用于读取电阻器或单元中储存的信息的半导体装置的制作方法

本申请要求2015年5月8日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2015-0064854的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例涉及一种半导体装置，且更具体地，涉及一种用于读取储存在电阻器或单元中的信息的半导体装置。

背景技术：

半导体装置以各种方法来使用晶体管。晶体管包括栅极、漏极和源极。当晶体管的栅极接收到比其阈值电压高的电压时，在漏极与源极之间创建沟道，且电流流动。晶体管通常分类为N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管。N沟道MOS晶体管通常不传送较高的电压而P沟道MOS晶体管通常不传送较低的电压。

尽管晶体管被广泛地用作电子产品中的开关器件，但每种类型可以仅在特定的电压条件下良好地工作。例如，当N沟道MOS晶体管电耦接在电源电压与接地电压之间时，N沟道MOS晶体管最终传送电源电压减去N沟道MOS晶体管的阈值电压。因此，N沟道MOS晶体管通常不用作用来传送电压敏感或电流敏感的信息的开关器件。为了使N沟道MOS晶体管传输更高的电压而无电压降，可以提高输入到N沟道MOS晶体管的栅极的电压或者可以改变N沟道MOS晶体管的反向偏置电压。

技术实现要素：

在本发明的一个实施例中，半导体装置可以包括：可变电阻器；可变电阻器选择单元，适用于响应于电阻器选择信号来将可变电阻器电耦接到感测放大器；电源单元，适用于响应于读取信号来施加第一电压到可变电阻器选择单元；以及开关驱动单元，适用于响应于电阻器选择控制信号来产生电阻器选择信号，以及适用于在第一电压被施加到可变电阻器选择单元时提高电阻器选择信号的电压。

在本发明的一个实施例中，半导体装置可以包括：列选择单元，适用于响应于位线选择信号来通过位线将电源单元电耦接到存储单元；电源单元，适用于响应于读取信号来施加第一电压到列选择单元；以及开关驱动单元，适用于响应于列选择信号来产生位 线选择信号，以及适用于在第一电压被施加到列选择单元时提高位线选择信号的电压电平。

附图说明

图1示出图示根据本发明的一个实施例的半导体装置的框图，

图2示出图示图1中示出的第一开关驱动单元的电路图，

图3示出图示图1中示出的电源单元的电路图，

图4示出图示图1中示出的预充电单元的电路图，

图5示出图示开关驱动单元与开关晶体管之间的耦接关系的电路图，以及图示根据本发明的一个实施例的半导体装置的操作的时序图，以及

图6示出图示根据本发明的一个实施例的半导体装置的框图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图来通过示例性实施例描述根据本发明的半导体装置。

图1示出图示根据本公开的示例性实施例的半导体装置的框图。参见图1，半导体装置1可以包括可变电阻器单元110、可变电阻器选择单元120、电压单元130以及多个开关驱动单元141和142。

可变电阻器单元110可以包括第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2。图1示例性地示出包括两个可变电阻器的可变电阻器单元110。可变电阻器单元110可以包括以阵列安置的更多个可变电阻器。第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2中的每个可以一端电耦接到接地电压，而另一端电耦接到可变电阻器选择单元120。第一可变电阻器R1可以电耦接到第一电阻器选择线SL1，而第二可变电阻器R2可以电耦接到第二电阻器选择线SL2。

第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2中的每个可以包括可变电阻元件。可变电阻元件可以根据温度、磁场分布以及电压或电流条件而具有可变电阻值。第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2中的每个根据储存的信息而具有特定电阻值。第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2的电阻值可以通过用于储存信息的写入电路来设置。

可变电阻器选择单元120可以根据第一电阻器选择信号和第二电阻器选择信号 RS<1:2>来选择第一电阻器选择线SL1和第二电阻器选择线SL2中的一个。可变电阻器选择单元120可以电耦接到公共节点A。可变电阻器选择单元120可以通过公共节点A来电耦接到电源单元130。可变电阻器选择单元120可以分别通过第一电阻器选择线SL1和第二电阻器选择线SL2来电耦接到第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2。可变电阻器选择单元120可以包括多个开关晶体管ST1和ST2，多个开关晶体管的数目对应于电阻器选择线SL1和SL2的数目。

