短脉冲光源、激光发射方法、光学设备、光盘设备和光学拾取器的制作方法

专利名称：短脉冲光源、激光发射方法、光学设备、光盘设备和光学拾取器的制作方法
技术领域：
本发明涉及短脉冲光源、激光发射方法、光学设备、光盘设备和光学拾取器 (optical pickup)。例如，本发明优选地应用于利用光束来记录信息的光盘设备。
背景技术：
传统上，盘状光学信息记录介质被广泛用作光学信息记录介质，并且CD (致密 盘)、DVD(数字通用盘)、蓝光盘(注册商标，下面称为BD)等被普遍使用。另一方面，在与这种光学信息记录介质兼容的光盘设备中，诸如音乐内容和视频 内容之类的各种类型的内容或者诸如计算机的各种数据之类的各种类型的信息被记录在 光学信息记录介质上。特别地，近年来，由于更高清晰的图像以及更好声音质量的音乐而使 信息量不断增加，并且同样，需要增加要记录在光学信息记录介质上的内容片段的数目。需 要光学信息记录介质有更高的容量。因此，已提出了通过利用形成记录坑(recording pit)的材料制成的光学信息记 录介质来作为用于增大光学信息记录介质的容量的方法，记录坑是通过利用光来引起双光 子吸收反应而形成的，从而，信息被三维地记录在光学信息记录介质的厚度方向上(例如， 参见专利文献1)。专利文献1 日本未审查专利申请公报No. 2005-37658顺便提及，双光子吸收反应是仅在利用高强度光时发生的现象，因此，需要获得高 发射强度的光源被用作光源。以短脉冲方式输出激光的、诸如所谓的皮秒激光器或飞秒激 光器之类的短脉冲光源已被用作光源。例如，已知了钛蓝宝石激光器和YAG(钇铝石榴石) 激光器。然而，在这种短脉冲光源中，短脉冲的输出是通过设置在光发生器外面的光学组 件的操作来实现的。因此，短脉冲光源通常尺寸大并且价格高，因此，将其安装在光盘设备 中是不切实际的。这里，如果激光可以以脉冲方式直接从半导体激光器(其是通常用在光盘设备中 的小型光发生器)中输出，则无需在光发生器外面设置光学组件，并且可以显著地减小短 脉冲光源的大小。当假设激光可以以短脉冲方式从半导体激光器输出时，需要控制半导体 激光器以使得激光根据所施加的电压以所希望的短脉冲方式输出。

发明内容
本发明是鉴于上述方面而作出的，并且致力于提供能够自动地调节半导体激光器 的发射时段的激光发射方法和短脉冲光源，以及使用该短脉冲光源的光学设备、光盘设备 和光学拾取器。为了解决上述问题，根据本发明的短脉冲光源和光学设备被提供有半导体激光 器，其被配置为发射脉冲形状的激光；以及激光器控制单元，其被配置为当向半导体激光器施加具有脉冲形状的驱动电压脉冲的激光器驱动电压时，改变与驱动电压脉冲之间的间隔 相对应的电压周期。因此，在本发明中，可以自由地调节激光的输出周期。此外，在根据本发明的激光发射方法中，当通过向半导体激光器施加具有驱动电 压脉冲的激光器驱动电压来使半导体激光器发射脉冲形状的激光时，与脉冲形状的驱动电 压脉冲之间的间隔相对应的电压周期被改变。因此，在本发明中，可以自由地调节激光的输 出周期。此外，根据本发明的光盘设备和光学拾取器被提供有半导体激光器，其被配置为 发射脉冲形状的激光；照射单元，其被配置为利用激光照射光学信息记录介质；以及激光 器控制单元，其被配置为当向半导体激光器施加具有脉冲形状的驱动电压脉冲的激光器驱 动电压时，改变与驱动电压脉冲之间的间隔相对应的电压周期。因此，在本发明中，可以自由地调节激光的输出周期。根据本发明，可以实现能够改变与驱动电压的间隔相对应的电压周期并且自由地 调节半导体激光器的发射周期的激光发射方法和短脉冲光源，以及使用该短脉冲光源的光 学设备、关盘设备和光学拾取器。


图1是图示出根据第一实施例的短脉冲光源的配置的示意图。图2是图示出脉冲信号和激光驱动电压的示意图。图3是用于说明注入载流子密度与光子密度之间的关系的示意图。图4是用于说明注入载流子密度与载流子密度之间的关系的示意图。图5是用于说明注入载流子密度与光子密度之间的关系的示意图。图6是用于说明PTl处的光子密度的示意图。图7是用于说明PT2处的光子密度的示意图。图8是用于说明PT3处的光子密度的示意图。图9是图示出发射出的光的实际波形的示意图。图10是用于说明驱动电流和发射强度的示意图。图11是图示出光测量设备的配置的示意图。图12是图示出各个脉冲的形状的示意图。图13是图示出脉冲信号与驱动电压脉冲之间的关系的示意图。图14是图示出激光的电压和波形的示意图。图15是图示出当电压为8. 8 [V]时的激光的示意图。图16是图示出当电压为13. 2[V]时的激光的示意图。图17是图示出当电压为15. 6[V]时的激光的示意图。图18是图示出当电压为17. 8[V]时的激光的示意图。图19是图示出当电压为38. 4[V]时的激光的示意图。图20是用于说明BPF的效果的示意图。图21是用于说明BPF的效果的示意图。图22是图示出特定输出光的波形的示意图。
图23是用于说明设定脉冲以及激光的相位的示意图。图24是用于说明设定脉冲和激光的相移的示意图。图25是用于说明本发明的原理的示意图。图26是图示出根据第二实施例的短脉冲光源的示意图。图27是图示出发射间隔(emittion interval)检测单元的配置的示意图。图28是用于说明观察脉冲(observation pulse)的生成的流程图。图29是用于说明观察脉冲的生成的示意图。图30是图示出根据第二实施例的脉冲发生器的配置的示意图。图31是用于说明VCO控制电压的生成的示意图。图32是图示出光盘的配置的示意图。图33是图示出光盘设备的整体配置的示意图。图34是图示出光学拾取器的配置的示意图。图35是图示出伺服光学系统的光路径的示意图。图36是图示出信息光学系统的光路径的示意图。图37是图示出根据第三实施例的脉冲发生器的配置的示意图。图38是用于说明再现处理中的抵消设置的示意图。
具体实施例方式下面，将参考附图详细描述本发明的实施例。1.第一实施例(短脉冲光源的配置)2.第二实施例(用于在短脉冲光源中实现恒定发射间隔的控制)3.第三实施例(用于在光盘设备中实现任意发射间隔的控制)(1)第一实施例(1-1)短脉冲光源的配置在图1中，标号1表示根据本实施例的整体短脉冲光源。短脉冲光源1包括激光 器控制单元2和半导体激光器3。半导体激光器3是使用半导体发光的典型半导体激光器(例如，索尼公司制造的 SLD3233)。半导体激光器3被配置为在激光器控制单元2执行的控制下以脉冲方式输出激 光LL0激光器控制单元2包括脉冲发生器4和LD(激光二极管)驱动器5。如图2的部 分(A)所示，脉冲发生器4生成脉冲信号SL，并且将该脉冲信号SL提供给LD驱动器5，在 脉冲信号SL中，离散地生成了脉冲形状的所生成信号脉冲SLw。此时，脉冲发生器4例如根 据外面设备的控制来对所生成的信号脉冲SLw的信号电平进行控制。如图2的部分(B)所示，LD驱动器5利用预定放大系数来放大脉冲信号SL，以生 成激光器驱动电压DJ，并将激光器驱动电压DJ提供给半导体激光器3，在激光器驱动电压 DJ中，根据所生成的信号脉冲SLw生成了驱动电压脉冲DJw。此时，驱动电压脉冲DJw的电 压值是根据所生成信号脉冲SLw的信号电平来确定的。然后，半导体激光器3根据激光器驱动电压DJ来以脉冲方式输出激光LL。如上所述，短脉冲光源1被配置为根据激光器控制单元2执行的控制直接从半导
6体激光器3以脉冲方式输出激光LL。(1-2)在弛豫振荡(relaxation oscillation)模式中以脉冲方式输出激光下面的式子是表达出激光器的特性的所谓的速率方程式。这里，Γ表示束缚因 子，Tph表示光子寿命，Tph表示载流子寿命，Ts表示自发发射耦合系数，d表示有源层的 厚度，q表示元电荷，gmax表示最大增益，N表示载流子密度，S表示光子密度，J表示注入载 流子密度，c表示光速，Ntl表示空闲载流子(clearing carrier)密度，并且ng表示群折射 率(groupindex)。
图3和图4图示出了光子密度S和载流子密度N与从式(1)获得的注入载流子密 度J之间的关系。注意，在图3和图4中，是在如下假设下来进行计算的Γ =0.3，Ag = 3e-16[cm2]，Tph = Ie-12 [s]，τ s = le_9[s], Cs = 0· 03，d = 0· 1 [ μ m]，and q = 1. 6e,[C]。如图4所示，典型半导体激光器根据注入载流子密度J (即，激光器驱动电压DJ) 的增大而在预饱和点SI处开始发光，在该点时，载流子密度N刚好低于饱和状态的密度。此 外，如图3所示，半导体激光器根据注入载流子密度J的增大来增大光子密度S ( S卩，发射强 度)。此外，如与图3相对应的图5所示，可以明白，光子密度S随着注入载流子密度J的进 一步增大而进一步增大。在图5、6和7中，水平轴表示从在图5所示的点PT1、PT2和PT3处开始施加激光 器驱动电压DJ (即，注入载流子密度J)时起的时间，纵轴表示光子密度S。如图6所示，确定了 在表示施加了最高激光器驱动电压DJ的情况的点PTl处，光 子密度S的振幅由于驰豫振荡的大幅振荡而增大，并且用作振幅周期(即，从最小值到最小 值)的振荡周期ta较短，约60 [ps]。光子密度S的值在紧邻开始发射之后出现的第一波的 振幅处最大，在第二波、第三波等等中逐渐衰减，并且最终稳定。点PTl处的光子密度S的第一波的最大值约为3 X IO16,大约是稳定值(1 X IO16)的 三倍，稳定值是在光子密度S稳定时的值。这里，可以利用式(1)中的速率方程式来计算从开始施加激光驱动电压DJ到开始 发光的发射开始时间Td。即，当假设光子密度S = 0(由于振荡尚未开始)时，式(1)中最 上面的式子可以用下面的式子来表示。 这里，当假设载流子密度N为阈值Nth时，则发射开始时间τ d可用下面的式子来表不。

