专利名称：磁头的制作方法
技术领域：
本发明涉及磁头，更确切地，涉及高度抵抗外部电磁波的磁头。
背景技术：
磁头的读取元件易于被静电损伤，所以在生产磁头的过程中要保护
读取元件免受静电的影响。在图12A中示出了用于GMR(巨磁阻)型读取 元件5的防静电措施(抗静电方法)的概要；在图12B中示出了用于 TMR(穿隧磁电阻)型读取元件6的防静电措施的概要。在GMR型读取元 件5的情况下，端子5a和5b电连接到下屏蔽物(shield) 7和上屏蔽物8， 屏蔽物7和8通过电阻10接地于基板4。另一方面，在TMR型读取元 件6的情况下，下屏蔽物7和上屏蔽物8通过电阻10接地于基板4。在 各图中，写入元件的下磁极9设置在读取元件5或6的上侧。
图IIA是从端子侧看到的GMR型磁头的图，图IIB是沿着图11A 中示出的A-A线截取的剖视图。在图11A中，读取头形成在写入头18 的下方。
从读取元件5延伸的电极5a和5b通过上屏蔽物8、下磁极9、以及 配线lla和llb连接到端子12a和12b，使得读取头连接到端子12a和12b。 在写入头18中，用于记录数据的线圈19通过配线14a和14b连接到端 子15a和15b。
防静电电阻10形成在下屏蔽物7和上屏蔽物8的后表面上。即，电 阻10形成在屏蔽物7和8沿磁头的高度方向的上侧表面上。电阻10具 有高电阻值，因而不会严重地影响读取元件的特性。如图11A所示，电 阻10呈曲折状(meandered),从而可延长并获得所需的电阻值。
另外，在TMR型磁头中，我们发现，读取元件的特性受到特定频带 的外部电磁波的严重影响。
如上所述，向元件中添加电阻，用以保护磁头免受静电的影响。电
阻为例如由钽制成的金属薄膜，电阻必须具有几百微米Oim)的长度。为 了在有限的空间中形成具有规定长度的电阻，电阻IO从该电阻连接到基 板的连接点处向右和向左分支，并如图IIA所示呈曲折状。
通过采用曲折状电阻IO，当电阻10接收到外部电磁波时，电阻IO 产生噪声，从而严重地影响了读取元件的特性。
专利文献1 第2000-113417号日本专利特开
专利文献2 第9-63019号日本专利特开平
发明内容
构思出本发明以解决这些问题。
本发明的目的是提供一种磁头，在该磁头中，读取元件的特性不会 受到外部电磁波的严重影响，并且该磁头高度抵抗外部电磁波。 为了实现该目的，本发明具有以下结构。
艮P,本发明的磁头包括写入头；读取头，具有读取元件，该读取 元件通过电阻接地于基板；和电磁波屏蔽层，遮住(cover over)其中形 成有所述电阻的电阻区域。
在该磁头中，读取头可具有上屏蔽物和下屏蔽物，并且在上屏蔽物 和下屏蔽物中的至少一个上可形成有用作电磁波屏蔽层的屏蔽图案；在 分层方向上，所述电阻可设置在下屏蔽物和基板之间，或者设置在下屏 蔽物和上屏蔽物之间。采用这些结构，可屏蔽外部电磁波对所述电阻的 影响，并可防止产生噪声，从而可提高磁头的可靠性。
在该磁头中，所述电阻在分层方向上可设置在下屏蔽物和基板之间， 电磁波屏蔽层可与构成读取头和写入头的磁层分开并且在所述分层方向 上形成在电阻和下屏蔽物之间；所述电阻在分层方向上可设置在下屏蔽 物和基板之间，电磁波屏蔽层可与构成读取头和写入头的磁层分开并且 在分层方向上形成在电阻和基板之间。采用这些结构，也可屏蔽外部电 磁波对所述电阻的影响，并且磁头可高度抵抗外部电磁波。
在该磁头中，所述电阻在分层方向上可设置在下屏蔽物和上屏蔽物
