专利名称：磁记录头的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种磁记录头，更具体地说，涉及一种具有能够减小天线效应的磁极结构的磁记录头。
背景技术：
正在开展一种垂直磁记录方法的研究以在增加磁信息记录区域中的存储密度。在垂直磁记录方法中，磁化(magnetization)被定向为垂直于盘的表面以增加存储密度，与一般的纵向磁记录方法中的不同。
在磁记录方法中，错误信息可以被记录在记录介质上或是先前存储在记录介质上的信息可以由于天线效应而删除。天线效应是一种现象，其中外部磁场被引入到记录头并且一个不期望的磁场集中于该记录头的一特定部分，例如，在头的前端(leading end)上。这样的外部磁场是一种杂散场，常产生于具有磁路的致动机构和用于驱动该致动机构的音圈电机中。由于记录头尖端非常小，所以在对外部磁场非常敏感的垂直记录方法中，天线效应可能成为一个严重的问题。
韩国专利文献No.10-2002-0041578公开了一种被构造成减小天线效应的磁记录头。所公开的磁记录头包括一磁屏蔽层，具有一接近记录介质表面的前端。该磁屏蔽层使引入到磁记录头中的外部磁场分散，以防止该外部磁场集中在写入极(writing pole)和返回极(retu pole)上，从而减小天线效应。有一些其它传统的方法，其通过去掉返回极或隔开写入极与返回极，减小天线效应。
然而，传统的减小天线效应的方法除了需要制造头的工艺，还需要执行一个形成减小天线效应的结构的工艺，因此，制造此记录头的制造工艺复杂，增加了制造时间和成本。
而且，由于传统方法只考虑了外部磁场对写入部分的影响，所以它们不能减小在读取部分中产生的天线效应。
发明内容
本发明提供了一种磁记录头，此记录头具有能够减小天线效应而不用增加一个单独工艺到头制造工艺中的磁极结构。
本发明同样提供了一个磁记录头，此记录头能减小在写入部分和读取部分产生的天线效应。
根据本发明的一个方面，提供了一种磁记录头，包括一返回极、与返回极间隔了一预定距离的一写入极、在写入极上形成一磁场的一感应写入线圈、和与写入极形成在同一平面的一写入极屏蔽。
通过参考附图详细描述本发明的实施例，本发明的上述和其它的特征和优势将变得更清楚，其中图1是基于本发明一个实施例的磁记录头的透视图，所示为该磁记录头的写入部分的垂直截面；图2是图1中A部分的放大图；图3是图1所示磁记录头的写入极和写入极屏蔽(writing pole shield)的示意平面图；图4是基于本发明另一实施例的磁记录头的透视图，所示为该磁记录头写入部分和读取部分的垂直截面；图5是图4所示磁记录头的顶屏蔽(top shield)和第二顶屏蔽(secondtop shield)的示意平面图。
图6是说明由外部磁场引起的在传统磁记录头写入极的磁场的分布的模拟图；图7所示为说明由外部磁场引起的在基于本发明的磁记录头写入极的磁场的分布的模拟图；以及图8是通过电磁分析来比较当外部磁场施加到传统的磁记录头和基于本发明的磁记录头时在磁道方向所产生的磁场的曲线图。
具体实施例方式
下面将参考附图更充分地描述本发明，其中将示出一些本发明的优选实施例。虽然在这些本发明的优选实施例中所说明的是垂直磁记录头，但本发明也可适用于纵向磁记录头。在全部附图中，相同的标号指相同的部分。
图1是基于本发明一个实施例的磁记录头的透视图，所示为该磁记录头的写入部分的垂直截面。图2是图1中A部分的放大图。图3是图1所示磁记录头的写入极和写入极屏蔽的示意平面图。
参考图1至图3，磁记录头10被安装在一致动机构(未示出)的前端，随所述致动机构的枢转运动而移动到记录介质上的期望的位置，从而写和读信息。
