磁记录介质的制造方法
【技术领域】
[0001] 本说明书中公开有几个构成例的发明设及磁记录介质的制造方法。具体而言，设 及用于硬盘磁记录装置化DD)的磁记录介质的制造方法。更具体而言，设及适于热辅助磁记 录方式的磁记录介质的制造方法。
【背景技术】
[0002] 作为实现磁记录的高密度化的技术，采用垂直磁记录方式。垂直磁记录介质至少 包含非磁性基板、和由硬质磁性材料形成的磁记录层。垂直磁记录介质也可W任意选择性 地还包含：由软磁性材料形成并发挥使磁头产生的磁通集中于磁记录层的作用的软磁衬里 层；用于使磁记录层的硬磁性材料向目的的方向取向的基底层;保护磁记录层的表面的保 护层等。
[0003] W得到良好的磁特性作为目的，提案了使用颗粒磁性材料形成垂直磁记录介质的 磁记录层。颗粒磁性材料含有磁性晶粒、W包围磁性晶粒的周围的方式偏析的非磁性体。颗 粒磁性材料中的各个磁性晶粒通过非磁性体磁分离。
[0004] 近年来，垂直磁记录介质的记录密度的进一步提高作为目的，迫切需要缩小颗粒 磁性材料中的磁性晶粒的粒径。另一方面，磁性晶粒的粒径的缩小会使被记录的磁化(信 号）的热稳定性降低。因此，为了补偿磁性晶粒的粒径的缩小引起的热稳定性的降低，要求 使用具有更高的磁晶各向异性的材料而形成颗粒磁性材料中的磁性晶粒。作为要求的具有 高磁晶各向异性的材料，提案了LIq系有序合金。代表的LIq系有序合金包含FePt、CoPt、 FePcU CoPd 等。
[0005] 为使用Llo系有序合金实现更高的磁晶各向异性，需要Llo系有序合金的良好的结 晶取向。作为用于形成在低的基板溫度具有良好的结晶取向的Llo系有序合金的薄膜的方 法，特表2010-503139号公报公开下述磁记录介质的制造方法(参照专利文献1)，其包含下 述工序:在基板上沉积由具有(002)取向的化基合金构成的下层的工序、在下层上沉积具有 (002)取向的缓冲层的工序、在低于400°C的基板溫度于缓冲层上沉积FePt磁记录层的工 序;缓冲层含有MgO或SrTi化，缓冲层的膜厚为2~加 m，W及下层及磁记录层之间的晶格错 合为3%~10%。在此，含有MgO的缓冲层在室溫、或30~300°C的基板溫度被沉积。然而，对 于使缓冲层沉积时的基板溫度、和形成于缓冲层上的磁记录层的结晶取向分散的关系没有 任何记载。
[0006] 另外，国际公开第2011/021652号公报提案了在基底层之上形成由Llo系有序合金 构成的磁记录层的方法，该基底层包含通过由非晶质合金构成的第1层、由具有体屯、立方 (bcc)结构的Cr合金构成的第2层、由MgO构成的第3层(参照专利文献2)。该提案W使由&合 金构成的第2层的晶粒径减少造成的由Llo系有序合金构成的磁记录层的磁性晶粒的粒径 的减少为目的。由MgO构成的第3层是在形成磁记录层时的基板溫度比350°C高的情况下，用 于防止构成第2层的Cr合金的元素扩散到由Llo系有序合金构成的磁记录层的层。对于由 MgO构成的第3层形成时的基板溫度、和形成于其之上的磁记录层的结晶取向分散的关系没 有任何记载。
[0007] 另一方面，因为磁记录层的膜厚基本上在介质面内方向均一，所W减小磁性晶粒 的意思是减小具有恒定高度的磁性晶粒的截面积。其结果是，作用于磁性晶粒自身的反磁 场变小，为使磁性晶粒的磁化反转需要的磁场(反转磁场)变大。运样，在W磁性晶粒的形状 考虑的情况下，记录密度的提高的意思是在信号的记录时需要更大的磁场。
[0008] 作为记录需要的磁场强度的增加的课题解决的方法，提案了热辅助记录方式、微 波辅助记录方式等能量辅助磁记录方式(参照非专利文献1)。热辅助记录方式是利用磁性 材料中的磁各向异性常数化U)的溫度依赖性，即所谓越高溫，Ku越小的特性的方式。该方式 中，使用具有磁记录层的加热功能的磁头。即，使磁记录层升溫，暂时性地降低Ku,由此使反 转磁场减少，在此期间进行写入。降溫后Ku恢复初始的高的值，因而可W稳定地保持记录信 号(磁化）。在适用热辅助记录方式的情况下，需要考虑现有的设计方针之外，还需要考虑溫 度特性来设计磁记录层。
[0009] 现有技术文献 [0010]专利文献
[0011] 专利文献1:特表2010-503139号公报
[0012] 专利文献2:国际公开第2011/021652号公报
[0013] 非专利文献
[0014] 非专利文献1:稻叶等、"新高密度记录技术-能量辅助磁记录介质"、富±时报、富 ±电机控胺株式会社技术开发本部、2010年7月10日、第83卷第4号、257-260
[0015] 非专利文献2:R.F.Penoye;r、"Automatic Torque Balance for Magnetic Anisotropy Measurements"、The Review of Scientific Instruments、1959年8月、第30 卷第8号、711-714
