专利名称：磁记录媒体的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种记录层以凹凸图案形成的磁记录媒体的制造方法。
背景技术：
一直以来，硬盘等磁记录媒体都是力求通过记录层磁性颗粒的微细化、材料的变更、磁头加工的微细化等的改良，实现显著提高面记录密度的目的，以后仍然期待着进一步提高面记录密度。
然而，由磁头的加工限度、磁场扩大引起的干扰条纹(サイドフリンジ/sidefringe)、交调矢真(クロスト一ク/cross talk)等问题也突显出来，由现有的改良方法的面记录密度的提高已达到了极限，因此，作为可实现进一步提高面记录密度的磁记录媒体的候补，提出有将记录层由规定的凹凸图案形成的离散(discrete)磁道媒体和离散位(discrete bit)媒体等所谓的模式化(patterned；晶格)媒体等的磁记录媒体(例如参考日本专利特开平9-97419号公报)。
一方面，由于如果媒体表面是凹凸图案则磁头·滑触头的漂浮高度变得不稳定，记录·再现特性恶化，因此有必要在凹凸图案的记录层上形成非磁性材料的膜而填充凹部，除去记录层上的多余的非磁性材料并使表面平坦化。
作为将记录层加工成凹凸图案的方法，可利用干蚀刻的方法。此外，作为形成非磁性材料的膜的方法，可利用在半导体制造领域中所使用的溅蚀法等的成膜技术。此外，关于除去记录层上的多余的非磁性材料并使其平坦化的方法，可利用在半导体制造领域中所使用的CMP(化学机械抛光法/ChemicalMechanical Polishing)等加工技术。
日本专利特开平9-97419号公报然而，CMP方法以1～2nm程度的毫微量级精密地控制加工量是有困难的，因此存在加工不充分在记录层上残留非磁性材料，或加工过大而除去记录层的一部分的情况，由此，就会发生记录层的磁特性会恶化的情况。
此外，使用CMP方法后，也会出现料浆与记录层反应而导致记录层磁特性的恶化的情况。进而，如果使用CMP方法，则会存在为除去料浆的清洗等需要大量时间、成本的问题。
此外，CMP方法为湿处理过程，因此当与记录层的加工工序等的干处理过程组合时，会存在被加工物的搬运等变得烦杂，或作为制造工序整体会降低效率的问题。
发明内容
本发明鉴于上述的问题而成，其课题在于，提供一种能够高效率地制造下述磁记录媒体的磁记录媒体的制造方法，该磁记录媒体具有以凹凸图案形成的记录层、表面充分平坦且记录再现精度良好。
本发明，通过在除去记录层上的剩余的非磁性材料并平坦化的工序中，利用比CMP方法更容易控制加工量的离子束蚀刻法，解决了上述课题。这样，可以抑制平坦化工序中的记录层的加工。并且，不依赖于如CMP方法的湿处理，而利用干刻法的干处理，因此不需要料浆的清洗的同时，与其它干处理组合，从而能够提高制造工序整体的效率。
进而，离子束蚀刻法具有将膜的突出部位比其它部位相比选择性地快速除去的倾向，可得到高的平坦化效果。
并且，利用了这样的离子束蚀刻法的情况下，如果想要完全地除去记录层上的非磁性材料，则会有与非磁性材料一起除去记录层的很少一部分的情况。
针对于此，发明者当初，尝试在记录层上形成比非磁性材料对离子束蚀刻的蚀刻率更低的终止膜。这样的话，在防止除去记录层的同时记录层上的非磁性材料能够被完全除去，但是由于追加形成终止膜的工序降低生产性降低，而且由于记录层上残留终止膜，降低记录·再现的灵敏度。
所以，发明人进一步专心研究的结果，看出了下述结果，通过适当地设定离子束的入射角、加工用的气体的种类等的蚀刻条件，将记录层的蚀刻率，与非磁性材料的蚀刻率相比，抑制得更低，由此，能够将记录层的加工抑制在1nm程度以下，并且除去剩余的非磁性材料。
即，依据如下述的本发明，能够实现解决上述课题。
(1)一种磁记录媒体的制造方法，其特征在于包括下述工序非磁性材料填充工序，其在基板上以指定的凹凸图案形成的记录层上，形成非磁性材料的膜，从而填充前述凹凸图案的凹部；平坦化工序，其通过离子束蚀刻，除去前述记录层上的剩余的前述非磁性材料，并平坦化表面。
