专利名称：磁记录方法及其装置、及确定磁记录介质的抗磁力的设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及磁记录方法及其装置、以及用来确定磁记录介质的抗磁力的设备，其中在磁记录方法中，磁信息以适当的电流值记录在诸如磁卡、具有磁条的表格或磁票等磁记录介质上。
背景技术：
通常，磁卡包括具有不同类型磁条的两种磁卡。一种是低抗磁力磁卡，通过具有小的写电流的磁头将磁信息记录在所述低抗磁力磁卡上。另一种是高抗磁力磁卡，通过具有大的写电流的磁头将磁信息记录在所述高抗磁力磁卡上。
有时，当磁头以大的写电流将磁信息向低抗磁力磁卡上写时，磁信息不能被写入。因此，在磁头读磁信息时，就不可能检测到正确的读电压，从而不能获得写入的信息。
当磁头以小的写电流将磁信息向高抗磁力磁卡上写时会产生同样的问题。
因此，提出了确定高抗磁力磁卡或低抗磁力磁卡的技术，如下。
(1)在磁头相对移动的同时，当写电流在预设范围内增加时，以预定磁通变化每预定磁条长度(预定磁通变化/预定磁条长度)实施写入。被写磁条由读出磁头读取。将来自读出磁头的电压值与电流值进行比较，以便在电压值在允许范围内时选择电流值。在电压值超出允许范围的情况下，改变写入时预先选定的范围，并且重复这样的过程再次在磁条上实施写，读取被写的磁条，并且确定写电流值。从而，可以确定磁条的抗磁力，以便以适当的电流值将磁信息写在磁条上(见专利文件1)。
(2)提出一种磁信息记录装置，所述磁信息记录装置用来确定磁记录介质的抗磁力，并在根据所确定的结果改变施加在磁记录介质上的磁强度以对应磁记录介质的抗磁力的同时，实施记录。用于记录信息的磁记录介质包括普通票(ordinary tickets)和季票(season tickets)两种。表明这些票是高抗磁力磁卡还是低抗磁力磁卡的信息被写入在这些票上。读出磁头读取信息，以辨别铸成(cast-in)的票是高抗磁力磁卡还是低抗磁力磁卡。基于这样辨别的结果，使励磁电流值适于票的抗磁力，以实施磁记录(见专利文件2)。
以下描述为另一种测量方法。小的普通票是高抗磁力的记录介质。大的季票是低抗磁力的记录介质。基于票的尺寸确定传送的票是普通票还是季票。在确定出有关票是小尺寸票的情况下，信息以高抗磁力写在票上。同样地，在确定出有关票是大尺寸票的情况下，信息以低抗磁力写在票上。因此，以对应票的大抗磁力或小抗磁力的磁强度实施磁记录。
(3)磁卡读取器读取和确定所用磁卡的抗磁力。在这种情况下，用来确定数据磁道的抗磁力的确定装置设在磁卡读取器中，其中所述数据磁道用来记录磁信息，而在所述磁卡读取器中，插入在卡片插入口中的磁卡的磁信息由磁头复制或记录。以对应低抗磁力磁卡的电流将测试数据记录在取进的磁卡的数据磁道上之后，在复制的数据对应测试数据的情况下，复制测试数据，并且确定卡片为低抗磁力卡片(见专利文件3)。
(4)磁卡读取器读取和确定所用磁卡的抗磁力。在这种情况下，磁卡读取器包括对应多个磁道而设的多个磁头，以复制或记录多个磁道上的磁信息，其中所述多个磁道形成在插入卡片插入口中的磁卡上，而所述多个磁头分别用来以不同的预定电流记录或擦除数据；及抗磁力确定单元，所述抗磁力确定单元通过复制记录或擦除结果来确定数据磁道的三种或更多种抗磁力。例如，以第一值电流在第一磁道上实施擦除之后实施复制，以第二值电流在第二磁道上实施擦除之后实施复制，然后基于所述复制结果的输出电平与所述第一和第二值之间的关系确定磁卡的抗磁力(见专利文件4)。
(5)提出一种确定所用磁卡的抗磁力的方法。在这种情况下，所述方法包括以仅能够擦除低抗磁力磁卡的数据的电流擦除所插入卡片的数据，此后复制卡片数据；以及在数据以毁坏状态输入的情况下，确定所插入的卡片是低抗磁力磁卡。通过复制的数据的反向磁化次数或通过记录在预定卡片上的特定数据(STX线)的不能识别来确定数据的毁坏状态，在所述方法中，磁头复制或记录形成在从卡片插入口插入的低抗磁力磁卡或高抗磁力磁卡上的磁信息。(见专利文件5)。
(6)可以省略确定磁性抗磁力的操作，使装置的使用寿命延长，并且避免了由于错误判定而引起数据毁坏的危险。即使在实际所插入的磁卡为高抗磁力磁卡和低抗磁力磁卡中任一类型时，也可以在使用大的写电流进行记录的操作之后通过利用小的写电流再次实施记录操作来实施记录磁卡的操作，这样所确定的磁信息可以被顺利地写入，而无需确定有关的磁卡是否是任一类型的卡片(见专利文件5)。[专利文件1]JP-A-2001-148101[专利文件2]JP-B-4-38045[专利文件3]JP-A-11-96506[专利文件4]JP-A-11-328604[专利文件5]JP-A-2000-155816[专利文件6]JP-A-2001-118206然而，专利文件1存在这样的问题由于为了确定适当的写电流，磁卡必须被传送数次，因此确定的过程会花费很多时间。
而对于其余的专利文件2至6，可以确定一种磁卡是对应高抗磁力还是对应低抗磁力。低抗磁力磁卡的抗磁力分布在具体的、允许的区域中。然而，高抗磁力磁卡的抗磁力在很多情况下分布在不允许的区域中。因此，在很多情况下，每个高抗磁力磁卡的适当写电流是不同的。
对于专利文件2至6，即使在确定出磁卡抗磁力是高还是低时，也不能测量出适当的写电流，其中以所述适当写电流对抗磁力变化的各个磁卡实施写入。
因此，希望找出适于各个磁卡的适当写电流。例如，可以想到通过将确定抗磁力的磁信息写入磁卡并读取这样写入的磁信息来找到适于磁卡抗磁力的适当写电流。
然而，在这种情况下，即使在异常发生在用来确定抗磁力且被写在磁卡上的磁信息中时，磁力的确定也会照原样进行，这样就不能获得正常的抗磁力。
发明内容
根据优选实施例，本发明提供一种磁记录方法，其中在磁记录介质相对写磁头和读出磁头沿一个方向移动期间，写磁头以多个不同的电流值对磁记录介质实施预先写入，读出磁头读取预先写入的信息，基于读取的结果找出适于磁记录介质的适当写电流值，然后写磁头以这样找出的写电流的适当值对磁记录介质实施正常写入。
这里，磁记录介质是一种包括诸如磁条等磁记录表面的介质，以允许记录或复制磁信息。
当电流施加在磁头上时，写磁头产生磁场，并且将磁信息写在与磁头接触的磁记录介质的磁记录表面上。当写磁头相对磁记录介质沿一个方向移动时，所述写磁头顺序地将磁信息写在磁记录介质的磁记录表面上。例如，在写磁头移动的同时实施写入。可选地，在磁记录介质移动的同时实施写，这样在写磁头和磁记录介质相对地沿一个方向移动的同时实施写入。
当读出磁头移至磁记录介质的磁记录表面上时，产生磁场以在读出磁头上产生电压，读出磁头依据电压的变化从磁记录介质的磁记录表面上读取磁信息。当读出磁头相对磁记录介质沿一个方向移动时，磁信息被顺序地从磁记录介质的磁记录表面读取。例如，在读出头移动的同时实施读取。可选地，在磁记录介质移动的同时实施读取，这样在读出磁头和磁记录介质相对地沿一个方向移动的同时实施读取。
这些写磁头和读出磁头可以沿传送方向并排地设置在磁记录介质的同一传送路径上，或者具有读取和写入两种功能的单个磁头也可以用作两个磁头。
