磁存储介质制造方法、磁存储介质、以及信息存储装置的制作方法

专利名称：磁存储介质制造方法、磁存储介质、以及信息存储装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及比特图案化类型(bit patterned type)的磁存储介质的制造方法、比特图案化类型的磁存储介质、以及包括比特图案化类型的磁存储介质的信息存储装置。
背景技术：
作为能够高速存取并且高速转移数据的海量存储装置，硬盘驱动器(HDD =Hard Disk Drive)已成为信息存储装置的主流。关于该HDD，迄今，面记录密度已经以较高的年增长率增长，甚至在目前仍然期望进一步提高记录密度。为了提高HDD的记录密度，需要减小轨道宽度或者缩短记录比特长度，但是，当轨道宽度减小时，在相邻的轨道之间容易出现所谓的干扰。即，该干扰是以下现象的总称在记录时用磁记录信息重写目标轨道的下一个轨道的现象，以及在再生时由于来自目标轨道的下一个轨道的漏磁场出现串扰的现象。这些现象每一个都成为导致再生信号的S/N比下降的因素，导致差错率恶化。另一方面，当记录比特长度缩短时，出现热波动现象，其中，长时间存储记录比特的性能会下降。作为避免这些干扰以及热波动现象、从而实现短的比特长度或者高的轨道密度的方法，提出了比特图案化类型的磁存储介质(例如，参见PTL 1)。在这种比特图案化类型的磁存储介质中，记录比特的位置是预定的，磁性材料制成的点(dot)形成在记录比特的预定位置中，并且点之间的部分由非磁性材料制成。当将磁性材料所制成的点这样彼此分开时，点之间的磁相互作用变小，并且避免上述干扰与热波动现象。这里，作为比特图案化类型的磁存储介质的制造方法，将描述在PTL 1等中提出的传统的制造方法。图1是例示了制造比特图案化类型的磁存储介质的传统制造方法的图。在传统制造方法中，首先，在成膜处理(A)中，在基板1上形成磁性膜2。接着，在纳米压印工艺⑶中，将由紫外线固化树脂制成的抗蚀剂3涂敷在磁性膜 2上，将具有纳米尺寸孔如的模具4安装在抗蚀剂3上，使得抗蚀剂3进入纳米尺寸孔4a， 从而形成抗蚀剂3的点3a，并且在模具4上方用紫外光照射抗蚀剂3，使得抗蚀剂3固化， 并且点3a印在磁性膜2上。在抗蚀剂3固化之后，去除模具4。随后，在蚀刻处理(C)中执行蚀刻，使得磁性膜被去除，同时留下由抗蚀剂3的点 3a所保护的磁性点加。在蚀刻之后，通过化学处理去除抗蚀剂3的点3a，使得在基板1上仅留下磁性点加。然后，在填充处理(D)中，用非磁性材料填充磁性点加之间的部位，然后，在平坦化处理(E)中使表面平坦化，从而完成了(F)比特图案化类型的磁存储介质6。根据这种传统的制造方法，为了稳定磁存储介质6上方的磁头的悬浮特性，在平坦化处理(E)中，需要具有高精度的平坦化。因此，出现了需要执行非常复杂的制造处理的问题，并出现了制造成本增加的问题。
作为避免这些问题的方法，提出了通过将离子注入至磁性膜从而局部改变磁化状态来形成点的分隔状态的处理方法(离子掺杂系统)(例如，参见PTL 2与PTL 3)。根据该离子掺杂系统，通过注入离子来改变磁性，从而不需例如蚀刻与平坦化的复杂制造处理，从而能够在很大程度上抑制制造成本增长。引用列表专利文献PTL 1 日本待审专利公开No.特开平3-022211PTL 2 日本待审专利公开No.特开2002-288813PTL 3 日本待审专利公开No.特开2003-20333
发明内容
