专利名称：储存装置与其电路组件交换方法
技术领域：
本发明有关于一种储存装置与其电路组件交换方法，尤指一种可以利用具有 伸縮弹性的互连方式来将一存储器控制单元中的一特定数量的存储体选择端平均 地分散耦接于多个存储器模块中每一存储器模块的多个芯片使能端的储存装置与 其电路组件交换方法。
背景技术：
请参考图1，图1所绘示的为传统使用多个非易失性存储器模块 (non-volatile memory module)，例如多个NAND型闪存模块(NAND type flash memory module)的固态硬盘(solid state drive, SSD) 100的简化方块示意图。 如图1所示，固态硬盘100包含有一第一 NAND型闪存模块111、 一第二NAND型闪 存模块112、 一第三NAND型闪存模块113、 一第四NAND型闪存模块114、 一第五 NAND型闪存模块115、 一第六NAND型闪存模块116、 一第七NAND型闪存模块117、 一第八NAND型闪存模块118、以及一存储器控制集成电路(integrated circuit, IC) 120，其中，第一 NAND型闪存模块111、第二 NAND型闪存模块112、第三NAND 型闪存模块113、第四NAND型闪存模块114、第五NAND型闪存模块115、第六NAND 型闪存模块116、第七NAND型闪存模块117、以及第八NAND型闪存模块118都分 别包含有4个芯片使能(chip enable)端(未显示)。如果存储器控制集成电路 120具有32个存储体选择(bank selection)端(未显示)，那么在传统的固态 硬盘100中，其电路组件交换方法就会将存储器控制集成电路120的32个存储体 选择端分别耦接到第一 NAND型闪存模块111、第二 NAND型闪存模块112、第三NAND 型闪存模块113、第四NAND型闪存模块114、第五NAND型闪存模块115、第六NAND 型闪存模块H6、第七NAND型闪存模块117、以及第八NAND型闪存模块118各自 的4个芯片使能端。
然而，如果存储器控制集成电路120只具有16个存储体选择(bank selection)端(未显示)，那么在传统的固态硬盘100中，其电路组件交换方法就会将存储器
控制集成电路120的16个存储体选择端分别耦接到第一 NAND型闪存模块111、第 二 NAND型闪存模块112、第三NAND型闪存模块113、以及第四NAND型闪存模块 114各自的4个芯片使能端，所以在这个情况中很明显地，传统的固态硬盘100便 无法利用到第五NAND型闪存模块115、第六NAND型闪存模块116、第七N認D型闪 存模块117、以及第八NAND型闪存模块118，此外，在实际情况中，第一NAND型 闪存模块lll、第二 NAND型闪存模块112、第三NAND型闪存模块113、第四NAND 型闪存模块114、第五NAND型闪存模块115、第六NAND型闪存模块116、第七NAND 型闪存模块117、以及第八NAND型闪存模块118各自的4个芯片使能端中很可能 都只有其中1个芯片使能端有耦接到一 NAND型闪存模块(未显示)，而其余33 个芯片使能端则是暂时闲置，留待日后增加设置NAND型闪存模块数量时再使用， 这是因为很多固态硬盘的制造商会基于产品成本、市场需求以及日后产品线升级的 考量，所以上述的这种情况十分常见，而在这种情况中，上述传统的传统的固态硬 盘100与其电路组件交换方法就会使得在第一 N認D型闪存模块111、第二 NAND型 闪存模块112、第三NAND型闪存模块113、第四NAND型闪存模块114、第五NAND 型闪存模块115、第六N認D型闪存模块116、第七NAND型闪存模块117、以及第 八NAND型闪存模块118中只有第一 NAND型闪存模块111、第二 NAND型闪存模块 112、第三NAND型闪存模块113、以及第四NAND型闪存模块114各自的一 NAND型 闪存模块以被实际使用，亦即实际上传统的传统的固态硬盘100只有运用到存储器 控制集成电路120的16个存储体选择端其中的4个存储体选择端，而浪费了其余 的12个存储体选择端的运作效用(utility)，也使得传统的固态硬盘100无法利 用到第五NAND型闪存模块115、第六NAND型闪存模块116、第七NAND型闪存模块 117、以及第八NAND型闪存模块118各自的一 NAND型闪存模块因此，很明显地， 前述传统的固态硬盘100与其电路组件交换方法已经无法在目前众多不同的产品 设计架构中发挥最大的储存容量(maximum storage capacity)。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的之一在于提供一种可以利用具 伸縮弹性的互连方 式来将一存储器控制单元中的一特定数量的存储体选择端平均地分散耦接于多个存储器模块中每一存储器模块的多个芯片使能端的储存装置与其电路组件交换方 法，以解决上述的问题。
