息诸如写入策略和写入功率在盘的最内层部分即输入端区域输入，该区域由用最佳写入策略和写入功率进行记录的记录装置读取；结果，以适当的记录速度进行了记录。-第一保护层-用于第一保护层的材料没有特别地限制，它可根据应用从在此迄今为止已知的材料中进行适当选4奪。其实例包括Si、Zn、In、Mg、Al、Ti和Zr的氧化物；Si、Ge、Al、Ti、B和Zr的氮化物；Zn和Ta的硫化物；Si、Ta、B、W、Ti和Zr的^友化物；类金刚石碳；和它们的混合物。其中，优选摩尔比接近7/3至8/2的ZnS和Si02的混合物。特别是对于位于记录层和基底之间并经受由热膨胀、高温和室温变化引起的热损坏的第一保护层，优选以摩尔比计的(ZnS)80(Si02)20,因为对于这种组成来说，光学常数、热膨胀系数和弹性模量是最佳的。还可以以以层压形式使用不同的材料。第一保护层的厚度大大影响了反射率、调制和记录灵敏度。第一保护层优选具有以下厚度，该厚度使得盘的反射率相对较低的保护层显示出其局部的最小值，这是因为它增强了记录灵敏度。对于DVD的记录和再现波长，为了有利的信号特性，(ZnS)so(Si02)2o(mol%)第一保护层的厚度优选为40nm-80nm,对于蓝光光盘为20nm-50nm，对于HDDVD为30nm-60nm。当第一保护层的厚度低于这些范围时，过量的热可能损坏基底并改变槽的形状。当该厚度高于这些范围时，盘反射率变高，降低了灵敏度。-第二保护层-根据应用，用于第一保护层的材料也可用于第二保护层。其实例包括Si、Zn、In、Mg、Al、Ti和Zr的氧化物；Si、Ge、Al、Ti、B和Zr的氮化物；Zn和Ta的硫化物；Si、Ta、B、W、Ti和Zr的碳化物；类金刚石的碳；和它们的混合物。第二保护层也影响反射率和调制，并且对记录灵敏度的作用最显著。因此，使用具有适当热导率的材料是重要的。优选的记录灵敏度可用摩尔比接近7/3至8/2的ZnS和Si02的混合物获得，因为放热速度因其小的热导率而减小。对于高速记录可选择具有高热导率的材料。具有高热导率的材料实例包括被称为透明导电膜的含有ln203、ZnO和SnO为主要成分和它们的混合物的材料，含Ti02、A1203和Zr02为主要成分和它们的混合物的材料。此外，还可以以层压形式使用不同的材料。第二保护层的厚度优选为4nm-50nm，更优选为6nm-20nm。当厚度小于4nm时，记录层的光吸收率降低。记录层中产生的热更容易地扩散进入反射层，结果，可能显著降低了记录灵敏度。当厚度超过50nm时，可能在第二保护层中产生裂紋。-反射层-作为用于反射层的材料，优选例如A1、Au、Ag和Cu以及其合金作为主要成分的金属。合金化中的附加元素的实例包括Bi、In、Cr、Ti、Si、Cu、Ag、Pd和Ta。反射层反射记录和再现中的光以提高光的使用效率并起到放热层的作用以释放记录中产生的热。对于单层光记录介质的情况或者对于双层光记录中的记录发生在从光入射方向的后侧处的记录层介质中的情况，从光的使用效率和足够的冷却速度方面来看，反射层优选具有70nm或更大的厚度。然而，光的使用效率和冷却速度在某一厚度至上饱和。反射层太厚时，基底会弯曲，或者膜会因膜的应力而脱落。因此，厚度优选300nm或更低。从双层记录介质的入射光的前侧的反射层应该具有减小的厚度，因为它必须透过光，厚度优选为5nm-15nm。然而，有利的记录因劣化的放热性能而不能进行。因此，使用了下文所述的放热层。-界面层-在相变记录层和第一保护层之间或相变记录层和第二保护层之间，可以配置界面层，其包括例如不同于用作第一保护层或第二保护层的氧化物、氮化物和碳化物的材料。因此，光学性能和热性能主要在第一保护层或第二保护层中调整，而结晶速度主要在界面层中调整。界面层优选具有至少包含Ge或Si的氧化物。当具有包含Ge或Si的氧化物的层连接到相变记录层3时，可以加宽用于有利的重写的记录速度范围。包含Ge或Si的氧化物的作用随氧化程度而变化。当氧化物对氧饱和时，例如包括Ge02和Si02,可在高速下实现有利的重写。当氧化物对氧欠饱和时，例如包括GeO和SiO并进一步包括未被氧化的Ge和Si,可在较低速下实现有利的重写。该作用中的差异的原因还不清楚，但推测是对氧饱和的氧化物具有促进相变记录层3成核的作用，并且对氧不饱和的氧化物反过来具有抑制记录层中成核的作用。不同氧化程度的界面层可通过在普通氩气氛中对靶进行溅射而获得，其中所述耙用具有产生需要的组成的混合比的GeCb和Ge的混合物或者Si02和Si的混合物形成；或者通过在不同气体流速比的氩气和氧气的混合气氛中溅射作为靶的Ge或Si获得。因为考虑要控制成核，包括Ge和Si的氧化物通过连接到相变层3而发挥其作用。由激光束照射加热的相变层3从具有反射层5的第二保护层4的侧面冷却，并且成核主要发生在第二保护层4的侧面。因此，当将其设置在第二保护层4的侧面时，界面层更加有效。界面层优选具有2nm或更大的厚度，因为厚度小于lnm时不可能形成均匀的膜且功能不稳定。最大厚度基于光学性能和热性能之间的平衡来确定；通常，优选为10nm或更小。-放热层-放热层设置在反射层和中间层之间，从而当从双层光记录介质的入射光在前记录层中进行记录时保证辐射和调整反射率。