技术问题然而，在许多当前的离子掺杂系统中，为了通过有效地降低饱和磁化来避免上述干扰以及热波动现象，作为注入离子的量，需要大量的注入。另一方面，当一次注入大量离子时，对磁性膜表面的损伤是巨大的。因此，在许多当前的离子掺杂系统中，为了通过抑制这种损伤来有效地降低饱和磁化，需要长时间注入数量被控制在一定程度的离子。然而，近几年，越来越期望大量制造磁存储介质并且需要可制造性，当在实际制造中采用离子掺杂系统时，作为离子注入时间，仅能确保很短的时间，例如，几秒钟，由于这种情况，实际的使用还没有实现。鉴于前述的情况，本申请的目的是提供能够制造比特图案化类型的磁存储介质而不会削弱高生产率的方法、以及具有高记录密度并且可以通过不会削弱量产能力的制造方法来制造的磁存储介质与信息存储装置。技术方案根据本发明的第一基本模式，磁存储介质的制造方法包括以下步骤磁性膜形成步骤，在基板上形成磁性膜；以及点间分隔步骤，通过将N2+离子与N+离子的混合离子局部地注入到所述磁性膜的除了要成为磁性点的多个区域以外的其他区域，降低饱和磁化，由此在该磁性点之间形成饱和磁化比该磁性点的饱和磁化小的点间分隔带，所述磁性点分别以磁的方式记录信息。根据本发明的第二基本模式，磁存储介质包括基板；多个磁性点，其设置在所述基板上，各所述磁性点具有磁性膜，并且各所述磁性点以磁的方式记录信息；以及点间分隔带，其设置在所述磁性点之间，并且该点间分隔带具有在结构上与所述磁性点的磁性膜连续的膜，在该膜中注入了 N2+离子与N+离子的混合离子而具有比所述磁性点的饱和磁化小的饱和磁化。根据本发明的第三基本模式，信息存储装置包括磁存储介质，其包括基板，多个磁性点，其设置在所述基板上，各所述磁性点具有磁性膜，并且各所述磁性点
5以磁的方式记录信息，以及点间分隔带，其设置在所述磁性点之间，并且具有在结构上与所述磁性点的磁性膜连续的膜，在该膜中注入有N2+离子与N+离子的混合离子而具有比所述磁性点的饱和磁化小的饱和磁化；磁头，其接近或接触所述磁存储介质，以磁的方式对所述磁性点执行信息的记录和/或再生；以及磁头位置控制系统，其相对于所述磁存储介质的表面相对移动所述磁头，将所述磁头定位于由所述磁头执行信息记录和/或再生的磁性点上。因为，根据在这些基本模式中的磁存储介质的制造方法、磁存储介质以及信息存储装置，通过离子注入来形成点间分隔带，从而，不需例如蚀刻或填充的复杂制造处理，导致简单的制造方法。此外，本发明的开发者发现，用比先前已知的方法更少的注入量，将N2+ 离子与N+离子的混合离子注入磁性膜可以有效地降低饱和磁化。结果，可以减少离子注入时间，并且制造具有高记录密度的比特图案化类型的磁存储介质，而不削弱量产能力。技术效果如上所述，通过本发明，根据磁存储介质制造方法、磁存储介质、以及信息存储装置的各个基本模式，通过不会削弱量产能力的制造方法实现了具有高记录密度的磁存储介质。


图1是例示了制造比特图案化类型的磁存储介质的传统制造方法的图。图2是例示了作为信息存储装置的示例性实施方式的硬盘装置(HDD)的内部结构的图。图3是示意性地例示了比特图案化类型磁盘的结构的立体图。图4是例示了已经在上面描述了基本模式的磁存储介质的制造方法的示例性实施方式的图。图5是例示了示例的图。图6是表示在示例、第一比较例以及第二比较例各个中的离子注入的矫顽力的图。图7是表示在示例、第一比较例以及第二比较例各个中的离子注入的饱和磁化的图。