依据本发明的权利要求，其揭露一种储存装置，该储存装置包含有多个存储 器模块、 一存储器控制单元、以及一交换器(switch)模块，其中，该多个存储器 模块中每一存储器模块包含有多个芯片使能(chip enable)端；该存储器控制单 元包含有多个存储体选择(bank selection)端；以及该交换器模块耦接于该多个 存储器模块与该存储器控制单元之间，并且用于将该特定数量的存储体选择端分散 地耦接于该多个存储器模块中的每一存储器模块的该多个芯片使能端。其中，该多 个存储器模块包含有多个NAND型闪存模块以及该储存装置包含有一固态硬盘。
依据本发明的权利要求，其另揭露一种应用于一储存装置的电路组件交换方 法，该储存装置包含有多个存储器模块，且该多个存储器模块中每一存储器模块包 含有多个芯片使能端，该电路组件交换方法包含有提供一存储器控制单元，其包 含有一特定数量的存储体选择端；以及将该存储器控制单元中的该特定数量的存储 体选择端分散地耦接于该多个存储器模块中的每一存储器模块的该多个芯片使能 端。其中，该多个存储器模块包含有多个NAND型闪存模块以及该储存装置包含有 一固态硬盘。
图1所绘示的为传统的固态硬盘(solid state drive, SSD)的简化方块示意图。
图2所绘示的为本发明一实施例的固态硬盘的简化方块示意图。
图3所绘示的为本发明一实施例的固态硬盘搭配使用本发明一第一实施例的 电路组件交换方法的简化方块示意图。
图4所绘示的为本发明一实施例的固态硬盘搭配使用本发明第一实施例的电 路组件交换方法的简化方块示意图。
图5所绘示的为本发明一实施例的固态硬盘搭配使用本发明第一实施例的电 路组件交换方法的简化方块示意图。
图6所绘示的为本发明一实施例的固态硬盘搭配使用本发明一第二实施例的 电路组件交换方法的简化方块示意图。图7所绘示的为本发明一实施例的固态硬盘搭配使用本发明第二实施例的电 路组件交换方法的简化方块示意图。
图8所绘示的为本发明一实施例的固态硬盘搭配使用本发明第二实施例的电 路组件交换方法的简化方块示意图。
图9所绘示的为依据本发明一实施例的固态硬盘的运作方式来概述本发明的
应用于一储存装置的电路组件交换方法的流程示意图。
具体实施例方式
在本说明书以及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的组件，而所属领 域中具有通常知识者应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个组 件，本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在 功能上的差异来作为区分的准则，在通篇说明书及后续的请求项当中所提及的"包 含有"为一开放式的用语，故应解释成"包含有但不限定于"，此外，"耦接"一 词在此是包含有任何直接及间接的电气连接手段，因此，若文中描述一第一装置耦 接于一第二装置，则代表该第一装置可以直接电气连接于该第二装置，或透过其它 装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。
本发明有关于一种可以利用具有伸縮弹性的互连方式来将一存储器控制单元 中的一特定数量的存储体选择端平均地分散耦接于多个存储器模块中每一存储器 模块的多个芯片使能端的储存装置与其电路组件交换方法，并且本说明书将会举例 说明一些关于应用本发明的储存装置与其电路组件交换方法的实施例，但是在相关 技术领域中具有通常知识者应该能了解到本发明可以应用于其它各种相似类型的 储存装置中，而并不局限于以下的说明中所提供的特定实施例或是实现这些特定实 施例的技术特征的特定方法。
一般而言，本发明所揭露的电路组件交换方法可以应用于任何种类的储存装