(2)根据前述(1)所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序设定蚀刻条件，使得与对前述非磁性材料的蚀刻率相比，对前述记录层的蚀刻率低。
(3)根据前述(1)或(2)所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序，作为加工用气体采用惰性气体，同时将相对于前述基板的表面的离子束的入射角限定在规定的范围。
(4)根据前述(1)或(2)所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序，作为加工用气体采用卤素系气体。
(5)根据前述(1)至(4)中任意一项所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序，相对于前述基板的表面的离子束的入射角限定在-10°或-10°以上且+30°或+30°以下的范围。
(6)根据前述(1)至(5)中任意一项所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述非磁性材料填充工序采用在前述基板上附加偏压功率的同时形成前述非磁性材料的膜的成膜方法。
此外，本申请中，“以凹凸图案形成的记录层”是在下述的意义上所采用的，即除了分割为多记录要素的记录层以外，还包括部分地分割而使得一部分连续的记录层、以螺旋状的涡卷状的记录层在基板上部分连续的形成的记录层、形成凸部和凹部两方的连续记录层。
此外，本申请中，“剩余的非磁性材料”是在下述意义上采用的，即比记录层的上面更靠上的上侧(基板的相反一侧)上存在的非磁性材料。
此外，本申请中，“离子束蚀刻”这一用语是在下述的意义上采用的，即例如离子研磨等的、离子化后的气体照射到被加工体而除去的加工方法的总称。
此外，本申请中，“离子束的入射角”是在下述意义上采用的，即离子束相对于被加工体的表面入射的角度，被加工体表面与离子束平均的照射方向所形成的角度。比如，离子束的中心轴与被加工体的表面平行的时候，入射角为0°，离子束的中心轴与被加工体的表面垂直的时候，入射角为+90°。
此外，本申请中，“蚀刻率”是下述的意义上采用的，即由蚀刻产生的每单位时间的加工量。
此外，本申请中，“磁记录媒体”是在下述的意义上采用的，即不只是限定于信息的记录、读取只使用磁性的硬盘、软盘(注册商标)、磁带等，还包括并用磁和光的MO(Magneto Optical)等的光磁记录媒体、并用磁和热的热辅助型记录媒体。
本发明，通过利用离子束蚀刻，能够抑制平坦化工序中的记录层的加工。另外，将离子束的入射角限定在规定的范围，作为离子束蚀刻的加工用气体使用卤素系气体，从而可以在抑制记录层的除去的同时，能选择性地除去非磁性材料。这样，能够防止记录层的磁特性的恶化。此外，通过利用所谓离子束蚀刻的干处理，变得不需要料浆的清洗，进而与其它干处理组合，从而能够提高制造工序整体的效率。并且，通过利用离子束蚀刻，与比其它部位相比，可以选择性地快速除去膜的突出部位，能够得到高的平坦化效果。
图1是典型地表示与本发明的第1实施方式有关的被加工体的加工毛胚的构造的侧面剖视图；图2是典型地表示加工同一被加工体而得到的磁记录媒体的构造的侧面剖视图；图3是表示同一磁记录媒体的制造工序的概要的流程图；图4是典型地表示表面上形成记录要素的前述被加工体的形状的侧面剖视图；图5是典型地表示记录要素上形成非磁性材料的膜，用非磁性材料填充凹部的前述被加工体的形状的侧面剖视图；图6是典型地表示前述被加工体的平坦化工序的侧面剖视图；图7是表示在作为同一平坦化工序中的加工用气体采用Ar气体的情况下的离子束的入射角和蚀刻率之间的关系的曲线图；图8是典型地表示平坦化工序后的前述被加工体的形状的侧面剖视图；图9是典型地表示平坦化工序后的前述被加工体的形状的其它例子的侧面剖视图；图10是表示在作为本发明的第2实施方式的加工用气体采用C2F6气体的情况下的离子束的入射角和蚀刻率之间的关系的曲线图。
具体实施例方式
下面，参照附图，详细说明本发明的优选实施方式。