具体实施例方式以下将参照附图描述以上描述了其基本模式的磁存储介质制造方法、磁存储介质、以及信息存储装置的示例性实施方式。图2是例示了信息存储装置的示例性实施方式的硬盘装置(HDD)的内部结构的图。在该图中例示的硬盘装置(HDD) 100被结合在例如个人计算机的主设备中，并且用作主设备中的信息存储装置。在该硬盘装置100中，两个或更多个圆盘状磁盘10沿图的深度方向层叠，并且容纳在壳体H中，其中，各个磁盘10是通过磁化沿与正面和背面垂直的方向以磁性图案 (magnetic pattern)的形式记录信息的所谓的垂直磁存储介质。此外，这些磁盘10各个是所谓的比特图案化类型的磁存储介质，在比特图案化类型的磁存储介质中，在正面与背面的各个点上预先形成要记录比特信息的点。这些磁盘10绕盘轴11旋转。这些磁盘10相当于在上面已经描述了其基本模式的磁存储介质的示例性实施方式。此外，在硬盘装置100的壳体H中，还容纳了沿着磁盘10的正面与背面移动的摆臂20、用于驱动摆臂20的致动器30、以及控制电路50。摆臂20在末端保持有磁头21，磁头21执行向磁盘10的正面和背面写入信息，并且从磁盘10的正面和背面读取信息，在壳体H内由轴承M以可枢转的方式支撑磁头21，并且磁头21绕轴承M在预定的角度范围内枢转，使得磁头21可以沿着磁盘10的正面与背面移动。该磁头相当于信息存储装置的上述基本模式中的磁头的示例。通过控制电路50来控制磁头21的信息读写、以及臂30的移动，并且与主设备的信息交换也是通过该控制电路50来执行。该控制电路50相当于信息存储装置的上述基本模式中的磁头位置控制系统的示例。图3是示意性地例示了比特图案化类型磁盘的结构的立体图。在该图3中，例示了从圆盘状磁盘切下的部分。图3中例示的磁盘10具有这样的结构，即，多个记录点Q规则地布置在基板S上， 并且在各个记录点Q上以磁的方式记录有对应于1比特的信息。将记录点Q以类似圆轨道绕磁盘10的中心排列，并且记录点的列形成轨道T。记录点Q之间的部分是分隔带，在该分隔带处磁各向异性及饱和磁化低于记录点 Q的磁各向异性及饱和磁化，并且由于该分隔带，记录点Q之间的磁相互作用小。当记录点Q之间的磁相互作用如此小时，甚至在向记录点Q记录信息和从记录点 Q再生信息时，轨道T之间的磁相互作用小，因而，所谓的轨道间干扰小。此外，当记录点Q 的位置是这样物理地固定的时，已记录信息比特的边界不会由于热而波动，并且避免了所谓的热波动现象。因而，根据在该图3所例示的比特图案化类型的磁盘10，可以减小轨道宽度并且缩短记录比特长度，并且可以实现具有高记录密度的磁存储介质。下面将描述该磁盘10的制造方法。图4是例示了已经在上面描述了其基本模式的磁存储介质的制造方法的示例性实施方式的图。对于磁存储介质的制造方法的基本模式，这样的应用模式是优选的，S卩，“包括掩模形成步骤，在各个要成为磁性点的多个区域上形成阻碍离子注入到磁性点中的掩模，其中，点分隔步骤是这样的步骤，即，从多个区域上形成有所述掩模的磁性膜上方施加混合离子，从而将混合离子局部地注入由掩模所保护的磁性点之间的区域”。根据该应用模式，由掩模可靠地保护不需离子注入的区域，并且磁性点的形成精度高。以下将描述的一个示例性实施方式也是这种优选应用模式的示例性实施方式。此外，对于磁存储介质的制造方法的基本模式，这样的应用模式是优选的，即，“磁性膜形成步骤是通过在基板上交替地层叠多种原子层形成具有人工晶格结构的磁性膜的步骤”。根据该应用模式，通过使磁性膜具有人工晶格结构，可以增强通过离子注入降低饱和磁化的效果，并且可以进一步缩短注入时间。