预先写入是指在写磁头的写电流值变化的同时，将磁信息写入磁记录介质的磁记录表面上。
正常写入是指以适于磁记录介质的适当写电流值写入磁信息，其中所述适当写电流值是基于预先写入结果而被找出的。
适当值是用来确定写电流的，写电流的所述适当值适于每个的不同的抗磁力且将被施加在写磁头上。
每个磁记录介质具有不同的抗磁力。因此，确定适当写电流值以适于磁记录介质的每个抗磁力。
根据磁记录方法，正常写入所需的适当值从对磁记录介质的预先写入结果中找出，并实施正常写入。根据优选实施例，这时，在磁记录介质相对写磁头沿一个方向移动的同时，可以实施预先写入和正常写入的各个操作。
根据另一个优选实施例，本发明进一步提供一种磁记录装置，其包括用来将磁信息写入磁记录介质的写磁头、用来从磁记录介质上读取磁信息的读出磁头及控制磁头的控制装置，所述控制装置包括预先写入处理(processing)，在所述预先写入处理中，磁记录介质相对写磁头和读出磁头沿一个方向移动期间，写磁头以多个不同的电流值对磁记录介质实施预先写入；预先写入读取处理，在所述预先写入读取处理中，读出磁头读取预先写入的结果；适当值获取处理，在所述适当值获取处理中，基于预先写入的结果获得磁记录介质的写电流的适当值；及正常写入处理，在所述正常写入处理中，写磁头基于适当值对磁记录介质实施正常写入。
这里，磁记录装置可以由诸如卡片读取器等构成，其中所述卡片读取器实施从磁记录介质读取磁信息和向磁记录介质写入磁信息的磁处理。
在适当值获取处理中，根据读出磁头读取的输出值/电压计算出写电流的适当值。例如，检测读出磁头读取的波形数据的振幅峰值或靠近峰值的值，并从检测的值中获得写电流的适当值。
根据另一个优选实施例，预先写入处理在磁记录介质沿一个方向经过写磁头一次的动作中完成。预先读取处理在磁记录介质经过读出磁头一次的动作中完成。
通过将读出磁头和写磁头并排设置在磁记录介质的同一传送路径上，可以仅在磁记录介质沿一个方向移动时实施写入处理和读取处理。因此，在优选实施例中，可以通过较少次的传送找出传送的磁记录介质的抗磁力。
根据另一个优选实施例，本发明进一步提供一种用来确定磁记录介质的抗磁力的设备，所述设备包括用来传送磁记录介质的传送装置；用来检测磁记录介质的移动量的移动量检测装置；写磁头，在传送装置沿一个方向传送磁记录介质时，所述写磁头以多个不同的电流值将磁信息写入磁记录介质上；读出磁头，在写磁头将磁信息写入磁记录介质之后，所述读出磁头读取传送装置传送的磁记录介质上的磁信息；及确定装置，所述确定装置基于读出磁头读取的电压和读取时磁记录介质的移动量确定磁记录介质的抗磁力。
传送装置包括通过沿传送方向排布诸如传送辊子、传送带等传送件而构成的磁记录介质的传送路径，其中所述传送辊子接收来自诸如电机等的扭矩而旋转。传送装置具有沿取进方向或返回方向移动的磁记录介质。
此外，写磁头和读出磁头排布在传送路径周围。磁信息写在经过磁头的磁记录介质上。并且，读取经过磁头的磁记录介质上的磁信息。
移动量对应电机等驱动传送装置以传送磁记录介质时的传送距离和传送时间。
移动量检测装置检测磁记录介质传送时的移动量。例如，用作传送装置驱动源的电机的转数与磁记录介质的移动量成比例。因此，检测电机的转数或检测磁记录介质的移动距离就可以了。此外，当以恒定速度传送磁记录介质时，磁记录介质的移动距离与移动所花费的时间段成比例。因此，检测磁记录介质的移动距离或移动的时间段就可以了。
当读取以多个不同电流值写入的磁记录介质的磁信息时，确定装置根据磁记录介质的移动量和响应移动量并由读出磁头读出的电压变化确定磁记录介质的抗磁力。
根据另一个优选实施例，可以根据电压和磁记录介质的移动量测量出将磁信息写入到磁记录介质上的写入位置和将磁信息从磁记录介质上读出的读出位置，其中所述电压为读取写入在磁记录介质上的磁信息时的电压。并且可以测量磁记录位置，从而可以找出磁记录介质的抗磁力。具体地，在沿一个方向传送期间，在磁记录介质不是电流每变化一次就分别被传送，而是沿一个方向被传送的情况下，写磁头可以以诸如大电流、小电流等多个不同的电流值将宽的磁信息写在磁记录介质上。因此，写入磁信息时的传送次数足以称为预先写入时的传送次数。
根据另一优选实施例，本发明进一步提供一种确定磁记录介质的抗磁力的设备，所述设备包括用来传送磁记录介质的传送装置；用来检测磁记录介质的移动量的移动量检测装置；写磁头，用来将磁信息写入传送装置传送的磁记录介质中；写电流波形存储装置，用来存储写磁头的相对移动量而变化的写电流值波形；写电流改变装置，用来根据存储在写电流波形存储装置中的写电流值改变写磁头的写电流；读出磁头，在写磁头将磁信息写入磁记录介质之后，所述读出磁头读取传送装置传送的磁记录介质上的磁信息；及确定装置，所述确定装置基于读出磁头读取的电压、读取时磁记录介质的移动量及存储在写电流波形存储装置中的写电流值的时间变化确定磁记录介质的抗磁力，其中写电流改变装置重复改变同样的波形多次。
对应传送距离改变的波形是表示写入时对应传送距离量的电流值的波形。除了该波形以外，可以依据表示写入时对应时间量的电流值的函数形成波形。可以用移动量时间代替传送距离。
根据另一个优选实施例，在用写磁头写入的情况下，通过改变写电流和重复相同波形多次获得多个波形的信息。这样，由于写入相同波形，因此通过比较多个所获得的波形可以确定各个波形的适用性。例如，当三个波形中的两个相同，而另一个波形与其余两个波形不相同时，则认为所述另一个波形不适合，为异常波形。结果，可以从除异常波形之外的多个波形中确定抗磁力。
根据另一个优选实施例，本发明进一步具有这样的特征在传送磁记录介质期间重复相同波形时，写磁头在分隔多个相同波形的时间段中不实施写入。
代替距离，可以使用传送时间分隔多个波形。
在这种情况下，由于用于分隔波形的不写入部分在波形之间，因此可以分隔已被重复写入的各个波形。
根据另一个优选实施例，本发明进一步具有这样的特征在传送记磁录介质期间重复相同波形时，写电流改变装置将写磁头的写电流保持在构成参考位置的另一波形大小上一段时间，在所述时间段中形成构成参考位置的波形。
在这种情况中，单独的、不同的波形形成在波形与波形之间。这样的波形用作标记，设置这样的标记可以将多个波形分隔开。由于这样的标记可以设置在用来定位波形的参考位置中，因此可以找出磁记录介质的移动量。
根据另一个优选实施例，本发明进一步具有这样的特征在传送磁记录介质期间，写电流改变装置使写磁头的写电流的输出与停止交替并且以预定的间隔重复。
在这种情况下，写入中断部分成为无波形的标记，并用作测量波形位置的参考位置。具体地，由于波形和标记可以在短的时间间隔中交替设置，因此即使某些波形丢失，也可以得出距离。由此，可以对应磁记录介质的写位置确定磁记录介质的传送位置。
根据另一个优选实施例，本发明进一步具有这样的特征在磁记录介质传送期间，写电流改变装置阶梯式增加写电流，这样写电流每增加一次，保持写电流的持续时间段改变。