(3)注意 S卩，可以明白，发射开始时间τ d与注入载流子密度J成反比。在图6所示的点PTl处，根据式(3)，发射开始时间τ d被计算为约200 [ps]。在 点PTl处，施加了具有大电压值的激光器驱动电压DJ，并且因此发射开始时间τ d短。如图7所示，在所施加的激光器驱动电压DJ的值比点PTl处的小的点PT2处，发 生了明确的驰豫振荡，但是振荡的振幅比点PTl处的小并且振荡周期ta较长，约100 [ps]。 此外，在点PT2处，发射开始时间τ d约为400 [ps]，比点PTl处的长。点PT2处的光子密度 S的第一波的最大值约为8X1015，大约是稳定值(约4X1015)的两倍。如图8所示，可确定在所施加的激光器驱动电压DJ的值比点PT2处的小的点PT3 处，驰豫振荡难以发生，并且发射开始时间Td相对长，约为l[ns]。点PT3处的光子密度S 的最大值几乎与稳定值相同，约为1.2X1015。在典型的激光器光源中，通过向半导体激光器施加满足使得驰豫振荡难以发生 (如点PT3处)的条件(电压值)的较低激光器驱动电压DJ，来有意地降低紧邻开始发射 之后的发射强度差异，从而稳定地输出激光LL。下面，将半导体激光器3利用不产生驰豫振 荡的低电压来输出激光LL的模式称为正常模式，并将正常模式中的激光LL输出称为正常 输出光LNp。但是，在根据本实施例的短脉冲光源1中，引起了驰豫振荡，如点PTl和PT2处，从 而，激光的发射强度的瞬时最大值被增大为高于稳定值(例如，1.5倍或更大)。此外，可选 择大的值作为用于产生驰豫振荡的电压值(在下面，将其称为振荡电压值α)，因此，根据 大振荡电压值α，可以发射出具有高发射强度的激光。即，与现有技术相比，通过将具有振荡电压值α的激光器驱动电压DJ施加给相同 半导体激光器，可以显著地增大激光的发射强度。例如，在点PTI处，驰豫振荡的第一波的 光子密度S约为3Χ 1016，并且与表示施加传统电压值的情况的点ΡΤ3 (约1. 2 X IO15)相比， 半导体激光器3的发射强度可以增大二十倍或更多。图9图示出了当将较高激光器驱动电压DJ施加给典型的半导体激光器(索尼公 司制造的SLD3233VF)时实际测得的发射强度。从图中可确定，在图6和图7的光子密度 S中见到的驰豫振荡在发射强度中再现，并且类似的驰豫振荡实际上是作为发射强度出现 的。注意，图9图示出了当激光器驱动电压DJ以矩形脉冲方式被提供给半导体激光器时获 得的激光LL的波形。注意，以脉冲方式提供的激光器驱动电压DJ的部分在下面称为驱动 电压脉冲DJw。图10的部分㈧是与图7相对应的图。例如，如图10的部分⑶所示，短脉冲光 源1的激光器控制单元2向半导体激光器3提供具有足以引起驰豫振荡的振荡电压值α 1 的激光器驱动电压DJ，来作为驱动电压脉冲DJw。此时，激光器控制单元2将作为驱动电压 脉冲DJw的具有矩形脉冲的激光器驱动电压DJ施加如下时间，该时间是发射开始时间τ d 与振荡周期ta之和(Td+ta)。下面，将该时间称为电流波供给时间。
因此，如图10的部分(C)所示，激光器控制单元2可以使得半导体激光器3仅发 射基于驰豫振荡的第一波，并且可以使得半导体激光器3发射具有高发射强度的脉冲形状 的激光LL(在下面将其称为振荡输出光LMp)。此外，通过提供脉冲形状的驱动电压脉冲DJw，激光器控制单元2可以缩短施加具 有高电压值的激光器驱动电压DJ的时间，并且可以抑制由于半导体激光器3的过热等引起 的半导体激光器3的故障。另一方面，如图10的部分(D)所示，激光器控制单元2向半导体激光器3提供具 有振荡电压值α 2的驱动电压脉冲DJw，振荡电压值α 2足以引起驰豫振荡并且小于振荡电 压值α 1，从而，能够使得半导体激光器3发射具有较低发射强度的振荡输出光LMp。注意， 下面，将半导体激光器3产生驰豫振荡以便以脉冲方式输出激光LL的模式称为驰豫振荡模 式，其与不产生驰豫振荡的正常模式不同。如上所述，短脉冲光源1控制驱动电压脉冲DJw的电压值以产生激光LL中的驰豫 振荡，从而，能够在驰豫振荡模式中以脉冲方式输出激光LL。(1-3)在特定模式中以脉冲方式输出激光本申请的发明人发现，通过向半导体激光器3提供具有特定电压值β (其大于产 生激光LL中的驰豫振荡的振荡电压值α )的驱动电压脉冲DJw，可以从半导体激光器3以 脉冲方式输出具有比振荡输出光LMP的发射强度高的发射强度的激光LL。接下来，将给出关于如下实验的结果的描述其中，对在驱动电压脉冲DJw的电压 值被改变的情况中的激光LL的改变进行测量。图11图示出了对从短脉冲光源1发射出的激光LL进行分析的光测量设备11的配置。在光测量设备11中的短脉冲光源1中，从半导体激光器3发射出来的激光LL被 提供给准直仪透镜12。激光LL被准直仪透镜12从发散光被变换为平行光，并经由BPF(带通滤光片)13 进入聚光透镜15。注意，根据需要来设置或移除BPF 13。激光LL由聚光透镜15聚集，并 且随后由光样本示波器16 (由Hamamatsu Photonics K. K.制造的C8188-01)和光谱分析 器17(由ADC公司制造的Q8341)进行测量和分析。此外，将功率计14(由ADC公司制造的Q8230)设置在准直仪透镜12与聚光透镜 15之间，并且对激光LL的发射强度进行测量。如图12的部分(A)所示，在具有1.5[ns]脉冲宽度Ws的矩形设定脉冲SLs被设 置在脉冲发生器4中的情况中，从脉冲发生器4实际输出的脉冲信号SL具有图12的部分 (B)所示的波形。在此脉冲信号SL中，信号脉冲半宽度SLhalf约为1. 5 [ns]，其是根据设 定脉冲SLs出现的脉冲的一半宽(下面将其称为所生成信号脉冲SLw)。在图12的部分(B)所示的脉冲信号SL被输入的情况中，从LD驱动器5实际输出 的激光器驱动电压DJ具有图12的部分(C)所示的波形。在此激光器驱动电压DJ中，电压 脉冲半宽度Thalf (其是根据所生成信号脉冲SLw出现的脉冲的一半宽度，即，驱动电压脉 冲DJw)根据所生成信号脉冲SLw的信号电平在大约1. 5[ns]至1. 7[ns]的范围中改变。 图13图示出了所生成信号脉冲SLw的信号电平(最大电压值)与驱动电压脉冲 DJw中的电压脉冲半宽度Thalf之间的关系，以及此时所生成信号脉冲SLw的信号电平与驱动电压脉冲DJw中的最大电压值Vmax之间的关系。如从图13可以明白的，当输入到LD驱动器5中的所生成信号脉冲SLw的电压值增 大时，从LD驱动器5输出的驱动电压脉冲DJw的最大电压值Vmax增大。此外，可以明白， 当脉冲信号SL的电压值增大时，驱动电压脉冲DJw的电压脉冲半宽度Thalf逐渐增大。换言之，可以明白，即使在脉冲生成器4中设置了具有相同脉冲宽度的设定脉冲 SLs的情况中，当提供给LD驱动器5的所生成信号脉冲SLw的最大电压值改变时，从LD驱 动器5输出的驱动电压脉冲DJw的脉冲宽度和电压值也改变。图14的部分(A)和(B)图示出了通过利用光样本示波器16测量根据这种驱动电 压脉冲DJw输出的激光LL而获得的结果。注意，在图14中，表示时间的水平轴指示出相对 值，并且各个波形被错开以使得可以容易地看出波形的形状。注意，在此测量中未设置BPF 13。如图14的部分㈧所示，当驱动电压脉冲DJw的最大电压值Vmax为8. 8 [V]时， 看见了具有较大宽度的仅一个低输出波峰(在1550[ps]的时间附近)，并且在激光LL的波 形LTl中未看见驰豫振荡的振荡。即，波形LTl表示短脉冲光源1在正常模式中输出正常 输出光LNp。如图14的部分㈧所示，当驱动电压脉冲DJw的最大电压值Vmax为13. 2[V]时， 在激光LL的波形LT2中看见了由于驰豫振荡产生的多个波峰。即，波形LT2表示短脉冲光 源1在驰豫振荡模式中输出振荡输出光LMp。如图14的部分⑶所示，当驱动电压脉冲DJw的最大电压值Vmax为17. 8 [V]、 22.0[V],26.0[V]以及29. 