置，在本说明书中揭露一种应用于包含有多个NAND型闪存模块NANNAND type flash memory module)的一固态硬盘(solid state drive, SSD)的电路组件交换方法， 但这只是用于举例说明，而不是本发明的限制条件。此外，在不影响本发明技术揭 露的状况下，本说明书中将利用包含有八个NAND型闪存模块的一固态硬盘作为一 个例子来说明本发明所揭露的储存装置与其电路组件交换方法。请参考图2，图2所绘示的为本发明一实施例的固态硬盘200的简化方块示意 图。如图2所示，固态硬盘200包含有一第一NAND型闪存模块211、 一第二 NAND 型闪存模块212、 一第三N認D型闪存模块213、 一第四NAND型闪存模块214、 一 第五NAND型闪存模块215、 一第六NAND型闪存模块216、 一第七NAND型闪存模块 217、 一第八NAND型闪存模块218、 一存储器控制集成电路(integrated circuit, IC) 220、以及一交换器(switch)模块230，其中，第一 NAND型闪存模块211、 第二 NAND型闪存模块212、第三NAND型闪存模块213、第四NAND型闪存模块214、 第五NAND型闪存模块215、第六NAND型闪存模块216、第七NAND型闪存模块217、 以及第八NAND型闪存模块218都分别包含有4个芯片使能(chip enable)端CEO、 CE1、 CE2、以及CE3，而交换器模块230可以包含有一个或多个交换器单元(未显 示)。如果存储器控制集成电路220具有8个存储体选择(bank selection)端 BO、 Bl、 B2、 B3、 B4、 B5、 B6、以及B7，那么在本发明一第一实施例的电路组件 交换方法中，就会利用固态硬盘200中的交换器模块230来将存储器控制集成电路 220的8个存储体选择端B0、 Bl、 B2、 B3、 B4、 B5、 B6、以及B7平均地分散耦接 于第一 NAND型闪存模块211、第二N認D型闪存模块212、第三NAND型闪存模块 213、第四NAND型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、第六NAND型闪存模 块216、第七NAND型闪存模块217、以及第八NAND型闪存模块218各自的芯片使 能端CEO上，如此一来，当第一 NAND型闪存模块211、第二 NAND型闪存模块212、 第三NAND型闪存模块213、第四NAND型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、 第六NAND型闪存模块216、第七NAND型闪存模块217、以及第八NAND型闪存模块 218各自的4个芯片使能端CEO、 CE1、 CE2、以及CE3中只有1个芯片使能端CEO 有耦接到一 NAND型闪存模块(未显示)，而其余3个芯3个芯片使能端CE1、 CE2、 以及CE3则是暂时闲置时，本发明的固态硬盘200与第一实施例的电路组件交换方 法仅需要利用具有8个存储体选择端的存储器控制集成电路220以及交换器模块 230，就可以有效运用第一 NAND型闪存模块211、第二 NAND型闪存模块212、第三 NAND型闪存模块213、第四NAND型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、第 六NAND型闪存模块216、第七NAND型闪存模块217、以及第八NAND型闪存模块 218各自的一 NAND型闪存模块以发挥最大的最大的储存容量(maximum storage capacity)，而不像传统的固态硬盘与其闪存换方交换方法必须使用具有32个存
9储体选择端的存储器控制集成电路才能达到上述相同的储存容量。
同理，当第一NAND型闪存模块211、第二 N認D型闪存模块212、第三NAND 型闪存模块213、第四NAND型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、第六NAND 型闪存模块216、第七NAND型闪存模块217、以及第八NAND型闪存模块218各自 的4个芯片使能端CE0、 CE1、 CE2、以及CE3中只有2个芯片使能端CE0以及CE 有分别耦接到一 NAND型闪存模块未显示)，而其余2个芯2个芯片使能端CE2以 及CE3则是暂时闲置时，以此类推，本发明的固态硬盘200与第一实施例的电路组 件交换方法仅需要利用具有16个存储体选择端B0、 Bl、 B2、 B3、 B4、 B5、 B6、 B7、 B8、 B9、 BIO、 Bll、 B12、 B13、 B14、以及B15的存储器控制集成电路220以及交 换器模块230，就可以有效运用第一NAND型闪存模块211、第二 NAND型闪存模块 212、第三NAND型闪存模块213、第四NAND型闪存模块214、第五NAND型闪存模 块215、第六NAND型闪存模块216、第七NAND型闪存模块217、以及第八NAND型 