本发明的第1实施方式涉及制造磁记录媒体的制造方法，其在非磁性材料填充工序以及平坦化工序上具有特征，该制造方法为在基板上形成连续记录层等而构成的如图1所示的被加工体的加工毛胚上实施加工，由此将连续记录层以规定的凹凸图案分割成为多个记录要素，同时在记录要素的间隔的凹部(凹凸图案的凹部)中填充非磁性材料，从而制造如图2所示的记录媒体。其它工序因为与现有的方法相同，适当地省略说明。
如图1所示，被加工体10的加工毛坯的构成为，在玻璃基板12上，依次形成基底层14、软磁性层16、定向层18、连续记录层20、第1掩模层22、第2掩模层24、抗蚀层26。
基底层14的厚度为30～200nm，材料是Ta(钽)、Cr(铬)或Cr合金。软磁性层16的厚度为50～300nm，材料是Fe(铁)合金或Co(钴)合金。定向层18厚度是3～30nm，材料是Cr、非磁性的CoCr合金、Ti(钛)、MgO(氧化镁)等。连续记录层20的厚度为5～30nm，材料是CoCr(铬钴)合金。第1掩模层22的厚度为3～50nm，材料是TiN(氮化钛)。
第2掩模层24的厚度为3～30nm，材料是Ni(镍)。抗蚀层26的厚度是30～300nm，材料是阴型抗蚀剂(NBE22A，住友化学工业株式会社制造)。
如图2所示，磁记录媒体30是垂直记录型的离散型磁盘，记录层32是将前述连续记录层20以微细的间隔分割为多个记录要素32A而形成的凹凸图案。记录要素32A，具体来讲，数据区域中，在磁道的径向方向上以微细的间隔形成的同心圆形状，伺服部分中由规定的伺服信息等图案形成的。另外，在记录要素32A之间的凹部34填充非磁性材料36，在记录要素32A和非磁性材料36上依次形成有保护层38、润滑层40。
非磁性材料36的材料是SiO2(二氧化硅)。保护层38厚度为1～5nm，材料是被称作硬质碳素膜的类钻石碳(Diamond Like carbon)。并且，本申请中所述的“类钻石碳(以下简称DLC)”一词，使用的意义是以碳素为主要成分的、非晶体构造的、维氏硬度为200～8000kgf/mm2左右的材料。润滑层40的厚度为1～2nm，材料是PFPE(全氟聚醚)。
接下来，按照图3的流程图说明被加工体10的加工方法。
首先，加工图1所示的被加工体10的加工毛胚，将连续记录层20分割成记录要素32A而形成记录层32(S102)。
被加工体10的加工毛胚是，具体来说，通过在玻璃基板12上利用溅蚀法依次形成基底层14、软磁性层16、定向层18、连续记录层20、第1掩模层22、第2掩模层24，进而用旋涂(spin coat)法涂布抗蚀层26而得到的。并且，也可以通过浸渍法涂布抗蚀层26。
在该被加工体10的加工毛坯的抗蚀层26上，利用复制装置(省略图示)，通过纳印刻(ナノ·インプリント/nano imprint)法，在数据区域中径向方向上以微细的间隔复制凹凸图案，在伺服区域中复制包含连接孔的规定的伺服图案，通过以O2气体等为反应气体的离子束蚀刻，除去凹凸图案的凹部底部的抗蚀层26。另外，也可以曝光·显像抗蚀层26来加工凹凸图案。
然后，通过利用Ar(氩)气体的离子束蚀刻，除去凹部底部的第2掩模层24，进而通过利用SF6(六氟化硫)气体的反应性离子束蚀刻，除去凹部底部的第1掩模层22。这样，在凹部底部露出连续记录层20。之后，通过以CO气体和NH3气体为反应气体的反应性离子束蚀刻，除去凹部底部的连续记录层20。这样，连续记录层20被分割为多个记录要素32A，形成了记录层32。之后，通过以SF6为反应气体的离子束蚀刻，完全地除去记录要素32A的上面残留的第1掩模层22，可得到表面上形成了凹凸图案的记录层32的如图4所示的被加工体10。
接下来，利用偏压溅蚀法，如图5所示，在被加工体上施加偏压功率，同时使SiO2(非磁性材料36)的粒子在被加工体10表面形成膜，并填充记录要素32A之间的凹部34(S104)。在此，非磁性材料36按照完全覆盖了记录要素32A的方式形成膜。