之间，电磁波屏蔽层可与构成读取头和写入头的磁层分幵并且形成在上 屏蔽物的上侧；所述电阻在分层方向上可设置在下屏蔽物和上屏蔽物之
间，电磁波屏蔽层可与构成读取头和写入头的磁层分开并且形成在写入 头的上侧。采用这些结构，也可屏蔽外部电磁波对所述电阻的影响，并 且磁头可高度抵抗外部电磁波。
此外，在该磁头中，所述电阻在分层方向上可设置在下屏蔽物和上 屏蔽物之间，电磁波屏蔽层的对可与构成读取头和写入头的磁层分开并
且形成在下屏蔽物和基板之间以及上屏蔽物的上侧；所述电阻在分层方 向上可设置在下屏蔽物和上屏蔽物之间，电磁波屏蔽层的对可与构成读 取头和写入头的磁层分开并且形成在下屏蔽物和基板之间以及写入头的 上侧。采用这些结构，磁头可高度抵抗外部电磁波。
在本发明的磁头中，电磁波屏蔽层被形成为遮住电阻区域，在该电 阻区域中形成有用于保护读取元件免受静电影响的电阻，从而可屏蔽外 部电磁波对该电阻的影响。因此，可防止在该电阻中产生噪声，可防止 读取元件的劣化，可提高磁头的可靠性，以及可使磁头的特性稳定化。
现在将通过示例并参照附图来描述本发明的实施例，在附图中
图1A是第一实施例的磁头的端视图1B是沿着图1A中示出的A-A线截取的剖视图2A是第二实施例的磁头的端视图2B是沿着图2A中示出的A-A线截取的剖视图3A是第三实施例的磁头的端视图3B是沿着图3A中示出的A-A线截取的剖视图4A是第四实施例的磁头的端视图4B是沿着图4A中示出的A-A线截取的剖视图5A是第五实施例的磁头的端视图5B是沿着图5A中示出的A-A线截取的剖视图6A是第六实施例的磁头的端视图；图6B是沿着图6A中示出的A-A线截取的剖视图7A是第七实施例的磁头的端视图7B是沿着图7A中示出的A-A线截取的剖视图8A是第八实施例的磁头的端视图8B是沿着图8A中示出的A-A线截取的剖视图9A是第九实施例的磁头的端视图9B是沿着图9A中示出的A-A线截取的剖视图IOA是第十实施例的磁头的端视图10B是沿着图IOA中示出的A-A线截取的剖视图IIA是传统磁头的端视图IIB是沿着图IIA中示出的A-A线截取的剖视图； 图12A和图12B是防静电方法的说明图13是头滑件的立体图；以及
图14是传统磁盘驱动单元的平面图。
具体实施例方式
现在，将参照附图详细描述本发明的优选实施例。 (第一实施例)
在图1A和图1B中示出了第一实施例的磁头。图1A是磁头的端视 图，图1B是沿着图1A中示出的A-A线截取的剖视图。要注意，其他实 施例也是参照磁头的端视图和沿着A-A线截取的剖视图进行说明的。
在第一实施例中，磁头20是GMR型磁头，其基本结构与图11A和 图11B中示出的传统磁头相同。即，读取头的读取元件5夹在下屏蔽物7 和上屏蔽物8之间。电极5a和5b连接到读取元件5的侧表面，电极5a 和5b朝着后侧延伸，电极5a通过配线lla与端子12a连接，电极5b通 过配线llb与端子12b连接。要注意，在图1A和图1B中，表面"B" 是气浮(air bearing)面。要注意，在本说明书中，词语"后侧"是指沿高 度方向的上侧或隔着表面"B"与记录介质的表面相对的一侧。
写入头18包括用于写入数据的线圈19和下磁极9。线圈19通过配
线14a和14b连接到端子15a和15b。
如图IB所示，防静电电阻10在分层方向上形成在基板4 (其由 Al2OrTiO制成)和下屏蔽物7之间而在高度方向上形成在上部(后部)。 电阻10的一端连接到下屏蔽物7,电阻10的另一端接地于基板4。
