磁头、磁记录再现装置及磁头的制造方法
【专利摘要】本发明难以因再现的盘半径位置的不同而使再现信号的轨道间干扰量变化。根据实施方式，一种磁头，具备：第一再现元件；第一磁性膜，其在所述第一再现元件的第一侧壁隔着第一侧壁绝缘膜而形成；第二磁性膜，其在与所述第一侧壁相对的第一再现元件的第二侧壁隔着第二侧壁绝缘膜而形成；第二再现元件，其与所述第一再现元件电绝缘且在所述第一磁性膜上形成；第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和第四磁性膜，其与所述第二再现元件电绝缘且在所述第一再现元件上形成。
【专利说明】磁头、磁记录再现装置及磁头的制造方法
[0001]本申请基于日本在先申请N0.2013-130909 (申请日2013年6月21日)并要求其优先权。该在先申请的全部内容通过引用并入此处。
【技术领域】
[0002]本发明涉及具有多个再现元件的磁头、磁记录再现装置及磁头的制造方法。
【背景技术】
[0003]在数据储存中使用的硬盘驱动器(HDD)由于其位成本低廉而作为大容量记录装置正在个人计算机的数据保存用器件以及视频录像用的HDD记录器、网络连接型的储存装置(NAS:网络存储)和/或文件服务器用途等各种情况下广泛普及。在逐渐产生大量信息的现代信息化社会中，总是要求成为其载体的HDD也大容量化、高密度化。近年来，在作为HDD的高密度化技术而受到注目的技术之一中，有被称为相邻轨道间干扰取消信号处理技术(ITI(轨道间干扰)取消技术)和/或二维记录技术(TDMR:二维磁记录)的技术。该技术的概念是:不仅利用作为目标的再现轨道的再现信号信息，同时也利用目标轨道的相邻轨道的再现信号信息来取消目标轨道中所含的来自相邻轨道的噪音信号，从而能进一步提高目标轨道的记录再现信号的解密精度。
[0004]为得到多个轨道的再现信号，而提出了在磁头设置具有多个再现元件的再现头的方案。
[0005]作为具有多个再现元件的再现头的结构，可以考虑对于多个再现元件的每个各设置一组再现屏蔽件，且在各再现元件中通电的信号检测路径互相独立。然而，在本构成中，需要使各再现元件间的行走方向距离Gd足够宽。由于行走方向距离Gd大，因此对于微小的歪斜(skew)角的变化而使轨道宽度方向的再现元件间距离Rp的变化量ARp增大，因再现的盘半径位置的不同而使再现信号的轨道间干扰量大不相同。
【发明内容】
[0006]本发明的目的是提供在设置多个再现元件的情况下难以因再现的盘半径位置的不同而使再现信号的轨道间干扰量变化的磁头、磁记录再现装置及磁头的制造方法。
[0007]根据实施方式，一种磁头，具备:第一再现元件；第一磁性膜，其在所述第一再现元件的第一侧壁隔着第一侧壁绝缘膜而形成；第二磁性膜，其在与所述第一侧壁相对的第一再现元件的第二侧壁隔着第二侧壁绝缘膜而形成；第二再现元件，其与所述第一再现元件电绝缘且在所述第一磁性膜上形成；第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和第四磁性膜，其与所述第二再现元件电绝缘且在所述第一再现元件上形成。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是表示实施方式的磁记录再现装置的构成的一例的立体图。
[0009]图2是表不实施方式的磁头及悬架的一例的侧视图。
[0010]图3是表示实施方式的再现头的概况的一例的图。
[0011]图4是表示实施方式的再现头的构成的一例的图。
[0012]图5是表示图4的再现元件的构成的一例的图。
[0013]图6是表示实施方式的再现头的构成的一例的图。
[0014]图7是表示实施方式的再现头的制造工序的工序剖视图。