2[V]时，在激光LL的波形LT3、LT4、LT5和LT6中看见了时间轴 方向的前面部分处(at the top)的波峰以及随着轻微振荡逐渐衰减的斜坡部分。激光LL的波形LT3、LT4、LT5和LT6在前面部分的波峰之后不再有高的波峰，并且 其形状与驰豫振荡模式中具有第一波之后的第二和第三波的波峰的波形LT2 (图14的部分 (A))明显不同。另外，虽然由于在测量中使用的光样本示波器16的分辨率大约为30[ps]或更多 因此未在每副图中示出，但是，从使用超高速扫描相机的实验可确定，前面部分处的波峰的 波峰宽度(半宽度)大约为10 [ps]。此外，据此，前面部分处的波峰的最大发射强度被示为 低于实际强度。这里，将在驱动电压脉冲DJw的最大电压值Vmax改变时，对激光LL执行进一步的 分析。图15至19图示出了利用光谱分析器17以相同方式对在驱动电压脉冲DJw的最 大电压值Vmax改变时获得的激光LL的发射强度进行测量而获得的结果。注意，图15至19 的部分(A)图示出了以波长为单位分解激光LL的结果，并且图15至19的部分(B)示出了 如图14那样在时间轴方向上分解激光LL的结果。另外，在此测量中未设置BPF 13。如图15的部分⑶所示，当驱动电压脉冲DJw的最大电压值Vmax为8. 8 [V]时，在 激光LL的波形LTll中仅看见了一个波峰。因此，该激光LL可被确定为正常模式中的正常 输出光LNp。此外，如图15的部分(A)所示，在其波谱STll中仅看见了在大约404[nm]处 的一个波峰。因此，可以明白，图15的部分(B)所示的波形LTll是基于具有大约404 [nm] 波长的激光LL的。
如图16的部分⑶所示，当驱动电压脉冲DJw的最大电压值Vmax为13. 2 [V]时， 在激光LL的波形LT12中看见了多个高的波峰。因此，该激光可被确定为驰豫振荡模式中 的振荡输出光LMp。此外，如图16的部分(A)所示，在其波谱ST12中看见了在约404[nm] 和约407[nm]处的两个波峰。因此，可以明白，图16的部分(B)所示的波形LT12是基于具 有约404 [nm]和约407 [nm]波长的激光LL的。如图17的部分⑶所示，当驱动电压脉冲DJw的最大电压值Vmax为15. 6 [V]时， 在激光LL的波形LT13中看见了在前面部分处的波峰以及逐渐衰减的斜坡部分。此时 ，如 图17的部分㈧所示，在波谱ST13中看见了在约404[nm]和约408[nm]处的两个波峰。在 波谱ST13中，在驰豫振荡模式中见到的在约406 [nm]处的波峰向较长波长侧位移了 2 [nm]。 此外，在398[nm]附近看到了微小的增大。如图18的部分⑶所示，当驱动电压脉冲DJw的最大电压值Vmax为17. 8 [V]时， 在激光LL的波形LT14中看见了在前面部分处的波峰以及逐渐衰减的斜坡部分。此外，如 图18的部分(A)所示，在其波谱ST14中看见了在约398 [nm]和约403 [nm]处的两个波峰。 在波谱ST14中，在约408[nm]处的波峰远低于波谱ST13中的(图17的部分(B))，但是在 398[nm]处看到了高的波峰。如图19的部分⑶所示，当驱动电压脉冲DJw的最大电压值Vmax为38. 4 [V]时， 在激光LL的波形LT15中明显地看到了在前面部分处的波峰以及逐渐衰减的斜坡部分。此 夕卜，如图19的部分(A)所示，在其波谱ST15中看见了在约398[nm]和约404[nm]处的两个 波峰。在波谱ST15中，与波谱ST14(图18的部分(B))相比，在约408[nm]处的波峰完全 消失，并且在大约398[nm]处看到了明确的波峰。因此，可确定，当半导体激光器3被提供有具有比振荡电压值α大的特定电压值 β (即，最大电压值Vmax)的驱动电压脉冲DJw时，短脉冲光源1输出具有与振荡输出光LMp 不同的波形和波长的激光LL。此外，发射开始时间τ d与从前面的速率方程式获得的式(3) 不匹配。这里，关注激光LL的波长。当最大电压值Vmax增大时，激光LL变为正常输出光 LNp (图15)并且再变为振荡输出光LMp (图16)。此外，其波长也从振荡输出光LMp的波形 进行改变。具体地，如图16所示，振荡输出光LMp除了具有在与正常输出光LNp的波长几乎 相同的波长处(在正常输出光LNp的波长的士2[nm]之内)的波峰以外，还具有在较长波 长侧上的离正常输出光LNp的波峰约3[nm](在3士2[nm]之内)的波峰。另一方面，图19所示的激光LL除了具有在与正常输出光LNp的波长几乎相同的 波长处(在正常输出光LNp的波长的士2[nm]之内)的波峰以外，还具有在较短波长侧上 的离正常输出光LNp的波峰约6 [nm](在6士2 [nm]之内)的波峰。下面，将这种激光LL称 为特定输出光LAp，并且将用于输出特定输出光LAp的半导体激光器3的模式称为特定模 式。这里，当将具有15.6[V]的最大电压值Vmax的激光LL(图17的部分(A))与 17. 8[V]的激光LL(图18的部分(A))相比较时，较长波长侧上的波峰不存在了，但是较短 波长侧上的波峰存在。即，在激光LL随着最大电压值Vmax的上升而从振荡输出光LMp改 变为特定输出光LAp的过程期间，较长波长侧上的波峰逐渐衰减，而较短波长侧上的波峰增大。下面，将较短波长侧上的波峰区域等于或大于较长波长侧上的波峰区域的激光LL 当作特定输出光LAp，并且将较短波长侧上的波峰区域小于较长波长侧上的波峰区域的LL 当作振荡输出光LMp。另外，在如图18中的两个波峰重叠的情况中，在较短波长侧上的离正 常输出光LNp的波长6[nm]的波长被当作中心波长，并且中心波长士3[nm]范围中的区域 被当作波峰区域。因此，具有15. 6 [V]的最大电压值Vmax的激光LL (图17)是振荡输出光LMp，并且 具有17. 8[V]的最大电压值Vmax的激光LL(图18)是特定输出光LAp。如图20所示，图示出了在设置和不设置BPF 13的情况中的特定模式中的激光LL 的波形LT16和LT17。注意，BPF 13被配置为降低406士5 [nm]的光的透射率。根据图20，在设置了 BPF 13的情况中的波形LT17中，与波形LT16相比而言几乎 看不到特定波峰APK的发射强度的改变，但是特定斜坡ASP的发射强度显著降低。即，可确 定，在特定模式中，特定斜坡ASP具有几乎与正常模式中相同的大约404[nm]的波长，并且 因此，由于BPF 13而被降低，而特定波峰APK具有大约398 [nm]的波长，因此不会由于BPF 13而被降低。图21图示出了与波形LT16和LT17相对应的波谱ST16和ST17。注意，波谱ST16 和ST17根据最大发射强度被归一化，并且垂直轴上的发射强度表示相对值。在波谱ST16中，根据波形LT16中具有大区域的特定斜坡ASP，在404 [nm]处的光 强度高于398 [nm]处的光强度。另一方面，在波谱ST17中，根据特定斜坡ASP，在404 [nm] 处的光强度基本上与398[nm]处的光强度相同。因此，可确定，在特定模式的激光LL中，特定斜坡ASP的波长约为404 [nm]，而特定 波峰APK的波长约为398 [nm]，即，特定波峰APK的波长短于特定斜坡ASP的波长。将根据上面来概述特定模式中的激光LL。当半导体激光器3被施加了具有比用于产生驰豫振荡的电压值大的特定电压值 β的激光器驱动电压DJ时，则转移到特定模式，并且发射特定输出光LAp，该特定输出光 LAp具有首先出现的特定波峰APK以及随后出现的特定斜坡ASP，如图22所示。与正常模式中的激光LL的波长相比，特定波峰APK的波长向较短波长侧位移了大 约6 [nm]。注意，在另一实验中，在使用正常模式中的激光LL的波长不同的半导体激光器的 情况中，获得了类似的结果。作为利用功率计14(由索尼公司制造的SLD3233被用作半导体激光器3)进行测 量的结果，可确定，该特定波峰APK的发射强度约为12 [W]，远高于驰豫振荡模式中的激光 LL的最大发射强度(大约1至2[W])。注意，由于光样本示波器16的分辨率较低，因此未 在图中示出该发射强度。此外，作为利用超高速扫描相机(未示出)进行分析的结果，可确定，特定波峰APK 具有约10[ps]的波峰宽度，其小于驰豫振荡模式中的波峰宽度(约30[ps])。注意，由于光 样本示波器16的分辨率较低，因此未在图中示出该波峰宽度。此外，在特定斜坡ASP中，其波长与正常模式中的激光LL的波长相同，并且最大发 射强度约为1至2[W]。实际上，短脉冲光源1的激光器控制单元2向半导体激光器3施加具有比振荡电