用于放热层的材料的实例包括被称为透明导电膜的含有ln203、ZnO和SnO为主要成分的以及它们的混合物的材料，含有Ti02、Al203和Zr02为主要成分的以及它们的混合物的材料。根据记录层的组成，辐射性能并不重要。在这种情况下，可以使用经常用作保护膜的ZnS和Si02的混合物。放热层的厚度优选为10nm-150nm，更优选为20nm-80nm。当厚度小于10nm时，它不能充分起到放热层或光学调整层的作用。当它超过150nm时，基底会弯曲，或者膜会因膜的应力而脱落。-抗硫化层-当反射层包括Ag或Ag合金且第二保护层包括具有S的膜例如ZnS和Si02的混合物时，将抗硫化层设置在第二保护层和反射层之间以防止在保存过程中由反射层的硫化而引起的缺陷。用于抗硫化层的材料的实例包括Si、SiC、TiC、Ti02以及TiC和Ti02的混合物。除非抗硫化层的厚度为lnm或更大，否则不能形成均匀的膜且抗硫化的作用会削弱。因此，抗硫化层优选具有2nm或更大的厚度。最大厚度通常基于光学性能和热性能之间的平衡来确定；通常，为了有利的重写性能，其优选为10nm或更小。-中间层-为了在双层光记录介质中分离各个层而配置中间层，它由透明树脂层形成，对于DVD和HDDVD其厚度为50μm,对于蓝光光盘其厚度为25μm。蓝光光盘中的覆盖层是允许光的入射和传输的层。覆盖层由透明树脂层形成，对单层光记录介质来说其厚度为l00μm,对双层光记录介质来说其厚度为75μm。上述各层通过溅射依次形成在基底上。然后形成并结合有机保护膜，或者形成覆盖层。初始化过程后，制成光记录层。初始化过程是扫描并照射强度为1W至2W的1X(几十到几百)μm的激光束以刚好在膜沉积后结晶非晶状态下的记录层的过程。参照以下给出的实施例将对本发明作更详细的说明，但这些实施例并不解释为是对本发明的限制。抖动数值σ/Tw用作实施例A-l到A-25和比较例A-l到A-6中有利记录的指示。对DVD+RW来说，抖动的规格为9%或更小，且对于蓝光光盘来说，为6.5%或更小。因此，当抖动满足这些标准或接近规格时，认为获得了有利的重写性能。(实施例A-l到A-9和比较例A-l到A-6)具有12cm的直径、0.6mm的厚度、和0.74nm的道间距的槽的由聚碳酸酯树脂制成的盘基底在高温下脱水。在该基底上，依次地顺序沉积第一保护层、记录层、第二保护层、抗硫化层和反射层，制得相变光记录介质。更具体来说，采用Unaxis,Ltd.制造的DVDSprinter溅射装置，厚度65nm的第一保护层用ZnS-SiQ2的摩尔比为8比2的靶沉积在基底上。在第一保护层上，在氩气压力为0.4Pa(3x10-3托)且RF功率为300mW的溅射条件下，用基于表1所示原子比的组成的合金靶将厚度为16nm的记录层沉积。在该记录层上，用ZnS-SiO2靶以与第一保护层相同的方法沉积厚度10nm的第二保护层。此外，层压TiC和Ti02的质量比为7比3的抗石克化层和厚度为200nm的Ag反射层。然后，在该反射层上，用旋涂法涂布丙烯酸紫外线固化树脂(DainipponInkandChemicalsIncoporated制造的SD318)，以使膜具有5μm至10μm的厚度，该膜经受紫外线固化以形成有机保护层。接着，在该有机保护层上，层压相当于盘基底的空基底(dummysubstrate),其由聚碳酸酯树脂制成，直径为12cm、厚度为0.6mm。由此，制备成用于实施例A-l到A-9和比较例A-l到A-6的相变光记录介质。接着，每个光记录介质通过大直径的LD进行结晶来初始化。在每个所获得的光记录介质上用EFM+调制法以18米/秒(约5.15x速度)和10x速度(约35米/秒)的速度进行记录。根据DVD系统的标准记录和再现程序，使用具有波长为659nm的光学拾取头和数值孔径NA为0.65的物镜的DVD评估系统(DDU-1000,PulstecIndustrialCo.,Ltd.制造)进行记录和再现。2T写入策略用于在18米/秒下记录，1T、2T和块写入策略用于在10x速度下记录。示于图8中的写入策略应用于2T写入策略。更具体来说，脉沖宽度值Tmp和T3在低速下分别为0.55T和0.725T,在高速下分别为0.625T和0.8125T,其中T表示基准时钟周期。对于每个光记录介质，都进行脉冲延迟量dT3、Tdl、T&和Td3以及离开脉冲(off-pulse)宽度Toff13和Toff的优化和确定。形成长度为4T或更大的标记的Tw/(Tw+Tb)数值保持在0.35或更小。对于写入功率，Pb固定在0.1mW，并且确定Pw和Pe以使得对于每个光记录介质来说抖动都是其最小值。关于IT写入策略，如图7A中所示，对于长度为n的标记来说脉冲数为n-l的方法，仅应用于高速记录。前加热脉冲的宽度设定为0.7T,其它脉沖的宽度设定为0.5T，为最小的抖动优化最后的离开脉冲。这些配置用于每个光记录介质。因此，对于所有的介质，Tw/{Tw+Tb)数值为0.5至0.8。对于写入功率，Pb固定在0.1mW,并且确定Pw和Pe以使得对于每个光记录介质来说抖动都是其最小值。图10中所示的策略用作块写入策略。用于3T标记的模式为平脉沖，用于4T标记至14T标记的模式为具有凹下的脉冲。