[0015]图8是表示实施方式的再现头的制造工序的工序剖视图。
[0016]图9是表示实施方式的再现头的制造工序的工序剖视图。
[0017]图10是表示实施方式的再现头的制造工序的工序剖视图。
[0018]图11是表示实施方式的再现头的制造工序的工序剖视图。
[0019]图12是表示实施方式的再现头的制造工序的工序剖视图。
[0020]图13是表示实施方式的再现头的制造工序的工序剖视图。
[0021]图14是表示实施方式的再现头的制造工序的工序剖视图。
[0022]图15是表示实施方式的再现头的制造工序的工序剖视图。
【具体实施方式】
[0023]下面参照附图来说明实施方式。
[0024]参照图1及图2来说明本实施方式的磁记录再现装置的构成。该磁记录再现装置能作为硬盘驱动器(HDD)而实现。
[0025]图1是表示将实施方式涉及的HDD的顶盖取下的内部结构，图2表示浮起状态的磁头。在本实施方式中，如图1所示，磁记录再现装置HDD具备壳体10。该壳体10具备上表面开口的矩形箱状的基体1A和未图示的矩形板状的顶盖。顶盖通过多个螺钉而螺钉紧固于基体10A，并将基体1A的上端开口封闭。这样，壳体10内部保持气密，仅通过呼吸过滤器26而能与外部通气。
[0026]在基体1A上，设有作为记录介质的磁盘12及机构部。机构部具备:支撑磁盘12并使该磁盘旋转的主轴电机13 ;对磁盘进行信息的记录、再现的多个、例如两个磁头33 ;将该磁头33相对于磁盘12的表面移动自如地支撑的磁头促动器14 ;和使磁头促动器转动并定位的音圈电机(以下称为VCM)。此外，在基体1A上，设有:在磁头33向磁盘12的最外周移动时将磁头33保持于从磁盘12远离的位置的电灯负载(” > 7° 口一 F)机构18 ;在碰撞等作用于HDD时将磁头促动器14保持于后退位置的闩锁机构20 ;和安装有前置放大器、磁头IC等电子部件的基板单元17。
[0027]在基体1A的外表面，螺钉固定控制电路基板25，且与基体1A的底壁相对地定位。控制电路基板25经基板单元17来控制主轴电机13、VCM16及磁头33的动作。
[0028]如图1所示，磁盘12由在主轴电机13的轮毂(〃 7')互相同轴地嵌合并且在轮毂的上端螺钉固定的夹紧弹簧7 >7° ft) 15来夹紧，并固定于轮毂。磁盘12通过作为驱动电机的主轴电机13而以预定的速度在箭头B方向上旋转。
[0029]磁头促动器14具备在基体1A的底壁固定的轴承部21和从轴承部21伸出的多个臂27。这些臂27与磁盘12的表面平行且互相之间隔着预定间隔地定位，并且从轴承部21向同一方向伸出。磁头促动器14具备能弹性变形的细长板状的悬架30。悬架30由板弹簧构成，且其基端通过点焊或粘接而固定于臂27的前端，并从臂27伸出。各悬架30也可与对应的臂27 —体形成。在各悬架30的伸出端支撑有磁头33。由臂27及悬架30构成磁头悬架，且由该磁头悬架和磁头33构成磁头悬架组件。
[0030]如图2所示，各磁头33具有:大体长方体形状的滑动体42 ;和在该滑动体的流出端(后缘端)设置的记录再现用的磁头部44。磁头33固定于在悬架30的前端部设置的万向弹簧(^ ^ ^ & ) 41。各磁头33通过悬架30的弹性而被施加朝向磁盘12表面的磁头载荷L。两个臂27隔着预定的间隔而互相平行地定位，安装于该臂的悬架30及磁头33在两者间隔着磁盘12地互相相对。
[0031]各磁头33经在悬架30及臂27上固定的中继挠性电路基板(以下称为中继FPC)35而与后述的主FPC38电连接。