12压值α大的特定电压值的激光器驱动电压DJ，作为驱动电压脉冲DJw。因此，如图2 2所示，激光器控制单元2可以使半导体激光器3转移到特定模式并 且发射出具有非常高的特定波峰APK的特定输出光LAp，来作为激光LL。如上所述，短脉冲光源1控制脉冲发生器4以施加具有足以使半导体激光器3转 移到特定模式的电压值的驱动电压脉冲DJw，从而，能够从半导体激光器3输出特定输出光 LAp。(1-4)操作和效果 在上述配置中，短脉冲光源1执行控制以使得激光器驱动电压DJ中的驱动电压脉 冲DJw具有比振荡电压值α大的特定电压值β。因此，短脉冲光源1使半导体激光器3转 移到特定模式，从而能够发射出具有非常高发射强度的特定波峰APK的特定输出光LAp。此外，短脉冲光源1执行控制以使得驱动电压脉冲DJw具有振荡电压值α以便使 半导体激光器3转移到驰豫振荡模式，从而能够发射出具有相对高发射强度的第一波的波 峰的振荡输出光LMp。(2)第二实施例在图23至31所示的第二实施例中，与图1至22所示的第一实施例中的部分相对 应的部分用相同的标号来表示。第二实施例与第一实施例的不同之处在于与短脉冲光源 1相对应的短脉冲光源51校正激光器驱动电压DJ，以便以恒定间隔、以脉冲方式输出激光 LL而不管环境等的改变。(2-1)本发明的原理包括在短脉冲光源51中的与脉冲发生器4相对应的脉冲发生器54、LD驱动器5以 及半导体激光器3具有所谓的温度特性，其中，特性随着温度改变，并且该特定随着诸如周 围温度之类的环境因素以及发热而改变。这里，将从脉冲信号SL中的所生成信号脉冲SLw 的上升到特定波峰APK的最大值的时间定义为相位Φ。注意，在附图中，为了容易理解，相 位Φ大于实际相位。如图23所示，在脉冲发生器54生成具有所生成信号脉冲SLw和恒定设定周期TSa 的脉冲信号SL的情况中，如果相位Φ恒定，则短脉冲光源51可以以与恒定设定周期TSa 相同的恒定输出周期TLa来以脉冲方式输出特定输出光LAp。然而，如图24所示，当在相位Φ增大了变化量Δ φ的情况中由短脉冲光源51的 脉冲发生器54生成具有所生成信号脉冲SLw和恒定设定周期TSa的脉冲信号SL时，特定 波峰APK的输出延迟了变化量Δ φ，从而使得输出周期TL不能恒定。因此，在根据第二实施例的短脉冲光源51中，脉冲信号SL的设定周期TS被改变 以抵消相位Φ的变化量Δ φ (图25的部分(B))，如图25的部分(C)所示。具体地，短脉冲光源51的脉冲发生器54检测相位Φ，并且在相位Φ增大了变化 量Δ φ的情况中，使脉冲信号SL中的所生成信号脉冲SLw的上升沿提前Δ φ。另一方面， 在相位Φ减小了变化量Δ φ的情况中，脉冲发生器54将所生成信号脉冲SLw的上升延迟 Δ φ 0结果，如图25的部分⑶所示，与在脉冲信号SLw中一样，激光器驱动电压DJ中 的驱动电压脉冲DJw的电压周期TV被改变以抵消短脉冲光源51中的相位Φ。因此，短脉 冲光源51可从半导体激光器3以恒定输出周期TLa、以脉冲方式输出特定波峰APK。
另外，虽然已在图25中描述了以脉冲方式输出特定输出光LAp的情况，然而，这也 可适用于输出振荡输出光LMp的情况。注意，下面，将特定输出光LAp和振荡输出光LMp总 称为脉冲光。如上所述，在短脉冲光源51中，通过改变驱动电压脉冲DJw的电压周期TV来校正 激光器驱动电压DJ，以抵消由于环境等的改变而引起的相位Φ的变化，从而，可从半导体 激光器3以恒定输出周期TLa、以脉冲方式输出激光LL。(2-2)对发射间隔的控制如图26所示，短脉冲光源51与短脉冲光源1的不同之处在于与激光器控制单元 2相对应的激光器控制单元52具有发射间隔检测单元56和观察脉冲信号生成单元57，并 且与脉冲发生器4相对应的脉冲发生器54的配置不同。在短脉冲光源51中，发射间隔控制处理被执行，其中，从实际输出的激光LL中来 检测特定波峰APK或振荡输出光LMp中的第一波的波峰的发射间隔(即，输出周期TL)并 且生成使得输出周期TL恒定的脉冲信号SL。如图27所示，以预定比率透过并反射激光的波束分离器58使得从半导体激光器 3发射出的激光LL的一部分进入发射间隔检测单元56。发射间隔检测单元56将从脉冲发生器54提供来的脉冲信号SL提供给延迟单元 66。延迟单元66将该脉冲信号SL延迟预定时间以生成经延迟的脉冲信号SLd并将其提供 给超高速扫描相机67。超高速扫描相机67将经延迟的脉冲信号SLd的上升沿作为触发来执行超高速扫 描以捕获超高速扫描图像(streak image) 0这种超高速扫描图像不能保存在超高速相机 67中，因此捕获由高灵敏度相机68执行。高灵敏度相机68将所捕获的图像数据提供给图 像处理单元69。如图28所示，图像处理单元69开始发射间隔检测处理过程RT1，基于图像数据来 绘制如图29的部分(A)所示的表示激光LL的发射强度与时间之间的关系的观察激光RL， 随后移到下一步骤SP2。在步骤SP2，图像处理单元69从观察激光RL中提取最大亮点(bright spot)，移 到步骤SP3以计算作为先前最大亮点与此次检测到的最大亮点之间的亮点间隔的输出周 期TL，并且随后移到下一步骤SP4。在步骤SP4中，图形处理单元69将输出周期TL提供给 观察脉冲信号生成单元57，并且结束处理。观察脉冲信号生成单元57基于输出周期TL来生成在输出周期TL处上升的观察 脉序列RW(图29的部分(B))，并将其提供给脉冲发生器54。如图30所示，在脉冲发生器54中，表示刚才检测到的脉冲光的输出周期TL的观 察脉冲序列RW被提供给相位比较器61。如图31所示，相位比较器61将观察脉冲序列RW(图 31的部分(A))与电压相位信号VA(图31的部分(B))相比较。这里，电压相位信号VA是作为脉冲信号SL的基础的信号。即，电压相位信号VA 表示当前的脉冲信号SL的设定周期TS，即，当前激光器驱动电压DJ的电压周期TV。此外， 观察脉冲序列RW表示已经输出的脉冲光的周期，即，已经输出的脉冲光的输出周期TL。相位比较器61例如利用观察脉冲序列的上升沿作为触发来生成观察三角形波 RWt(图31的部分(C))。相位比较器61保持电压相位信号VA的上升沿定时处的观察三角形波RWt的值，并且将该值作为采样保持值提供给平滑滤波器62。S卩，相位比较器61将基于观察脉冲序列RW与电压相位信号VA之间的相位差AW 的值定义为采样保持值。这里，观察脉冲序列RW与电压相位信号VA被恒定地错开预定延 迟时间。因此，当相位差AW恒定时，采样保持值也总是恒定的。但是，当相位Φ从在观察 脉冲序列RW中假定的相位抵消时，观察脉冲序列RW与电压相位信号VA之间的相位差AW 发生变化，从而使得采样保持值改变。换言之，可以通过改变脉冲信号SL的频率来使观察脉冲序列RW (即，激光LL的输 出周期TL)基本上恒定，以使得相位差AW总是恒定的。因此，相位比较器61将采样保持值提供给平滑滤波器62。平滑滤波器62平滑该 采样保持值以生成VCO控制电压VC并将其提供给VC063。VCO 63生成具有根据VCO控制电压VC的频率的频率信号，并将其提供给二值化单 元64。此时，VCO 63根据相位差AW来改变频率信号的频率。该频率被预先设定以抵消相 位差Δ W。二值化单元64对频率信号进行二值化以生成电压相位信号VA，将其提供给相位 比较器61，并且还将其提供给脉冲宽度调节单元65。脉冲宽度调节单元65调节电压相位 信号VA的脉冲宽度并将其作为脉冲信号SL提供给LD驱动器5。LD驱动器5基于该脉冲信号SL生成激光器驱动电压DJ，并将其提供给半导体激 光器3。半导体激光器3被配置为根据该激光器驱动电压DJ以脉冲方式输出激光LL。S卩，在相位差AW由于相位Φ的增大而增大并且VCO控制电压VC具有大的值时， VCO 63增大频率信号的频率。结果，短脉冲光源51可以缩短电压相位信号VA的周期并且设置脉冲信号SL的小 的设定周期TS。因此，短脉冲光源51可以缩短激光器驱动电压DJ的电压周期TV，以使得 可以根据相位Φ的增大来使脉冲光的发射定时提前。此外，在相位差AW由于相位Φ的减小而减小并且VCO控制电压VC具有大的值 时，VCO 63降低频率信号的频率。结果，短脉冲光源51可以缩短电压相位信号VA的周期并且设置脉冲信号SL的大 的设定周期TS。因此，短脉冲光源51可以增大激光器驱动电压DJ的电压周期TV，以使得 可以根据相位Φ的减小来使脉冲光的发射定时延迟。以这种方式，短脉冲光源51调节激光器驱动电压DJ的电压周期TV以抵消相位Φ 的变化，从而，能够从半导体激光器3以恒定输出周期TLa发射脉冲光。(2-3)操作和效果在上述配置中，短脉冲光源51从半导体激光器3发射作为脉冲形状激光LL的脉 冲光，并且将基于脉冲信号SL生成的并且具有脉冲形状的驱动电压脉冲DJw的激光器驱动 电压DJ施加到半导体激光器3。此时，短脉冲光源51改变与脉冲信号SL 中的所生成信号 脉冲SLw之间的间隔相对应的设定周期TS，由此改变与驱动电压脉冲DJw之间的间隔相对 应的电压周期TV。因此，短脉冲光源51可以调节脉冲光的输出周期TL，并且对作为所生成信号脉冲 SLw与脉冲光之间的时间差的相位Φ的变化进行抵消，该时间差是根据周围环境等而出现 的。