多个开关晶体管ST1和ST2可以包括N沟道MOS晶体管。当多个开关晶体管ST1和ST2中的每个为N沟道MOS晶体管时，在通过多个开关晶体管ST1和ST2而从公共节点A向第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2提供的电压或电流中存在等于开关晶体管ST1和ST2的阈值电压的电压降。因此，在多个开关晶体管ST1和ST2的栅极处需要增加电压或流经多个晶体管ST1和ST2的电流，这将在之后详细描述。

可变电阻器选择单元120可以包括第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2。第一开关晶体管ST1可以电耦接到第一电阻器选择线SL1。第二开关晶体管ST2可以电耦接到第二电阻器选择线SL2。第一开关晶体管ST1可以在其栅极处接收第一电阻器选择信号RS<1>，可以在其漏极处电耦接到公共节点A，以及可以在其源极处电耦接到第一可变电阻器R1。当第一电阻器选择信号RS<1>被使能时，第一开关晶体管ST1可以将第一可变电阻器R1与公共节点A电耦接。第二开关晶体管ST2可以在其栅极处接收第二电阻器选择信号RS<2>，可以在其漏极处电耦接到公共节点A，以及可以在其源极处电耦接到第二可变电阻器R2。当第二电阻器选择信号RS<2>被使能时，第二开关晶体管ST2可以将第二可变电阻器R2与公共节点A电耦接。

电源单元130可以电耦接到公共节点A。电源单元130可以响应于读取信号RD来提供第一电压给公共节点A。因此，当读取信号RD被使能时，电源单元130可以通过公共节点A来提供第一电压给可变电阻器选择单元120。读取信号RD可以在读取操作期间被使能，读取操作是读取储存在第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2中的信息的过程。第一电压可以对应于半导体装置的电源电压VDD。当电源单元130通过公共节点A以及第一电阻器选择线SL1和第二电阻器选择线SL2而将第一电压提供给第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2时，可变电流可以流经公共节点A，且其电流量取决于第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2中的被选中的一个电阻器的电阻值。这意味着公共节点A的电压电平可以根据选中可变电阻器的电阻值而改变。

多个开关驱动单元141和142可以包括第一开关驱动单元141和第二开关驱动单元142。第一开关驱动单元141和第二开关驱动单元142可以分别响应于第一电阻器选择控制信号和第二电阻选择控制信号SW<1:2>来产生第一电阻器选择信号和第二电阻器选 择信号RS<1:2>。开关驱动单元141和142的数目、电阻器选择控制信号SW<1:2>的数目以及电阻器选择信号RS<1:2>的数目中的每个可以对应于电阻器选择线SL1和SL2的数目。可以提供第一电阻器选择控制信号和第二电阻器选择控制信号SW<1:2>以用于选择在读取操作期间要被访问的可变电阻器R1和R2。例如，第一电阻器选择控制信号SW<1>可以被使能以用于访问第一可变电阻器R1。第一开关驱动单元141可以响应于第一电阻器选择控制信号SW<1>来使能第一电阻器选择信号RS<1>，从而第一电阻器选择线SL1可以被选中。第二电阻器选择控制信号SW<2>可以被使能以访问第二可变电阻器R2。第二开关驱动单元142可以响应于第二电阻器选择控制信号SW<2>来使能第二电阻器选择信号RS<2>，从而第二电阻器选择线SL2可以被选中。

第一开关驱动单元141可以在第一电阻器选择控制信号SW<1>被使能时产生具有第二电压电平的第一电阻器选择信号RS<1>。而且，第一开关驱动单元141可以在读取信号RD被使能且第一电压被提供给可变电阻器选择单元120时产生具有第三电压电平的第一电阻器选择信号RS<1>。以类似的方法，第二开关驱动单元142可以在第二电阻器选择控制信号SW<2>被使能时产生具有第二电压电平的第二电阻器选择信号RS<2>。而且，第二开关驱动单元142可以在读取信号RD被使能且第一电压被提供给可变电阻器选择单元120时产生具有第三电压的第二电阻器选择信号RS<2>。第三电压的电平可以比第二电压的电平高，且可以对应于第一电压和第二电压的和，这将在之后描述。