[0032]如图1所示，基板单元17具有由挠性印刷电路基板形成的FPC主体36和从该FPC主体伸出的主FPC38。FPC主体36固定于基体1A的底面上。在FPC主体36上，安装有包括前置放大器37、磁头IC在内的电子部件。主FPC38的伸出端与磁头促动器14连接，且经各中继FPC35而与磁头33连接。
[0033]VCM16具有从轴承部21向与臂27相反方向伸出的未图示的支撑框及由支撑框支撑的音圈。在将磁头促动器14组装到基体1A的状态下，音圈位于在基体1A上固定的一对磁轭34间，与该磁轭及固定于磁轭的磁铁一同构成VCM16。
[0034]通过在磁盘12旋转的状态下向VCM16的音圈通电，而使磁头促动器14转动，磁头33在磁盘12的期望的轨道上移动并定位。此时，磁头33沿磁盘12的径向在磁盘的内周缘部和外周缘部之间移动。
[0035]磁头部44在滑动体42的后缘端42B具有通过薄膜处理形成的再现头和记录头(磁记录头)。磁头部44的再现头和记录头形成为分离型的磁头。
[0036]再现头具有多个再现元件，能同时再现来自目标轨道的信号和来自相邻的轨道的干涉信号。例如，如图3所示，再现头HR具有三个再现元件E1、E2、E3，且能同时读取来自目标轨道T2的轨道和来自相邻的两个轨道Tl、T3的信号。此外，为了读取再现元件El、E2、E3的各自的磁阻变化，HDD具有与再现元件El、E2、E3分别对应的电压计H VM3。
[0037]图4是表示从ABS (空气轴承表面(air bearing surface))面=磁盘相对面观察的再现头的构成的图。
[0038]在第一磁屏蔽件301上设有第一再现元件311。在第一再现元件311的相对的侧面的每个上形成有第一侧壁绝缘膜321及第二侧壁绝缘膜322。第一侧壁绝缘膜321及第二侧壁绝缘膜322与第一磁屏蔽件301连接。在第一磁屏蔽件301上形成有第一绝缘膜331。第一绝缘膜331与第一侧壁绝缘膜321连接。在第一绝缘膜331上形成有屏蔽用或偏压用的第一磁性薄膜341。第一磁性薄膜341隔着第一侧壁绝缘膜321而形成于第一再现元件311的侧面。在第一磁屏蔽件301上形成有屏蔽用或偏压用的第二磁性薄膜342。第二磁性薄膜342隔着第二侧壁绝缘膜322而形成于第一再现元件311的侧面。
[0039]在第一磁性薄膜341上形成有第二绝缘膜332。在第一侧壁绝缘膜321上且在第一再现元件311的上表面的一部分上形成有第三绝缘膜333。第一磁性薄膜341在第二绝缘膜332和第三绝缘膜333之间露出。在第二侧壁绝缘膜322上且在第二再现元件342上形成有第四绝缘膜334。第一再现元件311在第三绝缘膜333和第四绝缘膜334之间露出。
[0040]在第二绝缘膜332和第三绝缘膜333之间的第一磁性薄膜341上且第三绝缘膜333的一部分上形成有第二再现元件312。在第二再现元件312的相对的各侧面形成有第三侧壁绝缘膜323及第四侧壁绝缘膜324。在第二绝缘膜332上形成有第三磁性薄膜343。第三磁性薄膜343隔着第三侧壁绝缘膜323而形成于第二再现元件312的侧面。
[0041]在第三绝缘膜333和第四绝缘膜334之间的第一再现元件311上且第四绝缘膜334上形成有屏蔽用或偏压用的第四磁性薄膜344。第四磁性薄膜344隔着第四侧壁绝缘膜324而形成于第二再现元件312的侧面。
[0042]在第三磁性薄膜343上形成有第五绝缘膜335。在第三侧壁绝缘膜323上且第二再现元件312的上表面的一部分上形成有第六绝缘膜336。第三磁性薄膜343在第五绝缘膜335和第六绝缘膜336之间露出。在第四磁性薄膜344上形成有第七绝缘膜337。第二再现元件312在第六绝缘膜336和第七绝缘膜337之间露出。