磁记录头10包括形成向着记录介质的漏磁通的一写入极11、一返回极14、和用于电流供应路径的一感应写入线圈16。图3中标号19表示一外部磁场，标号20表示被分散并穿过写入极屏蔽17的一外部磁场。
返回极14通过连接件13被机械地连接到写入极11，并与写入极11间隔一预定距离。写入极11形成穿过前端部分12的漏磁通，并在一信息存储介质(未示出)上记录信息，其中记录层形成于一软磁层上。
此外，磁记录头10包括与写入极11形成在同一平面上的写入极屏蔽17。记录屏蔽17分散外部磁场，以减小产生于写入极11的天线效应。具体地说，如果产生在硬盘驱动器(HDD)外或产生在安装在硬盘驱动器内的音圈电机(VCM)中的外部磁场被传递到磁记录头10，此外部磁场将被分散到写入极屏蔽17和写入极11。因此，该外部磁场被防止集中于写入极11，从而减小在写入极11中产生的天线效应。
由于写入极屏蔽17和写入极11在结构上彼此隔开一预定距离，因此，大部分的外部磁场从旁路绕过写入极11到达写入极屏蔽17，只有一小部分外部磁场穿过写入极11。因此，写入极11中外部磁场的强度被大大减弱，从而进一步减小写入极11中的天线效应。
在此，优选地，写入极屏蔽17的断面积大于写入极11的断面积，并且写入极屏蔽17是磁体。这样，写入极屏蔽17的的磁场分散进一步增加，因而写入极11中的天线效应可以进一步减小。
如上所述，优选地，写入极屏蔽17与写入极11形成在同一平面并和写入极11采用同样的材料制造。因此，由于写入极屏蔽17能与写入极11同时被制造，天线效应能得到减小而不用增加一个单独的工艺到制造磁记录头的工艺中。
同时，基于本实施例，返回极屏蔽可以与返回极形成在同一平面。类似于写入极屏蔽17，返回极屏蔽分散所传递到返回极14的外部磁场以减小返回极14中的天线效应。
优选地，返回极屏蔽与返回极14隔开一预定距离。优选地，返回极屏蔽的断面积大于返回极14的断面积，并且返回极屏蔽是一磁体。返回极屏蔽可以与返回极14同时制造。返回极屏蔽可以与返回极14采用同样的材料制造。
图4是基于本发明另一实施例的磁记录头的透视图，所示为该磁记录头写入部分和读取部分的垂直截面。图5是图4所示磁记录头的顶屏蔽和第二顶屏蔽的示意平面图。尽管顶屏蔽和底屏蔽(bottom shield)如图5所示，但底屏蔽和第二底屏蔽(second bottom shield)形状相同。
参考图4和图5，磁记录头10包括一返回极14、一写入极11、一感应写入线圈16、一读传感器21，一顶屏蔽22和一底屏蔽24。
写入极11与返回极14间隔一预定距离，感应写入线圈16感生一将形成在写入极11中的磁场。读传感器21与返回极14间隔一预定距离，且读取存储在记录介质(未示出)上的信息。顶屏蔽22和底屏蔽24分别与读传感器21的顶和底面间隔一预定距离。当读传感器21读取信息时，由于顶屏蔽22与底屏蔽24，读传感器21不影响与将被读的部分不同的记录介质的其它部分，从而保证精确的读取过程。
本实施例中，第二顶屏蔽26可以设置在与顶屏蔽22相同的平面上，或者第二底屏蔽可以设置在与底屏蔽24相同的平面上。作为选择，第二顶屏蔽26和第二底屏蔽27分别设置在顶屏蔽22和底屏蔽24上。在此，优选地写入极屏蔽17与写入极11形成在同一平面。
如上所述，写入极屏蔽17分散外部磁场，以减小写入极11中的天线效应。类似于写入极屏蔽17，第二顶屏蔽26和/或第二底屏蔽26分散传递到顶屏蔽22和底屏蔽24的外部磁场，以减小顶屏蔽22和底屏蔽24中的天线效应。具体地说，如果产生在HDD外或产生在安装在HDD内的VCM中的外部磁场被传递到磁记录头10，此外部磁场将被分散到第二顶屏蔽26和/或第二底屏蔽27与顶屏蔽22和/或底屏蔽24。因此，外部磁场被防止集中于顶屏蔽22和/或底屏蔽24，以减小产生在顶屏蔽22和底屏蔽24中的天线效应。