此时，通过Ar等溅蚀气体与SiO2的冲击板碰撞，SiO2的粒子飞散，并在被加工体10的表面，按照记录要素的凹凸形状堆积成均一的，因此非磁性材料36有表面形成凹凸形状的倾向。
一方面，通过在被加工体10上施加偏压功率，溅蚀气体向被加工体10的方向推进并与已堆积的SiO2碰撞，蚀刻已堆积的SiO2的一部分。该蚀刻作用为，具有在已堆积的SiO2之中，将突出的部分比其它部分更快地选择性地除去的倾向，因此非磁性材料36的表面的凹凸依次均匀起来。并且，实际上这些作用是同时进行的，当成膜作用超过蚀刻作用时，表面的凹凸被抑制得小些同时形成非磁性材料36的膜。
由此，非磁性材料36，如图5所示，形成表面的凹凸被抑制的形状的膜。
接下来，如图6所示，利用离子束蚀刻除去非磁性材料36直至记录要素32A的上面，将记录要素32A和非磁性材料36的表面平坦化(S106)。这里，作为离子束蚀刻的加工用气体使用Ar气体，将离子束的入射角限定在-10°或-10°以上且55°或55°以下的范围，除去非磁性材料36直至记录要素32A的上面。这样，通过使离子束的入射角从与表面垂直的方向倾斜，能够提高均匀凹凸的效果。并且，为了进一步地提高均匀凹凸的效果，最好将离子束的入射角限制在-10°或-10°以上且30°或30°以下。
进而，如图7中符号A所示的那样，通过将离子束的入射角限制在上述的范围，CoCr合金(记录层32)的蚀刻率与同图中用符号B所表示的SiO2(非磁性材料36)的蚀刻率相比变得更低，所以能够相应地抑制记录要素32A的加工量。并且，图7中用符号C所表示的曲线，是将SiO2(非磁性材料36)的蚀刻率用CoCr合金(记录层32)的蚀刻率除算而得到的蚀刻率的比。特别是，如果将离子束的入射角限定在+10°或+10°以下，则蚀刻率的比显著变大，不仅能够可靠地抑制记录要素32A的加工量在1nm程度以下，而且能够选择性地除去非磁性材料36，所以是优选的。
此外，离子束的入射角即使是(-10～0°的)负的范围内也可以加工，这是考虑到即使离子束的平均入射角在负的范围，一部分的离子束的入射角也在正的范围内的缘故。
这样的话，抑制记录要素32A的磁气特性的劣化，如图8所示，同时除去剩余的非磁性材料36直到记录要素32A的上面，能够充分地平坦化非磁性材料36及记录要素32A的上面。
另外，通过在非磁性材料填充工序(S104)中施加偏压功率，非磁性材料36表面的凹凸被抑制而形成膜，因此平坦化就相应地容易。
此外，如图9所示，即使过度地除去非磁性材料36，而非磁性材料36与记录要素32A的上面相比稍有下陷的情况下，也因为记录层32的蚀刻率比非磁性材料36的蚀刻率还要低，所以将记录要素32A的加工量抑制得小些、能够抑制记录要素32A的磁气特性的劣化。进而，因为记录要素32A比非磁性材料36更突出，所以不会发生记录·再现的灵敏度降低的情况。
接下来，通过CVD(化学气相沉积法/Chemical Vapor Deposition)，可以在记录要素32A和非磁性材料36的上面形成保护层38(S108)。进而，用浸渍法在保护层38上涂布润滑层40(S110)。这样，完成如前述图2中所示的磁记录媒体30。
如上所述，附加偏压功率并抑制表面的凹凸的同时，形成非磁性材料36的膜，进而，利用离子束蚀刻而平坦化，由此能够将记录要素32A和非磁性材料36的表面充分平坦化到所期望的水平，润滑层40的表面也充分平坦化到所期望的水平。从而可获得磁头·滑触头的稳定的漂浮特性。
另外，平坦化工序(S106)中离子束的入射角设定在-10～55°的范围内，与SiO2(非磁性材料36)的蚀刻率相比，CoCr合金(记录层32)的蚀刻率设定得更低，从而可以抑制记录层32的除去，抑制记录层32的磁特性的劣化。
此外，本第1实施方式中，虽然利用溅蚀法形成非磁性材料36的膜，例如也可以利用离子束沉积法等的其它成膜方法，形成非磁性材料36的膜。该情况下，也可以通过利用附加偏压功率能够得到抑制表面的凹凸的效果。一方面，如果能够通过平坦化工序(S106)充分平坦化表面，则也可以利用不附加偏压功率而形成非磁性材料36的膜。