此外，短脉冲光源51调节设定周期TS以对从所生成信号脉冲SLw的上升沿到脉 冲光的相位Φ的变化进行抵消，由此调节电压周期TV以便对从开始施加驱动电压脉冲DJw 到发射出脉冲光时的相位变化进行抵消。因此，短脉冲光源51可以以恒定输出周期Ta发 射脉冲光，而不管由于环境等的改变而引起的相位Φ的变化。此外，短脉冲光源51检测脉冲光的输出周期TL，并且改变基于相位差Δ W新生成 的激光器驱动电压DJ的电压周期TV，该相位差△ W表示刚才生成的激光器驱动电压DJ的 电压周期TV与输出周期TL之间的差值。这里，作为实际施加的激光器驱动电压DJ的电压周期与实际输出的脉冲光的输 出周期TL之间的差值的相位差AW是根据电压周期TV和输出周期TL与相位Φ之间的时 间上的某个相位差来生成的，并且仅根据相位Φ的变化而改变。因此，短脉冲光源51可以通过基于相位差AW改变激光器驱动电压DJ的电压周 期TV来抵消相位Φ，并且使脉冲光的输出周期TL恒定。此时，短脉冲光源51可以将实际 输出的脉冲光的输出周期TL的结果反馈给新生成的激光器驱动电压DJ，从而能够高精度 地控制输出周期TL。此外，短脉冲光源51具有超高速相机，从而能够精确地检测具有大约10 [ps]的波 峰宽度的特定输出光LAp的最大值，并且精确地计算输出周期TL。此外，短脉冲光源51生成VCO控制电压VC，其用作具有基于刚才生成的激光器驱 动电压DJ的电压周期TV与输出周期TL之间的相位差AW的控制电压值的控制电压。此 外，短脉冲光源51生成具有基于控制电压值的频率的电压相位信号VA，并且基于电压相位 信号VA生成激光器驱动电压DJ。因此，短脉冲光源51可以将刚才生成的激光器驱动电压 DJ的电压周期TV与实际输出的激光LL的输出周期TL相比较。此外，短脉冲光源51发射特定输出光LAp，其是具有脉冲形状的特定波峰APK和特 定斜坡ASP的脉冲光，特定斜坡ASP的发射强度低于特定波峰APK的发射强度。因此，短脉冲光源51可以发射具有高发射强度的特定波峰APK的特定输出光LAp。根据上述配置，短脉冲光源51通过改变设定周期TS来改变与驱动电压脉冲DJw 之间的间隔相对应的电压周期TV，从而调节脉冲光的输出周期TL。因此，短脉冲光源51可 以自由地调节脉冲光的输出周期TL，而不管环境等的改变。因此，本发明可以实现能够控制从半导体激光器的脉冲输出的激光发射方法和短 脉冲光源，以及使用该短脉冲光源的光学设备、光盘设备和光学拾取器。(3)第三实施例在图32至38所示的第三实施例中，与图23至31所示的第二实施例中的部分相 对应的部分用相同的标号表示。第三实施例与第二实施例的不同之处在于与短脉冲光源 51相对应的短脉冲光源71 (未示出)被用在光盘设备110中，并且与脉冲发生器54相对应 的脉冲发生器74的配置不同。(3-1)光盘的配置首先，将描述光盘100的配置。在此实施例中，通过利用作为从光盘设备110发射 出的激光LL的信息光束LM来照射光盘100从而将信息记录在光盘100上。此外，通过检 测经反射的信息光束LMr (其是在信息光束LM被反射时生成的)来从光盘100读取信息。实际上，光盘100作为整体来看基本上是圆盘状的，并且在其中心处设置了用于装夹(chacking)的孔部分100H。此外，如图32的剖视图所示的，光盘100具有如下配置， 其中，用于记录信息的记录层101的两个表面被基板102和103夹在中间。光盘设备110利用物镜118将从光源发射出的信息光束LM聚焦(focus)到光盘 100的记录层101中。在该信息光束LM具有较高记录强度的情况中，在记录层101的焦点 FM位置处形成记录记号(recordingmark)RM。此外，光盘100还被设置有在记录层101与基板102之间的伺服层104。用于伺 服的预刻槽(pregroove)被形成在伺服层104上。具体地，螺旋状磁道(下面将其称为伺 服磁道)STR是由与典型BD(Blu-rayDisC，注册商标)-R(可记录)光盘等中的类似的岸台 (land)和沟槽(groove)形成的。由一系列编号构成的地址按预定记录单位被指派给伺服磁道STR，以使得可以利 用地址来指定应当利用用于记录或再现的伺服光束LS进行照射的伺服磁道(下面将其称 为目标伺服磁道TSG)。另外，坑等可以取代预刻槽而被形成在伺服层104上(即，记录层101与基板102 之间的边界面)。替代地，预刻槽和坑等可以被组合使用。此外，伺服层104上的磁道可以 是同心状的而非螺旋状的。 此外，伺服层104被配置为例如以高反射率来反射具有约660 [nm]波长的红光束， 并且以高透过率来透过具有约404[nm]波长的蓝紫光束。光盘设备110利用具有约660 [nm]波长的伺服光束LS来照射光盘100。此时，伺 服光束LS被光盘100的伺服层104反射，从而变为经反射的伺服光束LSr。光盘设备110接收经反射的伺服光束LSr，并且基于接收的结果来控制物镜118的 位置，以使得物镜118在聚焦方向(focus direction)上移近或远离光盘100，从而调节到 伺服层104上的伺服光束LS的焦点FS。此时，光盘设备110使得伺服光束LS与信息光束LM的光轴XL基本上彼此匹配。 因此，光盘设备110使得信息光束LM的焦点FM到达记录层101中与目标伺服磁道TSG相对 应的部分处的位置，即，在经过目标伺服磁道TSG并且垂直于伺服层104的法线上的位置。记录层101包含用于吸收404[nm]的光中的双光子的双光子吸收材料。众所周知， 这种双光子吸收材料产生与光强度的平方成比例的双光子吸收，并且仅针对非常高强度的 光产生双光子吸收。注意，己二烯化合物、花菁染料、部花菁染料、oxonol染料、酞菁染料、 偶氮染料等可用作双光子吸收材料。当记录层101被具有较强强度的信息光束LM照射时，双光子吸收材料通过双光子 吸收而被汽化，例如，以形成气泡，由此，记录记号RM被记录在焦点FM的位置处。替代地， 还可以通过在记录层101中产生化学反应等来改变局部折射率从而形成记录记号RM。这里，已知双光子吸收材料与光强度的平方成比例地起反应。即，记录层101通过 仅吸收具有非常高强度的信息光束LM来起反应，并且因此，可以使记录层101保持高的透 过率。另外，以上述方式形成的记录记号RM在与光盘100的第一表面100A以及伺服层 104的各个表面等基本上平行的平面上被安置，以形成记录记号RM的记号层Y。另一方面，光盘设备110在从光盘100再现信息时，将信息光束LM从第一表面 100A侧聚焦到目标位置PG。这里，在记录记号RM被形成在焦点FM位置(S卩，目标位置PG)处的情况中，信息光束LM被记录记号RM反射并且从记录记号RM发射出经反射的信息光束 LMr。光盘设备110根据对经反射的信息光束LMr的检测结果来生成检测信号，并且基 于该检测信号来检测记录记号冊是否被形成。如上所述，根据本实施例，在光盘设备110将信息记录到光盘100上并且从光盘 100再现信息的情况中，光盘设备110利用信息光束LM以及伺服光束LS来照射目标位置 PG，从而记录并再现所希望的信息。(3-2)光盘设备(3-2-1)光盘设备的配置接下来，将描述光盘设备110的具体配置。如图33所示，光盘设备110被配置有作为中心的控制单元111。控制单元111包 括CPU(中央处理单元)、用于存储各种程序等的R0M(只读存储器)，以及用作CPU (未示 出)的工作存储器的RAM(随机存取存储器)，它们均未被示出。在将信息记录在光盘100上的情况中，控制单元111经由驱动控制单元112使得 主轴马达115被驱动以旋转，以便以所希望的速度来旋转置于转盘(未示出)上的光盘 100。此外，控制单元111经由驱动控制单元112使得步进马达116被驱动，以便在沿着 移动轴G1和G2的跟踪方向(tracking direction)上，即在朝向光盘100的内圆周侧或外 圆周侧的方向上在宽的范围内移动光学拾取器117。光学拾取器117被附接了诸如物镜118之类的多个光学组件，基于由控制单元111 执行的控制来利用信息光束LM和伺服光束LS照射光盘100，并且检测当伺服光束LS被反 射时生成的经反射伺服光束LSr。光学拾取器117基于对经反射伺服光束LSr的检测结果来生成多个检测信号，并 将它们提供给信号处理单元113。信号处理单元113利用提供给它的检测信号执行预定计 算处理，以生成聚焦误差信号SFE和跟踪误差信号STE，并将它们提供给驱动控制单元112。注意，聚焦误差信号SFE是表示伺服光束LS相对于伺服层104在聚焦方向上的偏 差量。另一方面，跟踪误差信号STE是表示伺服光束LS相对于目标伺服磁道STR(下面将 其称为目标伺服磁道STG)在跟踪方向上的偏差量。驱动控制单元112基于提供给它的聚焦误差信号SFE和跟踪误差信号STE来生成 用于驱动物镜118的聚焦驱动信号和跟踪驱动信号，并且将它们提供给光学拾取器117的 双轴致动器119。光学拾取器117的双轴致动器119基于聚焦驱动信号和跟踪驱动信号对物镜118 执行聚焦控制和跟踪控制，由此使得由物镜118聚焦的伺服光束LS的焦点FS跟踪目标记 号层Y(下面将其称为目标记号层YG)的目标伺服磁道STG。此时，控制单元111将从外面提供来的记录信息提供给信号处理单元113。信号处 理单元113通过对记录信息执行预定调制处理等来生成记录数据，并且将该记录数据提供 给短脉冲光源120中的激光器控制单元121 (图34)。激光器控制单元121基于记录数据来 调制激光LL以在目标记号层YG上的目标位置PG处(S卩，目标磁道TG)形成记录记号RM， 从而能够记录信息。