[0043]在第五绝缘膜335和第六绝缘膜336之间的第三磁性薄膜343上且第六绝缘膜336的一部分上形成有第三再现元件313。在第三再现元件313的相对的各侧面形成有第五侧壁绝缘膜325及第六侧壁绝缘膜326。在第五绝缘膜335上形成有第五磁性薄膜345。第五磁性薄膜345隔着第五侧壁绝缘膜325而形成于第三再现元件313的侧面。
[0044]在第五磁性薄膜345及第五侧壁绝缘膜上形成第八绝缘膜338。在第六绝缘膜336和第七绝缘膜337之间的第二再现元件312上且第七绝缘膜337上形成有屏蔽用或偏压用的第六磁性薄膜346。第六磁性薄膜346隔着第六侧壁绝缘膜326而形成于第三再现元件313的侧面。在第六磁性薄膜346上形成有第九绝缘膜339。在第八绝缘膜338、第三再现元件313及第九绝缘膜339上形成有第二磁屏蔽件302。
[0045]在下面以其他表现来说明图4所示的结构。再现头在由一对磁屏蔽件间夹持的区域具有多个再现元件311、312、313。再现头具有与第一磁屏蔽件301电连接的第一再现元件311、在第一磁屏蔽件311两侧与再现元件311电绝缘地设置的屏蔽用或偏压用的第一及第二磁性薄膜341、342。
[0046]在第一磁性薄膜341上，设有与第一磁性薄膜341电接合且与第一再现元件311电绝缘的第二再现元件312。在第二再现元件312的两侧，与再现元件312电绝缘地设有屏蔽用或偏压用的第三及第四磁性薄膜343、344。这里，屏蔽用或偏压用的第三及第四磁性薄膜为软磁性体或较低顽磁力(比来自介质的信号磁场强度弱，例如IkOe以下的顽磁力)的硬磁性体。此外，第三磁性薄膜343和第一再现元件311电连接。再有，在第四磁性薄膜344上，设有与第四磁性薄膜344电连接的第三再现元件313。在第三再现元件313的两侧，设有与再现元件313电绝缘的屏蔽用或偏压用的第五及第六磁性薄膜345、346。这里，第三再现元件313和第二磁屏蔽件302及第二再现元件312和第三磁性薄膜343电连接。在各再现元件的电流路径互相独立且电绝缘。
[0047]根据本构成，对于第一再现元件311，第一磁屏蔽件301及第四磁性薄膜344成为在起到提高再现分解能的一对屏蔽(屏蔽件)功能的同时用于检测来自介质的信号所导致的第一再现元件311的电阻变化的电流路径。
[0048]其次，对于第二再现元件312，第一磁性薄膜341及第五磁性薄膜345成为一对屏蔽功能及元件电阻变化检测电路路径。此外，第三及第四磁性薄膜343、344具有对于第二再现元件312的偏压功能。即、第四磁性薄膜344是兼作对于第一再现元件311的磁屏蔽件及导体和对于第二再现元件312的偏压膜的构成。
[0049]再有，对于第三再现元件，第三磁性薄膜343及第二磁屏蔽件301成为一对屏蔽功能及元件电阻变化检测电路路径。这里，第三磁性薄膜343是兼作对于第三再现元件313的磁屏蔽件及导体和对于第二再现元件312的偏压膜的构成。
[0050]在本结构的情况下，再现头的行走方向的再现元件间距离Gd相当于绝缘薄膜厚度，可以是几rim以下。由于再现元件间距离Gd变薄，因此轨道宽度方向的再现元件间距离Rp的变化量ARp几乎没有变化，不会因再现的磁盘半径位置的不同而使再现信号的轨道间干扰量大不相同。
[0051]再有，虽然这里描述了再现元件为三个的情况，但是，可以知道:如果是再现元件为两个的构成，则省略图4中的第二再现元件312结构，此外，如果是再现元件为四个以上的构成，则可通过将与图4中的第二再现元件312的结构相同的结构层叠来实现类似的构成。
[0052]在本实施方式中，除了目标再现信号以外，将从其他再现元件再现的信号的延迟信号也组合，从而从多个干扰再现信号进行再现信号的解密。这样，高轨道密度的信号再现成为可能。通过使用本发明的磁头而将再现元件间的行走方向距离Gd与比较例那样的现有构成相比大幅缩短，因此，由于也能大幅缩短将相邻再现元件间的信号组合时的延迟时间偏差，因而能期待将实时的信号处理的延迟时间电路量大幅简化。