闪存模块218各自的两个NAND型闪存模块以发挥最大的最大的储存容量，其中， 本发明第一实施例的电路组件交换方法利用固态硬盘200中的交换器模块230来将 存储器控制集成电路220的16个存储体选择端中的B0、 Bl、 B2、 B3、 B4、 B5、 B6、 以及B7先分别耦接于第一NAND型闪存模块211、第二 NAND型闪存模块212、第三 NAND型闪存模块213、第四NAND型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、第 六NAND型闪存模块216、第七NAND型闪存模块217、以及第八NAND型闪存模块 218各自的芯片使能端CEO上，然后再将存储器控制集成电路220的16个存储体 选择端中的B8、 B9、 BIO、 Bll、 B12、 B13、 B14、以及B15分别耦接于第一 N認D 型闪存模块211、第二 NAND型闪存模块212、第三NAND型闪存模块213、第四NAND 型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、第六NAND型闪存模块216、第七NAND 型闪存模块217、以及第八NAND型闪存模块218各自的芯片使能端CE1上，如图3 所示，图3所绘示的为本发明一实施例的固态硬盘200搭配使用本发明第一实施例 的电路组件交换方法的简化方块示意图。在此请注意，以上所述的实施例仅为举例 说明，并非本发明的限制条件，举例来说，当固态硬盘200仅包含有第一NAND型 闪存模块211、第二 N認D型闪存模块212、第三NAND型闪存模块213、以及第四 NAND型闪存模块214时，也都同样可以适用于本发明所揭露的技术内容。
接着，当第一NAND型闪存模块211、第二 NAND型闪存模块212、第三NAND型闪存模块213、第四NAND型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、第六NAND 型闪存模块216、第七NAND型闪存模块217、以及第八NAND型闪存模块218各自 的4个芯片使能端CE0、 CE1、 CE2、以及CE3中有3个芯片使能端CEO、 CE1、以及 CE2分别耦接到一 NAND型闪存模块(未显示)，而剩下的1个芯片使能端CE3则 是暂时闲置时，以此类推，本发明的固态硬盘200与第一实施例的电路组件交换方 法仅需要利用具有24个存储体选择端B0、 Bl、 B2、 B3、 B4、 B5、 B6、 B7、 B8、 B9、 BIO、 Bll、 B12、 B13、 B14、 B15、 B16、 B17、 B18、 B19、 B20、 B21、 B22、以及B23 的存储器控制集成电路220以及交换器模块230，就可以有效运用第一 NAND型闪 存模块211、第二NAND型闪存模块212、第三NAND型闪存模块213、第四NAND型 闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、第六NAND型闪存模块216、第七NAND 型闪存模块217、以及第八NAND型闪存模块218各自的三个NAND型闪存模块以发 挥最大的最大的储存容量，其中，本发明第一实施例的电路组件交换方法利用固态 硬盘200中的交换器模块230来将存储器控制集成电路220的24个存储体选择端 中的BO、 Bl、 B2、 B3、 B4、 B5、 B6、以及B7先分别耦接于第一 NAND型闪存模块 211、第二NAND型闪存模块212、第三NAND型闪存模块213、第四NAND型闪存模 块214、第五NAND型闪存模块215、第六NAND型闪存模块216、第七NAND型闪存 模块217、以及第八NAND型闪存模块218各自的芯片使能端CE0上，然后再将存 储器控制集成电路220的24个存储体选择端中的B8、 B9、 BIO、 Bll、 B12、 B13、 B14、以及B15分别耦接于第一NAND型闪存模块211、第二 NAND型闪存模块212、 第三NAND型闪存模块213、第四N認D型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、 第六NAND型闪存模块216、第七NAND型闪存模块217、以及第八NAND型闪存模块 218各自的芯片使能端CE1上，接着再将存储器控制集成电路220的24个存储体 选择端中的B16、 B17、 B18、 B19、 B20、 B21、 B22、以及B23分别耦接于第一 NAND 型闪存模块211、第二 NAND型闪存模块212、第三NAND型闪存模块213、第四NAND 型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、第六NAND型闪存模块216、第七NAND 型闪存模块217、以及第八NAND型闪存模块218各自的芯片使能端CE2上，如图4 所示，图4所绘示的为本发明一实施例的固态硬盘200搭配使用本发明第一实施例 的电路组件交换方法的简化方块示意图。