第一实施例的特征在于，下屏蔽物7在高度方向和宽度方向上延伸， 从而利用屏蔽图案7a覆盖了其中形成有电阻10的电阻区域(平坦区域)。
电阻10具有规定的电阻值并通过溅射由金属材料(例如钜)制成。 将光刻胶(resist)图案形成在基板4上，以形成曲折状电阻，然后溅射 金属材料(例如钽)，以形成具有规定电阻值的曲折状电阻IO。下屏蔽物 7、上屏蔽物8和下磁极9通过电阻10接地于基板4，从而可保护读取元 件5免受静电的影响。
如图1A和图IB所示，其中形成有电阻10的电阻区域覆盖有屏蔽 图案7a。因此，即使外部电磁波作用于磁头20，屏蔽图案7a也可屏蔽电 阻10使其免受电磁波的影响，从而可保护读取元件5免受电磁波的影响。
下屏蔽物7由磁性材料(例如NiFe)制成，并通过电解镀形成。当 构图形成下屏蔽物7时，将具有屏蔽图案7a的下屏蔽物7形成为使屏蔽 图案7a与下屏蔽物7成为一体。换言之，形成了具有屏蔽图案7a的下屏 蔽物7，所述屏蔽图案7a担当电磁波屏蔽层。当然，包括屏蔽图案7a的 整个下屏蔽物7也屏蔽外部电磁波。
(第二实施例)
在图2A和图2B中示出了第二实施例的磁头。第二实施例的磁头的 基本结构与第一实施例相同。要注意，对在第一实施例中说明的结构元
件分配相同的标号，并将省略对其的说明。
第二实施例的特征在于，上屏蔽物8在高度方向和宽度方向上延伸， 从而利用屏蔽图案8a (其担当电磁波屏蔽层)覆盖其中形成有电阻10的 电阻区域。
电阻10形成在下屏蔽物7和上屏蔽物8之间，而在高度方向上，电 阻10在该区域的上部呈曲折状。下屏蔽物7、上屏蔽物8和下磁极9通 过电阻10电连接到并接地于基板4，从而可保护读取元件5免受静电的影响。
由于上屏蔽物8具有屏蔽图案8a，屏蔽图案8a遮住(cover over) 包括电阻10的电阻区域，所以可通过屏蔽图案8a来屏蔽作用于磁头20 的外部电磁波。因此，可防止由外部电磁波在电阻10中产生噪声，并可 保护读取元件5免受外部电磁波的影响。
上屏蔽物8为例如由NiFe制成的磁性膜，并具有规定的厚度。例如 可通过电解镀形成上屏蔽物8。可在形成上屏蔽物8的工序中同时对屏蔽 图案8a进行构图。
(第三实施例)
在图3A和图3B中示出了第三实施例的磁头。第三实施例的磁头的 基本结构与前面的实施例的相同。要注意，对在前面的实施例中说明的 结构元件分配相同的标号，并将省略对其的说明。
第三实施例的特征在于，下屏蔽物7和上屏蔽物8在高度方向和宽 度方向上延伸，从而利用屏蔽图案7a和屏蔽图案8a两者覆盖其中形成 有电阻10的电阻区域。
电阻10在分层方向上形成在下屏蔽物7和上屏蔽物8之间，并且电 阻10与第二实施例一样地呈曲折状。
在第三实施例中，电阻10夹在下屏蔽物7的屏蔽图案7a和上屏蔽 物8的屏蔽图案8a之间。采用该结构，可在电阻10的两侧屏蔽作用于 磁头20的外部电磁波，从而与前面的实施例相比，第三实施例的磁头的 抗性(resistance property)可提高得更多。
在形成下屏蔽物7和上屏蔽物8的工序中，可通过电解镀等同时形 成屏蔽图案7a和8a。因此，可使用形成下屏蔽物7和上屏蔽物8的传统 工艺而无需改变步骤。
(第四实施例)
在图4A和图4B中示出了第四实施例的磁头。第四实施例的磁头的 基本结构与前面的实施例相同。要注意，对在前面的实施例中说明的结 构元件分配相同的标号，并将省略对其的说明。