[0053](再现元件的结构)
[0054]说明再现元件的结构的例子。本实施方式使用的再现元件当然可使用在一般的硬盘驱动器中采用的自旋阀C > KA7'')型TMR磁头等，但是，使用不需要再现元件侧部的偏压结构的竖偏压型三层结构磁头更好。图5是表示具有三层结构的再现元件的结构的例子的图。
[0055]如图5所示，结构包括夹持非磁性金属薄膜410的两个磁化自由层401、402。对于磁化自由层401、402从ABS面在进深方向上设有磁化起磁偏压膜420。
[0056]通过磁化起磁偏压膜420，而使磁化自由层401的磁化方向Dl和磁化自由层402的磁化方向D2正交。通过用来自介质的外部磁场使两个磁化自由层401、402的磁化方向所成的角变化，而使元件的磁阻变化。在该再现元件构成中，在再现元件的侧面不需要偏压膜，因此图4的第一?第六磁性薄膜可以是简单的软磁性屏蔽薄膜。由于在该情况下不需要将对于再现元件的偏压设计对第一?第六磁性薄膜进行，因此能提供与第一?第六磁性薄膜的磁特性波动无关地保证稳定的再现元件动作的磁头。
[0057](两个再现元件的例子)
[0058]设有图6来描述作为实施例而将一个磁头内的再现元件的个数限定为两个时的磁头构成例，并包括其制法的简单说明。
[0059]形成有在第一磁屏蔽件501上形成的第一再现元件502。第一再现元件502两侧面侧的第一磁屏蔽件501在再现元件膜形成后进行深切削，并设有凹部511A、511B。在凹部51IA上，隔着第一绝缘层503A而形成有第一磁性薄膜504A。在凹部51IB上，隔着第二绝缘层503B而形成有第二磁性薄膜504B。第一再现元件502、第一绝缘层503A、第二绝缘层503B、第一磁性薄膜504A及第二磁性薄膜504B的上表面位置大体相等。
[0060]在从第一再现元件502在轨道宽度方向上偏离的位置的第一磁性薄膜504A上形成有第二再现元件505。在第二再现元件505的侧面形成有绝缘层506。在第一磁性薄膜504A上形成有第三磁性薄膜507A。在第二磁性薄膜504B上形成有第四磁性薄膜507B。第一磁性薄膜504A和第三磁性薄膜507A之间以及第二磁性薄膜504B和第四磁性薄膜507B之间电接合。在第三及第四磁性薄膜507A、507B上形成有绝缘层。
[0061]本结构的情况下，能使再现元件侧部的各磁性薄膜厚度变厚，因此具有使电阻下降且对再现元件流过更大的检测电流的优点。
[0062]图7?图15是表示图6所示的再现头的制造方法的工序剖视图。参照图7?图15来说明图6所示的再现头的具体制作步骤。
[0063]首先，如图7所示，在第一磁屏蔽件501上形成第一再现元件膜601。在第一再现元件膜601上形成用于将第一再现元件加工为规定的尺寸的抗蚀剂等第一掩模材料602。其次,如图8所示，通过用研磨($ U >々'')等加工工序来蚀刻第一掩模材料602下以外的多余第一再现元件膜601，而形成第一再现元件502。在该蚀刻时，通过挖入第一磁屏蔽件501，而在第一磁屏蔽件501形成凹部603。