当第一电压被提供给可变电阻器选择单元120时，第一开关驱动单元141和第二开关驱动单元142可以分别增加第一电阻器选择信号和第二电阻器选择信号RS<1:2>的电压电平。第一电阻器选择信号和第二电阻器选择信号RS<1:2>可以分别被输入到第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2的栅极。因此，第一开关驱动单元141和第二开关驱动单元142可以通过增加第一电阻器选择信号和第二电阻器选择信号RS<1:2>的电压来消除或补偿由第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2的阈值电压引起的损失。

参见图1，半导体装置1还可以包括感测放大器150和预充电单元160。当第一电阻器选择线SL1和第二电阻器选择线SL2中的一个被第一电阻器选择信号和第二电阻器选择信号RS<1:2>选中时，感测放大器150可以通过感测并放大储存在第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2的一个可变电阻器中的信息来产生输出信号OUT，所述一个可变电阻器电耦接到第一电阻器选择线SL1和第二电阻器选择线SL2中的被选中的一个。感测放大器150可以电耦接到公共节点A。第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2可以通过第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2来电耦接到感测放大器150。因此，感测放大器150可以电耦接到第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2，且可以通过感测并放大第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2中的信息(该信息通过第一电阻器选 择线SL1和第二电阻器选择线SL2输入)来产生输出信号OUT。感测放大器150可以包括适用于通过感测流经公共节点A的电流来产生数字信号的模数转换器(ADC)或适用于通过公共节点A的电压和参考电压来产生数字信号的电压放大器。

预充电单元160可以响应于读取信号RD的反相信号RDB来预充电公共节点A。例如，当读取信号RD被禁止时，预充电单元160可以通过将公共节点A驱动到接地电压来预充电公共节点A。当读取信号RD被使能时，预充电单元160可以关断并解除对公共节点A的预充电。

图2示出图示图1中示出的第一开关驱动单元141的电路图。参见图2，第一开关驱动单元141可以包括反相器211、第一晶体管N1和第二晶体管N2。

反相器211可以反向第一电阻器选择控制信号SW<1>并输出反相的信号。第一晶体管N1可以接收反相器211的输出，并将输出节点B驱动到第一电压。第二晶体管N2可以接收第一电阻器选择控制信号SW<1>，并将输出节点B驱动到接地电压VSS。第一电阻器选择信号RS<1>可以通过输出节点B来产生。第一晶体管N1和第二晶体管N2可以为N沟道MOS晶体管。第一晶体管N1可以在其栅极处接收反相器211的输出，可以在其漏极处电耦接到电源电压VDD，以及可以在其源极处电耦接到输出节点B。第二晶体管N2可以在其栅极处接收第一电阻器选择控制信号SW<1>，可以在其漏极处电耦接到输出节点B，以及可以在其源极处电耦接到接地电压VSS。

当第一电阻器选择控制信号SW<1>变为高禁止时，第一开关驱动单元141可以低禁止第一电阻器选择信号RS<1>。当第一电阻器选择控制信号SW<1>变为低使能时，第一开关驱动单元141可以高使能第一电阻器选择信号RS<1>。被高使能的第一电阻器选择信号RS<1>可以具有第二电压。当第一电阻器选择控制信号SW<1>变为被使能时，第一晶体管N1可以导通，且第一电压可以通过第一晶体管N1而经由输出节点B输出。当第一电压被施加时，第一晶体管N1的阈值电压VthN1的量可以出现损失。因此，第一电阻器选择信号RS<1>可以具有第一电压(即，电源电压VDD)减去第一晶体管N1的阈值电压VthN1的电平VDD-VthN1。即，第二电压可以对应于第一电压VDD减去第一晶体管N1的阈值电压VthN1的电平VDD-VthN1。除输入信号和输出信号之外，第二开关驱动单元142可以与第一开关驱动单元141相同。

图3示出图示图1中示出的电源单元130的电路图。参见图3，电源单元130可以包括开关311。开关311可以响应于读取信号RD而导通。当读取信号变为被使能时，开关311可以导通，且第一电压VDD可以通过开关311而被施加到公共节点A。

图4示出图示图1中示出的预充电单元160的电路图。参见图4，预充电单元160可以包括第三晶体管411。第三晶体管411可以为N沟道MOS晶体管。第三晶体管411可以在其栅极处接收读取信号RD的反相信号RDB，可以在其漏极处电耦接到公共节点A，以及可以在其源极处电耦接到接地电压VSS。第三晶体管411可以在读取信号RD变为被禁止且反相信号RDB变为被使能时将公共节点A驱动到接地电压VSS。