以下将描述的一个示例性实施方式是这种优选的应用模式的示例性实施方式。通过在该图4中例示的制造方法来制造在图2与图3中例示的磁盘10。在该图4所例示的制造方法中，首先，在成膜处理㈧中，在玻璃基板61上形成磁性膜62。该成膜处理(A)相当于上述磁存储介质的制造方法的基本模式中的磁性膜形成步骤的示例，并且该磁性膜62具有Co原子层6 与Pd原子层62b交替地层叠的人工晶格结构。关于Co原子层6 与Pd原子层62b的膜厚结构，Pd原子层62b的厚度需要大于Co 原子层62a的厚度，以形成磁性膜62。Co原子层6 的膜厚的上限是2nm，并且该膜厚等于大约7个原子的厚度。当Co原子层6 具有超过该上限的膜厚时，能够想到可能会失去可以被称为人工晶格的物理特性。在磁存储介质的制造方法、磁存储介质、以及信息存储装置的基本模式中，希望人工晶格结构是Co原子层与钼金属原子层交替层叠的结构，或者是Co原子层与Pd原子层交替层叠的结构。原因是因为Co原子层与钼金属原子层交替层叠的人工晶格结构的磁性膜具有好的磁性，并且如稍后将描述的磁性很容易由于离子注入而退化；以及因为在Co原子层与Pd原子层交替层叠的人工晶格结构的磁性膜的情况中，磁性更好。在该图4中所例示的成膜处理(A)中所形成的人工晶格结构相当于这些优选的人工晶格结构的示例。附带地，上述基本模式中的磁性膜不限于具有人工晶格结构的磁性膜，并且可以是单层的磁性膜。此外，在上述形成了人工晶格结构的磁性膜的类型的应用模式中，形成人工晶格结构的磁性膜的材料不限于这里所描述的优选材料，并且可以使用任何已知的能够形成具有人工晶格结构的磁性膜的期望的材料。然而，以下描述将继续假设磁性膜是由Co与Pd 所形成的。接着，在纳米压印工艺⑶中，将由紫外线固化树脂制成的抗蚀剂63涂敷在磁性膜62上，将具有纳米尺寸孔6 的模具64安装在抗蚀剂63上，使得抗蚀剂63进入纳米尺寸孔64a，从而变成抗蚀剂63的点63a，并且在模具64上方用紫外光照射抗蚀剂63，使得抗蚀剂63固化，并且点63a印在磁性膜62上。在抗蚀剂63固化之后，去除模具64。这里，对于磁存储介质的制造方法的上述基本模式，掩模形成步骤是用抗蚀剂形成掩模的步骤的应用模式是优选的，掩模形成步骤是用抗蚀剂通过纳米压印工艺来形成掩模的步骤的应用模式是更加优选的。由抗蚀剂形成掩模在工艺上是稳定的，并且可以希望是精确的掩模形成，并且通过纳米压印工艺来形成掩模可以容易制成纳米级的掩模图案， 并且这是优选的。该图4所例示的纳米压印工艺(B)相当于这些优选应用模式中的掩模形成步骤的示例。在纳米压印工艺(B)之后，流程前进到离子注入处理(C)，在离子注入处理(C)中， 用混合了 N2+离子与N+离子的混合离子从压印的磁性膜62上面照射点63a，并且离子注入到磁性膜62中，同时留下了由抗蚀剂63的点63a所保护的磁性点62c，使得饱和磁化降低。 如同本案的开发者此次所发现的，通过注入N2+离子与N+离子的混合离子来降低饱和磁化的效果非常好，此外，磁性膜62具有人工晶格结构，因此，通过这里的注入混合离子，可以在短时间内将磁性膜62的饱和磁化降低到所需的水平。该纳米压印工艺(B)相当于磁存储介质的制造方法的上述基本模式中的点分隔步骤的示例。附带地，在上述纳米压印中，抗蚀剂没有被完全移除，甚至在应该注入离子的区域中，但是，在抗蚀剂薄的位置，离子穿透抗蚀剂并且注入到磁性膜62中，然而，在抗蚀剂厚的位置(即，形成点63a的位置)，离子在抗蚀剂处停止，并且不到达磁性膜，因而，可以形成期望的点图案。