3T标记的脉沖宽度为2T,并且对于记录4T或更大标记的模式，将Tt。p和T,p分别设定为1.2T和0.8T,并且总脉沖宽度设定为[(3T脉冲长度)+(n-3)],其中n为每个标记的长度。写入功率的值按如下进行确定。Pe固定在5mW。确定Pw的条件，以使得记录标记的宽度饱和或者90°/。饱和，这是根据调制进行评估的。然后，为最小的抖动将Ph优化，并对Pe优化。也可能使用图10中虚线所表示的离开脉沖Pb,但它在该测试中没有被使用。用0.7mW的再现功率在3.5米/秒的速度下进行再现。并对抖动(由基准窗口宽度Tw归一化的每个标记边缘部分的标准差cj((j/Tw))、调制((Rmax-Rmin)/Rmax,其中Rmax代表记录标记的最大反射率，且R曲代表记录标记的最小反射率)和擦除部分的反射率进行评估。结果示于表l中。表1<table>completetableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>表1中的结果表明，尽管形成4T或更大长度的标记的Tw/(i:w+Tb)值为0.35或更小，但除了实施例A-7外，在18米/秒速度下进行记录有利地产生了小于8%的抖动。实施例A-7遭遇了许多异常再结晶的发生，抖动不可能被减小。关于10X速度记录，调制为小于0.60，且对于Tw/(Tw+Tb)为0.5或更大的1T写入策略和块写入策略的情况，抖动小于10%。实施例A-7中的抖动小于10%，因为不容易产生异常再结晶的发生条件。然而，比较例A-l到A-6显示出，当Tw/(Tw+Tb)值为0.35或更小的情况下使用2T写入策略时，调制超过了0.60，并且不能将抖动调节到10%或更小。(实施例A-10)在实施例A-1到A-4中所制备的相变记录介质上，用图7A中所示的1T写入策略在12x速度(大约42米/秒)下进行高速记录，并对记录标记的宽度进行监控。此处，1T写入策略的模式和再现条件与实施例1中的那些相同。可以发现，当写入功率为30mW或更大时，调制超过了0.45，且记录标记的宽度为0.28pm槽的约75%。反射率为0.25,RXM超过了0.11。抖动为10%。在上述条件下，增加了写入功率。当写入功率为36mW时，抖动为9.3%,反射率为0.25且RXM为0.14。记录标记的宽度为槽宽度的约90%。进一步增加写入功率。当写入功率为39mW时，标记宽度几乎等于或者略小于槽宽度。即使写入功率进一步增加，标记也不扩大。这时，调制为0.59，抖动为9.8%。(实施例A-ll)以与实施例1中的相同方法制备光记录介质，除了对记录层和第一保护层的厚度进行调整使得该介质的反射率分别为18%、22%、24%和30%。对于每个光记录介质，用2T写入策略在6x速度下进行记录，并且通过改变写入功率调节调制。此外，对复制中的误差率进行评估。结果示于图18中。图18中的结果表明，调制随写入功率的降低而降低。图18中的垂直虚线表示分别对于18%、22%、24%和30%的反射率的调制，即0.6、0.5、0.46和0.37,其中RXM的值为0.11。图18中的结果也表明，当RXM的值接近O.ll时，误差率突然增加。当调制小时，随着调制大于O.ll,误差率开始增加。然而，水平实线A所表示的低于DVD的纠错能力的误差率在RXM为0.11的调制的情况下获得。因此，即使调制M较小，只要反射率是高的，就也能获得可以承受一般使用的记录系统。(实施例A-12到A-18和比较例A-7到A-13)在直径为12cm、厚0.6mm、道间距为0.74|im的槽的由聚碳酸酯树脂制成的基底上，用Unaxis，Ltd.制造的DVDSprinter溅射装置，用ZnS-Si02的摩尔比为8比2的耙沉积厚度为60nrn的第一保护层。在该第一保护层上，使用In2。Sb8。、Ge、Zn和Te多个来源同时控制功率，通过共同溅射(co-sputtering)沉积具有14nm的厚度以及如表2中所示的组分的记录层。在该记录层上，通过溅射层压厚度为6nm且ZnS-Si02摩尔比为8比2的第二保护层、TiC和Ti02的质量比为7比3的抗石克化层和厚度为200nm的Ag反射层。然后，用旋涂法涂布有机保护层(DainipponInkandChemicalsIncorporated制造的SD318),层压了厚度为0.6mm的空基底(dummysubstrate)。由此，制备成用于实施例A-12到A-18和比较例A-7到A-13的相变光记录介质。接着，为了初始化，每个光记录介质通过大直径的LD进行结晶。对每个光记录介质，使用波长为660nm的光学拾取头和数值孔径NA为0.65的物4竟的DVD评估系统(DDU-IOOO，PulstecIndustrialCo.,Ltd.制造)对过渡线速度和记录性能进行评价。结果示于表2中。每个光记录介质根据记录层中的元素类型和数量而具有不同的过渡线速度。过渡线速度是用15mW的表面功率进行测量的数值。在每个光记录介质上，以8x速度(约28米/秒)、10x速度(约35米/秒)和12x速度(约42米/秒)用EFM+调制法记录由3T到14T组成的随机模式10次。在表2中，"OK，，表示其中抖动((7/Tw)为10%或更小的情况；否则为"NG"。