用于形成在存储器单元阵列上方的计算组件的设备的制作方法

文档序号:14989081发布日期:2018-07-20 21:50阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种设备,其特征在于其包括:

基底衬底材料;

形成在所述基底衬底材料上方的存储器单元阵列,其中所述阵列包含包括第一半导体材料的多个存取晶体管;及

形成在所述阵列上方并耦合到所述阵列的计算组件,其中所述计算组件包含包括第二半导体材料的多个计算晶体管。

2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于所述第二半导体材料相比于所述第一半导体材料具有较高掺杂离子浓度。

3.根据权利要求2所述的设备,其特征在于所述较高掺杂离子浓度对应于高于所述多个存取晶体管的漏电流的所述多个计算晶体管的漏电流。

4.根据权利要求2所述的设备,其特征在于所述较高掺杂离子浓度对应于短于所述多个存取晶体管的刷新周期的所述多个计算晶体管的刷新周期。

5.根据权利要求1所述的设备,其特征在于其进一步包括多个金属互连件,所述多个金属互连件将所述多个存取晶体管、所述阵列及所述计算组件互连。

6.根据权利要求1所述的设备,其特征在于所述第二半导体材料相比于所述第一半导体材料具有较低掺杂离子浓度。

7.根据权利要求1所述的设备,其特征在于所述基底衬底材料包括单晶硅基底衬底材料,所述第一半导体材料包括非晶硅第一半导体材料,且所述第二半导体材料包括非晶硅第二半导体材料。

8.根据权利要求1所述的设备,其特征在于其进一步包括形成在所述计算组件上的全局金属互连件及焊盘。

9.根据权利要求1所述的设备,其特征在于其进一步包括感测电路,其中所述感测电路包括:

所述计算组件;及

耦合到所述计算组件的感测放大器。

10.根据权利要求9所述的设备,其特征在于所述感测电路经配置以对存储在所述阵列中的数据执行逻辑运算。

11.根据权利要求1所述的设备,其特征在于所述阵列包括DRAM阵列。

12.根据权利要求1所述的设备,其特征在于所述存储器单元中的每一者包括:

第一存取晶体管;

第二存取晶体管;及

电容器,

其中所述第一及第二存取晶体管包括所述第一半导体材料。

13.根据权利要求12所述的设备,其特征在于所述存储器单元阵列进一步包括:

多对互补数字线;及

多条存取线,

其中所述存储器单元中的每一者耦合到所述多对互补数字线中的关联互补数字线及所述多条存取线中的关联存取线,且

其中所述第一及第二存取晶体管及所述电容器串联耦合在所述多对互补数字线中的所述关联互补数字线之间,其中所述第一及第二存取晶体管将所述电容器夹在其间,且所述第一及第二存取晶体管中的每一者处于到所述多条存取线中的所述关联存取线的栅极处。

14.根据权利要求12所述的设备,其特征在于所述阵列包括:

包括所述阵列的第一部分的第一存储器阵列层;及

包括所述阵列的第二部分的第二存储器阵列层,其中所述第二存储器阵列层在所述第一存储器阵列层上。

15.根据权利要求14所述的设备,其特征在于所述阵列进一步包括:

包括所述存储器单元的第三部分的第三存储器阵列层,其中所述第三存储器阵列层在所述第二存储器阵列层上;及

包括所述阵列的第四部分的第四存储器阵列层,其中所述第四存储器阵列层在所述第三存储器阵列层上。

16.一种设备,其特征在于其包括:

控制器;

耦合到所述控制器的存储器阵列,其包括:

多个存取晶体管,其形成在具有第一掺杂离子浓度的单晶硅基底衬底材料中;

存储元件阵列;

计算组件,其包含包括具有第二掺杂离子浓度的非晶硅半导体材料的多个计算晶体管并耦合到所述阵列;及

多个金属互连件,其将所述多个存取晶体管、所述阵列及所述计算组件互连,

其中所述计算组件形成在所述阵列上方,

其中所述第二浓度高于所述第一浓度,且

其中所述控制器经配置以致使数据经由所述多个金属互连件而在所述多个存取晶体管、所述阵列及所述计算组件之间传输。

17.根据权利要求16所述的设备,其特征在于所述存储器阵列进一步包括形成在所述单晶硅基底衬底材料中的多个感测放大器,

其中所述多个金属互连件将所述多个存取晶体管、所述阵列、所述计算组件及所述多个感测放大器互连,且

其中所述控制器经配置以致使数据经由所述多个金属互连件而在所述多个存取晶体管、所述阵列、所述计算组件及所述多个感测放大器之间传输。

18.根据权利要求16所述的设备,其特征在于其进一步包括全局金属互连件及焊盘,

所述全局金属互连件及焊盘形成在所述计算组件上方并耦合到所述计算组件,

其中所述控制器耦合到所述全局金属互连件及焊盘,且经配置以致使数据经由所述全局金属互连件及焊盘而传输到所述阵列及从所述阵列传输。

19.根据权利要求16所述的设备,其特征在于其进一步包括感测电路,其中所述感测电路包括:

所述计算组件;及

耦合到所述计算组件的感测放大器,

其中所述计算组件包括:

包括所述多个计算晶体管的逻辑运算选择逻辑,其中逻辑运算选择逻辑经控制以基于施加到所述多个计算晶体管的一或多个逻辑选择控制信号而从多个逻辑运算之中执行选定逻辑运算,且

其中对存储在所述计算组件及所述感测放大器中的至少一者中的数据值执行所述选定逻辑运算。

20.根据权利要求19所述的设备,其特征在于所述逻辑运算选择逻辑经控制以基于存在于一对互补数字线上的数据值来执行所述选定逻辑运算。

21.根据权利要求19所述的设备,其特征在于所述感测电路经配置以执行所述逻辑运算而不经由输入/输出I/O线传送数据。

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