技术特征：
技术总结
本发明公开了一种自动优化写电压的磁性存储器及其操作方法。本发明的自动优化写电压的磁性存储器包含MRAM芯片阵列结构，前述阵列结构中每个存储位元的写入操作通过在位线或源线上施加一定的驱动电压来实现。在写电压参考电压模块中产生多个参考电压电位，对应不同的工作温度区间。在存储位元阵列附近设置温度传感器。在写电压驱动电路模块和写电压参考电压模块中间插入一个参考电压选择模块，根据内置温度传感器录得的芯片实际工作温度来选择相对应的写电压参考电压电位，并输出至写电压驱动器，从而实现根据温度反馈自动优化的写电压方案。该设计方案能根据实际工作温度选择更优化的写入电压，有利于降低MRAM芯片的运行功耗，提升芯片寿命。
技术研发人员：叶力;戴瑾;郭一民
受保护的技术使用者：上海磁宇信息科技有限公司
技术研发日：2017.05.17
技术公布日：2018.12.07