内存测试方法
【专利摘要】本发明提供了一种内存测试方法，其主要包括以下步骤：a.选择若干组测试条件及相应需测试的参数；b.计算提供到内存模块进行测试的信号的频率、电压、上升斜率及下降斜率；c.设定频率产生器产生的信号的频率、电压、上升斜率及下降斜率；d.设定需量测的信号的参数；e.将步骤c中设定好频率、电压、上升斜率及下降斜率的信号传送至内存模块中进行测试；f.判断是否量测到信号输出，若否，则继续量测；若是，则存储量测的信号的参数值；以及g.判断是否按设定的测试条件将测试参数测试完毕，若否，则返回步骤b，若是，则显示测试完毕后量测的参数值，并判断是否通过测试。本发明不仅节省测试时间，而且测试过程中出错少，测试效率高。
【专利说明】内存测试方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种测试方法，尤其涉及一种性能优良的内存测试方法。
【背景技术】
[0002]内存是电脑的主要组成部分，直接决定电脑系统性能，一旦内存出现故障，便会造成系统读写错误，导致数据丢失，因而对内存进行测试尤为重要。
[0003]传统的内存测试方法弊端较多，不仅测试时间长，而且测试步骤繁琐。
【发明内容】
[0004]鉴于上述问题，本发明提供了一种不仅省时，而且出错少、测试效率高的内存测试方法。
[0005]为了达到上述目的，本发明采用了如下的技术方案:一种内存测试方法，其主要适用于对主板的内存模块进行测试，其中，该方法主要包括以下步骤:
[0006]步骤a.选择若干组测试条件及相应需测试的参数；
[0007]步骤b.计算提供到内存模块进行测试的信号的频率、电压、上升斜率及下降斜率；
[0008]步骤c.设定频率产生器产生的信号的频率、电压、上升斜率及下降斜率；
[0009]步骤d.设定需量测的信号的参数；
[0010]步骤e.将步骤c中设定好频率、电压、上升斜率及下降斜率的信号传送至内存模块中进行测试；
[0011]步骤f.判断是否量测到信号输出，若否，则继续量测；若是，则存储量测的信号的参数值；以及
[0012]步骤g.判断是否按设定的测试条件将测试参数测试完毕，若否，则返回步骤b，若是，则显示测试完毕后量测的参数值，并判断是否通过测试。
[0013]较佳的，本发明提供了一种内存测试方法，其中，所述步骤g中将量测的参数值制作成表格显示。
[0014]较佳的，本发明提供了一种内存测试方法，其中，所述步骤c中所述频率产生器产生的信号为方波。
[0015]较佳的，本发明提供了一种内存测试方法，其中，所述步骤a中所述需测试的参数主要包括频率、电压、上升斜率及下降斜率。
[0016]较佳的，本发明提供了一种内存测试方法，其中，所述步骤e所述的信号传送至内存模块中依据英特尔测试规范进行测试。
[0017]相较于先前技术，本发明提供了一种内存测试方法，不仅节省测试时间，而且测试过程中出错少，测试效率高。
【专利附图】
【附图说明】[0018]图1为本发明的流程图【具体实施方式】
[0019]请参照图1所示，为本发明的流程图。本发明提供了一种内存测试方法，不仅节省测试时间，而且测试过程中出错少，测试效率高。
[0020]其中，该内存测试方法主要适用于对主板的内存模块进行测试,其主要包括以下步骤:
[0021]步骤101.选择若干组测试条件及相应需测试的参数；
[0022]步骤102.计算提供到内存模块进行测试的信号的频率、电压、上升斜率及下降斜率；
[0023]步骤103.设定频率产生器产生的信号的频率、电压、上升斜率及下降斜率；
[0024]步骤104.设定需量测的信号的参数；
[0025]步骤105.将步骤103中设定好频率、电压、上升斜率及下降斜率的信号传送至内存模块中进行测试；
[0026]步骤106.判断是否量测到信号输出，若否，则继续量测；若是，则到步骤107:存储量测的信号的参数值；以及
[0027]步骤108.判断是否按设定的测试条件将测试参数测试完毕，若否，则返回步骤102，若是，则到步骤109:显示测试完毕后量测的参数值，并判断是否通过测试。
[0028]又，所述步骤108中将量测的参数值制作成表格显示，所述步骤103中所述频率产生器产生的信号为方波，所述步骤101中所述需测试的参数主要包括频率、电压、上升斜率及下降斜率，所述步骤105所述的信号传送至内存模块中依据英特尔测试规范进行测试。
[0029]该频率产生器产生方波讯号，此方波讯号依照英特尔测试规范条件输入最大值、最小值及Fdge time (边缘时间)，产生的方波讯号送入存储有上述内存测试方法程序的测试治具，该测试治具即仿真动态负载，并将该测试治具插接于待测主板中的内存插槽上，以便依据英特尔测试规范条件进行测试。
【权利要求】
1.一种内存测试方法，其主要适用于对主板的内存模块进行测试，其特征在于，该方法主要包括以下步骤: 步骤a.选择若干组测试条件及相应需测试的参数； 步骤b.计算提供到内存模块进行测试的信号的频率、电压、上升斜率及下降斜率； 步骤c.设定频率产生器产生的信号的频率、电压、上升斜率及下降斜率； 步骤d.设定需量测的信号的参数； 步骤e.将步骤c中设定好频率、电压、上升斜率及下降斜率的信号传送至内存模块中进行测试； 步骤f.判断是否量测到信号输出，若否，则继续量测；若是，则存储量测的信号的参数值；以及 步骤g.判断是否按设定的测试条件将测试参数测试完毕，若否，则返回步骤b，若是，则显示测试完毕后量测的参数值，并判断是否通过测试。
2.根据权利要求1所述的内存测试方法，所述步骤g中将量测的参数值制作成表格显/Jn ο
3.根据权利要求1所述的内存测试方法，所述步骤c中所述频率产生器产生的信号为方波。
4.根据权利要求1所述的内存测试方法，所述步骤a中所述需测试的参数主要包括频率、电压、上升斜率及下降斜率。
5.根据权利要求1所述的内存测试方法，所述步骤e信号传送至内存模块中依据英特尔测试规范进行测试。
【文档编号】G11C29/08GK103943151SQ201310024901
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2013年1月23日 优先权日:2013年1月23日
【发明者】陈育钲, 张家维 申请人:昆达电脑科技(昆山)有限公司, 神达电脑股份有限公司