在这种情况下，保持的持续时间段对于阶梯式增加的每个写电流是不同的。因此，保持的持续时间段之间的时间差成为各个阶梯式写入波形的标记。
根据另一个优选实施例，本发明进一步提供一种确定磁记录介质的抗磁力的设备，所述设备包括用来传送磁记录介质的传送装置；用来检测磁记录介质的移动量的移动量检测装置；写磁头，用来将磁信息写入传送装置传送的磁记录介质中；写电流波形存储装置，用来存储写磁头的相对移动量而变化的写电流值波形；写电流改变装置，用来根据存储在写电流波形存储装置中的写电流值改变写磁头的写电流；读出磁头，在写磁头将磁信息写入磁记录介质之后，所述读出磁头读取传送装置传送的磁记录介质上的磁信息；及确定装置，所述确定装置基于读出磁头读取的电压、读取时磁记录介质的移动量及存储在写电流波形存储装置中的写电流值的时间变化确定磁记录介质的抗磁力，其中确定装置基于这样的位置决定读出磁头读取时磁记录介质的移动量在该位置中，磁记录介质的该区域的两端处的读取电压值较大，其波形由读出磁头读取。
波形读取区域的两端对应读出磁头读取的每个波形的写入开始端和写入终止端。
在这种情况下，读取电压大的位置设为参考位置。因此，波形本身具有参考位置。
根据另一个优选实施例，本发明进一步提供一种确定磁记录介质的抗磁力的设备，所述设备包括写磁头，用来将磁信息写入磁记录介质中；读出磁头，用来读取磁记录介质的磁信息；用来传送写磁头和读出磁头的传送装置；用来检测写磁头和读出磁头的移动量的移动量检测装置；写电流改变装置，在传送装置沿一个方向传送写磁头时，所述写电流改变装置用来改变写磁头的写电流；读取控制装置，在写磁头将所述磁信息写入磁记录介质上之后，所述读取控制装置使传送装置传送写磁头，并且读取磁记录介质上的磁信息；及确定装置，所述确定装置基于读取控制装置使用读出磁头读取的值和读取时读出磁头的移动量确定磁记录介质的抗磁力。
在这种情况下，当磁记录介质固定、传送写磁头和读出磁头时，记录或从磁记录介质上复制磁信息。
根据另一个优选实施例，本发明进一步提供一种确定磁记录介质的抗磁力的设备，所述设备包括用来相对写磁头和读出磁头传送磁记录介质的传送装置；用来检测传送装置产生的移动量的移动量检测装置；写电流改变装置，在传送装置相对写磁头沿一个方向移动磁记录介质时，所述写电流改变装置用来改变磁头的写电流；及确定装置，在写磁头将磁信息写入磁记录介质上之后，所述确定装置使读出磁头读取磁记录介质的磁信息，其中所述磁记录介质相对写磁头移动，所述确定装置还基于读出磁头读取的电压和读取时的移动量确定磁记录介质的抗磁力。
在这种情况下，当磁信息记录在磁记录介质或从磁记录介质上复制时，在磁记录介质移至固定磁头的位置处时实施记录或复制。可以在磁头移至固定磁记录介质的位置处实施记录或复制。此外，不仅可以在磁记录介质和磁头中任一移动时实施磁处理，还可以在两者均移动时实施磁处理。
根据另一个实施例，本发明进一步附加一种用来确定磁记录介质的抗磁力的设备，其特征在于读出磁头预先读取磁记录介质的磁信息，所述设备包括磁信息存储装置，用来存储预先读取的磁记录介质的磁信息，确定装置确定之后，写磁头以对应确定装置确定的抗磁力的电流将存储在磁信息存储装置中的磁信息写入磁记录介质。
在这种情况下，当沿一个方向传送磁记录介质时，通过读取存储在介质中的磁信息找出抗磁力。并且可以以对应抗磁力的电流实施写入。
根据另一个优选实施例，本发明进一步提供一种确定磁记录介质的抗磁力的设备，所述设备包括用来相对写磁头和读出磁头传送磁记录介质的传送装置；用来检测传送装置产生的移动量的移动量检测装置；写电流改变装置，在传送装置相对写磁头沿一个方向移动磁记录介质时，所述写电流改变装置用来改变磁头的写电流；写位置检测装置，用来检测写磁头对磁记录介质实施写入的位置；及确定装置，在写磁头将磁信息写入磁记录介质上之后，所述确定装置使读出磁头读取磁记录介质的磁信息，其中所述磁记录介质相对读出磁头移动，所述确定装置还基于读出磁头读取的电压、读取时的移动量和实施写入的位置确定磁记录介质的抗磁力。
通过计算写入信息的位数可以实现写位置检测装置。
在这种情况下，当磁信息记录在磁记录介质或从磁记录介质上复制磁信息时，可以在磁记录介质和磁头(写磁头、读出磁头)中任一个或两者都移动时实施磁处理。此外，为了检测在磁记录介质上实施写入的位置，可以从写入位置中找出磁记录介质的抗磁力。结果，通过找出适于磁记录介质的抗磁力的适当写电流值可以将磁信息写入。
附图简述
图1是根据第一实施例的卡片读取器的控制电路方框图；图2是根据第一实施例的卡片读取器的处理操作流程图；图3A至3C示出了根据第一实施例的卡片读取器的磁处理操作；图4是曲线图，示出根据第一实施例的不同磁卡的波形数据实例；图5是根据第二实施例的卡片读取器的略图的截面视图；图6是根据第二实施例的卡片读取器的控制方框图；图7是根据第二实施例的卡片处理操作的流程图；图8示出了在根据第二实施例的预先写入时的三个波形；图9是根据第二实施例的波形写入操作的流程图；图10是根据第二实施例的寻找适当写电流值的流程图；图11是根据第二实施例的波形视图，示出了具有标记波形的波形；图12是根据第二实施例的流程图，示出了具有标记波形的波形的写入操作；图13是根据第二实施例的流程图，示出了根据标记波形寻找适当写电流的流程；图14是根据第二实施例的波形视图，其中找出了高抗磁力磁卡的适当写电流值；图15是根据第二实施例的波形视图，其中找出了低抗磁力磁卡的适当写电流值；图16是根据第二实施例的波形视图，示出了高抗磁力磁卡的波形的参考位置；图17是根据第二实施例的波形视图，示出了低抗磁力磁卡的波形的参考位置；图18是根据第二实施例的间歇波形和间歇写入中断部分的波形视图；图19是根据第二实施例的不规则、阶梯式波形的波形视图。
具体实施例方式
下面将参考附图描述本发明实施例。第一实施例附图示出向磁卡写信息和从磁卡读磁信息的卡片读取器。
图1示出卡片读取器30的控制电路方框图。卡片读取器30具有包括电机编码器31、CPU32、D/A转换器33、电流控制电路34、写磁头35、读出磁头36、放大器37、A/D转换器38、随机存储器(RAM)39和只读存储器(ROM)40的电路结构。
电机编码器31是设在传送系统的电机上的编码器。当电机旋转并输出时，电机编码器31使光电传感器通过设在电机轴上的碟形件上的狭缝检测脉冲数量。这样，CPU32计算那时的电机驱动和转数。
CPU32根据储存在ROM40中的程序实施连接至CPU32的装置的控制处理。在磁信息根据程序写在磁卡上的情况中，从对磁卡的预先写入结果中找到正常写入所需的适当写电流值，并实施正常写入。
首先，在实施预先写入的情况下，写电流阶梯式地增加，那时以包括大电流值和小电流值的多个不同电流值实施预先写入。多个不同电流值作为预备数据存储在ROM40中。当读取进行上述预先写入的预备数据时，CPU32从预先写入的结果中找出适于每个磁卡的各个抗磁力的适当写电流值。这样找出的适当值被设置为正常写入中的电流值，并且电流值作为正常数据存储在ROM40中。以正常数据的电流值实施正常写入。
