低电压检测电路、含其的非易失性存储装置及其操作方法
【专利说明】低电压检测电路、含其的非易失性存储装置及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2014年12月18日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0183348的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
[0003]各种实施例总体而言涉及半导体集成装置，更具体地，涉及低电压检测电路、包括该低电压检测电路的非易失性存储装置及其操作方法。
【背景技术】
[0004]作为非易失性存储装置的示例，可以提到快闪存储装置。快闪存储装置在操作期间需要高电压。出于此目的，快闪存储装置通过提升外部电压来产生高电压。
[0005]例如，对于诸如编程操作和擦除操作的操作，快闪存储装置应当对字线施加大约1V到大约20V的高电压。如果没有供应具有必需电平的电压，则不能保证正常的操作。
[0006]因此，为了保持用于电路的操作所必需的目标电压电平，半导体装置需要被设计为能够监控外部电压、内部电压等以及能够处理电压变化。
【发明内容】
[0007]在一个实施例中，低电压检测电路可以包括:第一检测块，被配置为根据参考电压来检测外部电压的电平，并输出预检测信号。低电压检测电路也可以包括:第二检测块，被配置为在预检测信号的电平被检测为开始电平时无论预检测信号的电平如何变化都产生具有开始电平的低电压检测信号。
[0008]在一个实施例中，非易失性存储装置可以包括:存储区，包括多个非易失性存储单元。非易失性存储装置也可以包括:低电压检测电路，被配置为通过被施加外部电压来控制对存储区的访问，以及被配置为在外部电压的电平被检测为开始电平时无论外部电压的电平如何变化都产生具有开始电平的低电压检测信号。
[0009]在一个实施例中，包括有由控制器控制的存储区的非易失性存储装置的操作方法包括:通过控制器，在外部电压被供应时比较参考电压与外部电压，并输出预检测信号。该操作方法也可以包括:通过控制器，在预检测信号的电平被检测为开始电平时无论预检测信号的电平如何变化都产生具有开始电平的低电压检测信号。
【附图说明】
[0010]图1是图示根据一个实施例的低电压检测电路的例示的配置图。
[0011]图2是图示根据一个实施例的第一检测块的例示的配置图。
[0012]图3是图示根据一个实施例的第一检测块的例示的电路图。
[0013]图4是图示根据一个实施例的第一检测块的例示的电路图。
[0014]图5是图示根据一个实施例的第二检测块的例示的电路图。
[0015]图6是图示根据一个实施例的第二检测块的例示的电路图。
[0016]图7是用来辅助解释外部电压的供应电平的波形图的例示。
[0017]图8是用来辅助解释根据基于一个实施例的外部电压的变化的检测信号的输出的波形图的例示。
[0018]图9是用来辅助解释根据基于一个实施例的外部电压的变化的检测信号的输出的波形图的例示。
[0019]图10是图示根据一个实施例的非易失性存储装置的例示的配置图。
[0020]图11是图示根据一个实施例的电子系统的例示的配置图。
【具体实施方式】
[0021]在下文中，将参照附图而通过各种实施例来描述低电压检测电路、包括该低电压检测电路的非易失性存储装置及其操作方法。
[0022]参见图1，描述了图示根据一个实施例的低电压检测电路的例示的配置图。
[0023]图1中示出的低电压检测电路10可以包括:第一检测块110和第二检测块120。
[0024]第一检测块110可以被配置为响应于使能信号EN_N而基于参考电压VREF来检测外部电压VCCE的电平。第一检测块110也可以输出预检测信号DET_PRE。
[0025]第二检测块120可以被配置为通过被供应预检测信号DET_PRE而被驱动。第二检测块120也可以基于预检测信号DET_PRE的电平来输出低电压检测信号DET。在一个实施例中，第二检测块120可以被配置为:在预检测信号DET_PRE的电平被检测为第一电平之后，无论预检测信号DET_PRE的电平如何变化都产生具有第一电平的低电压检测信号DET。例如，在外部电压VCCE的电平比参考电压VREF低的情况下预检测信号DET_PRE可以被检测为第一电平。在一个实施例中，可以将参考电压VREF设置为阈值低电压LVCC的电平。
[0026]如果外部电压VCCE的电平下降到等于或者低于阈值低电压LVCC的电平，则低电压检测电路10可以输出第一电平的预检测信号DET_PRE。而且，低电压检测电路10可以在预检测信号DET_PRE被检测为第一电平之后将低电压检测信号DET保持在第一电平。
[0027]外部电压VCCE可以由于各种原因而变化。就此而言，可能出现外部电压VCCE在阈值低电压LVCC的电平附近以轻微的水平上下波动的现象，所述阈值低电压LVCC充当用于检测外部电压VCCE是否已经下降的参照。在这种情形下，如果外部电压VCCE的电平上升到轻微高于阈值低电压LVCC，则预检测信号DET_PRE可以被输出为与第一电平互补的第二电平。此外，如果外部电压VCCE的电平下降到轻微低于阈值低电压LVCC，则预检测信号DET_PRE可以被输出为第一电平。相应地，在外部电压VCCE的电平在阈值低电压LVCC的附近波动的情况下，预检测信号DET_PRE的电平可以反复地变化为第一电平和第二电平。
[0028]第二检测块120可以被配置为稳定可以以此方式波动的预检测信号DET_PRE的电平。例如，在外部电压VCCE的电平下降到等于或低于阈值低电压LVCC且预检测信号DET_PRE被输出为第一电平之后，低电压检测信号DET可以被固定为第一电平。
[0029]第二检测块120可以被配置为包括:放电单元122和输出单元124。
[0030]放电单元122可以被配置为根据预检测信号DET_PRE来确定输出单元124的输入节点的电势电平。例如，放电单元122可以被配置为在预检测信号DET_PRE被输出为第一电平的情况下将输出单元124的输入节点放电。
[0031]输出单元124可以被配置为基于放电单元122是否被驱动来将输入节点的电势电平反相。输出单元124也可以产生低电压检测信号DET。
[0032]例如，如果预检测信号DET_PRE被检测为第一电平，则放电单元122可以被驱动以及将输出单元124的输入节点放电。然后输出单元124可以将输入节点的电势电平反相，并产生低电压检测信号DET作为第一电平。
[0033]在一个实施例中，在低电压检测电路10的初始操作中，可以将输出单元124的输入节点的电势电平设置为第二电平。其后，可以基于外部电压VCCE的电平来确定低电压检测信号DET的电平。
[0034]参见图2，描述了图示根据一个实施例的第一检测块的例示的配置图。
[0035]在图2中，第一检测块20可以被配置为包括:电压划分单元210和比较单元220。
[0036]电压划分单元210可以被配置为根据使能信号EN_N来从外部电压VCCE产生分电压 VDIV0
[0037]比较单元220可以被配置为比较分电压VDIV与具有预