离子加速电压设置为使得离子注入到磁性膜62的中心部分，但是设置的加速电压根据到磁性膜的中心部分的深度和材料而变化。在磁性膜62的如此注入离子的区域中，离子累积在人工晶格结构中，人工晶格结构被扭曲，并且矫顽力和饱和磁化下降。在离子注入之后，通过化学处理去除抗蚀剂的点63a。通过这种离子注入处理(C)，在磁性点62c之间形成分隔带62d，以分隔磁性点62c 之间的磁相互作用，从而完成(D) 了比特图案化类型的磁存储介质10。在分隔带62d中饱和磁化比磁性点62c的饱和磁化足够低，因而，仅在磁性点62c中记录信息，而不在分隔带 62d中记录信息。在以该图4所例示的制造方法制造的磁存储介质10中，形成表面的磁性点62c与分隔带62d之间的平滑度是在成膜处理(A)中形成的磁性膜62的平滑度，该平滑度保持原样，因此，不需在图1中所例示的传统工艺的平坦化处理，并且在该图4中所例示的制造方法是简单的方法。此外，在该图4所例示的制造方法中，如上所述，针对离子注入，采用了产生非常高的饱和磁化降低效果的N2+离子与N+离子的混合离子。因此，要注入的离子的数量少，因而，注入时间短，并且通过几秒钟的离子照射可以充分地实现离子注入，因此，不会削弱量产能力。此外，在该图4所例示的制造方法中，由印在磁性膜62上的抗蚀剂的点63a来保护磁性点62c，并且可以用离子同时照射磁存储介质10的整个表面，并且通过几秒钟的离子照射可以充分地实现所需区域中的离子注入，因而，在该方面也没有削弱量产能力。在以下将要描述的示例中，将在该图4中所例示的制造方法应用于特定的材料等，并且验证了工艺效果。图5是例示了示例的图。 将清洗好的玻璃基板70置于磁控溅射装置中，在抽真空至5 X IO-5Pa以下之后，在 0.67 的Ar气压下，不加热玻璃基板70，形成(111)晶向的fcc-Pd的5nm厚的膜，作为用于使磁性层具有晶体取向的基层71。关于用于形成该基层71的处理，在图4所图示的制造方法中省略了图示。随后，连续且不回到大气压，在0. 67Pa的Ar气压下，重复地设置由Co/Pd人工晶格形成的磁性膜72，以形成0. 3/0. 35nm的膜厚结构的八层。该膜厚结构参照重复Co单原子层与PD单原子层的人工晶格。在形成磁性膜72之后，形成4nm厚的类金刚石碳膜，作为保护层73。在图4例示的制造方法中也省略了形成该保护层73的处理的图示。将抗蚀剂涂敷在保护层73上，通过使用纳米压印工艺，形成具有150nm至200nm 直径的柱状抗蚀剂图案74。从抗蚀剂图案74上方发射被加速至^eV的N2+离子与N+离子的混合离子75，并且将混合离子75注入到磁性膜72中。如稍早所描述的，离子加速电压被设置为实现将离子注入到磁性膜72的中心部分中。附带地，考虑磁性膜的实际的膜厚以及离子注入时对磁性膜的损伤，希望离子加
9速电压是4keV以上且50keV以下。在离子注入之后，通过SCl清洗，去除抗蚀剂图案74，从而得到了示例。作为与上述示例比较的比较例，准备仅将N+离子用作该类型的离子的第一比较例以及仅将N2+离子用作该类型的离子的第二比较例。在这些比较例中，各个离子的离子加速电压也被设置为实现将离子注入到磁性膜72的中心部分中。从而，验证了在示例、第一比较例、以及第二比较例各个中所获得的离子注入效果。