此外，本第1实施方式中，虽然在平坦化工序(S106)作为离子束蚀刻的加工用气体采用Ar气体，但本发明并不局限于此，例如也可采用Kr(氪)、Xe(氙)等的其它惰性气体。
另外，本第1实施方式中，虽然将离子束的入射角限定在-10°或-10°以上，且+55°或+55°以下的范围内，但即使将离子束的入射角设定在超过55°(90°或90°以下的)范围的情况下，如果利用离子束蚀刻也比CMP方法更容易控制加工量，并且，可得到与其它干处理组合而生产效率提高的效果。
接下来，说明本发明的第2实施方式。
本第2实施方式，相对于上述的第1实施方式，在平坦化工序(S106)中作为离子束蚀刻的加工用气体，采用C2F6(六氟化二碳)气体。因为其它工序与前述第1实施方式同样，省略说明。
例如，作为离子束蚀刻的加工用气体，采用C2F6(六氟化二碳)气体的情况下，如图10的用符号D所示的曲线，如果离子束的入射角相等，与采用Ar气体的情况相比，CoCr合金的(记录层32)蚀刻率变得更低，可相应地抑制记录层32的除去。另外，通过采用C2F6气体，因为C2F6气体和SiO2发生化学反应而SiO2被脆性化，同一图中用带有符号E的曲线所示的那样，能够提高SiO2(非磁性材料36)的蚀刻率，能够效率好地平坦化表面。进而，与离子束的入射角无关地，与SiO2(非磁性材料36)的蚀刻率相比，能够使CoCr合金(记录层32)的蚀刻率变得更低。此外，与采用Ar气体的情况一样，如果将离子束的入射角限定在+10°或+10°以下，如图10中的用符号F所示的曲线那样，SiO2(非磁性材料36)的蚀刻率除以CoCr合金(记录层32)的蚀刻率的比显著地变大，能够提高保护记录层32的效果，所以是优选的。
另外，本第2实施方式中，虽然作为离子束蚀刻的加工用气体，采用C2F6(六氟化二碳)气体，但已得到确认即使采用SF6(六氟化硫)、CF4(四氟化碳)等的其它卤素系气体也能得到与C2F6气体同样的效果。作为卤素系气体，除了氟系气体之外，也可以使用氯系气体，但在残留的加工用气体的清洗容易这一点上，采用氟系气体为好。
另外，前述第1和第2实施方式中，虽然在连续记录层20形成第1掩模层22、第2掩模层24、抗蚀层26，按照3阶段的干刻分割了连续记录层20，但如果能够将连续记录层20加工成所需的凹凸图案，则抗蚀层、掩模层的材料、层叠数、厚度、干刻的种类等没有特别的限定。
此外，前述第1和第2实施方式中，虽然记录层32(连续记录层20)的材料是CoCr合金，但本发明并不限定于此，例如本发明也可以适用于加工由含有铁族元素(Co、Fe(铁)、Ni)的其它合金、由这些的层叠体等的其它材料的记录要素构成的磁记录媒体。
此外，前述第1和第2实施方式中，虽然非磁性材料36的材料是SiO2，但也可以采用其它氧化物、TiN(氮化钛)等的氮化物、Ta(钽)、TaSi、Si等的其它非磁性材料。
此外，前述第1和第2实施方式中，在连续记录层20的下面形成有基底层14、软磁性层16、定向层18，但本发明并不限定于此，连续记录层20的下面的层的构成可对应于磁记录媒体的种类适宜地变更。例如，也可以省略基底层14、软磁性层16、定向层18之中的一层或者两层。并且，各层也可以由多层来构成。另外，也可以在基板上直接形成连续记录层。
此外，前述第1和第2实施方式中，磁记录媒体30是，在数据区域中记录要素32A在磁道的径向方向上以微细的间隔并列设置的垂直记录型的离散型的磁盘，但本发明并不限定于此，本发明当然也可以适用于记录要素在磁道的圆周方向(扇区方向)以微细的间隔并列设置的磁盘、在磁道的径向方向和圆周方向的两方向上以微细的间隔并列设置的磁盘、具有形成有凹凸图案的连续记录层的预置记录媒体(Pre-Embossed Recording Medium)型的磁盘、磁道成螺旋形状的磁盘的制造。此外，本发明也可以适用于面内记录型的磁记录媒体。此外，本发明也可适用于MO等的光磁盘、并用磁和热的热辅助型的磁盘、进而磁带等的圆盘形状以外的具有凹凸图案的记录层的其它磁记录媒体的制造。
如上述第1实施方式，制作磁记录媒体30。具体地，记录层32按照下述的凹凸图案形成。
