用于形成在存储器单元阵列上方的计算组件的设备的制作方法

技术总结
本实用新型包含用于形成在存储器单元阵列上方的计算组件的设备。实例设备包括基底衬底材料及形成在所述基底衬底材料上方的存储器单元阵列。所述阵列可包含包括第一半导体材料的多个存取晶体管。计算组件可形成在所述阵列上方并耦合到所述阵列。所述计算组件可包含包括第二半导体材料的多个计算晶体管。所述第二半导体材料相比于所述第一半导体材料可具有较高掺杂离子浓度。

技术研发人员：J·T·扎沃德恩
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2017.11.07
技术公布日：2018.07.20