此外，在从光盘100再现信息的情况中，与在记录时一样，光学拾取器117使得伺 服光束LS的焦点FS跟踪目标伺服磁道STG，用较弱的信息光束LM来照射目标记号层YG的 目标位置PG，并且检测经反射信息光束LMr，其是信息光束LM在形成了记录记号RM的部分 处被反射而生成的。光学拾取器117基于对经反射信息光束LMr的检测结果生成检测信号，并且将其 提供给信号处理单元113。信号处理单元113对检测信号执行预定计算处理、解调处理、译 码处理等，从而能够再现被记录为目标记号层YG的目标磁道TG上的记录记号RM的信息。
(3-2-2)光学拾取器的配置接下来，将描述光学拾取器117的配置。如图34所示，光学拾取器117包括用于 伺服控制的伺服光学系统130以及用于再现或记录信息的信息光学系统150。在光学拾取器117中，作为从激光二极管131发射来的伺服光的伺服光束LS以及 作为从半导体激光器3发射来的激光LL的信息光束LM分别经由伺服光学系统130和信息 光学系统150进入同一物镜118，以使得光盘100被这些光束照射。(3-2-2-1)伺服光束的光路径如图35所示，在伺服光学系统130中，伺服光束LS经由物镜118照射光盘100，并 且由光盘100反射的经反射伺服光束LSr由光电检测器143接收。SM敫光二极管131基于由控制单元111 (图33)执行的控制发射出由发散光构成 的预定量的伺服光束LS，并且使该伺服光束LS进入准直仪透镜133。准直仪透镜133将伺 服光束LS从发散光变换为平行光，并且使光束进入偏振光束分光器134。偏振光束分光器134使得由ρ-偏振光构成的几乎全部伺服光束LS在其偏振方向 上透过，并且使得该光束进入四分之一波长板136。四分之一波长板136将由ρ-偏振光构成的伺服光束LS变换为圆偏振光并且使该 光束进入二向色棱镜137。二向色棱镜137利用反射/透过表面137S根据光束的波长来反 射伺服光束LS，以使得光束进入物镜118。物镜118聚焦伺服光束LS并且用该光束照射光盘100的伺服层104。此时，伺服 光束LS穿过基板102，被伺服层104反射，并且变成在与伺服光束LS相反的方向上行进的 经反射伺服光束LSr，如图32所示。此后，经反射伺服光束LSr由物镜118变换为平行光并且进入二向色棱镜137。 二向色棱镜137根据波长来反射该经反射伺服光束LSr，并且使光束进入四分之一波长板 136。四分之一波长板136将作为圆偏振光的经反射伺服光束LSr变换为s偏振光并且 使光束进入偏振光束分光器134。偏振光束分光器134对作为s偏振光的经反射伺服光束 LSr进行反射，并且使光束进入聚光透镜141。聚光透镜141会聚经反射伺服光束LSr，并且通过使柱面透镜142向光电检测器 143给出散光来利用经反射伺服光束LSr照射光电检测器143。顺便提及，在光盘设备110中，存在在旋转的光盘100中发生轴向偏摆等的可能 性，因此，存在目标伺服磁道TSG相对于物镜118的相对位置发生变化的可能性。因此，为了使伺服光束LS的焦点FS (图32)跟踪目标伺服磁道TSG，需要在聚焦方 向上(即，相对于光盘100的接近方向或远离方向)以及跟踪方向上(即，光盘100的内圆周侧或外圆周侧)移动焦点FS。因此，物镜118可由双轴致动器119在双轴方向上被驱动聚焦方向和跟踪方向。此外，在伺服光学系统130中，各个光学组件的光学位置被调节为使得当伺服光 束LS被物镜118聚焦并且当光盘100的伺服层104被伺服光束LS照射时的焦点对准状态 (in-focus state)被反映在当经反射伺服光束LSr被聚光透镜141聚焦并且光电检测器 143被经反射伺服光束LSr照射时的焦点对准状态中。光电检测器143根据经反射伺服光束LSr的光量来生成检测信号，并且将信号发 送给信号处理单元113 (图33)。S卩，光电检测器143被提供有用于接收经反射伺服光束LSr的多个检测区域(未 示出)。光电检测器143在多个检测区域的相应检测区域中检测经反射伺服光束LSr的相应 部分，根据此时检测到的光量生成相应检测信号，并且将信号发送给信号处理单元113(图 33)。信号处理单元113被配置为基于所谓的散光方法(astigmatismmethod)来执行聚 焦控制，计算表示伺服光束LS的焦点FS相对于光盘100的伺服层104的偏离量的聚焦误 差信号SFE，并且将信号提供给驱动控制单元112。此外，信号处理单元113计算表示焦点FS相对于光盘100的伺服层104中的目标 伺服磁道TSG的偏离量的跟踪误差信号STE，并且将信号提供给驱动控制单元112。驱动控制单元112基于聚焦误差信号SFE生成聚焦驱动信号并将该聚焦驱动信号 提供给双轴致动器119，从而对物镜118执行反馈控制(即，聚焦控制)，以使得伺服光束LS 被聚焦到光盘100的伺服层104上去。此外，驱动控制单元112基于利用所谓的推拉方法(push-pullmethod)生成的跟 踪误差信号来生成跟踪驱动信号，并且将该跟踪驱动信号提供给双轴致动器119。因此，驱 动控制单元112对物镜118执行反馈控制(即，跟踪控制)，以使得伺服光束LS被聚焦到光 盘100的伺服层104上的目标伺服磁道TSG上。如上所述，在伺服光学系统130中，光盘100的伺服层104被伺服光束LS照射， 并且作为伺服光束LS的反射光的经反射伺服光束LSr的接收结果被提供给信号处理单元 113。因此，驱动控制单元112对物镜118执行聚焦控制和跟踪控制，以使得伺服光束LS被 聚焦到伺服层104上的目标伺服磁道TSG上。(3-2-2-2)信息光束的光路径另一方面，在信息光学系统150中，如与图34相对应的图36所示，从半导体激光 器3发射的信息光束LM经由透镜118照射光盘100，并且被光盘100反射的经反射信息光 束LMr由光电检测器162接收。S卩，半导体激光器3基于由控制单元111 (图33)执行的控制来生成作为发散光的 信息光束LM，并且使光束进入准直仪透镜152。准直仪透镜152将信息光束LM从发散光变 换为平行光，并且使光束进入偏振光束分光器154。偏振光束分光器154使得作为ρ-偏振光的信息光束LM在其偏振方向上穿过，并 且使光束经由LCP (液晶面板)156进入四分之一波长板157，LCP 156对球面差(spherical aberration)等进行校正。四分之一波长板157将信息光束LM从ρ-偏振光变换为圆偏振 光并且使该光束进入中继透镜158。
20
在中继透镜158中，可移动透镜158A将信息光束LM从平行光变换为会聚光，并且 固定透镜158B将在会聚之后变为发散光的信息光束LM再次变为会聚光，以使得会聚光进 入镜子159。 镜子159反射信息光束LM以检测其行进方向，并且使光束进入二向色棱镜137。二 向色棱镜137利用反射/透过表面137S使得信息光束LM穿过，并且使光束进入物镜118。物镜118聚焦信息光束LM以利用该光束照射光盘100。此时，信息光束LM穿过基 板102，并被聚焦到记录层101中，如图32所示。这里，信息光束LM的焦点FM的位置是由当信息光束LM从中继透镜158的固定透 镜158B发射时的会聚状态确定的。即，焦点FM根据可移动透镜158A的位置而在记录层 101中在聚焦方向上移动。实际上，信息光学系统150基于控制单元111 (图33)对可移动透镜158A的位置 执行的控制，来调节信息光束LM的焦点FM在光盘100的记录层101中的深度“d” (即，离 伺服层104的距离)(图32)，以使得焦点FM与目标位置PG相匹配。如上所述，在信息光学系统150中，经由由伺服光学系统130进行伺服控制的物镜 118来利用信息光束LM执行照射，以使得信息光束LM的焦点FM的跟踪方向与目标位置PG 相匹配。然后，信息光束LM被物镜118聚焦到焦点FM上，以使得记录记号RM可被形成在 目标位置PG处。另一方面，在读取记录在光盘100上的信息的再现处理中记录记号RM被记录在目 标位置PG的情况中，聚焦在焦点FM上的信息光束LM被记录记号RM反射为经反射信息光 束LMr，并且进入物镜118。另一方面，在记录记号RM未被记录在目标位置PG的情况中，信息光束LM穿过光 盘100，并且因此，难以生成经反射的信息光束LMr。物镜118在一定程度上会聚经反射信息光束LMr，并且使光束经由二向色棱镜137 和镜子159进入中继透镜158。中继透镜158将经反射信息光束LMr变换为平行光并且使光束进入四分之一波长 板157。四分之一波长板157将作为圆偏振光的经反射信息光束LMr变换为s_偏振光，并 且使光束经由LCP 156进入偏振光束分光器154。偏振光束分光器154利用偏振表面154S来反射作为s_偏振光的经反射信息光束 LMr，并且使光束进入多透镜(multi lens) 160。多透镜160聚焦该经反射信息光束LMr，并 且利用该光束经由针孔板161来照射光电检测器162。针孔板161被布置来将由多透镜160聚焦的经反射信息光束LMr的焦点定位到孔 部分(未示出)，并且使经反射信息光束LMr按原状穿过该孔部分。结果，光电检测器162根据未受杂散光影响的经反射信息光束LMr的光量来生成 检测信号SDb，并且将信号提供给信号处理单元113 (图33)。信号处理单元113对检测信号SDb执行预定调制处理、译码处理等以生成再现信 息，并且将再现信息提供给控制单元111。如上所述，信息光学系统150接收从光盘100进入物镜118的经反射信息光束 LMr，并且将对其的接收结果提供给信号处理单元113。