在8x速度下进行记录以使调制M为0.60或更大。对于10x速度和12x速度下的记录，分别评估调制M大于0.60和小于0.60的情况。调制大于0.60的情况下，2T写入策略用于8x速度到12x速度的记录，用加热脉沖宽度为0.6T且冷却脉冲宽度为1.4T的多脉沖进行该记录，同时优化了先头脉冲和尾部脉冲的位置和宽度以及功率。形成4T或更大长度的标记的Tw/(Tw+Tb)数值为0.35或更小。调制M为0.60或更小的情况下，1T写入策略用于10x速度和12x速度下的记录，并用多脉冲宽度为0.55T且冷却脉沖宽度为0.45T的多脉沖进行记录，同时优化了先头脉沖和尾部脉冲的位置和宽度以及功率。形成4T或更大长度的标记的Tw/(Tw+Tb)数值为0.50-0.8。而且，对于所有的记录条件，优化功率的Pe/Pw的数值范围为0.23-0.33。表2<table>completetableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>在表2的结果中，RXM的数值表示每个光记录介质的反射率R与在1Ox速度和12x速度下记录中抖动为10。/。或更小时的调制M的积，且调制为0.60或更小。任何情况下，调制为0.4或更大。当重写在比过渡线速度大5米/秒至18米/秒的线速度下进行时，因在M>0.60的条件下因抖动劣化而可能不会获得有利的重写性能，但在JVK0.60的条件下获得了有利的重写性能。尤其是，实施例A-14到A-16的光记录介质中的重写可以在与用于8x速度光记录介质的记录的相同条件下在8x速度下进行。并且甚至在高速如10x速度和12x速度下，在M《0.60的条件下进行记录获得了有利的重写性能。此外，通过优化调制M小于0.4的记录方法斥企测了用实施例A-15的光记录介质是否能获得有利的重写性能。在抖动为12.8%且调制为0.38的情况下，IO次重写后的重写性能是最有利的。(实施例A-19)对于实施例A-15的光记录介质，在12x速度下进行记录，同时对于1T和2T改变加热脉沖的宽度。图19显示了10次记录后u/(iw+Tb)数值与抖动(0/TJ之间的关系，其中Tw表示加热脉沖的照射周期，Tb表示冷却脉沖的照射周期。为了获得这些结果，对功率进行调节以保持调制低于0.50,且对先头脉沖和尾部脉冲的长度和位置进行优化，以便降低抖动。当Tw/(Tw+Tb)数值为0.4至0.8时，对于1T和2T来说4牛动均为约10%或更低。(实施例A-20)在实施例A-15的光记录介质上用长脉沖进行12x速度记录。使用了图13中所示的脉冲波形，同时，加到前部和后部的Ph都为0.5T长度的Pw+5mW，冷却脉冲为0.5T长度的0.2mW。对Pw的脉冲长度、位置和功率进4亍优化。当P^19mW且P^8.6mW时，获得了最有利的重写性能。IO次重写后，抖动为9.2%，且调制为0.48。(实施例A-21)用实施例A-12到A-18的光记录介质对8x速度、10x速度和12x速度的Pe/Pw最佳范围进行检验。2T写入策略用于8x速度和10x速度。2T写入策略和示于图13中的块写入策略用于12x速度。图20显示了IO次重写后的抖动的最低值。当Pe/Pw的值小于0.15时，所有情况下抖动都会突然增加，并且不能实现有利的重写。初始记录后，抖动通常是有利的，但由于小的Pe非晶标记的剩余部分在重写中保留，这被认为是劣化抖动的原因。当对于2T写入策略Pe/Pw值为0.40或更大时，以及对于块写入策略为0.50或更大时，抖动突然增加。对于这些情况，即使在初始写入后抖动也劣化。(实施例A-22)以与实施例A-12到A-18的相同方法制备实施例A-22的光记录介质，除了将记录层的组成改变为Ga7Sb67Sn2QGe6。在获得的光记录介质上，用1T写入策略在12x速度下进行记录。Pw、Pc和Tw/(Tw+Tb)的数值分别为32mW、8mW和0.5至0.8。而且，反射率为0.305，且过渡线速度为30米/秒。对于8x速度，在调制为0.6或更大且抖动为0.9%或更小的情况下，在10次重写后实现了有利的重写性能。优化12x速度的重写条件后，在抖动为9.5%且调制为0.54的情况下，实现了IO次重写后最有利的重写性能。(实施例A-23)以与实施例A-12到A-18的相同方法制备实施例A-23的光记录介质，除了将记录层的组成改变为Te19Sb74Ge5In2。在获得的光记录介质上，用1T写入策略在8x速度下进行记录。反射率为021，过渡线速度为14米/秒。优化8x速度(28米/秒)的重写条件后，当Pw、Pc和Tw/(Tw+Tb)的数值分别为28mW、7mW和0.45时，在抖动为9.9%且调制为0.45的情况下，IO次重写后的重写性能是最有利的。(实施例A-24和比较例A-14到A-15)在直径为12cm、厚l.lmm且道间距为0.32μm的槽的由聚碳酸酯树脂制成的基底上，用溅射装置(Unaxis,Ltd.制造的DVDSprinter),通过共同溅射，同时为需要的组成控制功率，来沉积厚度140nm的具有Ag和5质量%的Bi的反射层、厚度8nm的具有ZnO和3质量％的A1203的第二保护层4、以及厚度llnm的具有In2oSb8()、Ge、Zn和Te多种来源的记录层3。