图5示出图示第一开关驱动单元141与第一开关晶体管ST1之间的耦接关系的电路图，以及示出图示根据本公开的示例性实施例的半导体装置1的操作的时序图。在下文中将描述根据本公开的示例性实施例的半导体装置1的操作。

例如，当半导体装置1执行读取操作以读取储存在第一可变电阻器R1中的信息时，第一电阻器选择控制信号SW<1>可以被从高电平使能到低电平以用于半导体装置1来访问第一可变电阻器R1。根据本公开的示例性实施例，第一电阻器选择控制信号SW<1>可以首先被使能，然后之后读取信号RD可以被使能。第一开关驱动单元141可以响应于第一电阻器选择控制信号SW<1>来使能第一电阻器选择信号RS<1>。被使能的第一电阻器选择信号RS<1>可以具有第二电压的电平“VDD-VthN1”(第一电压VDD减去第一晶体管N1的阈值电压VthN1)。当读取信号RD还未被使能时，因为电源单元130未提供第一电压VDD给公共节点A且预充电单元160将公共节点A驱动到接地电压VSS，所以第一开关晶体管ST1的漏极可以具有与接地电压VSS相对应的电压电平。

在那之后，读取信号RD可以被使能。当读取信号RD被使能时，电源单元130可以提供第一电压VDD给公共节点A，且第一开关晶体管ST1的漏极可以具有第一电压VDD。此时，第一电阻器选择信号RS<1>的电压电平可以因为第一开关晶体管ST1的栅极与漏极之间的寄生电容器Cgd而激增。例如，第一电阻器选择信号RS<1>可以具有第三电压，而第三电压可以为“2*VDD-VthN1”。当第一电阻器选择信号RS<1>的电压电平激增时，第一晶体管N1的栅极与源极之间的电压差Vgs可以降低到第一晶体管N1的阈值电压VthN1之下。因此，即使第一电阻器选择控制信号SW<1>保持被使能，第一晶体管N1仍可以关断。

当第一晶体管N1关断时，输出节点B可以浮置且第一电阻器选择信号RS<1>可以保持第三电压“2*VDD-VthN1”。因为第一开关晶体管ST1接收具有第三电压“2*VDD-VthN1”的第一电阻器选择信号RS<1>，所以第一开关晶体管ST1可以被提供有足够高的栅极电压。因此，由电源单元130提供到公共节点A的第一电压VDD可以被传送到第一可变电阻器R1而无第一开关晶体管ST1的阈值电压的损失。

当第一电压VDD被传送到第一可变电阻器R1时，流经公共节点A的电流的量可 以根据第一可变电阻器R1的电阻值而改变，以及感测放大器150可以通过感测该电流量来产生输出信号OUT。

如上所述，第一开关驱动单元141和第二开关驱动单元142可以提高第一电阻器选择信号和第二电阻器选择信号RS<1:2>的电压电平，从而可以防止第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2的阈值电压的损失。第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2可以从电源单元130无损失地接收电源电压VDD，因此流经公共节点A的电流可以仅取决于第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2的电阻值，以及储存在第一可变电阻器R1和第二可变电阻器R2中的信息可以由感测放大器150精确地输出。

图6示出图示根据本公开的示例性实施例的半导体装置6的框图。图6中的半导体装置6可以为用于储存和输出数据的存储装置。参见图6，半导体装置6可以包括存储块610、列选择单元620、电源单元630和多个开关驱动单元641到64n。

存储块610可以包括多个字线WL1到WLm、多个位线BL1到BLn以及多个存储单元CELL。存储块610可以为存储单元CELL的阵列。多个字线WL1到WLm可以沿行方向布置，而多个位线BL1到BLn可以沿列方向布置。多个存储单元CELL可以分别置于多个字线WL1到WLm与多个位线BL1到BLn的交叉点上。因此，特定的存储单元可以通过选择多个字线WL1到WLm中的对应于特定的存储单元的一个以及多个位线BL1到BLn中的对应于特定存储单元的一个来访问。

