反及型闪存及其编程方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供一种反及型闪存及其编程方法，抑制由FG耦合造成的影响而可靠性高。本发明的反及型闪存的编程方法包括：选择存储器阵列的页面的步骤；对选择页面的偶数页面施加编程电压的步骤；对选择页面的奇数页面进行软编程的步骤；以及在偶数页面的编程结束后，接着对奇数页面施加编程电压的步骤。

技术研发人员：矢野胜
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：2016.10.27
技术公布日：2017.08.29