而且，沉积厚度为33nm且ZnS和Si02的摩尔比为8比2的第一保护层2。用旋涂法涂布由紫外线固化的树脂组成的粘结材料，并且层压TeijinLimited制造的厚度为0.75jam的聚碳酸酯膜以形成覆盖层。由此，制备出实施例A-24和比较例A-14到A-15的相变记录介质。接着，为了初始化，每个光记录介质通过大直径的LD进行结晶。对于每个记录介质，使用具有波长为405nm的光学拾取头和物镜的数值孔径NA为0.85的蓝光光盘评估系统(ODU-1000，PulstecIndustrialCo.，Ltd.制造)对过渡线速度和记录性能进行评估。用5mW的连续光测量的过渡线速度为17米/秒。用17PP调制方法进行记录，基准速度(lx速度)为4.92米/秒、最短标记长度为0.149μm且记录密度相当于25GB的记录容量。由2T制8T组成的随机模式在三个连续的道中记录10次。中间的道在lx速度下再现，且对有限均值化(limitequalization)后的调制和抖动进行评价。记录条件示于表3中。对于所有的情况，将Pb的值固定为O.lmW。Tw/(Tw+Tb)的数值是记录4T至8T标记的条件。对于实施例A-24,2T到3T的标记用单脉沖Pw且在转变成Pe之前没有冷却的情况下进行记录。对于对比例A-15，2T到3T的标记用单脉冲Pw和在转变成Pe之前将功率水平减小到Pb的冷却脉沖进行记录。图21和22显示了抖动和调制之间的关系。<table><row><column>表3</column><column>记录速度</column><column>Pe/Pw</column><column>Tw/(TW+Tb)</column></row><row><column>实施例A-24</column><column>4x速度</column><column>0.33</column><column>0.54至0.69</column></row><row><column>比较例A-14</column><column>4x速度</column><column>0.34</column><column>0.32至0.42</column></row><row><column>比较例A-15</column><column>2x速度</column><column>0.4</column><column>0.32至0.42</column></row><table>表3中的结果以及图21和22表明，实施例A-24中，在4x速度(19.68米/秒)下进行有利的记录，同时在比较例A-14中没有降低抖动也没有增加调制。然而，正如在比较例A-15中能观察到的，即使Tw/(Tw+Tb)的值与比较例A-14的相同，也能在2x速度(9.84米/秒)下进行有利的记录。此处，在比较例A-14和比较例A-15中，在4T-8T之间的5T的记录条件下，Tw/(iw+Tb)W值为0.42;并且在所有其它的记录条件下，Tw/(Tw+Tb)的值小于0.4。(实施例A-25和比较例A-16)以与实施例A-23的相同方法制备实施例A-25和比较例A-16的光记录介质，除了用Ge13Sb67.5Sn15Mn4.5的合金靶形成厚度为llnm的记录层和用(ZrO2-Y2O3(3mol。/。))-TiO2(20mol。/。)的靶形成厚度为8nm的第二保护层。也用与实施例a-23中相同的方法对光记录介质进行评价。表4显示了用2T写入策略在4x速度下10次重写后的抖动和调制的结果。表4<table></column></row><row><column></column><column>pw(mW)</column><column>Pe(mW)</column><column>Tw/(TW+Tb)</column><column>σ/Tw(%)</column><column>调制M</column></row><row><column>实施例A-25</column><column>8.5</column><column>2.6</column><column>0.54至0.69</column><column>7.4</column><column>0.53</column></row><row><column>比较例A-16</column><column>9.5</column><column>3.0</column><column>0.32至0.42</column><column>8.2</column><column>0.61</column></row><table>表4中的结果表明，当与Tw/(Tw+Tb)的值较大的实施例A-25相比比较例A-16中的τw/(Tw+Tb)的值较小时，抖动增加了略小于1%。此处，在比较例A-16中，在4T至8T之间的5T的记录条件下，τw/(τw+τb)的值为0.42;并且在所有其它的记录条件下，τw/(Tw+Tb)的值小于0.4。(实施例B-l到B-6和比较例B-l到B-4)制备了有如图16中所示示意横截面图的本发明相变光记录介质相对应的层组成的光记录介质。