间距150nm凸部宽度95nm凹部宽度55nm凹凸阶差20nm接着，非磁性材料填充工序(S104)中进行如下述的条件设定，以约40nm的膜厚形成非磁性材料36的膜，用非磁性材料36填充凹部34。并且，在此表示的非磁性材料36的膜厚是成膜后的非磁性材料36的表面中的最突出的部位和记录层32的上面之间的距离。
投入 功率500WAr气体压力 0.3Pa偏压 功率250W接着，在平坦化工序(S106)中进行如下述的条件设定，除去非磁性材料36直至记录要素32A的上面。非磁性材料36(SiO2)的蚀刻率大约是46/min。并且，虽然考虑记录要素32A的上面也被离子束所加工，但在同样的条件下的记录要素32A的蚀刻率是约15/min，是非磁性材料36(SiO2)的蚀刻率的1/3或1/3以下，因此加工量能够被控制在1nm或1nm以下的水平。
Ar气体流量 11sccm气体压力 0.05Pa射束电压 500V射束电流 500mA消除器 电压 400V离子束入射角 +2°平坦化工序(S106)之后，利用AFM(原子能显微镜/Atomic ForceMicroscope)观察记录层32以及非磁性材料36的表面，利用TEM(透射电子显微镜，Transmission Electron Microscope)观察其断面时，结果如下，此外，在记录要素32A上没有残留非磁性材料36。并且，下述表示的平均阶差是记录要素32A上面和非磁性材料36上面的平均阶差。
记录层的加工量0.3nm平均 阶差0.7nm此外，用VSM(振荡采样磁力计/Vibrating Sample Magnetometer)测定记录层的磁特性时，未见磁特性的劣化。
如上述第2实施方式，在平坦化工序(S106)中作为加工用气体采用C2F6(六氟化二碳)气体。并且，使其它工序与实施例1同样。平坦化工序(S106)的条件如下述设定。
C2F6气体流量 6sccm气体压力0.05Pa射束电压500V射束电流500mA消除器 电压400V离子束入射角+2°平坦化工序(S106)中的非磁性材料36(SiO2)的蚀刻率是约91/min。此外，虽然考虑记录要素32A的上面也被离子束所加工，但在同样的条件下的记录要素32A的蚀刻率是约6.3/min，是非磁性材料36(SiO2)的蚀刻率的1/14或1/14以下，因此加工量能够被控制在1nm或1nm以下的水平。平坦化工序(S106)之后，利用AFM观察记录层32以及非磁性材料36的表面、用TEM观察其断面时，结果为如下，此外，记录要素32A上没有残留非磁性材料36。
记录层的加工量0.0nm平均 阶差1.0nm此外，用VSM测定记录层的磁特性时，未见磁特性的劣化。
这样，实施例2与实施例1相比，非磁性材料36(SiO2)的蚀刻率高，且缩短平坦化所需的时间，进而，记录层的加工量也比实施例1抑制得小。
与上述实施例1相比，离子束的入射角以约90°来执行平坦化工序(S106)，完全除去了记录要素32A上的非磁性材料36。其它条件总体上与实施例1同样。本比较例1中的非磁性材料36的蚀刻率是约250/min。此外，同样的条件下的记录要素32A的蚀刻率是约310/min。
平坦化工序(S106)之后，利用AFM观察记录层32以及非磁性材料36的表面、用TEM观察其断面时，结果如下，并且，记录要素32A上没有残留非磁性材料36。
记录层的加工量2.6nm平均 阶差0.6nm另外，用VSM测定记录层的磁特性时，磁特性大大地劣化了。
比较例1与实施例1和实施例2相比，虽然平均段差有若干的改善，但记录要素32A的一部分被除去，而且记录要素32A的上面比非磁性材料36上面更下陷了。这样，比较例1有下述担忧，即通过加工记录要素32A的磁特性恶化，此外，因记录要素32A和磁头之间的间隔变大而导致记录·再现的灵敏度降低。
相对于此，可知根据上述实施例1和2，就能够将表面充分平坦化，可靠地得到记录要素32A的磁特性良好的磁记录媒体。
本发明可利用于制造例如离散磁道媒体、离散位媒体等的所谓的模式化的媒体类型的记录层以凹凸图案形成的磁记录媒体。