D/A转换器33将数字数据转换为模拟信号。这时，D/A转换器33为写在磁卡C上的磁信息(预备数据和正常数据)设置写电流。具体地，基于数字数据实施阶梯式增加供至电流控制电路34上的电流的处理，其中所述数字数据以阶梯式增加电流值的方式设置。
电流控制电路34将写数据输出至写磁头35，其中所述写数据是CPU32命令作为从D/A转换器33提供的电流值。
写磁头35改变磁通量，从而将作为电流值的写数据写在磁卡C的磁条St上(见3A至3C)。
当读取写在磁卡C的磁条St上的数据时，读出磁头36读取获得的电压值(输出值)。
放大器37将读出磁头36读出的电压值输出至A/D转换器38。
A/D转换器38将模拟信号转换成数字数据。并且，A/D转换器38依照波形读取电压值，以便输出与波形数据一致。RAM39临时存储CPU32中控制处理所述的数据等。
ROM40存储诸如适当电流值索引程序等必要的程序。适当电流值索引程序保存初始电流值(最小电流值)数据、预定最大电流值(最大电流值)数据以及预备数据。并且，为了计算适当写电流值，预备数据被送至电流控制电路34。此外，实施预先写入处理，以将电流值从最小电流值数据阶梯式增加至最大电流值数据，从而将同样的数据从D/A转换器33送至电流控制电路34。这时，设有电机编码器31的电机移动磁卡C，以便为连续的写控制具有不同电流值的预备数据。
当预先写入处理终止时，通过放大器37从读出磁头36获得的电压值被转换成A/D转换器38中的波形数据。被转换波形数据的振幅峰值被索引，峰值以前一点儿处的波形数据作为适当值被设置为正常数据的写电流值。
在这种情况下，适当写电流值设置在振幅峰值以前一点儿处的原因是当越过振幅峰值时，输出电压处于饱和状态(见图4)。因此，将输出电压饱和之前的位置设为适当写电流值。
通过以上结构，CPU32将预备数据和正常数据写在磁卡的磁条上，以能够读取预备数据和正常数据及读取它们的输出值。
接着，将参考图2的流程图和图3A至3C的磁处理操作描述卡片读取器30的处理操作。
CPU32启动适当电流值索引程序。设置最小电流值，并开始磁卡C的传送(步骤n1)。
CPU32使写磁头35将当前电流值(数字数据)作为预备数据写在磁卡C的磁条St上，如图3A所示(步骤n2)。
电流值增加一定的量(步骤n3)。
在增加的电流值小于最大电流值时，处理返回至步骤n2，并重复写预备数据，直至增加的电流值达到最大电流值(步骤n4)。
利用这样的重复，写入预备数据的电流值呈阶梯式增加，如图3B所示。在该图中，虚线示出的曲线图代表一种方式，在这种方式中电流增加并且重复被写，其中横坐标表示时间t，纵坐标表示电流强度mA。
在达到最大电流值的情况下，读出磁头36读取写入的预备数据(步骤n5)。
这时，读出磁头36从磁条St中读取预备数据的电压值，以便能获得如图3C中虚线所示的电压波形数据。表示波形数据的曲线图代表从磁条St中输出的电压值的改变，其中横坐标表示电流强度mA，而纵坐标表示电压强度mV。
通过读取预备数据获得的波形数据由A/D转换器38转换成数字数据，以便检测振幅峰值(步骤n6)。
将对应峰值以前一点儿处的电流值设置为写电流值(步骤n7)。
CPU32终止适当电流值索引程序，实施将计算(所得)的适当电流值作为正常数据写在磁卡C的磁条St上的正常写入(步骤n8)。
上述操作可以设置适于具有第一至第五波形数据A1至A5所示的不同抗磁力的磁卡C的第一至第五电流值P1至P5，其中第一至第五波形数据A1至A5对应各种磁卡C，如图4中曲线所示。即，第一电流值P1(大约215mA)为具有第一波形数据A1的磁卡而设，第二电流值P2(大约89mA)为具有第二波形数据A2的磁卡而设，第三电流值P3(大约72mA)为具有第三波形数据A3的磁卡而设，第四电流值P4(大约18mA)为具有第四波形数据A4的磁卡而设，第五电流值P5(大约17mA)为具有第五波形数据A5的磁卡而设，以便可以以适当值实施正常写入。
在这种情况下，第一至第三波形数据A1至A3对应当输出电压高时写电流值也高的高抗磁力磁卡C。与其相反，第四和第五波形数据A4、A5对应当输出电压高时写电流值小的低抗磁力磁卡C。
然而，当超过各个电流值P1至P5时，产生饱和状态。由此，为了获得写入的安全性(稳定性)，当出现饱和时，适于写入的电流值可以设置在各个电流值上。
对于第一至第三波形数据A1至A3示出的高抗磁力磁卡C，为了获得写入的安全性(稳定性)，可以设置为比饱和时的电流值更大的电流值(例如，为饱和时电流值的两倍的电流值)。
在这种方式中，卡片读取器30可以为高抗磁力磁卡和低抗磁力磁卡中的任何磁卡C搜寻适当电流值，以实施正常写入。
具体地，在磁卡C沿一个方向通过写磁头35一次的动作中完成预备数据的写入。并且，在磁卡C通过读出磁头36一次的动作中完成预备数据的读取。
尽管上述实施例在磁卡C的单次通过动作中实施预备数据的写入和读取，但它并不局限于此。例如，在往复传送磁卡C的卡片读取器中，可以这样设置在单次通过的动作中实施预备数据的写入，在沿返回方向磁卡C通过的后续动作中实施预备数据的读取。在这种情况下，无需依赖写磁头35和读出磁头36之间的间隔，就可以将预备数据写在整个磁条St上。第二实施例图5示出设有确定磁卡抗磁力的装置的卡片读取器51的横截面略图。
卡片读取器51包括设在主体52前表面上的卡片插入口53，磁卡C通过所述卡片插入口53插入或返回。卡片读取器51内部包括卡片传送路径54，所述卡片传送路径54允许插入的磁卡C向前和向后传送。卡片传送路径54连接至卡片插入口。
围绕卡片传送路径54排布且从卡片插入口53延伸深入内部的是一对上和下向前传送辊子R1和R2、磁头55、一对上和下向后传送辊子R3和R4。此外，第一至第三方向传感器S1至S3排布在三个位置中。
在传送辊子R1至R4中垂直相对的传送辊子的转轴以这样的方式被连接它们由来自电机的扭矩驱动。电机未示出在图5中。在电机旋转时，传送辊子旋转。
因此，在上与下向前传送辊子R1、R2之间以及在上与下向后传送辊子R3、R4之间插入所插入的磁卡C。所插入的磁卡C沿取进方向或返回方向传送。电机以恒定的速度旋转，传送辊子随之旋转，从而以恒定的速度传送磁卡C。
当磁卡C传送得与磁头55接触时，磁卡C被磁写入或磁读取。一个磁头55排布在卡片传送路径54周围，以对磁卡C实施磁写入和磁读取。此外，第一至第三检测传感器S1至S3检测磁卡C经过卡片传送路径54的位置。
图6是卡片读取器51的控制方框图。
卡片读取器51包括CPU61、存储器62、磁写入控制单元63、磁读取控制单元64、磁头55、电机控制单元65、电机M、旋转编码器66、卡片位置检测单元67、第一至第三检测传感器S1至S3。
CPU61根据储存在存储器62中的程序控制连接至CPU61的装置。
存储器62储存用来索引诸如适于各个磁卡的不同抗磁力的写电流值等适当电流值所用的程序、数据等。