也就是说，在具有12cm的直径、0.6mm的厚度和道间距为0.74pm的槽的由聚碳酸酯树脂制成的基底(透明树脂1)上，通过溅射法形成第一保护层2、相变记录层3、第二保护层4、抗硫化层(未示出)和反射层5。然后用有机保护层6覆盖在其上，并层压另一聚碳酸酯盘基底。由此，制备出实施例B-l到B腸6和比较例B-l到B-5的光记录介质。更具体来说，在聚碳酸酯基底上，沉积厚度60nm的ZnS和Si02的摩尔比为8比2的第一保护层2。然后，沉积表5中所示的In-Sb-Zri组成、厚度为14nrn的相变记录层3。接着，沉积ZnS和Si02的摩尔比为8比2的厚度为6nm的第二保护层4。此外，层压TiC和1102的质量比为7比3的、厚度4nm的抗硫化层和厚度200nm的Ag反射层。其上再涂布另一有机保护层，并通过粘合结合另一聚碳酸酯基底。接着，为了初始化，每个光记录介质通过大直径的LD进行结晶，并用于以下评估。比较例B-l到B-4显示了其中的相变记录层的In-Sb-Zn组成超出了本发明限定的范围的光记录介质的实例。以下的表5显示了该相变记录层的组成。<评估>对于每个如上制备的光记录介质，使用具有波长为660nm的光学拾取头和数值孔径NA为0.65的物镜的DVD评估系统(DDU-IOOO，PulstecIndustrialCo.，Ltd.制造)对过渡线速度和抖动(cj/Tw)进行测量。测量过渡线速度的功率设定在15mW。而且，抖动(cj/Tw)是在DVD的6x速度和12x速度下用EFM+调制法重写随机模式10次后的数值。记录仅在一个道内进行。对每种情况用其中形成非晶标记的脉沖周期为2T的2T写入策略进行记录，同时分别优化写入功率和脉沖宽度。结果示于表5中。表5<table>completetableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table>表5中的结果表明，在6x速度和12x速度的任一速度下，对于抖动(σ/Tw)为9%或更少的实施例B-l到B-6，进行了非常有利的记录。而且，实施例B-l到B-6中，在温度80℃、相对湿度85﹪下进行保存试验100小时，在记录标记抖动(σ/Tw)的增加为1%或更少并且未记录部分反射率的降低为6%或更少的情况下，对于所有情况的结果都是有利的。另一方面，比较例B-l是其中Sb/(ln+Sb)的比率低于本发明的范围的情况。对于6x速度和12x速度都为10%左右的抖动(σ/Tw)来说，结果不是非常差。然而，保存后反射率的下降约为10﹪并且存在晶体稳定性的问题。比较例B-2是其中Sb/(ln+Sb)的比率高于本发明范围的情况。即使对写入策略和功率进行优化，调制也为40%左右。而且，抖动((σ/Tw)较大。比较例B-3是记录层的组成中不包含Zn的情况。初始记录后抖动是有利的，但重写后抖动不能降低到11%或更小。比较例B-4是其中Zn组分太高的情况。初始化中的非均匀性是严重的，且抖动大幅增加。以与实施例B-l中的相同方法制备实例B-7到B-8和比较例B-5到B-6中的光记录介质，除了构成层的厚度按下表6中所示的进行改变以外。在与实施例B-l相同的条件下，在6x速度和12x速度下对介质的过渡线速度和重写性能进行了评估。结果示于表6中。比较例B-5到B-6显示了其中的过渡线速度因层厚度的改变而超过本发明限定的范围的光记录介质的实例。表6<table>completetableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table>表6中的结果表明，在12x速度下，在抖动(σ/Tw)为9%或更少的实施例B-7到B-8中进行了有利的记录。而且，在实施例B-7到B-8中，在温度80°C、相对湿度85%下进行保存试—睑100小时，在记录标记抖动(σ/Tw)的增加为1%或更少并且未记录部分反射率的降低为6%或更少的情况下，对于所有情况的结果都是有利的。另一方面，比较例B-5到B-6显示了在6x速度和12x速度下大数值的抖动(σ/Tw)。在比较例B-6中也尝试了在lx速度下进行记录，但10次重写后的抖动为13%。(实施例B-9到B-ll和比较例B-7)以与实施例B-l中的相同方法制备实施例B-9到B-ll和比较例B-7中的光记录介质，除了用Sn部分代替作为相变记录层的组分的Sb并且组成按下表7中的所示进行改变以外。在与实施例B-l相同的条件下，在DVD的6x速度和12x速度下对该介质的过渡线速度和重写性能进行了评估。结果示于表7中。比较例B-7显示了其中的Sn组分超出了本发明限定的范围的光记录介质的实例。表7<table>complextableseeoriginaldocumentpage49</column></row><table>表7中的结果表明，在6x速度和12x速度的任一速度下，在抖动(σ/Tw)为9%或更少或接近9%的实施例B-9到B-ll中进行了有利的记录。而且，在实施例B-9到B-11中，在温度80。C、相对湿度85%下进行保存试验100小时，在记录标记抖动(d/Tw)的增加为1%或更少并且非记录部分反射率的降低为6%或更少的情况下，对于所有情况的结果都是有利的。另一方面，比较例B-7由于Sn组分超出了本发明限定的范围，对于6x速度和12x速度都显示了大的抖动(o/Tw)。