在此，由于第二顶屏蔽26和/或第二底屏蔽27与顶屏蔽22和/或底屏蔽24在结构上彼此隔开一预定距离，因此，大部分的外部磁场穿过第二顶屏蔽26和/或第二底屏蔽27，一小部分外部磁场穿过顶屏蔽22和底屏蔽24。因此，写入极11中外部磁场的强度进一步减弱，从而进一步减小写入极11中的天线效应。
在此，优选地，第二顶屏蔽26和第二底屏蔽27的断面积分别大于顶屏蔽22和底屏蔽24的断面积。优选地，第二顶屏蔽26和第二底屏蔽27是磁体。如上所述，第二顶屏蔽26和第二底屏蔽27分别与顶屏蔽22和底屏蔽24形成在同一平面。优选地，第二顶屏蔽26和第二底屏蔽27分别与顶屏蔽22和底屏蔽24采用同样的材料制造。因此，由于第二顶屏蔽26和第二底屏蔽27能与顶屏蔽22和底屏蔽24同时制造，天线效应能得到减小而不用增加一个单独的工艺到制造磁记录头的工艺中。这样，第二顶屏蔽26和第二底屏蔽27的磁场的分散进一步增加，因而顶屏蔽22和底屏蔽24中的天线效应进一步减小。
图6是说明由外部磁场引起的在传统磁记录头写入极的磁场的分布的模拟图。图7所示为说明由外部磁场引起的在基于本发明的磁记录头写入极的磁场的分布的模拟图参考图6，由于外部磁场作用，传统磁记录头的写入极周围形成了一个磁场，且磁通量大大增强。此被增强的磁通量影响了记录介质，导致先前的记录格式(pattern)被删除或记录不期望的格式。
参考图7，由于外部磁场作用，本发明的磁记录头的写入极周围很少形成磁场。一个弱磁场形成在写入极周围。如上所述，外部磁场被向着写入极和写入极屏蔽分散，这样，外部磁场很少影响写入极，略微影响写入极屏蔽，从而极大地减小了写入极中的天线效应。
图8是通过电磁分析来比较当外部磁场施加到传统的磁记录头和基于本发明的磁记录头时在磁道方向所产生的磁场的曲线图。在图中，No Side表示传统磁记录头的曲线图，Side表示本发明的磁记录头的曲线图。曲线图的横轴表示面对磁盘的磁记录头前端的距离，纵轴表示磁场在记录头相应每个距离的强度。也就是说，一个返回极形成在0到3微米的范围，一个写入极形成在5.5到6.5微米的范围。
参考图8，在本发明的磁记录头的返回极和写入极的磁场强度小于在传统磁记录头的返回极和写入极的磁场强度。也就是说，由于本发明的磁记录头包括与写入极形成在同一平面的写入极屏蔽和与返回极形成在同一平面的返回极屏蔽，所以它比传统的磁记录头能更多地减小在各极中产生的天线效应。
虽然图6和8说明了在写入极上进行测试的结果，但在返回极和写入极上也可以得到同样的结果。
在上述构造的本发明的磁记录头中，由于写入极与写入极屏蔽形成在同一平面上以分散外部磁场，因而在写入极中产生的天线效应能够被减小。
由于返回极屏蔽与返回极形成在同一平面上以分散外部磁场，因而在返回极中产生的天线效应能够被减小。
此外，由于第二顶屏蔽和/或第二底屏蔽形成在与顶屏蔽和/或底屏蔽相同的平面上以分散外部磁场，因而在顶屏蔽和/或底屏蔽中产生的的天线效应能够被减小。
此外，在磁记录头的制造工艺中，由于写入极屏蔽、返回极屏蔽、第二顶屏蔽和/或第二底屏蔽能够分别与写入极、返回极、顶屏蔽和/或底屏蔽同时制造，所以在每个极中产生的天线效应能被减小而不用增加一个单独的工艺。
而且，由于磁记录头包括写入极屏蔽、第二顶屏蔽和/或第二底屏蔽，所以不仅在写入极中而且在顶屏蔽和/或第二底屏蔽中产生的天线效应能被减小。
尽管参考本发明的特定实施方式对本发明进行了上述图示和描述，但本领域技术人员应当理解，在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明进行形式和细节上的各种修改。