磁写入控制单元63包括D/A转换器。D/A转换器将从CPU61接收的数字数据转换成模拟信号。磁写入控制单元63控制输出在确定时期对应模拟信号的电流值。
磁读取控制单元64通过读取磁条的磁道来实施读取控制。磁读取控制单元64放大从磁头55接收的信号。A/D转换器将模拟信号转换成数字数据。转换的数字数据被送至CPU61。
磁头55在施加电流时产生磁场。所施加的电流呈增加变化，以将磁信息记录在与磁头55接触的磁卡C上。磁卡C传送至磁头55，从而顺序写入大量信息。
在使磁卡与磁头接触的同时，通过传送已写入磁信息的磁卡C产生磁场。电压产生在对应磁场变化的磁头55上。磁头55检测磁场的变化，以读取记录在磁卡上的信息。
因此，在上述写入时，通过从磁卡C上的预先写入结果中找出正常写入所需的适当写电流值来完成正常写入。首先，在将要实施预先写入时，写电流呈阶梯式增加，这时以包括大电流值和低电流值的多个不同电流值实施预先写入。多个不同电流值作为预备数据储存在存储器62中。当从磁卡C中读取已经历预先写入的预备数据时，CPU从预先写入结果中找出适于各个磁卡的各个抗磁力的写电流的适当值。将这样找出的适当值设置为正常写入的电流值，电流值作为正常数据存储在存储器62中。以正常数据的电流值实施正常写入。
电机控制单元65从CPU61接收驱动信号或中断信号，以控制电机M，使得电机M以恒定旋转速度旋转。通过电机M沿向前方向或向后方向的旋转，使磁卡C沿取进方向或返回方向在卡片传送路径54上传送。
旋转编码器66使光电传感器通过设在电机M的电机轴上的碟形件中的狭缝检测脉冲数量，并计算转数。
卡片位置检测单元67获得来自排布在卡片传送路径54周围的第一至第三检测传感器S1至S3的各个检测信号。磁卡C出现的位置被输出至CPU61。
根据存储在存储器62中的程序，CPU61以从最小电流值至最大电流值阶梯式增长的电流值实施预备数据的写入处理。这时，电机M沿取进方向移动磁卡C，以顺序写入预备数据。
当预先写入结束时，磁头55从磁卡C中读取预先写入的磁信息。通过磁读取控制单元64从磁头55接收的电压值作为波形数据被接收。波形数据的波形峰值被索引，波形峰值向前一点儿处的波形数据作为适当值将被设置为适于正常数据写入的写电流值。
在这种情况下，将振幅峰值之前一点儿处设为适当写电流值的原因是当越过振幅峰值时，输出电压处于饱和状态(见图4)。为了防止输出电压饱和，将输出电压饱和之前的位置设置为适当写电流值。
接着，将解释从磁卡抗磁力的确定结果中找出适当写电流值的情况。
在沿一个方向传送在卡片传送路径54上的磁卡C沿一个方向传送期间，CPU61通过磁头55以多个不同的电流值将磁信息写入磁卡C上。磁信息写入之后，磁头55读取传送在卡片传送路径54上的磁卡C的磁信息。基于读取电压和读取时磁卡C的移动量确定磁卡C的抗磁力。对应抗磁力的电流值设置为适于写入的电流值。
具体地，在磁卡C沿一个方向传送的期间，磁头55以呈阶梯式增加的多个不同电流值将磁信息写入磁卡C上。然后，仅沿一个方向的单次通过就可以写入预备数据。因此，在写电流值从一个值变化到另一确定值时，传送次数为一次就足够了。此外，当磁卡C沿返回方向传送时，由磁头55读取信息是否被正常写入，其中根据写入时的电流值能确定信息是否被正常写入。
在检测磁卡C的写位置中，从CPU61至电机M的脉冲指令周期和从CPU61至磁头55的写指令周期是成比例的。因此，通过从磁卡读取写入的数据以及计算写入的数据的位数可以知道对应写入在磁卡上的磁信息的写位置。因此，通过计算送至电机M的写指令周期可以检测磁信息被写入磁卡C上的位置。
作为检测磁卡C上写位置的其他测量方法，计算写入信息的位数就足够了。也可以测量旋转编码器的转数，其中所述旋转编码器输出电机M的转数。
此外，也可以使连接至旋转编码器的辊子与磁卡C接触以测量其转数。可以使用这两种测量方法的原因是测量值正比于磁卡C的移动量。
同时，当从磁卡C读取磁信息时，通过测量旋转编码器的旋转量可以检测读取位置，其中所述旋转编码器输出电机M的旋转量。也可以使旋转编码器的辊子与磁卡C接触以测量辊子的旋转。
接着，将参考图7描述卡片读取器51的主要处理操作，其中图7中示出了磁卡C传送时的位置和流程图。图7的左面示出各个处理的顺序。右面各个卡片读取器51的横截面视图示出各个处理完成时磁卡C的位置。靠近磁卡C的箭头指示方向，其中磁卡C在随后的处理中移动。
电机控制单元65驱动电机M，以将插入在卡片读取器51的卡片插入口53中的磁卡C取进来。在磁卡C沿卡片取进方向传送期间，磁头55读取记录在磁卡C的磁条上的磁信息。读取的磁信息作为预备数据存储在存储器62中(步骤n11)。
读取之后，磁卡C沿返回方向传送。当磁卡与磁头55接触时，用于数据擦除的电流作用在磁头55上，以擦除磁卡C上的磁信息。因此，磁卡以预先写入的备用状态输入(步骤n12)。
当磁卡C上的磁信息擦除时，磁卡C再次沿取进的方向向前传送。在这样的传送期间，磁头55实施预先写入。在该预先写入中，电流值从低电流值呈阶梯式增加至大电流值(见图8和9)(步骤n13)。
在其中电流值呈阶梯式变化的预先写入之后，磁卡C沿返回方向传送，磁头55读取预先写入在磁卡C上的磁信息。这时，同时计算编码器的脉冲数。由此，获得电机M的转数。由于电机M的转数和磁卡C的移动量成比例关系，因此可以从编码器脉冲数中得出磁卡C的移动量。找出该移动量以使预先写入的位置与写入的数据彼此对应(步骤n14)。
在读取预先写入的信息之后，磁卡向着卡片插入口53返回至原始位置，以为随后的正常写入做准备。CPU61从读取的磁信息中检测适当的写电流值(见图10)(步骤n15)。
CPU61从这样的检测结果中设置适当的写电流值(步骤n16)。
在设置了适当写电流值时，CPU61开始进行正常的写入，并沿取进方向传送磁卡C。在传送磁卡时，磁头55以适于写入的写电流值将磁信息写入磁卡C。写入的磁信息是步骤n11读取的初始数据。存储在存储器62中的预定信息可以被写入磁卡中。从而完成正常写入(步骤n17)。
当结束这样的正常写入时，在其上实施了正常写入的磁卡C接着沿返回方向被传送。在沿返回方向传送期间，磁头55从磁卡C上读取磁信息。这时，确定磁信息是否正常地磁写入磁卡C(步骤n18)。
当确定读取的数据对应写入的数据时，磁卡C返回至卡片插入口53(步骤n19)。使用者可以从卡片读取器51的插入口取出磁卡C。从而，完成单个磁卡C在卡片读取器51中的主要处理操作。
接着，将解释在上述步骤n13中的预先写入实例，其中电流值呈阶梯式变化。
存储器62存储磁头55的写电流值的波形，其中所述波形对应移动量而变化。施加在磁头55上的写电流值根据存储在存储器62中的写电流值变化。在这种情况下，对应移动量变化的波形是阶梯式波形，其代表随着传送距离的变化在写入时电流值的变化状态。
在这种情况下，不是一个波形对应一个磁条，而是同样的波形对应一个磁条重复多次。例如，如图8所示，同样的波形在纵向形成在磁卡C上的磁条上重复了三次。根据该波形，施加在磁头55上的电流值改变，磁信息写入磁条。从而，根据写入的顺序获得第一至第三波形W1至W3。结果，由于写入同样的波形，因此即使在异常发生在任一波形中时，也可以通过对三个波形的比较确定所获得的三个波形W1至W3的适用性。
