自适应负位线写入辅助的制作方法

技术特征：

技术总结
具有写入辅助电路的SRAM，其对对模型化存储器单元的写入操作是通过释放负位线升压而成功的指示作出响应。所述写入辅助电路包括电容，其一个端子在写入操作期间连接到放电位线且使其另一端子浮置以在完成对所述模型化存储器单元的写入操作时终止负位线升压。

技术研发人员：R·萨胡
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2016.09.07
技术公布日：2018.05.11