(3-3)对发射间隔的控制(3-3-1)脉冲发生器的配置如图37所示，与脉冲发生器54相对应的脉冲发生器74具有抵消设定单元70。抵消设定单元70向VCO控制单元VC添加抵消电压值。VCO 63根据被添加了抵消 电压值的VCO控制电压VC来生成频率信号。例如，在抵消电压值为正值的情况中，VCO 63增加频率信号的频率。结果，短脉冲 光源71通过提前脉冲信号SL中的所生成信号脉冲SLw的上升沿来设置小的电压周期TV， 并且因此可以缩短脉冲光的输出周期TL。同样，在抵消电压值为负值的情况中，VCO 63可 以增加脉冲光的输出周期TL。即，短脉冲光源71被配置为基于抵消电压值OV来将输出周期TL从恒定输出周期 TLa改变抵消周期Δ Tr。以这种方式，短脉冲光源71可以根据抵消电压值OV的设置来将脉冲光的输出周 期TL调节为任意间隔。(3-3-2)记录处理接下来，将描述记录处理中的发射间隔控制处理。在记录处理中，光盘设备110使得具有高发射强度并且用作信息光束LM的特定输 出光LAp从短脉冲光源71中被发射出，从而利用双光子吸收来形成记录记号RM。在该记录处理中，短脉冲光源71希望通过以恒定输出周期TLa发射特定波峰APK 来以预定间隔形成记录记号冊。因此，控制单元111 (图33)在记录处理期间将从抵消设定单元70提供来的抵消 电压值设为“零”。因此，光盘设备110可以基于以恒定输出周期TLa输出的特定波峰APK来以恒定 间隔形成记录记号冊。以这种方式，光盘设备110以恒定输出周期TLa生成特定输出光LAp，从而能够在 光盘100的记录层101的目标磁道TG上以恒定间隔形成记录记号RM。(3-3-3)再现处理接下来，将描述再现处理中的发射间隔控制处理。顺便提及，在传统的光盘设备中，利用激光LL的照射是以预定发射强度来执行 的，并且再现信号RF是基于由记录记号RM反射的经反射信息光束LMr来生成的。在根据本实施例的光盘设备110中，如图38的部分(A)和(B)所示，可能形成有 记录记号RM的目标位置PG被作为信息光束LM的具有较低光强度的振荡输出光LMp照射 较长的发射时间，由此，再现信号RF基于经反射信息光束LMr以类似方式被生成。如上所述，光盘设备110在记录层101上以恒定间隔来记录记录记号RM。但是，由 于主轴马达115的旋转速度的精确度不足或者扰动，因此例如，记录记号RM不总是以恒定 间隔被记录在记录层101上。此外，光盘设备110在再现处理期间可能由于旋转速度的精 确度不足而不总是以恒定速度来旋转光盘100。因此，光盘设备110被配置为检测作为再现周期Tr的从再现信号RF检测到记录 记号RM的时段(图38的部分(C))，并且基于检测到的再现周期Tr与作为参考的参考再现 周期TrS之间的差值来确定振荡输出光LMp的输出周期TL。注意，在振荡输出光LMp中，第一波的波峰之间的间隔被定义为输出周期TL。实际上，光盘设备110的信号处理单元113从再现信号RF检测再现周期Tr，并且 计算周期差A Tr，其是检测到的再现周期Tr与作为参考的参考再现周期TrS之间的差值 (图38的部分(D))。信号处理单元113例如从预先存储的表中选择与周期差ATr相对应的抵消电压 值0V，并且将该抵消电压值0V设置给抵消设定单元70。抵消设定单元70可以通过向VC0控制电压VC添加抵消来根据抵消电压值0V改 变频率信号的频率。结果，短脉冲光源71根据频率的变化来改变脉冲信号SL的所生成信 号脉冲SLw的设定周期TS (图38的部分(E))，并且还根据抵消电压值0V来改变激光器驱 动电压DJ的电压周期TV。结果，短脉冲光源71可以使半导体激光器3在如下状态中输出振荡输出光LMp 其中，输出周期TL相对于恒定输出周期Ta被错开周期差ATr (图38的部分(F))。因此，光盘设备110基本上可以将再现周期Tr与输出周期TL彼此相匹配，并且因 此可以利用振荡输出光LMp可靠地照射记录记号RM。以这种方式，光盘设备110检测作为再现间隔Tr的从记录层101检测到记录记号 RM的间隔，并且根据再现周期Tr来改变输出周期TL。因此，光盘设备110即使在未以恒定 间隔记录记录记号冊的情况中也可以利用信息光束LM (激光LL)可靠地照射记录记号RM。(3-4)操作和效果根据上述配置，短脉冲光源71调节电压周期TV以改变振荡输出光LMp (其是脉冲 形状的激光)的输出周期TL。因此，短脉冲光源71可以根据应用来自由地改变输出周期TL。此外，短脉冲光源71检测振荡输出光LMp的输出周期TL，并且生成具有基于相位 差AW的控制电压值的VC0控制电压VC，该相位差AW是表示刚才生成的激光器驱动电 压DJ的电压周期TV的电压相位信号VA的周期与表示输出周期TL的观察脉冲序列RW的 周期之间的差值。此外，短脉冲光源71向VC0控制电压VC添加抵消电压值0V，生成具有基 于被添加了抵消电压值0V的VC0控制电压VC的频率的电压相位信号VA，并且基于该电压 相位信号VA来生成激光器驱动电压DJ。因此，短脉冲光源71可以根据抵消电压值0V来自动地调节脉冲光的输出周期TL。此外，光盘设备110利用脉冲光来照射作为光信息记录介质的光盘100。光盘设 备110根据利用特定波峰APK对光盘100的记录层101的照射，通过在特定波峰APK的焦 点附近进行折射率调制来形成表示信息的记录记号冊。此时，光盘设备110利用特定输出 光LAp来照射包含了用于所谓的非线性吸收的材料的记录层101，这种材料例如是针对特 定波峰APK的光量同时吸收两个光子的双光子吸收材料。因此，光盘设备110可以通过利用具有高发射强度的特定波峰APK进行照射从而 快速地形成记录记号冊。此外，光盘设备110接收作为返回光(其是当脉冲光被光盘100调制时生成的) 的经反射信息光束LMr，并且基于经反射信息光束LMr来生成再现信号RF，再现信号RF根 据记录在光盘100上的记录记号RM的存在/不存在而变化。光盘设备110检测从再现信 号RF检测到记录记号RM的再现周期Tr，并且调节电压周期TV以使得再现周期Tr与输出
23周期TL彼此匹配。因此，即使 在记录记号RM未以恒定间隔被记录或者再现周期Tr在再现处理期间 因主轴马达115的较低旋转精确度而变化的情况中，光盘设备110也可以利用脉冲光来照 射可能形成有记录记号RM的目标位置PG。根据上述实施例，短脉冲光源71可以通过改变电压周期TV来自由地调节输出周 期TL。(4)其它实施例另外，在上述第二和第三实施例中，描述了基于相位差AW来生成作为激光器驱 动电压DJ的基础的脉冲信号SL的情况。然而本发明不限于此。例如，可以测量周围温度， 并且可以根据温度来生成脉冲信号SL。此外，在上述第二和第三实施例中，描述了通过设置设定脉冲SLs的高度Hs来调 节驱动电压值DJw的最大电压值Vmax的情况。然而本发明不限于此，并且例如可以通过改 变LD驱动器5中的放大系数来调节最大电压值Vmax。此外，在上述第二和第三实施例中，描述了在观察三角形波中，在电压相位信号VA 的上升沿时执行第零阶保持的情况。然而本发明不限于此，并且可以执行第一阶保持。在 此情况中，无需平滑滤波器62。此外，在上述第二和第三实施例中，描述了将矩形脉冲电流提供作为驱动电压值 DJw的情况。然而本发明不限于此。通常，可将具有大振荡电压值α的脉冲电流提供较短 时间。例如，可以提供正弦波状的驱动电压脉冲DJw。此外，在上述第二和第三实施例中，描述了将典型的半导体激光器(例如，由索尼 公司制造的SLD3233)用作半导体激光器3的情况。然而本发明不限于此。通常，可以使用 所谓的利用P型和η型半导体来执行激光器振荡的半导体激光器。更优选地，使用有意地 被配置为容易引起显著驰豫振荡的半导体激光器。此外，在上述第二和第三实施例中，描述了从半导体激光器3发射出的激光LL在 振荡输出光LMp和特定输出光LAp之间切换的情况。然而本发明不限于此。例如，可将正 常输出光LNp添加作为切换目标。此外，在上述第二和第三实施例中，描述了记录层101包含用于非线性吸收的双 光子吸收层的情况。然而本发明不限于此，并且例如可将产生电浆子共振的银或金纳米微 粒用作用于非线性吸收的材料。此外，可以利用信息光束LM根据光能的累积量来照射要形 成记录记号RM的记录层。此外，尽管未在上述第三实施例中具体描述，然而，可以形成具有2Τ至IlT的记号 长度的记录记号冊，并且可将“1”和“0”指派给IT记号，以根据记录记号RM的存在/不存 在来记录信息。此外，记录记号冊(即，IT)与振荡输出光LMp之间的对应关系不一定总是 一对一的，并且记录记号RM可以利用两束或更多束的振荡输出光LMp来形成。此外，在上述第二和第三实施例中，描述了利用伺服层104来执行伺服控制的情 况。然而本发明不限于此。例如，可以预先在记录层101中形成用于伺服控制的伺服记号， 并且可以利用该伺服记号来执行伺服控制。在此情况中，在光盘100中不需要伺服层104。此外，在上述第二和第三实施例中，描述了形成中空的记录记号RM的情况。然而 本发明不限于此。例如，可以通过利用化学反应局部地改变折射率来形成记录记号冊。
