磁记录介质的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明的实施方式设及磁记录介质的制造方法。
[0002] 本申请W日本专利申请2014-150663号（申请日：2014年7月24日）为基础申 请享有优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
【背景技术】
[000引 W数nm~数百nm的周期规则地排列的微细结构，W磁记录介质为首，能够应用于 半导体器件、光子晶体、防反射膜和吸附基板等技术。为了制作那样的结构，可列举使用电 子束、紫外线等的描绘装置等，在抗蚀剂层上描绘图案的方法、利用二嵌段共聚物、粒子的 自组织化现象的方法等。特别是在使用了粒子的图案形成方法中，能够通过蚀刻保护基来 制作W粒子容易地形成的凹凸图案。但是，在包含通过蚀刻制作出的粒子的凹凸图案中，粒 子不与基板结合，因此粒子-基板间的密合性差，有时在其后的工序中粒子会从基板剥离。 [0004] 为了防止该情况，例如日本专利公开公报2010-172886号和日本专利公开公报平 8-236329号那样，公开了使用热塑性树脂，在基板（电极）上使粒子固着（固定）的方法。 但是，该方法中基板与粒子没有化学键，由于在固着后进行加热，粒子容易从基板剥离。另 夕F，为了解决那样的问题，有在除去有机成分后，在粒子上被覆无机材料，抑制粒子彼此的 移动的方法。但是，存在由于在粒子上设置被覆层，从而由粒子形成的凹凸形状由于被覆层 而被平坦化的问题。
【发明内容】
阳〇化]本发明的课题在于得到一种磁记录介质，其在基板和设置于基板上的粒子之间的 密合性良好。
[0006] 根据实施方式，提供一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，具备：在基板上形 成含有第1金属的烙敷层的工序；在该烙敷层上形成含有娃的保持层的工序；使用含有能 够与该烙敷层烙敷的第2金属的粒子，在该保持层上形成单粒子层的工序；与所述粒子接 触的区域的所述保持层受到所述第2金属的催化剂作用发生氧化反应由此形成二氧化娃， 使用含有氨氣酸和过氧化氨的蚀刻溶液对所述二氧化娃进行蚀刻，将所述粒子埋入该保持 层内直到与所述烙敷层接触的工序；通过加热使所述粒子和所述烙敷层烙敷的工序；W及 在所述单粒子层上形成磁记录层的工序。
【附图说明】
[0007] 图1是表示保护基的重均分子量和粒子间隔的关系的图。 阳00引图2 (a)~讯是表示实施方式设及的磁记录介质的制造方法的一例的图。
【具体实施方式】
[0009] 实施方式设及的磁记录介质的制造方法包括：
[0010] 在基板上形成含有第1金属的烙敷层的工序；
[0011] 在烙敷层上形成含有娃的保持层的工序；
[0012] 使用含有能够与烙敷层烙敷的第2金属的粒子，在保持层上形成单粒子层的工 序；
[0013] 使用含有氨氣酸和过氧化氨的蚀刻溶液对保持层中的二氧化娃进行蚀刻，将粒子 埋入保持层内直到与烙敷层接触的工序；
[0014] 通过加热使粒子和烙敷层烙敷的工序；W及
[0015] 在单粒子层上形成磁记录层的工序。
[0016] 上述二氧化娃，是通过与粒子接触的区域的保持层受到第2金属的催化剂作用发 生氧化反应而形成的。