在此请注意，以上所述的实施例仅为举例 说明，并非本发明的限制条件，举例来说，当固态硬盘200仅包含有第一NAND型闪存模块211、第二N腦D型闪存模块212、第三NAND型闪存模块213、第四NAND 型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、以及第六NAND型闪存模块216时，
也都同样适用于本发明所揭露的技术内容。
此外，当第一NAND型闪存模块211、第二 N認D型闪存模块212、第三NAND 型闪存模块213、第四NAND型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、第六NAND 型闪存模块216、第七NAND型闪存模块217、以及第八NAND型闪存模块218各自 的4个芯片使能端CE0、 CE1、 CE2、以及CE3都分别耦接到一 NAND型闪存模块(未 显示)时，以此类推，本发明的固态硬盘200与第一实施例的电路组件交换方法可 以利用具有32个存储体选择端B0、 Bl、 B2、 B3、 B4、 B5、 B6、 B7、 B8、 B9、 BIO、 Bll、 B12、 B13、 B14、 B15、 B16、 B17、 B18、 B19、 B20、 B21、 B22、 B23、 B24、 B25、 B26、 B27、 B28、 B29、 B30、以及B31的存储器控制集成电路220以及交换器模块 230，来有效运用第一 NAND型闪存模块211、第二 NAND型闪存模块212、第三NAND 型闪存模块213、第四NAND型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、第六NAND 型闪存模块216、第七NAND型闪存模块217、以及第八N認D型闪存模块218各自 的四个NAND型闪存模块以发挥最大的储存容量，其中，本发明第一实施例的电路 组件交换方法利用固态硬盘200中的交换器模块230来将存储器控制集成电路220 的32个存储体选择端中的B0、 Bl、 B2、 B3、 B4、 B5、 B6、以及B7先分别耦接于 第一 NAND型闪存模块211、第二 NAND型闪存模块212、第三NAND型闪存模块213、 第四NAND型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、第六NAND型闪存模块216、 第七NAND型闪存模块217、以及第八NAND型闪存模块218各自的芯片使能端CEO 上，然后再将存储器控制集成电路220的32个存储体选择端中的B8、 B9、 BIO、 Bll、 B12、 B13、 B14、以及B15分别耦接于第一 NAND型闪存模块211、第二 N認D 型闪存模块212、第三NAND型闪存模块213、第四NAND型闪存模块214、第五NAND 型闪存模块215、第六NAND型闪存模块216、第七NAND型闪存模块217、以及第 八NAND型闪存模块218各自的芯片使能端CE1上，接着再将存储器控制集成电路 220的32个存储体选择端中的B16、 B17、 B18、 B19、 B20、 B21、 B22、以及B23 分别耦接于第一 NAND型闪存模块211、第二 NAND型闪存模块212、第三NAND型闪 存模块213、第四NAND型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、第六NAND型 闪存模块216、第七NAND型闪存模块217、以及第八NAND型闪存模块218各自的芯片使能端CE2上，最后再将存储器控制集成电路220的32个存储体选择端中的 B24、 B25、 B26、 B27、 B28、 B29、 B30、以及B31分别耦接于第一 NAND型闪存模块 211、第二 NAND型闪存模块212、第三NAND型闪存模块213、第四NAND型闪存模 块214、第五NAND型闪存模块215、第六N認D型闪存模块216、第七NAND型闪存 模块217、以及第八NAND型闪存模块218各自的芯片使能端CE3上，如图5所示， 图5所绘示的为本发明一实施例的固态硬盘200搭配使用本发明第一实施例的电路 组件交换方法的简化方块示意图。在此请注意，以上所述的实施例仅为举例说明， 并非本发明的限制条件，举例来说，当第一 NAND型闪存模块211、第二NAND型闪 存模块212、第三NAND型闪存模块213、第四NAND型闪存模块214、第五NAND型 闪存模块215、第六NAND型闪存模块216、第七NAND型闪存模块217、以及第八 NAND型闪存模块218各自包含有更多数量的芯片使能端时，也都同样适用于本发 明所揭露的技术内容。