此外，在上述第二和第三实施例中，描述了将激光器控制单元121设置在光学拾 取器117内部的情况。然而本发明不限于此，而是可将激光器控制单元121设置在光学拾 取器117外部。此外，在上述第二和第三实施例中，描述了利用信息光束LM从光盘100的基板102 侧上的表面来执行照射的情况。然而本发明不限于此。例如，可以利用信息光束LM从任意 表面，例如从基板103侧上的表面或者从两个表面来执行照射。注意，用于利用信息光束LM 从两个表面来执行照射的方法例如在专利文献2中进行了描述。专利文献2 日本未审查专利申请公报No. 2008-71433此外，在上述第二和第三实施例中，描述了光盘100是圆盘形状的并且在旋转的 同时被信息光束LM照射的情况。然而本发明不限于此，并且可以应用于如下情况在相对 于矩形形状的光学信息记录介质以恒定速度移动物镜的同时来记录信息。此外，在上述第二和第三实施例中，从半导体激光器3发射出的信息光束LM的波 长可以是404[nm]波长以外的波长，只要可将记录记号RM适当地形成在记录层101中的目 标位置PG附近即可。此外，在上述第三实施例中，描述了光盘设备110是由用于将信息记录在光盘100 上并且从光盘100再现信息的光学信息记录/再现设备构成的。然而本发明不限于此，而 是，光盘设备可以是仅用于在光盘100上记录的信息的光学信息记录设备或者仅用于再现 信息的光学信息记录设备。此外，在上述第三实施例中，描述了将短脉冲光源1应用于光盘设备110的情况。 然而本发明不限于此，并且还可以应用于各种设备，例如，各种医疗设备、热响应显微镜等。此外，在上述第二实施例中，描述了用作半导体激光器的半导体激光器3以及用 作激光器控制单元的激光器控制单元52构成了用作短脉冲光源的短脉冲光源51的情况。 然而本发明不限于此，并且具有其它各种配置的半导体激光器和激光器控制单元可以构成 本发明的短脉冲光源。此外，在上述第三实施例中，描述了用作半导体激光器的半导体激光器3、用作光 照射单元的物镜118以及用作激光器控制单元的激光器控制单元52构成了用作光盘设备 的光盘设备110的情况。然而本发明不限于此，并且具有其它各种配置的半导体激光器、光 照射单元和激光器控制单元可以构成本发明的光盘设备。工业应用本发明还可以在用于在/从诸如光盘之类的记录介质记录或再现大量信息(例如 视频内容和音频内容)的光学信息记录/再现设备等中使用。
权利要求
一种短脉冲光源，包括半导体激光器，其被配置为发射脉冲形状的激光；以及激光器控制单元，其被配置为当向所述半导体激光器施加具有脉冲形状的驱动电压脉冲的激光器驱动电压时，改变与所述驱动电压脉冲之间的间隔相对应的电压周期。
2.根据权利要求1所述的短脉冲光源，其中，所述激光器控制单元调节所述电压周期， 以使得激光的输出周期是恒定的。
3.根据权利要求2所述的短脉冲光源，其中，所述激光器控制单元改变所述电压周期， 以对从开始施加所述驱动电压脉冲时到发射出脉冲形状的激光时的相位变化进行抵消。
4.根据权利要求3所述的短脉冲光源，其中，所述激光器控制单元包括输出周期检测单元，其被配置为检测激光的输出周期，以及电压周期改变单元，其被配置为基于先前刚生成的激光器驱动电压的电压周期与所述 输出周期之间的差值来改变新生成的激光器驱动电压的电压周期。
5.根据权利要求4所述的短脉冲光源，其中，所述输出周期检测单元具有超高速扫描 相机。
6.根据权利要求4所述的短脉冲光源，其中，所述电压周期改变单元包括电压生成单元，其被配置为生成具有基于先前刚生成的激光器驱动电压的电压周期与 所述输出周期之间的差值的控制电压值的控制电压，电压相位信号生成单元，其被配置为生成具有基于所述控制电压值的频率的电压相位 信号，以及激光器驱动器，其被配置为基于所述电压相位信号来生成激光器驱动电压。
7.根据权利要求1所述的短脉冲光源，其中，所述激光器控制单元调节所述电压周期 以改变激光的输出周期。
8.根据权利要求7所述的短脉冲光源，其中，所述激光器控制单元包括输出周期检测单元，其被配置为检测激光的输出周期，电压值生成单元，其被配置为生成具有基于先前刚生成的激光器驱动电压的电压周期 与所述输出周期之间的差值的控制电压值的控制电压，抵消添加单元，其被配置为向所述控制电压值添加抵消电压值，电压相位信号生产单元，其被配置为生成具有如下频率的电压相位信号，所述频率是 基于被所述抵消添加单元添加了所述抵消电压值的控制电压值的，以及激光器驱动器，其被配置为基于所述电压相位信号来生成激光器驱动电压。
9.根据权利要求1所述的短脉冲光源，其中，所述激光器控制单元使得具有脉冲形状 的特定波峰以及特定斜坡的特定输出光被发射作为激光，所述特定斜坡的发射强度低于所 述特定波峰的发射强度。
10.一种激光发射方法，包括当通过向半导体激光器施加具有脉冲形状的驱动电压脉冲的激光器驱动电压来使所 述半导体激光器发射脉冲形状的激光时，改变与所述脉冲形状的驱动电压脉冲之间的间隔 相对应的电压周期。
11.一种光学设备，包括半导体激光器，其被配置为发射脉冲形状的激光；以及激光器控制单元，其被配置为当向所述半导体激光器施加具有脉冲形状的驱动电压脉 冲的激光器驱动电压时，改变与所述驱动电压脉冲之间的间隔相对应的电压周期。
12.一种光盘设备，包括半导体激光器，其被配置为发射脉冲形状的激光； 照射单元，其被配置为利用所述激光照射光学信息记录介质；以及 激光器控制单元，其被配置为当向所述半导体激光器施加具有脉冲形状的驱动电压脉 冲的激光器驱动电压时，改变与所述驱动电压脉冲之间的间隔相对应的电压周期。
13.根据权利要求12所述的光盘设备，其中，所述光照射单元利用所述激光照射记录 层，所述记录层包含有用于相对于所述激光的量进行非线性吸收的材料。
14.根据权利要求12所述的光盘设备，其中，所述用于非线性吸收的材料是同时吸收 所述激光中的两个光子的双光子吸收材料。
15.根据权利要求14所述的光盘设备，其中，所述光照射单元通过利用所述激光进行 照射来形成空洞，从而在所述激光的焦点附近产生折射率调制。
16.根据权利要求12所述的光盘设备，包括光接收单元，其被配置为接收返回光，所述返回光是经过所述光学信息记录介质调制 的激光；信号处理单元，其被配置为基于所述返回光来生成再现信号，所述再现信号根据记录 在所述光学信息记录介质上的记录记号的存在/不存在而变化；以及再现周期检测单元，其被配置为检测从所述再现信号检测到所述记录记号的再现周期，其中，所述激光器控制单元调节所述电压周期以使得所述再现周期与输出周期彼此匹配。
17.一种光学拾取器，包括半导体激光器，其被配置为发射脉冲形状的激光； 照射单元，其被配置为利用所述激光照射光学信息记录介质；以及 激光器控制单元，其被配置为当向所述半导体激光器施加具有脉冲形状的驱动电压脉 冲的激光器驱动电压时，改变与所述驱动电压脉冲之间的间隔相对应的电压周期。
全文摘要
本发明涉及对半导体激光器的发射周期进行自由调节。在本发明中，作为脉冲形状的激光(LL)的脉冲光从半导体激光器(3)被发射出，并且基于脉冲信号(SL)生成的并且具有脉冲形状的驱动电压脉冲(DJw)的激光器驱动电压(DJ)被施加给半导体激光器(3)。此时，短脉冲光源(51)改变与驱动电压脉冲(DJw)之间的间隔相对应的电压周期(TV)，从而改变与脉冲信号(SL)中的所生成信号脉冲(SLw)之间的间隔相对应的设定周期(TS)。
文档编号G11B7/125GK101874269SQ20098010109
公开日2010年10月27日 申请日期2009年9月16日 优先权日2008年9月30日
发明者石本努, 藤家和彦 申请人:索尼公司