半导体装置6可以优选地为非易失性存储装置，而半导体装置6可以为易失性存储装置。例如，半导体装置6可以为快闪存储装置、电阻式随机存取存储(RRAM)装置、相变随机存取存储(PRAM)装置、铁电随机存取存储(FRAM)装置和自旋转移力矩随机存取存储(STT-RAM)装置等中的一种或组合。

而且，多个存储单元CELL中的每个可以为快闪存储器件或EEPROM存储器件。而且，多个存储单元CELL中的每个可以为RRAM器件、PRAM器件、FRAM器件和STT-RAM器件等中的一种。

列选择单元620可以根据位线选择信号BS<1:n>来选择多个位线BL1到BLn中的一个。列选择单元620可以电耦接在存储块610与公共节点C之间，以及可以通过多个位线BL1到BLn来耦接到多个存储单元CELL中的每个。列选择单元620可以包括多个开关晶体管BT1到BTn，多个开关晶体管的数目对应于多个位线BL1到BLn的数目。多个开关晶体管BT1到BTn中的每个可以接收位线选择信号BS<1:n>中的对应的一个。

电源单元630可以响应于读取信号RD来将第一电压提供给公共节点C。第一电压 可以为电源电压VDD。多个开关驱动单元641到64n的数目可以对应于多个位线BL1到BLn的数目或多个开关晶体管BT1到BTn的数目。第一开关驱动单元641可以电耦接到第一开关晶体管BT1(其电耦接到第一位线BL1)。第二开关驱动单元642可以电耦接到第二开关晶体管BT2(其电耦接到第二位线BL2)。第n开关驱动单元64n可以电耦接到第n开关晶体管BTn(其电耦接到第n位线BLn)。

多个开关驱动单元641到64n中的每个除了其输入信号和输出信号之外都可以与以上参照图2描述的第一开关驱动单元141相同。第一开关驱动单元641可以响应于第一列选择信号CS<1>来产生第一位线选择信号BS<1>。第二开关驱动单元642可以响应于第二列选择信号CS<2>来产生第二位线选择信号BS<2>。第n开关驱动单元64n可以响应于第n列选择信号CS<n>来产生第n位线选择信号BS<n>。列选择信号CS<1:n>可以基于列地址信号来产生，且可以被使能以用于选择多个位线BL1到BLn中的一个位线(所述一个位线电耦接至多个存储单元CELL中的要被访问的一个存储单元)。多个开关驱动单元641到64n可以分别在列选择信号CS<1:n>被使能时产生具有第二电压的电平的位线选择信号BS<1:n>。在那之后，多个开关驱动单元641到64n可以在读取信号RD被使能且公共节点A被电源单元630提供有第一电压VDD时产生具有第三电压的电平的位线选择信号BS<1:n>。

参见图6，半导体装置6还可以包括感测放大器650和预充电单元660。当多个位线BL1到BLn中的一个通过位线选择信号BS<1:n>而被选中时，感测放大器650可以通过感测并放大电耦接到选中位线的存储单元的信息来产生输出信号OUT。感测放大器650可以电耦接到公共节点C。多个存储单元CELL可以通过形成列选择单元620的多个开关晶体管BT1到BTn来电耦接到感测放大器650。因此，感测放大器650可以通过列选择单元620来电耦接到多个存储单元中的一个，以及可以通过感测并放大选中存储单元的信息来产生输出信号OUT，该信息通过多个位线BL1到BLn来传送。感测放大器650可以包括被配置为通过感测流经公共节点C的电流来产生数字信号的模数转换器(ADC)或被配置为通过将公共节点C的电压电平与参考电压相比较来产生数字信号的电压放大器。

预充电单元660可以响应于读取信号RD的反相信号RDB来预充电公共节点C。例如，当读取信号RD被禁止时，预充电单元660可以通过将公共节点C驱动到接地电压VSS来预充电公共节点C。当读取信号RD被使能时，预充电单元660可以关断并解除对公共节点C的预充电。

虽然上面已经描述了特定的实施例，但本领域技术人员将理解，所描述的实施例仅为示例。相应地，用于读取电阻器或单元中储存的信息的半导体装置不应当基于描述的 实施例来限制。相反地，本文中描述的用于读取电阻器或单元中储存的信息的半导体装置应当仅基于所附权利要求书结合以上的描述和附图来限制。