另一方面，与本发明第一实施例的电路组件交换方法类似，在本发明一第二 实施例的电路组件交换方法中，同样可以应用于图3中的固态硬盘200，所以关于 固态硬盘200的详细内容就不在此赘述，然而，本发明第二实施例的电路组件交换 方法是利用固态硬盘200中的交换器模块230来将存储器控制集成电路220的16 个存储体选择端中的BO以及Bl先分别耦接于第一 NAND型闪存模块211的芯片使 能端CEO以及CE1上，接着再依序将存储器控制集成电路220的16个存储体选择 端中的B2以及B3分别耦接于第二 NAND型闪存模块212的芯片使能端CEO以及CE1 上、将存储器控制集成电路220的16个存储体选择端中的B4以及B5分别耦接于 第三NAND型闪存模块213的芯片使能端CEO以及CE1上、将存储器控制集成电路 220的16个存储体选择端中的B6以及B7分别耦接于第四NAND型闪存模块214的 芯片使能端CEO以及CE1上、将存储器控制集成电路220的16个存储体选择端中 的B8以及B9分别耦接于第五NAND型闪存模块215的芯片使能端CEO以及CE1上、 将存储器控制集成电路220的16个存储体选择端中的BIO以及Bll分别耦接于第 六NAND型闪存模块216的芯片使能端CEO以及CE1上、将存储器控制集成电路220 的16个存储体选择端中的B12以及B13分别耦接于第七NAND型闪存模块217的芯 片使能端CEO以及CE1上、将存储器控制集成电路220的16个存储体选择端中的 B14以及B15分别耦接于第八NAND型闪存模块214的芯片使能端CEO以及CE1上，如图6所示，图6所绘示的系为本发明一实施例的固态硬盘200搭配使用本发明第 二实施例的电路组件交换方法的简化方块示意图。在此请注意，以上所述实施例仅 为举例说明，并非本发明的限制条件，举例来说，当固态硬盘200仅包含有第一 NAND型闪存模块211、第二NAND型闪存模块212、第三NAND型闪存模块213、以 及第四NAND型闪存模块214时，也都同样适用于本发明所揭露的技术内容。
接着，与本发明第一实施例的电路组件交换方法类似，在本发明第二实施例 的电路组件交换方法中，同样可以应用于图4中的固态硬盘200，所以关于固态硬 盘200的详细内容就不在此赘述，然而，本发明第二实施例的电路组件交换方法是 利用固态硬盘200中的交换器模块230来将存储器控制集成电路220的24个存储 体选择端中的BO、 Bl、以及B2先分别耦接于第一 NAND型闪存模块211的芯片使 能端CEO、 CE1、以及CE2上，接着再依序将存储器控制集成电路220的24个存储 体选择端中的B3、 B4、以及B5分别耦接于第二 NAND型闪存模块212的芯片使能 端CEO、 CE1、以及CE2上、将存储器控制集成电路220的24个存储体选择端中的 B6、 B7、以及B8分别耦接于第三NAND型闪存模块213的芯片使能端CEO、 CE1、 以及CE2上、将存储器控制集成电路220的24个存储体选择端中的B9、 BIO、以 及Bll分别耦接于第四NAND型闪存模块214的芯片使能端CEO、 CE1、以及CE2上、 将存储器控制集成电路220的24个存储体选择端中的B12、 B13、以及B14分别耦 接于第五NAND型闪存模块215的芯片使能端CE0、 CE1、以及CE2上、将存储器控 制集成电路220的24个存储体选择端中的B15、B16、以及B17分别耦接于第六NAND 型闪存模块216的芯片使能端CEO、 CE1、以及CE2上、将存储器控制集成电路220 的24个存储体选择端中的B18、 B19、以及B20分别耦接于第七NAND型闪存模块 217的芯片使能端CEO、 CE1、以及CE2上、将存储器控制集成电路220的24个存 储体选择端中的B21、 B22、以及B23分别耦接于第八NAND型闪存模块218的芯片 使能端CEO、 CE1、以及CE2上，如图7所示，图7所绘示的为本发明一实施例的 固态硬盘200搭配使用本发明第二实施例的电路组件交换方法的简化方块示意图。 在此请注意，以上所述实施例仅为举例说明，并非本发明的限制条件，举例来说， 当固态硬盘200仅包含有第一 NAND型闪存模块211、第二 NAND型闪存模块212、 第三NAND型闪存模块213、第四NAND型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、 以及第六N認D型闪存模块216时，也都同样适用于本发明所揭露的技术内容。