权利要求
1.一种磁记录媒体的制造方法，其特征在于包括下述工序非磁性材料填充工序，其在基板上以指定的凹凸图案形成的记录层上，形成非磁性材料的膜，从而填充前述凹凸图案的凹部；平坦化工序，其通过离子束蚀刻，除去前述记录层上的剩余的前述非磁性材料，并平坦化表面。
2.根据权利要求1所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序设定蚀刻条件，使得与对前述非磁性材料的蚀刻率相比，对前述记录层的蚀刻率低。
3.根据权利要求1或2所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序，作为加工用气体采用惰性气体，同时将相对于前述基板的表面的离子束的入射角限定在规定的范围。
4.根据权利要求1或2所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序，作为加工用气体采用卤素系气体。
5.根据权利要求1或2所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序，相对于前述基板的表面的离子束的入射角限定在-10°或-10°以上且+30°或+30°以下的范围。
6.根据权利要求3所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序，相对于前述基板的表面的离子束的入射角限定在-10°或-10°以上且+30°或+30°以下的范围。
7.根据权利要求4所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述平坦化工序，相对于前述基板的表面的离子束的入射角限定在-10°或-10°以上且+30°或+30°以下的范围。
8.根据权利要求1或2所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述非磁性材料填充工序采用在前述基板上附加偏压功率的同时形成前述非磁性材料的膜的成膜方法。
9.根据权利要求3所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述非磁性材料填充工序采用在前述基板上附加偏压功率的同时形成前述非磁性材料的膜的成膜方法。
10.根据权利要求4所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述非磁性材料填充工序采用在前述基板上附加偏压功率的同时形成前述非磁性材料的膜的成膜方法。
11.根据权利要求5所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述非磁性材料填充工序采用在前述基板上附加偏压功率的同时形成前述非磁性材料的膜的成膜方法。
12.根据权利要求6所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述非磁性材料的填充工序采用在前述基板上附加偏压功率的同时形成前述非磁性材料的膜的成膜方法。
13.根据权利要求7所述的磁记录媒体的制造方法，其特征在于，前述非磁性材料填充工序采用在前述基板上附加偏压功率的同时形成前述非磁性材料的膜的成膜方法。
全文摘要
本发明提供一种能够效率良好地制造磁记录媒体的制造方法，该磁记录媒体具有以凹凸图案形成的记录层、表面充分平坦且记录再现精度良好。其构成为包括下述工序非磁性材料填充工序(S104)，其在基板上以指定的凹凸图案形成的记录层上，形成非磁性材料的膜，从而填充前述凹凸图案的凹部；平坦化工序(S106)，其通过离子束蚀刻，除去前述记录层上的剩余的前述非磁性材料，并平坦化表面。
文档编号G11B5/855GK1661689SQ20051000689
公开日2005年8月31日 申请日期2005年2月5日 优先权日2004年2月23日
发明者服部一博, 大川秀一, 诹访孝裕, 日比干晴 申请人:Tdk股份有限公司