第四实施例的特征在于，与第一实施例一样，屏蔽图案7a形成在下 屏蔽物7中。在第一实施例中，电阻10在分层方向上形成在基板4和下 屏蔽物7之间。另一方面，在第三实施例中，电阻10形成在下屏蔽物7 和上屏蔽物8之间。
由于在基板4上形成膜的工序中形成了电阻10，所以电阻10可形 成在基板4和下屏蔽物7之间，或者形成在下屏蔽物7和上屏蔽物8之 间。
同样在本实施例中，下屏蔽物7的屏蔽图案7a遮住电阻10。因此， 可屏蔽作用于磁头20的外部电磁波对电阻10的影响，可防止在电阻10 中产生噪声，并可防止读取元件5的劣化。
(第五实施例)
在图5A和图5B中示出了第五实施例的磁头。图5A是磁头的端视 图，图5B是沿着在图5A中示出的A-A线截取的剖视图。
第五实施例的特征在于，在(靠近气浮面"B"的)下屏蔽物7的下侧 形成有电磁波屏蔽层16，所述电磁波屏蔽层16与下屏蔽物7分立地形成。
读取头和写入头的结构与前面的实施例的相同。如图5B所示，防静 电电阻10的一端连接到下屏蔽物7，另一端接地于基板4。与前面的实 施例一样，下屏蔽物7、上屏蔽物8和下磁级9按防静电方法电连接。
在基板4上，电磁波屏蔽层1 6在分层方向上形成在电阻10和下屏 蔽物7之间。由于电磁波屏蔽层16与下屏蔽物7分别形成，所以电磁波 屏蔽层16可延伸超出电阻10，直至到达气浮面"B"。在图5A和图5B 中，电磁波屏蔽层16遮住电阻10，并靠近气浮面"B"延伸。电磁波屏 蔽层16 —定不要电短接至下屏蔽物7。
电磁波屏蔽层16的材料不限于磁性材料。它可由能够屏蔽电磁波的 任何材料制成。可通过膜形成工艺(例如电镀、溅射)在基板4上形成 电磁波屏蔽层16。
在本实施例的磁头20中，电磁波屏蔽层16至少遮住其中形成有电 阻10的电阻区域。采用该结构，可屏蔽作用于电阻10的外部电磁波， 并可防止由外部电磁波造成的读取元件5的特性的劣化。
通过利用电磁波屏蔽层16覆盖其中形成有读取头并包括有电阻10
的宽区域，可屏蔽外部电磁波对整个磁头20的影响。
(第六实施例)
在图6A和图6B中示出了第六实施例的磁头。第六实施例的磁头的 基本结构与前面的实施例相同。要注意，对在前面的实施例中说明的结
构元件分配相同的标号，并将省略对其的说明。
第六实施例的特征在于，与第五实施例一样，电磁波屏蔽层16形成 在下屏蔽物7的下方。在第五实施例中，电磁波屏蔽层16在分层方向上 形成在电阻10和下屏蔽物7之间；在第六实施例中，电磁波屏蔽层16 形成在基板4和电阻10之间。
与第五实施例一样，电磁波屏蔽层16遮住其中形成有电阻10的电 阻区域，并靠近气浮面"B"延伸。
同样在本实施例中，由电磁波屏蔽层16屏蔽外部电磁波对电阻10 的影响，从而，可保护读取元件5免受外部电磁波的影响。
(第七实施例)
在图7A和图7B中示出了第七实施例的磁头。第七实施例的磁头的 基本结构与前面的实施例相同。要注意，对在前面的实施例中说明的结
构元件分配相同的标号，并将省略对其的说明。
第七实施例的特征在于，如图7B所示，电磁波屏蔽层16形成在上 屏蔽物8和下磁极9之间。防静电电阻10在下屏蔽物7和上屏蔽物8的 上侧表面上夹在屏蔽物7和8之间。下屏蔽物7、上屏蔽物8和下磁极9 通过电阻10接地于基板4。要注意，电阻10的布置与图11A和图11B 中示出的传统布置相同。
如图7A所示，电磁波屏蔽层16被形成为覆盖并屏蔽其中形成有电 阻10的电阻区域，并靠近气浮面"B"延伸。因此，可屏蔽外部电磁波 对电阻10的影响，并可保护读取头免受外部电磁波的影响。
(第八实施例)