权利要求
1.一种磁记录头，其包括一返回极；一写入极，其与所述返回极间隔一预定距离；一磁感应写入线圈，其在所述写入极上形成一磁场；和一写入极屏蔽，其与所述写入极形成在同一平面上。
2.如权利要求1所述的磁记录头，其中，所述磁记录头以一种垂直的磁记录方法工作。
3.如权利要求1所述的磁记录头，其中，所述写入极屏蔽与所述写入极隔开一预定距离。
4.如权利要求1所述的磁记录头，其中，所述写入极屏蔽的断面积大于所述写入极的断面积。
5.如权利要求1所述的磁记录头，其中，所述写入极屏蔽是一磁体。
6.如权利要求1所述的磁记录头，其中，所述写入极屏蔽与所述写入极被同时制造。
7.如权利要求1所述，其中，所述写入极屏蔽与所述写入极由相同的材料制成。
8.一种磁记录头，其包括一写入极；一返回极，其与所述写入极间隔一预定距离；一磁感应写入线圈，其在所述写入极上形成一磁场；和一返回极屏蔽，其与所述返回极形成在同一平面上。
9.如权利要求8所述的磁记录头，其中，还包括与所述写入极形成在同一平面的一写入极屏蔽。
10.如权利要求8所述的磁记录头，其中，所述磁记录头是一种垂直的磁记录头。
11.如权利要求8所述的磁记录头，其中，所述返回极屏蔽与所述返回极隔开一预定距离。
12.如权利要求8所述的磁记录头，其中，所述返回极屏蔽的断面积大于所述返回极的断面积。
13.如权利要求8所述的磁记录头，其中，所述返回极屏蔽是一磁体。
14.如权利要求8所述的磁记录头，其中，所述返回极屏蔽与所述返回极被同时制造。
15.如权利要求8所述的磁记录头，其中，所述返回极屏蔽与所述返回极由相同材料制成。
16.一种磁记录头包括一返回极；一写入极，其与所述返回极间隔一预定距离；一磁感应写入线圈，其在所述写入极上形成一磁场；一读传感器，其与所述返回极间隔一预定距离；和顶屏蔽和底屏蔽，其分别与所述读传感器的顶面和底面间隔一预定距离，其中，一第二屏蔽与所述顶屏蔽和底屏蔽中的至少一个形成在同一平面。
17.如权利要求16所述的磁记录头，其中，一第二顶屏蔽与所述顶屏蔽形成在同一平面，一第二底屏蔽与所述底屏蔽形成在同一平面。
18.如权利要求16所述的磁记录头，其中，所述第二屏蔽与所述顶屏蔽或所述底屏蔽间隔一预定距离。
19.如权利要求16所述的磁记录头，其中，所述第二屏蔽的断面积大于所述顶屏蔽或所述底屏蔽的断面积。
20.如权利要求16所述的磁记录头，其中，所述第二屏蔽是一磁体。
21.如权利要求16所述的磁记录头，其中，所述第二屏蔽与所述顶屏蔽或所述底屏蔽被同时制造。
22.如权利要求16所述的磁记录头，其中，所述第二屏蔽与所述顶屏蔽或所述底屏蔽由相同的材料制成。
23.如权利要求16所述的磁记录头，其中，所述磁记录头是一种垂直的磁记录头。
24.如权利要求16所述的磁记录头，其中，还包括与所述返回极形成在同一平面的一返回极屏蔽。
25.如权利要求16所述的磁记录头，其中，还包括与所述写入极形成在同一平面的一写入极屏蔽。
26.如权利要求16所述的磁记录头，其中，还包括与所述返回极形成在同一平面的一返回极屏蔽和与所述写入极形成在同一平面的一写入极屏蔽。
全文摘要
提供了一种磁记录头，包括一返回极、与返回极间隔一预定距离的一写入极、在写入极上形成磁场的一感应写入线圈、和与写入极形成在同一平面的一写入极屏蔽。
文档编号G11B5/11GK1776810SQ200510091959
公开日2006年5月24日 申请日期2005年8月15日 优先权日2004年11月15日
发明者李厚山, 任暎勋, 金庸洙 申请人:三星电子株式会社