[0064]如图9所示，在凹部603的表面上，依次沉积绝缘层503A、503B及成为屏蔽件或偏压件的磁性薄膜504A、504B。如图10所示，在除去第一掩模材料602后，通过CMP (化学机械抛光)等平坦化技术，来使绝缘层503及磁性薄膜504A、504B的表面后退，并使绝缘层503、磁性薄膜504A、504B、第一再现元件502的表面平坦化。在平坦化的面上形成成为第二再现元件505的再现元件膜。如图11所示，在形成用于在与第一再现元件偏离的位置的再现元件膜上形成第二再现元件的第二掩模材料604后将第二掩模材料604下以外的多余第二再现元件膜蚀刻，从而形成第二再现元件505。如图12所示，在残留第二再现元件505上的第二掩模材料604的状态下，在第二再现元件505的侧面及第二掩模材料604的侧面沉积绝缘膜506A、506B后，在平坦化的面上形成成为屏蔽件或偏压件的磁性薄膜507A、507B。这里，磁性薄膜504A和磁性薄膜507A电连接，且磁性薄膜504B和磁性薄膜507B电连接。如图13所示,通过对磁性薄膜507A、507B的最外侧表面进行氧化处理或沉积绝缘物,而在磁性薄膜507A、507B上形成绝缘层508A、508B。如图14所示，在除去第二掩模材料604后，将表面平坦化。如图15所示，在整个面沉积第二磁屏蔽件509。在以上的工序中，能形成图6所示的结构。
[0065]再有，如果各再现元件是自旋阀型TMR (隧道磁阻:TunnelMagneto_Resistance)和/或CPP-GMR元件，则各磁性薄膜与在一个方向上起磁的软偏压膜或硬偏压膜组合是适当的。此外，可使用图5所示的由两个自由层构成的三层结构的再现元件来作为各再现元件。该情况下，各磁性薄膜与简单的软磁性材料的屏蔽膜组合是适当的。
[0066]通过具备在第一再现元件311的第一侧壁隔着第一侧壁绝缘膜321而形成的第一磁性薄膜341、在与第一侧壁相对的第一再现元件311的第二侧壁隔着第二侧壁绝缘膜322而形成的第二磁性薄膜342、与第一再现元件311电绝缘且在第一磁性薄膜341上形成的第二再现元件312、在第一磁性薄膜341上形成的第三磁性薄膜343、与第二再现元件312电绝缘且在第一再现元件311上形成的第四磁性薄膜344，而可缩短第一再现元件311和第二再现元件312的距离，且通过再现的盘半径位置的不同来使再现信号的轨道间干扰量难以变化。
[0067]虽然说明了本发明的几个实施方式，但是，这些实施方式仅是例示，并不意在限定本发明的范围。上述新颖实施方式能以其他各种方式来实施，在不脱离本发明主旨的范围内，能进行各种省略、替换、改变。这些实施方式和变形例包含于本发明的范围和主旨中，同样地，也包含于与记载于请求保护的范围记载的发明等同的范围中。
【权利要求】
1.一种磁头，其特征在于，具备: 第一再现元件； 第一磁性膜，其在所述第一再现元件的第一侧壁隔着第一侧壁绝缘膜而形成； 第二磁性膜，其在与所述第一侧壁相对的第一再现元件的第二侧壁隔着第二侧壁绝缘膜而形成； 第二再现元件，其与所述第一再现元件电绝缘且在所述第一磁性膜上形成； 第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和 第四磁性膜，其与所述第二再现元件电绝缘且在所述第一再现元件上形成。
2.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于， 所述第一再现元件及所述第二再现元件是自旋阀型的隧道磁阻效果式的再现元件，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜及所述第四磁性膜是偏压膜，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜及所述第四磁性膜被起磁。
3.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于， 所述第一再现元件及所述第二再现元件的每个都具备:将第一磁化自由层、非磁性金属层和与所述第一磁化自由层磁结合的第二磁化自由层层叠的层叠结构；和对于所述层叠结构从介质相对面在进深方向上设置的磁化起磁偏压膜， 所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜及所述第四磁性膜包括软磁性体。