[0016] 非专利文献3:近角聪信、强磁性体的物理(下)裳华房、10-21
【发明内容】
[0017] 发明所要解决的课题
[0018] 本说明书中公开有几个构成例的发明要解决的课题是提供包含具有更大的磁各 向异性常数Ku的磁记录层的磁记录介质的制造方法。
[0019] 用于解决课题的手段
[0020] 本发明的一个构成例的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括：（a)准备基板 的工序；（b)将基板加热至350 °C W上，使WMgO为主成分的非磁性材料沉积，形成基底层的 工序；^及山)在基底层之上形成磁记录层的工序。在此，工序(b)之前还可W包括化'）使化 金属、或具有bcc结构且WCr为主成分的合金沉积，形成第二基底层的工序。另外，优选在工 序山）中使包含有序合金的材料沉积。另外，优选在工序k)，使含有形成磁性晶粒的磁性材 料、和形成包围所述磁性晶粒的晶界的非磁性材料的材料沉积。
[0021] 发明效果
[0022] 通过采用上述构成，使其之上形成了磁记录层的基底层的结晶取向分散、算术平 均粗糖度Ra、及最大高度Rz减少，因此，使减少磁记录层材料的结晶取向分散、增大磁各向 异性常数Ku成为可能。通过上述的制造方法制造的磁记录介质适于在能量辅助记录方式的 使用。
【附图说明】
[0023] 图1是表示通过本发明的一个构成例的制造方法而获得的磁记录介质的一个构成 例的剖视图；
[0024] 图2是表示通过本发明的另一构成例的制造方法而获得的磁记录介质的另一构成 例的剖视图；
[0025] 图3是表示通过实验例A得到的基底层及第二基底层的结晶取向分散和基底层形 成时的基板溫度的关系的图；
[0026] 图4A是在实验例A中，在250°C的基板溫度形成的基底层的表面的AFMUtomic Force Microscope)像；
[0027] 图4B是在实验例A中，300°C的基板溫度形成的基底层的表面的AFM像；
[0028] 图4C是在实验例A中，在350°C的基板溫度形成的基底层的表面的AFM像；
[0029] 图4D是在实验例A，在400°C的基板溫度形成的基底层的表面的AFM像；
[0030] 图5是表示在实施例1及实施例2获得的磁记录层的结晶取向分散和基底层形成时 的基板溫度的关系的图；
[0031] 图6是表示通过实施例1及实施例2获得的磁记录层的磁各向异性常数和基底层形 成时的基板溫度的关系的图。
【具体实施方式】
[0032] 本发明的一个构成例的磁记录介质的制造方法包括：（a)准备基板的工序；（b)将 基板加热至350 °C W上，使WMgO为主成分的非磁性材料沉积，形成基底层的工序；W及(C) 在基底层之上形成磁记录层的工序。图1是通过上述的方法而获得的、包含非磁性基板10、 基底层40、及磁记录层50的磁记录介质的剖视图。
[0033] 在工序(a)准备的"基板"包含非磁性基板10。可W使用在非磁性基板10之上形成 粘接层、软磁衬里层、散热层、巧晶层等该技术中已知的层的层叠体作为工序(a)的"基板"。 图2是包含非磁性基板10、粘接层20、巧晶层30、第二基底层40b、基底层40、磁记录层50、及 保护层60的磁记录介质的剖视图。在图2的结构中，非磁性基板10、粘接层20、及巧晶层30的 部分结构看作是工序(a)的"基板"。对于第二基底层40b后述。
[0034] 非磁性基板10也可W是表面平滑的各种基板。例如，可W使用一般用于磁记录介 质的材料，形成非磁性基板10。可W使用的材料含有实施锻NiP的Al合金、MgO单晶、MgAb化、 S巧i〇3、强化玻璃、晶化玻璃等。
[0035] 可W任意选择地设置的粘接层20为提高形成于粘接层20之上的层和形成于粘接 层20之下的层的粘接性而使用。作为形成于粘接层20之下的层包含非磁性基板10。用于形 成粘接层20的材料包含Ni、W、Ta、化、Ru等金属、含有上述的金属的合金。粘接层20即可W是 单一的层，也可W具有多层的层叠结构。
[0036] 可W任意选择设置的软磁衬里层(未图示)控制来自磁头的磁通，提高磁记录介质 的记录/再生特性。用于形成软磁衬里层的材料包含NiFe合金、铁娃侣(FeSiAl)合金、CoFe 合金等晶质材料;FeTaC、CoFeNi、CoNiP等微晶质材料;CoZrNb、CoTaZr等含有Co合金的非晶 质材料。软磁衬里层的膜厚的最佳值依赖于用于磁记录的磁头的结构及特性。通过和其它 的层连续成膜形成软磁衬里层的情况下，考虑到兼顾生产性，优选软磁衬里层具有l〇nm~ SOOnm的范围内（包含两端）的膜厚。
[0037] 制造热辅助磁记录用磁记录介质的情况下，也可W设置散热层（未图示）。散热层 是用于有效地吸收热