[0017] 单粒子层可W作为具有凹凸图案的种层使用。通过在单粒子层之上形成磁记录 层，凹凸图案被转印到磁记录层上。但是，仅靠粒子在基板上沉积，原样状态下粒子容易由 于摩擦等的外力而剥离，因此根据实施方式，通过使烙敷层和粒子烙敷来形成化学键，能够 防止由摩擦等的外力造成的粒子剥离。另外，通过使其烙敷，受到烙敷层的结晶取向的影 响，能够改善粒子内的结晶取向分散。由此，能够制作SNR良好的磁记录介质。
[0018] 粒子
[0019] 所使用的粒子是指粒径1皿~1μm左右的粒子。形状大多为球形，但也可W是四 面体、长方体、八面体、Ξ棱柱、六棱柱、圆筒形等形状。在考虑最密排列的情况下或采用湿 蚀刻埋入保持层内的情况下，优选形状的对称性高的形状，特别优选为球形。为了提高涂布 时的排列性，粒子的粒径分散优选小。在粒径分散和取向分散（间距分散）之间存在比例 关系，例如，在粒径分散为10%左右的情况下，其粒子排列形成的单粒子层的粒子的间距分 散为7 %左右，在粒径分散为15 %左右的情况下，间距分散为10 %，在粒径分散为30 %左右 的情况下，间距分散为17%。因此，粒子分散的粒径分散优选为15%W下、更优选为10%W 下。
[0020] 微粒的材料可W使用选自IM、Ag、Pt和Au中的第2金属。特别优选工作函数为 5eVW上，作为贵金属的Pd、Pt和Au。
[0021] 微粒的排列在溶液系统中进行，因此微粒在附带后述的保护基（被覆层）的状态 下，W稳定分散于溶液中的状态被使用。
[0022] 保护基（第1高分子材料）
[0023] 作为保护基，优选在末端附带簇基或硫醇基等的反应性官能团的有机物。一般地， 硫醇基与Au、Ag、Pd、Pt等的粒子反应。
[0024] 可W使保护基的反应性官能团与微粒结合，将保护基的主链用于粒子间隔调整和 用于排列的极性调整。极性一般可W使用溶解度参数（SP值）很好地说明。SP值在例如 水之类的极性大的情况下，其值变大，在极性小时其值变小。在碳（C)和娃（Si)表面的情 况下，SP值优选为25MPai/2W下。有机物的主链优选为含有1个或多个一般的控（C占2。+1)、 双键和/或Ξ键的、W聚苯乙締为首的芳香族控、聚醋或聚酸类。例如，对于具有簇基的物 质，若为饱和控则可列举癸酸、月桂酸、软脂酸、硬脂酸，若为不饱和控，则可列举橄揽油酸、 油酸、亚油酸、亚麻油酸等。对于硫醇基，也同样地可列举硫醇、片&。-硫醇等。另 夕F，主链可W使用聚醋、聚乙締、环氧树脂、聚氨醋、聚苯乙締、聚丙締等的聚合物。为了其后 进行反应的工艺，保护基可w具有分支少的直链状结构。特别是在使用聚苯乙締类的情况 下，该SP值取得了与涂布溶剂接近的值，因此溶解性和涂布性良好。保护基不仅扩大粒子 间隔，还有改善粒子排列的效果。要排列粒子，在溶剂干燥时需要粒子能够自由移动的物理 空间。在粒子间隔小的情况下，粒子彼此的范德华力的影响强，会妨碍粒子的运动。特别是 在没有保护基从而粒子彼此露出的情况下，粒子彼此凝聚，从而粒子无法移动。通过在粒子 的表面修饰保护基，使粒子彼此的间隔扩大，由此能够抑制在粒子间施加的范德华力的影 响，不会妨碍粒子的运动，从而改善排列。
[00巧]图1是对于W聚苯乙締为保护基的情况，表示保护基的重均分子量和粒子间隔的 关系的图。
[00%] 图中，如曲线101所示，如果保护基的分子量变高则粒子间隔变大。
[0027] 在将粒子作为内存（memory)或存储器（storage)等的记录图案使用的情况下，由 于粒子间隔变宽而使图案密度降低。粒子间隔相对于粒子的直径优选从10%~200%。因 此，保护基的分子量可W设在100~50, 000的范围。进而，作为第1高分子材料优选使用 具有1000~5