图6与图7是分别指示在示例、第一比较例、以及第二比较例各个中的离子注入效果的图，并且图6与图7的水平轴表示注入的离子数量，同时图6的垂直轴表示矫顽力，而图7的垂直轴表示饱和磁化。根据图3，显然，在示例(以圆形标记绘制)以及两个比较例(以三角形标记绘制第一比较例、以正方形标记绘制第二比较例)的任意一个中，当注入量是5X 1015/cm2时，矫顽力消失，并且可以使通过人工晶格的分层结构发生的垂直磁各向异性消失。另一方面，如从图4明显的，在示例(以圆形标记绘制)中，通过使用混合离子，可以使饱和磁化完全消失，然而，当在两个比较例(以三角形标记绘制第一比较例，而以正方形标记绘制第二比较例)中使用N+或N2+的一种离子时，由于磁化的减少，需要更大量的注入，所以很难使饱和磁化完全消失。如通过这些图所表明的，在示例中，可以认识到，当注入离子的量是IX 1015(原子 /cm2)以上且IX IO16(原子/cm2)以下时，矫顽力与饱和磁化都消失了。换言之，使用上述混合离子可以有效地减小磁性点之间的磁相互作用。附带地，当注入离子的量达到或超过 2XlO16(原子/cm2)时，由于离子注入，磁性膜的膜厚可能减小，扰乱了介质表面的平滑度， 因而，希望注入离子的量少于2 X IO16 (原子/cm2)并且优选地不多于IX IO16 (原子/cm2)。如上所述，根据在示例、第一比较例、以及第二比较例中的离子注入效果的比较， N；离子与N+离子的混合离子产生比N+或的单离子更好的由离子注入降低饱和磁化的效果，并且能够验证即使利用少量的注入离子也可以使饱和磁化消失。由此，显然，在离子掺杂系统中的磁存储介质的制造方法中，通过使用混合离子作为离子类型可以缩短注入时间，并且可以得到磁存储介质而不会削弱量产能力。附带地，在上述描述中，作为示例已经讨论了将抗蚀剂图案用作优选的形成磁性点的掩模，但是，在上述基本模式中的离子注入中，可以使用将模版掩模(stencil mask)布置为不接触介质的表面并且离子注入的处理，并且在该处理中，可以省略抗蚀剂涂敷以及抗蚀剂去除。此外，在以上描述中，作为抗蚀剂图案化的最佳示例阐述了使用纳米压印工艺，但是，在图案化中也可以使用电子束曝光。附图标记说明
100硬盘装置
10磁盘
61基板
62磁性膜
62aCo原子层
62bPd原子层
62c磁性点62d分隔带
权利要求
1.一种磁存储介质的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤磁性膜形成步骤，在基板上形成磁性膜；以及点间分隔步骤，将N2+离子与N+离子的混合离子局部地注入到所述磁性膜的除了要成为磁性点的多个区域以外的其他区域，降低饱和磁化，由此在该磁性点之间形成饱和磁化比该磁性点的饱和磁化小的点间分隔带，其中，所述磁性点分别以磁的方式记录信息。
2.根据权利要求1所述的磁存储介质的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤掩模形成步骤，在所述磁性膜的要成为所述磁性点的多个区域上，形成阻碍离子注入到所述磁性点中的掩模，其中所述点间分隔步骤包括从多个区域上形成有所述掩模的磁性膜上方施加所述混合离子，从而将所述混合离子局部地注入由该掩模保护的磁性点之间的区域。
3.根据权利要求1或2所述的磁存储介质的制造方法，其特征在于，所述磁性膜形成步骤包括在所述基板上交替地层叠多种原子层，形成具有人工晶格结构的磁性膜。