(实施例B-12)以与实施例B-1中的相同方法制备实施例B-12的光记录介质，除了实施例B-l的第二保护层由如下所示的界面层和第二保护层替代以外。-第二保护层和界面层的形成-在记录层3上，用摩尔比1:1的Ge02和Ge混合物的耙通过'减射法形成厚度2nm的Ge和O的界面层。在该界面层上，通过溅射法形成厚度4nm、ZnS和Si02的摩尔比为8:2的第二保护层。接着，在与实施例B-l相同的条件下，在6x速度和12x速度下对该制得的光记录介质的过渡线速度和重写性能进行了评估。获得了以下有利的结果，即过渡线速度为28米/秒，IO次重写后的抖动(cj/Tw)在6x速度下为8.9%并且在12x速度下为9.2%。而且，在温度80°C、相对湿度85%下进行保存试验100小时，在记录标记抖动(cj/Tw)的增加为1%或更少并且未记录部分反射率的降低为3%或更少的情况下，结果是有利的。(实施例B-13)以与实施例B-5中的相同方法制备实施例B-13的光记录介质，除了实施例B-5的第二保护层由下述界面层和第二保护层替代以外。-第二保护层和界面层的形成-在记录层3上，用Si02靶通过賊射法形成厚度2nm的Si02界面层。在该界面层上，通过溅射法形成厚度4nm、ZnS和Si02的摩尔比为8:2的第二保护层。接着，在与实施例B-5相同的条件下，在6x速度和12x速度下对该制得的光记录介质的过渡线速度和重写性能进行了评估。获得了以下有利的结果，即过渡线速度为24米/秒，IO次重写后的抖动(cj/Tw)在6x速度下为8.5%且在12x速度下为9.6%。而且，在温度8(TC、相对湿度85°/。下进行保存试验100小时，在记录标记抖动(cj/Tw)的增加为1%或更少并且未记录部分反射率的降低为3%或更少的情况下，结果是有利的。(实施例B-14)通过层压以下层制备实施例B-14的光记录介质作为第一保护层的厚度60nm、摩尔比为8:2的ZnS和Si02混合物；作为相变记录层的厚度14nm、与实施例B-3中的相同材料；作为第二保护层的厚度llnm、ZnO和2%质量的A1203混合物；和作为反射层的厚度200nm的Ag。在获得的光记录介质上，用图24中所示的写入策略在标记形成过程中没有冷却脉沖的情况下在16x速度下进行重写。10次重写后的抖动为10.9%，且过渡线速度为35米/秒。而且，在温度80°C、相对湿度85%下进行保存试验100小时，在记录标记抖动(cj/Tw)的增加为1%或更少并且未记录部分反射率的降低为4%或更少的情况下，结果是有利的。(实施例B-15到B-18)制备了具有依照如图17中所示示意横截面图的本发明相变光记录介质的层组成的光记录介质。也就是说，在具有直径12cm、厚l.lmm和道间距为0.032pm的槽的聚碳酸酯树脂盘基底1上，通过溅射法形成反射层5、第二保护层4、相变记录层3和第一保护层2，并且形成厚度0.1mm的覆盖层7。更具体来说，在该聚碳酸酯盘基底l上，形成下面的层厚度140um、Ag和5质量%Bi的反射层；厚度8nm、ZnO和2质量％八1203的第二保护层4;厚度llnm、具有以下表5中所示组成的相变记录层3;和厚度33nm、ZnS和Si02的摩尔比为8:2的混合物的第一保护层2。然后，用旋涂法涂布紫外线固化树脂的粘合剂以使粘合剂层的厚度为25pm。在其上，层压厚度75)im的聚碳酸酯膜以形成覆盖层7。为了初始化，对获得的光记录介质通过大直径的LD进行结晶，并用于以下评估。<评估>对于如上制备的每个记录介质，使用具有波长为405nrn的光学拾取头和数值孔径NA为0.85的物4竟的蓝光光盘评估系统(ODU-IOOO，PulstecIndustrialCo.,Ltd.制造)对过渡线速度和抖动(σ/Tw)进行评估。测量过渡线速度的功率设定在15mW。此处，抖动(σ/Tw)是在lx速度(4.92米/秒)再现后并使用边界均值器(limit叫ualizer)的数值，该值是用17PP调制方法在蓝光光盘的2x速度和4x速度下进行随机模式的重写后的数值。记录仅在一个道内进行。对每个样品用2T写入策略进行记录，其中形成非晶标记的脉冲周期为2T,同时分別优化写入功率和脉沖。结果示于表8中。此外，在实施例B-15到B-18中，在温度80℃、相对湿度85%下进行保存试验100小时，在记录标记抖动(σ/Tw)的增加为0.5%或更少并且未记录部分反射率的降低为5%或更少的情形下，所有情况下的结果都是有利的。表8<table>complextableseeoriginaldocumentpageon52</column></row><table>表8中的结果表明，在抖动(cj/Tw)在2x速度为6%或更少以及在4x速度下为7%或更小的实施例B-15到B-18中，除了实施例B-15外，进行了有利的记录。(比较例B-8)以与实施例B-17中的相同方法制备比较例B-8的光记录介质，除了将相改变记录层的厚度变成5nm同时保持与实施例B-17相同的组成(In17Sb66Sn10Zn7)。然后，以与实施例B-15到B-18中相同的方法对获得的光记录介质进行评估。过渡线速度为4米/秒，且在2x速度和4x速度下的抖动(σ/Tw)都为15%或更大。