例如，当三个波形中的两个波形相同，而另一个波形不同于其他两个波形时，认为所述另一个波形为坏的、异常波形。结果，可以依据除去异常波形以外的波形确定抗磁力。产生波形异常的原因在于磁条表面上的划痕或灰尘附着在表面。
也可以由函数形成不同于所述波形的其他波形，函数仍然是随传送距离的变化在写入时表示电流的值。代替传送距离，也可以使用传送时间。
形成写入中断部分81，在所述写入中断部分81中，在重复写入三个波形W1至W3时，在小的持续时间段不实施写入，以将波形与在前的写入分离开。这样，将写入中断部分81插入波形之间。由此，由于写入中断部分81可以设置在各个波形W1至W3的参考位置中，因此重复写入的波形W1至W3可以彼此明确的区分开。
接着，将参考图9解释在电流值呈阶梯式变化时实施预先写入的操作。
为了在磁卡C上实施预先写入，CPU61首先驱动电机M。从而，以一定的速度传送磁卡(步骤n21)。
传送期间在写入波形之前，CPU61通过磁写入控制单元63使磁头55的写电流暂停，以使写入操作准备一段时间，在这期间获得写入中断部分81(步骤n22)。
当准备时间结束时，磁写入控制单元63首先以最小电流值实施写入(步骤n23)。
一位信息以最小电流值写入(步骤n24)。
确定位的预定信息是否已被写入(步骤n25)。当确定一位的预定信息还未写入时，再次写入一位的信息(步骤n24)。当确定一位的预定信息已写入时，使用阶梯式增加的电流值为写入设置后续的电流值(步骤n26)。并且确定第一波形的写入是否完成(步骤n27)。当第一波形的写入未完成时，再次写入一位的信息(步骤n24)。
写入操作重复实施，直到以基于第一波形W1的电流值进行的写入完成(见图8)，其中在重复实施写入操作中，电流值一位一位地增加(步骤n24至步骤n27)。
其后，当确定基于第一波形W1的写入完成时(步骤n27)，处理基于后续波形形式继续进行写入。在这种情况下，在写入中断部分81期间进行写入操作的准备。在经过磁卡C被传送了对应写入中断部分81的一段距离的时间段后，以步骤n23产生的最小电流值实施写入。这样，以基于第二波形W2的电流值一位一位地写入信息(见图8)。基于第二波形W2的写入之后，重复同样的程序，其中在所述程序中以基于第三波形W3的电流值一位一位地写入信息(见图8)(步骤n28)。
当这样的写入结束时，写电流停止，电机M的旋转和输出停止，以停止传送磁卡C，从而结束预先写入(步骤n29)。
这样，以基于所有波形W1至W3的电流值写入信息。在磁卡C沿一个方向从卡片传送路径54的开始端传送至终止端的同时，写入波形W1至W3。
接着，将参考图10的流程图解释检测正常写入所需的适当写入电流值的操作。
预先写入结束后移至卡片传送路径54的终止端的磁卡C沿返回方向传送在卡片传送路径54上。在这样传送的同时，磁卡C与磁头55接触，以便基于写入磁卡C的磁信息，读取产生在磁头55上的电压。最大输出电压从读取的电压值中寻找(步骤n31)。
当获得最大输出电压时，根据电机信号(编码器脉冲)计算和找出磁卡C的卡片位置(步骤n32)。
从这样找出的卡片位置中得出在预先写入时已写入的信息的电流值。该电流值作为在磁卡C上进行正常写入所需的适当电流值(步骤n33)。
接着，将解释以基于小标记波形的电流值写入信息的情况，其中在寻找卡片位置的情况下，所述小标记波形作为参考位置。图11示出存储在存储器62中的第一至第三波形W11至W13，其中所述第一至第三波形W11至W13对应写电流的变化。除了三个波形外，高抗磁力的电流值标记波形111和低抗磁力的电流值标记波形112也储存在存储器62中。
这些标记波形111、112仅在很短的传送时间段内将磁头55的写电流保持在标记波形大小(图中由条形图表示)，在所述时间段中形成小的标记波形。
因此，在写入各个波形W11至W13之前，以基于与波形W11、W112不同的标记波形111、112的电流写入信息。这些标记波形111、112的提供使所有的三个波形W11至W13能够彼此区分开。由于波形设在用于定位波形的参考位置中，因此在将要找出磁卡C的传送位置时，可以找出这些标记波形111、112。
在实施写入这些波形111、112的预先写入的情况下，实施与图7中流程图所述的磁卡C的处理操作相同的处理。在图7所示步骤n14中磁头55读取写入磁卡C上的磁信息的情况下，通过读取各个标记波形111、112可以确定各个波形W11至W13的位置。
接着，将参考图12解释写入处理的操作，在所述写入处理操作中，波形W11至W13和标记波形111、112被写入。
为了在磁卡C上实施预先写入，CPU61首先驱动电机M。从而以恒定的旋转速度传送磁卡(步骤n41)。
这时，当已沿卡片传送路径54传送的磁卡C与磁头55接触时，在基于各个波形W11至W13的写入之前，CPU61通过磁写入控制单元63暂时停止磁头55的写电流(步骤n42)。
其后，当磁卡C到达标记波形的写入位置时，基于标记波形111且以对应高抗磁力的电流值的写入首先开始。当写入实施一段基于标记波形111的移动量时，以对应高抗磁力的电流值写入标记波形111的操作结束(步骤n43)。
接着，在一段移动量期间停止写电流，所述的一段移动量指示出与低抗磁力的电流值下的标记波形112的区别(步骤n44)。
其后，当磁卡C到达以低抗磁力的电流值写入标记波形112的位置时，开始以低抗磁力的电流值写入标记波形112(步骤n45)。
当写入实施一段基于标记波形112的移动量时，终止以低抗磁力的电流值写入标记波形112。这样，以各个标记波形111、112的电流值写入信息(步骤n46)。
在写电流停止时，预定的时间段结束。其后，当设置最小电流值时，程序开始以基于第一波形W11的电流值进行信息写入，其中电流值呈阶梯式增加(步骤n47)。
在设置的最小电流值下，信息以一位写入(步骤n48)。
确定具有预定位的信息是否已写入(步骤n49)。当确定具有预定位的信息还未写入时，再次写入一位的信息(步骤n48)。当确定具有预定位的信息已写入时，利用呈阶梯式增加的电流值为写入设置后续的电流值(步骤n50)。确定第一波形的写入是否已完成(步骤n51)。当第一波形的写入还未完成时，再次写入一位的信息(步骤n48)。
呈阶梯式重复实施预先写入操作，直至获得第一波形W11(见图11)，其中在预先写入操作中，电流值的每一位根据波形而增加(步骤n5 1)。
其后，当确定基于第一波形W11的写入已完成时(步骤n51)，程序开始进行基于后续波形的写入。在这种情况下，在步骤n42至步骤n46中基于标记波形111，112的写入初步实施。其后，程序再次开始进行对第二波形W12(见图11)的处理(步骤n47至步骤n52)，以基于第二波形W12写入信息。在基于第二波形W12写入信息之后，重复同样的处理，以基于第三波形W13(见图11)写入信息(步骤n42至步骤n52)。