4.根据权利要求3所述的磁存储介质的制造方法，其特征在于，所述磁性膜形成步骤包括交替地层叠Co原子层和钼金属原子层，形成所述具有人工晶格结构的磁性膜。
5.根据权利要求3或4所述的磁存储介质的制造方法，其特征在于，所述磁性膜形成步骤包括交替地层叠Co原子层和Pd原子层，形成所述具有人工晶格结构的磁性膜。
6.根据权利要求2所述的磁存储介质的制造方法，其特征在于，所述掩模形成步骤包括用抗蚀剂形成所述掩模。
7.根据权利要求2或6所述的磁存储介质的制造方法，其特征在于，所述掩模形成步骤包括通过纳米压印工艺，用抗蚀剂形成所述掩模。
8.—种磁存储介质，其特征在于，该磁存储介质包括基板；多个磁性点，其设置在所述基板上，各所述磁性点具有磁性膜，并且各所述磁性点以磁的方式记录信息；以及点间分隔带，其设置在所述磁性点之间，并且该点间分隔带具有在结构上与所述磁性点的磁性膜连续的膜，在该膜中注入了 N2+离子与N+离子的混合离子而具有比所述磁性点的饱和磁化小的饱和磁化。
9.根据权利要求8所述的磁存储介质，其特征在于，所述磁性点具有在所述基板上交替层叠多种原子层而成的人工晶格结构的磁性膜，并且所述点间分隔带具有与所述人工晶格结构连续且注入有所述混合离子的人工晶格结构。
10.根据权利要求9所述的磁存储介质，其特征在于，所述人工晶格结构是Co原子层与钼金属原子层交替层叠的结构。
11.根据权利要求9或10所述的磁存储介质，其特征在于，所述人工晶格结构是Co原子层与Pd原子层交替层叠的结构。
12.一种信息存储装置，其特征在于，所述信息存储装置包括磁存储介质，其包括基板；多个磁性点，其设置在所述基板上，各所述磁性点具有磁性膜，并且各所述磁性点以磁的方式记录信息；以及点间分隔带，其设置在所述磁性点之间，并且该点间分隔带具有在结构上与所述磁性点的磁性膜连续的膜，在该膜中注入有离子与N+离子的混合离子而具有比所述磁性点的饱和磁化小的饱和磁化；磁头，其接近或接触所述磁存储介质，以磁的方式对所述磁性点执行信息的记录和/ 或再生；以及磁头位置控制系统，其相对于所述磁存储介质的表面相对移动所述磁头，将所述磁头定位于由所述磁头执行信息记录和/或再生的磁性点上。
13.根据权利要求12所述的信息存储装置，其特征在于，所述磁性点具有在所述基板上交替层叠多种原子层而成的人工晶格结构。
14.根据权利要求12所述的信息存储装置，其特征在于，所述磁性点具有在所述基板上交替层叠多种原子层而成的人工晶格结构的磁性膜，并且所述点间分隔带具有与所述人工晶格结构连续且注入有所述混合离子的人工晶格结构。
15.根据权利要求13或14所述的信息存储装置，其特征在于，所述人工晶格结构是Co 原子层与Pd原子层交替层叠的结构。
全文摘要
通过不会削弱量产能力的方法来制造具有高记录密度的磁存储介质。通过包括以下步骤的制造方法来制造磁存储介质(10)磁性膜形成步骤，在基板(61)上形成磁性膜(62)；以及点间分隔步骤，通过将N2+离子与N+离子的混合离子局部地注入到磁性膜(62)的除了分别是以磁的方式记录信息的磁性点(62c)的多个区域之外的区域来降低饱和磁化，从而在所述磁性点(62c)之间形成饱和磁化比所述磁性点(62c)的饱和磁化小的分隔区域(62d)。
文档编号G11B5/65GK102171757SQ20098013859
公开日2011年8月31日 申请日期2009年9月30日 优先权日2008年10月3日
发明者佐藤贤治, 森田正, 涡卷拓也, 渡边一弘, 田中努, 西桥勉 申请人:株式会社爱发科