4.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于， 还具备: 第三再现元件，其与所述第二再现元件电绝缘且在所述第三磁性膜上形成； 第五磁性膜，其在所述第三磁性膜上形成；和 第六磁性膜，其与所述第三再现元件电绝缘且在所述第二再现元件上形成。
5.根据权利要求4所述的磁头，其特征在于， 所述第一再现元件、所述第二再现元件及所述第三再现元件是自旋阀型的隧道磁阻效果式的再现元件，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜、所述第四磁性膜、所述第五磁性膜及所述第六磁性膜是偏压膜，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜、所述第四磁性膜、所述第五磁性膜及所述第六磁性膜被起磁。
6.根据权利要求4所述的磁头，其特征在于， 所述第一再现元件、所述第二再现元件及所述第三再现元件的每个都具备:将第一磁化自由层、非磁性金属层和与所述第一磁化自由层磁结合的第二磁化自由层层叠的层叠结构；和对于所述层叠结构从介质相对面在进深方向上设置的磁化起磁偏压膜， 所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜、所述第四磁性膜、所述第五磁性膜及所述第六磁性膜包括软磁性体。
7.—种磁记录再现装置，具备磁头，其特征在于， 所述磁头具备: 第一再现元件； 第一磁性膜，其在所述第一再现元件的第一侧壁隔着第一侧壁绝缘膜而形成； 第二磁性膜，其在与所述第一侧壁相对的第一再现元件的第二侧壁隔着第二侧壁绝缘膜而形成； 第二再现元件，其与所述第一再现元件电绝缘且在所述第一磁性膜上形成； 第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和 第四磁性膜，其与所述第二再现元件电绝缘且在所述第一再现元件上形成。
8.一种磁头的制造方法，其特征在于， 在第一磁屏蔽件上形成第一再现元件层， 在所述第一再现元件膜上，有选择地形成用于将所述第一再现元件膜加工为规定的尺寸的第一掩模材料， 通过使用所述第一掩模材料来作为掩模将所述第一再现元件层及所述第一磁屏蔽件蚀刻，而形成由所述第一再现元件层构成的第一再现元件，并在所述第一再现元件的两侧部的所述第一磁屏蔽件形成凹部， 在所述凹部上及所述第一再现元件的侧部上形成第一绝缘层， 在所述第一绝缘层上形成第一磁性膜， 有选择地除去所述第一掩模材料， 在所述第一绝缘层、所述第一磁性膜及所述第一再现元件上形成第二再现元件层，在所述第二再现元件层上且不与所述第一再现元件重叠的位置处有选择地形成第二掩模材料， 通过使用所述第二掩模材料来作为掩模将所述第二再现元件层蚀刻，而形成第二再现元件， 在所述第二再现元件的侧面形成第二绝缘层， 在所述第一磁性膜、所述第一绝缘层及所述第一再现元件上形成第二磁性膜， 在所述第二磁性膜上形成第三绝缘层， 有选择地除去所述第二掩模材料， 在所述第三绝缘层及所述第二再现元件上形成第三磁性膜。
【文档编号】G11B5/31GK104240722SQ201310461793
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年9月30日 优先权日:2013年6月21日
【发明者】竹尾 昭彦, 一仁 柏木, 山田 健一郎, 克彦 鸿井, 知己 船山 申请人:株式会社 东芝