而且，即使当记录在lx速度下进行时，抖动(σ/Tw)也为10%或更大。(比较例B-9)以与实施例B-15到B-18中的相同方法制备比较例B-9的光记录介质，除了将记录层的组成变成InI4Sb83Zn3。然后，以与实施例B-15到B-18中相同的方法对获得的光记录介质进行评估。过渡线速度为37米/秒。调制较小，且在2x速度和4x速度下的抖动(σ/Tw)都为15%或更大。而且，即使当记录在6x速度下进行时，调制也较小，并且抖动(σ/Tw)为15%或更大。工业实用性本发明的光记录介质可有利地应用于可进行高密度记录的具有相变记录层的光记录介质，例如DVD+RW、DVD-RW、BD-RE和HDDVDRW。权利要求1.一种光记录方法，包括以下步骤照射光到包括具有导向槽的基底和在该基底上的相变记录层的光记录介质上，和从光的入射方向观测，对应于该槽的凸起部分或凹入部分的任一种，在该相变记录层上记录非晶相的标记和晶相的间隙，其中，通过标记长度记录法记录信息，将标记和间隙的临时长度表示为nT，其中T表示基准时钟周期，且n表示自然数；所述间隙至少由照射功率Pe的擦除脉冲形成；所有长度为4T或更大的标记由交替照射功率Pw的加热脉冲和功率Pb的冷却脉冲且Pw＞Pb的多脉冲形成；并且Pe和Pw满足下式0.15≤Pe/Pw≤0.4，且0.4≤τw/(τw+τb)≤0.8，其中，τw表示加热脉冲的长度之和，且τb表示冷却脉冲的长度之和。2.—种光记录方法，包括以下步骤照射光到包括具有导向槽的基底和该基底上的相变记录层的光记录介质上，和从光入射方向观测，对应于该槽的凸起部分或凹入部分的任一种，在该相变记录层上记录非晶相的标记和晶相的间隙，其中，通过标记长度记录法记录信息，将标记和间隙的临时长度表示为nT,其中T表示基准时钟周期，且n表示自然数；所述间隙至少由照射功率Pe的擦除脉沖形成，且所述标记由照射功率Pw的加热脉沖形成，并且Pw>Pb;并且Pe和P"满足下式0.15《Pe/Pw《0.5。3.根据权利要求l-2任一项所述的光记录方法，其中，当用波长640nrn至660nm的激光束进行记录和再现时，在相对基准速度的10x速度或更快下进行记录，以及当用波长400nm至410nm的激光束进行记录和再现时，在相对基准速度的4x速度或更快下进行记录。4.根据权利要求l-3任一项所述的光记录方法，其中，进行记录，使得径向上两相邻道上标记间的平均最小距离大于道间距的一半。5.根据权利要求l-4任一项所述的光记录方法，其中，最长标记的调制M满足下式0.35<M<0.60。6.—种用于根据权利要求1-5任一项所述的光记录方法中的光记录介质，其中将与所述光记录方法相关的信息预先记录在所述光记录介质的基底上。7.—种光记录介质，包括具有导向槽的基底，和在该基底上的相变记录层，其中所述光记录介质的旋转线速度是变量，对应于用拾取头通过在光记录介质上照射连续光所测得的反射率开始降低的位置的过渡线速度为5米/秒至35米/秒；且所述相变记录层包括由下列组成式(1)所表示的相变材料(Sb100-xInx)ioo-y三ny."《且成式(1)其中，在组成式(l)中，x和y表示各个元素的原子百分比；IO原子y。《x《27原子。/。，且1原子。/。《y《10原子％。8.—种光记录介质，包括具有导向槽的基底，和在该基底上的相变记录层，其中所述光记录介质的旋转线速度是变量，对应于用拾取头通过在光记录介质上照射连续光所测得的反射率开始降低的位置的过渡线速度为5米/秒至35米/秒；且所述相变记录层包括由下列组成式(2)所表示的相变材料[(Sb100-zSnz)100-xInx]100-yZny...组成式(2)其中，在组成式(2)中，x、y和z表示各个元素的原子百分比；0原子。/。《z《25原子。/。，10原子％<乂<27原子％,且l原子。/。《y《10原子％。9.根据权利要求7-8任一项所述的光记录介质，其中所述光记录介质从入射光的方向的顺序依次包括具有导向槽的基底、第一保护层、相变记录层、第二保护层和反射层。10.根据权利要求7-9任一项所述的光记录介质，其中所述相变记录层具有6nm-22nm的厚度。11.根据权利要求9-10任一项所述的光记录介质，其中所述光记录介质包括在相变记录层和第一保护层之间以及相变记录层和第二保护层之间的任何一个的中间层，和第二保护层，所述中间层包括Ge和Si的任何一种的氧化物。全文摘要用标记长度记录方法记录信息的光记录方法，其中非晶标记和晶体间隙仅记录在具有导向槽的基底的槽中，标记和间隙的临时长度为nT(T表示基准时钟周期；n表示自然数)。间隙至少通过擦除功P_e率的脉冲形成；所有的4T或更长的标记通过交替照射功率P_w的加热脉冲和功率P_b的冷却脉冲且P_w＞P_b的多脉冲形成；并且P_e和P_w满足以下的关系0.15≤P_e/P_w≤0.4，且0.4≤τ_w/(τ_w+τ_b)≤0.8，其中τ_w表示加热脉冲的长度之和，τ_b表示冷却脉冲的长度之和。文档编号G11B7/006GK101208744SQ200680019730公开日2008年6月25日申请日期2006年3月31日优先权日2005年4月1日发明者三浦裕司,伊藤和典,出口浩司,大仓浩子,安部美树子,日比野荣子申请人:株式会社理光