在图8A和图8B中示出了第八实施例的磁头。第八实施例的磁头的 基本结构与前面的实施例相同。要注意，对在前面的实施例中说明的结 构元件分配相同的标号，并将省略对其的说明。
第八实施例的特征在于，如图8B所示，电磁波屏蔽层16在分层方 向上形成在写入头的上方。与第七实施例一样地形成防静电电阻10。
如图8A所示，电磁波屏蔽层16遮住其中形成有电阻10的电阻区域， 从而屏蔽该电阻区域。此外，电磁波屏蔽层16靠近气浮面"B"延伸从 而进行屏蔽。
采用该结构，电磁波屏蔽层16不仅能够屏蔽并保护电阻10而且还 能够屏蔽并保护磁头20的读取头和写入头免受外部电磁波的影响。 (第九实施例)
在图9A和图9B中示出了第九实施例的磁头。第九实施例的磁头的 基本结构与前面的实施例相同。要注意，对在前面的实施例中说明的结 构元件分配相同的标号，并将省略对其的说明。
第九实施例的特征在于，在分层方向上，电磁波屏蔽层16a形成在 基板4和下屏蔽物7之间，电磁波屏蔽层16b形成在上屏蔽物8和下磁 极9之间。g卩，将第六实施例和第七实施例的电磁波屏蔽层16进行了组 合。与第八实施例一样地形成防静电电阻IO。
在本实施例中，电阻10夹在电磁波屏蔽层16a和16b之间。与具有 单个屏蔽层16的磁头相比，可进一步改进对电阻10和读取头屏蔽外部 电磁波的功能。
(第十实施例)
在图IOA和图10B中示出了第十实施例的磁头。第十实施例的磁头 的基本结构与前面的实施例相同。要注意，对在前面的实施例中说明的 结构元件分配相同的标号，并将省略对其的说明。
第十实施例的特征在于，电磁波屏蔽层16a形成在基板4和下屏蔽 物7之间，电磁波屏蔽层16c形成在写入头的上方。g卩，将第六实施例 和第八实施例的电磁波屏蔽层16进行了组合。与第九实施例一样地形成 防静电电阻IO。
在本实施例中，磁头20的读取头和写入头在其中形成有电阻10的 电阻区域中夹在电磁波屏蔽层16a和16c之间。与具有单个屏蔽层16的 磁头相比，可进一步改进对电阻10、读取头和写入头屏蔽外部电磁波的功能。
要注意，在上述实施例中，磁头具有GMR型读取元件，但不限于 这种类型的读取元件。例如，可将所述屏蔽图案和电磁波屏蔽层类似地
应用于具有TMR型读取元件的磁头，以提高磁头对电磁波的抗性。
在上述实施例中，读取头的上屏蔽物8和写入头的下磁极9是分立 形成的，但是本发明可应用于上屏蔽物8不仅用作上屏蔽物也用作下磁 极的磁头。上述实施例的磁头是水平磁记录头，但是写入头的类型不受 限制。本发明还可应用于垂直磁记录头。此外，磁头的整个结构不限于 上述实施例。 (头滑件)
通过在基板4上形成膜、蚀刻这些膜等形成各实施例的磁头20，将 磁头20组装在图13中示出的头滑件(head slider)30中。图13是滑件30 的立体图。浮轨32a和32b (形成其用于使头滑件30从磁记录盘的表面 浮起)沿着滑件体31的边缘形成在面向磁记录盘的头滑件30的气浮面 上。包括读取头和写入头的磁头20设置在头滑件30的前端侧(气流的下 游侧)并面向磁记录盘53。通过保护膜34保护磁头20。
在图14中示出了其中附有头滑件30的磁盘驱动单元。磁盘驱动单 元50具有盒形外壳51和磁记录盘53，磁记录盘53容纳在外壳51中， 并且主轴电动机52使其旋转。滑架臂(carriage arm)54设置在磁记录盘53 附近，并能够平行地转到磁记录盘53的表面。头悬架(head suspension)55 附于滑架臂54的前端，并从滑架臂54延伸。头滑件30附于头悬架55 的前端。头滑件30附于头悬架55的面向磁记录盘53的表面的表面。