从以上实施例可以看出，本发明提供以下的技术方案。

技术方案1.一种半导体装置，包括：

可变电阻器；

可变电阻器选择单元，被配置为响应于电阻器选择信号来将可变电阻器电耦接到感测放大器；

电源单元，被配置为响应于读取信号来施加第一电压到可变电阻器选择单元；以及

开关驱动单元，被配置为响应于电阻器选择控制信号来产生电阻器选择信号，以及在第一电压被施加到可变电阻器选择单元时提高电阻器选择信号的电压。

技术方案2.如技术方案1所述的半导体装置，

其中，可变电阻器选择单元包括开关晶体管，以及

其中，开关晶体管具有接收电阻器选择信号的栅极、电耦接到电源单元的漏极以及电耦接到可变电阻器的源极。

技术方案3.如技术方案1所述的半导体装置，

其中，可变电阻器选择单元包括开关晶体管，以及

其中，开关晶体管包括N沟道晶体管。

技术方案4.如技术方案1所述的半导体装置，其中，开关驱动单元在电阻器选择控制信号被使能时产生具有第二电压的电阻器选择信号，而在第一电压被施加到可变电阻器选择单元时产生具有第三电压的电阻器选择信号。

技术方案5.如技术方案4所述的半导体装置，其中，第三电压对应于第一电压与第二电压的和。

技术方案6.如技术方案1所述的半导体装置，其中，开关驱动单元包括：

反相器，被配置为反相电阻器选择控制信号；

第一晶体管，被配置为接收反相器的输出，以及用来将输出节点驱动到第一电压；以及

第二晶体管，被配置为响应于电阻器选择控制信号来将输出节点驱动到接地电压，

其中，电阻器选择信号在输出节点处产生。

技术方案7.如技术方案6所述的半导体装置，其中，第一晶体管和第二晶体管为N沟道晶体管。

技术方案8.如技术方案1所述的半导体装置，其中，电阻器选择控制信号在读取信号之前被使能。

技术方案9.如技术方案1所述的半导体装置，还包括：

预充电单元，被配置为响应于读取信号来预充电公共节点，

其中，可变电阻器选择单元、电源单元和感测放大器耦接在公共节点处。

技术方案10.一种半导体装置，包括：

列选择单元，被配置为响应于位线选择信号来通过位线将电源单元电耦接到存储单元，其中，电源单元被配置为响应于读取信号来施加第一电压到列选择单元；以及

开关驱动单元，被配置为响应于列选择信号来产生位线选择信号，以及用来在第一电压被施加到列选择单元时提高位线选择信号的电压。

技术方案11.如技术方案10所述的半导体装置，

其中，列选择单元包括开关晶体管，以及

其中，开关晶体管具有接收位线选择信号的栅极、电耦接到电源单元的漏极以及电耦接到位线的源极。

技术方案12.如技术方案10所述的半导体装置，

其中，列选择单元包括开关晶体管，以及

其中，开关晶体管包括N沟道晶体管。

技术方案13.如技术方案10所述的半导体装置，其中，开关驱动单元在列选择控制信号被使能时产生具有第二电压的位线选择信号，而在第一电压被施加到列选择单元时产生具有第三电压的位线选择信号。

技术方案14.如技术方案13所述的半导体装置，其中，第三电压对应于第一电压与第二电压的和。

技术方案15.如技术方案10所述的半导体装置，其中，开关驱动单元包括：

反相器，被配置为反相列选择信号；

第一晶体管，被配置为接收反相器的输出，以及用来将输出节点驱动到第一电压；以及

第二晶体管，被配置为响应于列选择信号来将输出节点驱动到接地电压，

其中，位线选择信号在输出节点处产生。

技术方案16.如技术方案15所述的半导体装置，其中，第一晶体管和第二晶体管为N沟道晶体管。

技术方案17.如技术方案10所述的半导体装置，其中，列选择控制信号在读取信号之前被使能。

技术方案18.如技术方案10所述的半导体装置，还包括：

感测放大器，电耦接到公共节点，且被配置为感测并放大存储单元的电压或电流，

其中，电源单元和列选择单元耦接在公共节点处。

技术方案19.如技术方案10所述的半导体装置，还包括：

预充电单元，被配置为响应于读取信号来预充电公共节点，

其中，电源单元和列选择单元耦接在公共节点处。