当这样的写入结束时，写电流停止，电机M的旋转也停止，以停止磁卡C的传送，这样结束了预先写入(步骤n53)。
这样，基于所有的波形111、112和W11至W13的电流值加至磁头55，以写信息。当磁卡C沿一个方向从插入口附近的卡片传送路径54的起始端传送至终止端时，基于所有三个波形W11至W13写信息。
接着，将参考图13所示的流程图解释在预先写入结果的基础上检测适当写电流值的操作。
为了确定已被预先写入的数据的适用性，沿返回方向传送预先写入已完成的磁卡C。在这样的传送期间，磁卡C与磁头55接触，以便基于写入磁卡C的磁信息读取产生的电压。根据读取时的电压值可以从写在磁卡C上的标记波形111、112中检测磁卡C的参考位置(步骤n61)。
CPU61从读取的电压值中寻找最大输出的电压值(步骤n62)。
计算从检测到的参考位置至获得最大输出电压的位置之间的距离(步骤n63)。
在对应磁信息且已找出的卡片位置中找出在预先写入时已被写入的信息的电流值。找出正常写入磁卡C所需的适当电流值(步骤n64)。
在这种情况下，由于标记波形111、112作为定位各个波形W11至W13的参考，因此可以正确地找到磁卡C中记录磁信息的位置。
图14示出高抗磁力磁卡的写电流值的实例及读取高抗磁力磁卡的结果。在图中，以放大的比例示出三个波形中的一个波形。
示出在图上部的波形数据示出电流值的波形141，其中当CPU61根据储存在存储器62中的程序使磁头55实施写入时，施加所述电流值的波形141，并且所述电流值的波形141相对传送距离变化，写电流(mA)与传送距离(mm)之间的关系表示在波形图中。图下部示出的波形数据示出用磁头55读取时获得的电压值的波形142，电压值相对传送距离变化，输出电压(mV)与传送距离(mm)之间的关系表示在波形图中。
从这些波形141、142中找出高抗磁力磁卡的适当写电流值，其中所述波形141、142对应传送距离变化。首先，使写电流值随时间从最小电流值变化至最大电流值，在预先写入时施加且对应传送距离变化的电流值的波形141储存在存储器62中。
其后，检测由磁头55读取且相对于传送距离变化的电压波形142的最大电压值。接着，找出对应检测到的最大电压值的波形峰值位置143。写电流值144作为高抗磁力磁卡的适当写电流值，其中所述写电流值144在波形峰值位置143与波形141的卡片写位置的相交点上，而储存在存储器62中的所述波形141对应上部传送距离而变化。
图15示出低抗磁力磁卡的写电流值的实例及读取低抗磁力磁卡的结果。在图中，以放大的比例示出三个波形中的一个波形。
在这种情况下，示出在图上部的波形数据示出电流值的波形151，其中当CPU61根据储存在存储器62中的程序使磁头55实施写入时，施加所述电流值的波形151，并且所述电流值的波形151相对传送距离随时间变化，写电流(mA)与传送距离(mm)之间的关系表示在波形图中。图下部示出的波形数据示出用磁头55读取时获得的电压值的波形152，电压值相对传送距离变化，输出电压(mV)与传送距离(mm)之间的关系表示在波形图中。
从这些波形151、152中找出低抗磁力磁卡的适当写电流值，其中所述波形151、152对应传送距离变化。首先，使写电流值随时间从最小电流值变化至最大电流值，在预先写入时施加且对应传送距离变化的电流值的波形151储存在存储器62中。
其后，检测由磁头55读取且相对于传送距离变化的电压波形152的最大电压值。接着，找出对应检测到的最大电压值的波形峰值位置153。写电流值154作为低抗磁力磁卡的适当写电流值，其中所述写电流值154在波形峰值位置153与波形151的卡片写位置的相交处，而存储在存储器62中的波形151对应上部传送距离而变化。
由此，在高抗磁力磁卡的情况中以及在低抗磁力磁卡的情况中，可以找出适于相关磁卡所拥有的抗磁力的写电流值。因此，可以实施适于每个磁卡所拥有的抗磁力的写入。具体地，在高抗磁力磁卡的情况中，在很多情况中卡片的抗磁力不相同。对于具有不同抗磁力的高抗磁力磁卡，可以找到适于每个磁卡的写电流值。
此外，如图16和17所示，由于写入开始位置162、172逐渐上升，因此示出在图下部中且对应传送距离而变化的电压波形161、171是不确定的且很难获得。相反地，波形161、171的写入终止位置163、173具有高电压值，并且清楚、容易获得。
因此，写入终止位置163、173作为波形的参考位置，其中写电流值清楚地表示在读取区域164、174的末端，而在所述读取区域164、174中，通过磁头55读取从写入开始位置162、172延伸至写入终止位置的波形中的每个波形。基于参考位置，CPU61可以确定通过磁头55读取时磁卡C的移动量。
这样，即使在写入的波形没有任何模糊的写入开始位置或标记波形的情况下，波形161、171本身也可以具有写入参考位置。
图18示出在另一个实施例中相对传送距离变化的波形的实例，其中波形本身具有参考位置。间歇波形181的波形结构对应传送距离变化。在间歇波形181中，磁头55在电流值呈阶梯式增长的同时实施写入，写电流输出以及以短的间隔停止，这样的输出和停止交替产生并被重复。
在这样的写入中，在间歇波形181的基础上，电流以短的间隔施加在磁头55上，以便写入信息。间歇写入中断部分182形成在不断升高的间歇波形181之后，并且基于间歇波形181将电流施加在磁头55上，以便写入信息。因此，间歇写入中断部分182作为波形自身的参考位置。具体地，由于在间歇波形181和间歇写入中断部分182的基础上，以短的传送时间间隔施加电流，因此即使间歇波形181部分丢失，也可以将它们区分开来。
图19示出在另一个实施例中相对传送距离变化的波形的实例，其中波形本身具有参考位置。不规则阶梯式波形191的波形结构相对传送距离变化。写入不规则阶梯式波形191，这样在磁头55在阶梯式增加电流值的同时实施写入时，持续时间段T1至T6以这样的方式变化随着写入电流一次一次阶梯式增加，持续时间段T1至T6逐渐延长。
在这样的写入中，由于每个阶梯式增加的写入电流值的持续时间段不同，因此用不同的持续时间段阶梯式写入的被写入波形本身各不相同。每个不同的、不规则的阶梯式波形191作为参考位置。即使在以这样的方式输出时，波形本身也可以具有参考位置。
此外，尽管将图14至17所示的波形以与图8至11所示的波形相同的方式表示为阶梯式波形，但通过直线和曲线清楚地表示它们，因为这样的表示容易变得不清楚。
本发明不局限于以上实施例的结构，而是可以获得很多实施例。例如，在上述实施例中，磁处理的实施为将磁卡C移至固定磁头35、36、55的位置处，本发明不局限于此，而是磁处理的实施为写磁头、读出磁头或具有写入和读取两种功能的单个磁头移动经过固定磁卡的位置。
权利要求
1.一种磁记录方法，其特征在于，在磁记录介质相对写磁头和读出磁头沿一个方向移动期间，写磁头以多个不同的电流值对磁记录介质实施预先写入，所述读出磁头读取预先写入的信息，基于读取的结果找出所述磁记录介质的写电流的适当值，并且所述写磁头以这样找出的适当值对所述磁记录介质实施正常写入。