14此外，与本发明第一实施例的电路组件交换方法类似，在本发明第二实施例
的电路组件交换方法中，同样可以应用于图5中的固态硬盘200，所以关于固态硬 盘200的详细内容就不在此赘述，然而，本发明第二实施例的电路组件交换方法是 利用固态硬盘200中的交换器模块230来将存储器控制集成电路220的32个存储 体选择端中的BO、 Bl、 B2、以及B3先分别耦接于第一NAND型闪存模块211的芯 片使能端CEO、 CE1、 CE2、以及CE3上，接着再依序将存储器控制集成电路220的 32个存储体选择端中的B4、 B5、 B6、以及B7分别耦接于第二 NAND型闪存模块212 的芯片使能端CEO、 CE1、 CE2、以及CE3上、将存储器控制集成电路220的32个 存储体选择端中的B8、 B9、 BIO、以及Bll分别耦接于第三NAND型闪存模块213 的芯片使能端CEO、 CE1、 CE2、以及CE3上、将存储器控制集成电路220的32个 存储体选择端中的B12、 B13、 B14、以及B15分别耦接于第四NAND型闪存模块214 的芯片使能端CEO、 CE1、 CE2、以及CE3上、将存储器控制集成电路220的32个 存储体选择端中的B16、 B17、 B18、以及B19分别耦接于第五NAND型闪存模块215 的芯片使能端CEO、 CE1、 CE2、以及CE3上、将存储器控制集成电路220的32个 存储体选择端中的B20、 B21、 B22、以及B23分别耦接于第六NAND型闪存模块216 的芯片使能端CEO、 CE1、 CE2、以及CE3上、将存储器控制集成电路220的32个 存储体选择端中的B24、 B25、 B26、以及B27分别耦接于第七NAND型闪存模块217 的芯片使能端CEO、 CE1、 CE2、以及CE3上、将存储器控制集成电路220的32个 存储体选择端中的B28、 B29、 B30、以及B31分别耦接于第八NAND型闪存模块218 的芯片使能端CEO、 CE1、 CE2、以及CE3上，如图8所示，图8所绘示的为本发明 一实施例的固态硬盘200搭配使用本发明第二实施例的电路组件交换方法的简化 方块示意图。在此请注意，以上所述实施例仅为举例说明，并非本发明的限制条件， 举例来说，当第一 NAND型闪存模块211、第二 NAND型闪存模块212、第三NAND 型闪存模块213、第四NAND型闪存模块214、第五NAND型闪存模块215、第六NAND 型闪存模块216、第七NAND型闪存模块217、以及第八NAND型闪存模块218各自 具有更多数量的芯片使能端时，也都同样适用于本发明所揭露的技术内容。
无论如何，在本发明所揭露的技术内容中最重要的精神在于提供一种可以利 用具有伸縮弹性的互连方式来将一存储器控制单元中的一特定数量的存储体选择 端平均地分散耦接于多个存储器模块中每一存储器模块的多个芯片使能端的储存装置与其电路组件交换方法，所以熟习本项相关技艺者于阅读上述说明内容之后应 该可以轻易地了解不管使用何种方式或顺序，只要能将该特定数量的存储体选择端 平均地耦接于该多个存储器模块中的每一存储器模块的该多个芯片使能端，就应属 于本发明所揭露的权利要求。
请参考图5，图5所绘示的为依据本发明一实施例的固态硬盘200的运作方式 来概述本发明的应用于一储存装置的电路组件交换方法的流程示意图，其中该储存 装置包含有多个存储器模块(可以包含有非易失性存储器模块(non-volatile memory module)，例如NAND型闪存模块，且该多个存储器模块中每一存储器模块 包含有多个芯片致芯片使能端。假如大体上可以得到相同的结果，则流程中的步骤 不一定需要照图5所示的顺序来执行，也不一定需要是连续的，也就是说，这些步 骤之间可以插入其它的步骤。本发明的应用于该储存装置的电路组件交换方法包含 有下列步骤
步骤900:开始。
步骤910:提供一存储器控制单元，其包含有一特定数量的存储体选择端。 步骤920:以具有伸縮弹性的互连方式来将该存储器控制单元中的该特定数量
