技术特征：
技术总结
本公开的实施例总体上涉及数据储存和计算机存储系统，更具体地涉及SOT‑MRAM芯片结构。SOT‑MRAM芯片结构包括多个引线、多个存储器单元以及多个晶体管。引线可以由具有大自旋‑轨道耦合强度和高电阻率的材料制成。每个单独的引线可包括多个第一部分和与第一部分区分开的多个第二部分。第二部分的电阻率小于第一部分的电阻率，所以引线的总电阻率减小，导致改进的功率效率和信噪比。
技术研发人员：P.M.布拉干萨;H-W.曾;L.万
受保护的技术使用者：HGST荷兰公司
技术研发日：2016.10.24
技术公布日：2017.08.15