2.一种磁记录装置，包括用来将信息写入磁记录介质的写磁头，用来从所述磁记录介质上读取磁信息的读出磁头，及控制所述磁头的控制装置，所述控制装置包括预先写入处理，在所述预先写入处理中，所述磁记录介质相对所述写磁头和所述读出磁头沿一个方向移动期间，所述写磁头以多个不同的电流值对所述磁记录介质实施预先写入，预先写入读取处理，在所述预先写入读取处理中，所述读出磁头读取预先写入的结果，适当值获取处理，在所述适当值获取处理中，基于所述预先写入的结果获得所述磁记录介质的写电流的适当值，及正常写入处理，在所述正常写入处理中，所述写磁头基于所述适当值对所述磁记录介质实施正常写入。
3.一种设备，用来确定磁记录介质的抗磁力，所述设备包括用来传送所述磁记录介质的传送装置，用来检测所述磁记录介质的移动量的移动量检测装置，写磁头，在所述传送装置沿一个方向传送所述磁记录介质时，所述写磁头以多个不同的电流值将磁信息写入所述磁记录介质，读出磁头，在所述写磁头将磁信息写入所述磁记录介质之后，所述读出磁头读取所述传送装置传送的所述磁记录介质上的磁信息，及确定装置，所述确定装置基于所述读出磁头读取的电压和读取时所述磁记录介质的移动量确定所述磁记录介质的抗磁力。
4.一种设备，用来确定磁记录介质的抗磁力，所述设备包括用来传送所述磁记录介质的传送装置，用来检测所述磁记录介质的移动量的移动量检测装置，写磁头，用来将磁信息写入所述传送装置传送的所述磁记录介质中，写电流波形存储装置，用来存储所述写磁头的相对移动量而变化的写电流值波形，写电流改变装置，用来根据存储在所述写电流波形存储装置中的写电流值来改变所述写磁头的写电流，读出磁头，在所述写磁头将磁信息写入所述磁记录介质之后，所述读出磁头读取所述传送装置传送的所述磁记录介质上的磁信息，及确定装置，所述确定装置基于所述读出磁头读取的电压、读取时所述磁记录介质的移动量及存储在所述写电流波形存储装置中的写电流值的时间变化确定所述磁记录介质的抗磁力，其特征在于，所述写电流改变装置重复改变同样的波形多次。
5.根据权利要求4所述的用来确定磁记录介质的抗磁力的设备，其特征在于，在重复相同波形期间，所述写磁头在分隔多个相同波形的时间间隔内不实施写入。
6.根据权利要求4所述的用来确定磁记录介质的抗磁力的设备，其特征在于，在重复相同波形期间，所述写电流改变装置将所述写磁头的写电流保持在构成参考位置的另一波形大小上一段持续时间段，其中在所述持续时间段期间形成构成所述参考位置的波形。
7.根据权利要求4所述的用来确定磁记录介质的抗磁力的设备，其特征在于，所述写电流改变装置使所述写磁头的写电流的输出与停止交替并且以预定的间隔重复。
8.根据权利要求4所述的用来确定磁记录介质的抗磁力的设备，其特征在于，所述写电流改变装置呈阶梯式增加写电流，这样所述写电流每增加一次，保持所述写电流的持续时间段改变。
9.一种设备，用来确定磁记录介质的抗磁力，所述设备包括用来传送所述磁记录介质的传送装置，用来检测所述磁记录介质的移动量的移动量检测装置，写磁头，用来将磁信息写入所述传送装置传送的所述磁记录介质中，写电流波形存储装置，用来存储写磁头的相对移动量而变化的写电流值波形，写电流改变装置，用来根据存储在所述写电流波形存储装置中的写电流值来改变所述写磁头的写电流，读出磁头，在所述写磁头将磁信息写入所述磁记录介质之后，所述读出磁头读取所述传送装置传送的所述磁记录介质上的磁信息，及确定装置，所述确定装置基于所述读出磁头读取的电压、读取时所述磁记录介质的移动量及存储在所述写电流波形存储装置中的写电流值的时间变化确定所述磁记录介质的抗磁力，其特征在于，所述确定装置基于这样的位置确定由所述读出磁头读取时的所述磁记录介质的移动量该位置是，在所述磁记录介质的由所述读出磁头读取波形的区域的两端中的读取电压大的位置。
10.一种设备，用来确定磁记录介质的抗磁力，所述设备包括写磁头，用来将信息写入所述磁记录介质，读出磁头，用来读取所述磁记录介质的磁信息，用来传送所述写磁头和所述读出磁头的传送装置，用来检测所述写磁头和所述读出磁头的移动量的移动量检测装置，写电流改变装置，在所述传送装置沿一个方向传送所述写磁头时，所述写电流改变装置用来改变所述写磁头的写电流，读取控制装置，在所述写磁头将磁信息写入所述磁记录介质上之后，所述读取控制装置使所述传送装置传送所述读出磁头，并且读取所述磁记录介质上的磁信息，及确定装置，所述确定装置基于所述读取控制装置使用所述读出磁头读取的值和读取时所述读出磁头的移动量确定所述磁记录介质的抗磁力。
11.一种设备，用来确定磁记录介质的抗磁力，所述设备包括用来相对写磁头和读出磁头传送所述磁记录介质的传送装置，用来检测所述传送装置产生的移动量的移动量检测装置，写电流改变装置，在所述传送装置相对所述写磁头沿一个方向移动所述磁记录介质时，所述写电流改变装置用来改变所述磁头的写电流，及确定装置，在所述写磁头将磁信息写入所述磁记录介质上之后，所述确定装置使所述读出磁头读取所述磁记录介质的磁信息，其中所述磁记录介质相对所述写磁头移动，所述确定装置还基于所述读出磁头读取的电压和读取时的移动量确定所述磁记录介质的抗磁力。
12.根据权利要求11所述的用来确定磁记录介质的抗磁力的设备，其特征在于，所述读出磁头预先读取所述磁记录介质的磁信息，并且所述读出磁头包括用来存储预先读取的所述磁记录介质的磁信息的磁信息存储装置，及所述确定装置进行确定之后，所述写磁头以对应所述确定装置确定的抗磁力的电流将存储在所述磁信息存储装置中的磁信息写入所述磁记录介质。
13.一种设备，用来确定磁记录介质的抗磁力，所述设备包括用来相对写磁头和读出磁头传送所述磁记录介质的传送装置，用来检测所述传送装置产生的移动量的移动量检测装置，写电流改变装置，在所述传送装置相对所述写磁头沿一个方向移动所述磁记录介质时，所述写电流改变装置用来改变所述磁头的写电流，写位置检测装置，用来检测所述写磁头对所述磁记录介质实施写入的位置，及确定装置，在所述写磁头将磁信息写入所述磁记录介质上之后，所述确定装置使所述读出磁头读取所述磁记录介质的磁信息，其中所述磁记录介质相对所述读出磁头移动，所述确定装置基于所述读出磁头读取的电压、读取时的移动量和实施写入的位置确定所述磁记录介质的抗磁力。
全文摘要
本申请公开了一种用来为磁记录介质确定适当写电流和以所确定的适当写电流将磁信息写入磁记录介质的方法和装置。根据本发明，当找出适于对磁记录介质实施写入的电流值时，从电压和磁记录介质的移动量中找出磁记录介质的抗磁力，其中以所述电压读取写在磁记录介质上的磁信息，并且找出对应抗磁力的电流值。
文档编号G11B5/00GK1482597SQ0315430
公开日2004年3月17日 申请日期2003年8月14日 优先权日2002年8月28日
发明者守屋诚司, 芳井昌浩, 忠政明博, 堀之内健司, 濑崎学, 健司, 博, 浩 申请人:欧姆龙株式会社