的存储体选择端平均地分散耦接于多个存储器模块中的每一存储器模块的多个芯 片使能端。
步骤930:结束。
此外，无论如何选择存储器模块的种类，只要该存储器模块具有两个或两个 以上的芯片使能端，本发明均可利用一种具有伸縮弹性交换的互连方式，以使得各 种不同的组合都可以适宜地对映并且互相连接。
综上所述，本发明所揭露的储存装置与其电路组件交换方法很明显地有能力
在目前众多不同的产品设计架构中发挥最大的储存容量(maximum storage capacity)，并且可以满足大部分固态硬盘的制造商基于产品成本、市场偏好的趋 势以及日后产品线升级的考量所产生的各种不同需求。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化 与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
权利要求
1.一种储存装置，其包含有多个存储器模块，该多个存储器模块中每一存储器模块包含有多个芯片使能端；一存储器控制单元，其包含有一特定数量的存储体选择端；以及一交换器模块，耦接于该多个存储器模块与该存储器控制单元之间，用于将该特定数量的存储体选择端分散地耦接于该多个存储器模块中的每一存储器模块的该多个芯片使能端。
2. 如权利要求1所述的储存装置，其特征在于，该交换器模块将该特定数量 的存储体选择端平均地分散耦接于该多个存储器模块中的每一存储器模块的该多 个芯片使能端。
3. 如权利要求1所述的储存装置，其特征在于，该交换器模块利用一具有伸 縮弹性的互连方式来将该特定数量的存储体选择端分散地耦接于该多个存储器模 块中的每一存储器模块的该多个芯片使能端。
4. 如权利要求1所述的储存装置，其特征在于，该存储器控制单元用于控制 该交换器模块来对于该多个存储器模块中的每一存储器模块进行一重新定位互连 操作。
5. 如权利要求1所述的储存装置，其特征在于，该多个存储器模块包含有多 个非易失性存储器模块。
6. 如权利要求5所述的储存装置，其特征在于，该多个非易失性存储器模块 包含有多个NAND型闪存模块。
7. 如权利要求1所述的储存装置，其特征在于，包含有一固态硬盘。
8. —种应用于一储存装置的电路组件交换方法，该储存装置包含有多个存储 器模块，且该多个存储器模块中每一存储器模块包含有多个芯片使能端，该电路组 件交换方法包含有.-提供一存储器控制单元，其包含有一特定数量的存储体选择端；以及 将该存储器控制单元中的该特定数量的存储体选择端分散地耦接于该多个存 储器模块中的每一存储器模块的该多个芯片使能端。
9. 如权利要求8所述的电路组件交换方法，其特征在于，将该存储器控制单 元中的该特定数量的存储体选择端分散地耦接于该多个存储器模块中的每一存储 器模块的该多个芯片使能端的步骤另包含有将该特定数量的存储体选择端平均地分散耦接于该多个存储器模块中的每一 存储器模块的该多个芯片使能端。
10. 如权利要求8所述的电路组件交换方法，其特征在于，将该存储器控制单 元中的该特定数量的存储体选择端分散地耦接于该多个存储器模块中的每一存储 器模块的该多个芯片使能端的步骤另包含有利用一具有伸縮弹性的互连方式来将该特定数量的存储体选择端分散地耦接 于该多个存储器模块中的每一存储器模块的该多个芯片使能端。
11. 如权利要求8所述的电路组件交换方法，其特征在于，另包含有 对于该多个存储器模块中的每一存储器模块进行一重新定位互连操作。
12. 如权利要求8所述的电路组件交换方法，其特征在于，该多个存储器模块 包含有多个非易失性存储器模块。
13. 如权利要求12所述的电路组件交换方法，其特征在于，该多个非易失性 存储器模块包含有多个NAND型闪存模块
14.如权利要求8所述的电路组件交换方法，其特征在于，该储存装置包含有 一固态硬盘。
全文摘要
本发明揭露一种储存装置与其电路组件交换方法，该储存装置包含有多个存储器模块，其中每一存储器模块包含有多个芯片使能端；一存储器控制单元，具有多个存储体选择端；以及一交换器模块，耦接于该多个存储器模块与该存储器控制单元间，用于将该多个存储体选择端分散地耦接于该多个存储器模块中各个存储器模块的多个芯片使能端。该电路组件交换方法包含有提供包含多个存储体选择端的一存储器控制单元；以及将该存储器控制单元中的多个存储体选择端分散地耦接于多个存储器模块中各存储器模块的多个芯片使能端。
文档编号G11C7/10GK101661793SQ200810214690
公开日2010年3月3日 申请日期2008年8月29日 优先权日2008年8月29日
发明者林俊贤, 陈慈升, 黄明宪 申请人:智微科技股份有限公司