头滑件30被头悬架55弹性地压到磁盘53的表面上。因此，头滑件 30在停止磁盘53的旋转的同时接触磁盘53的表面。当主轴电动机52使 磁记录盘53旋转时，由于磁记录盘53的旋转而产生的气流使头滑件30 从磁记录盘53的表面浮起。然后，致动器56进行查找行为，使得滑架 臂54转动而移至规定的位置，磁头20能够将数据记录在磁记录盘53中 并从磁记录盘53再现数据。
本发明可以以其它特定形式被实施而不脱离本发明实质特征的精神。因此，出现的这些实施例在所有方面被视为是例示性的，而非限制 性的，由所附权利要求而非前面的描述来指示本发明的范围，因此，旨 在将落入权利要求等同物的意思和范围之内的所有改变包含在本发明的
范围内。
权利要求
1、一种磁头，该磁头包括写入头；读取头，具有读取元件，所述读取元件通过电阻接地于基板；和电磁波屏蔽层，遮住其中形成有所述电阻的电阻区域。
2、 根据权利要求l所述的磁头，其中，所述读取头具有上屏蔽物和下屏蔽物，并且 在所述上屏蔽物和所述下屏蔽物中的至少一个上形成有屏蔽图案， 所述屏蔽图案用作所述电磁波屏蔽层。
3、 根据权利要求2所述的磁头，其中，所述电阻在分层方向上设置在所述下屏蔽物和所述基板之间。
4、 根据权利要求3所述的磁头，其中，所述电阻在所述分层方向上设置在所述下屏蔽物和所述上屏 蔽物之间。
5、 根据权利要求1所述的磁头，其中，所述电阻在分层方向上设置在所述下屏蔽物和所述基板之间，并且所述电磁波屏蔽层与构成所述读取头和所述写入头的磁层分开，并 且在所述分层方向上形成在所述电阻和所述下屏蔽物之间。
6、 根据权利要求l所述的磁头，其中，所述电阻在分层方向上设置在所述下屏蔽物和所述基板之间，并且所述电磁波屏蔽层与构成所述读取头和所述写入头的磁层分开，并 且在所述分层方向上形成在所述电阻和所述基板之间。
7、 根据权利要求1所述的磁头，其中，所述电阻在分层方向上设置在所述下屏蔽物和所述上屏蔽物 之间，并且所述电磁波屏蔽层与构成所述读取头和所述写入头的磁层分开，并 且形成在所述上屏蔽物的上侧。8、 根据权利要求l所述的磁头，其中，所述电阻在分层方向上设置在所述下屏蔽物和所述上屏蔽物 之间，并且所述电磁波屏蔽层与构成所述读取头和所述写入头的磁层分开，并 且形成在所述写入头的上侧。9、 根据权利要求l所述的磁头，其中，所述电阻在分层方向上设置在所述下屏蔽物和所述上屏蔽物 之间，并且一对所述电磁波屏蔽层与构成所述读取头和所述写入头的磁层分 开，并且形成在所述下屏蔽物和所述基板之间以及所述上屏蔽物的上侧。10、 根据权利要求1所述的磁头，其中，所述电阻在分层方向上设置在所述下屏蔽物和所述上屏蔽物 之间，并且一对所述电磁波屏蔽层与构成所述读取头和所述写入头的磁层分 开，并且形成在所述下屏蔽物和所述基板之间以及所述写入头的上侧。
全文摘要
本发明涉及磁头。在该磁头中，读取元件的特性不会受到外部电磁波的严重影响，并且磁头高度抵抗外部电磁波。该磁头包括写入头；读取头，具有读取元件，该读取元件通过电阻接地于基板；和电磁波屏蔽层，遮住其中形成有所述电阻的电阻区域。
文档编号G11B5/39GK101097717SQ20061014271
公开日2008年1月2日 申请日期2006年10月30日 优先权日2006年6月27日
发明者小野隆英, 青木知佳 申请人:富士通株式会社