动态随机存取存储器的制作方法

本公开主张2017年12月4日申请的美国临时申请案第62/594,128号及2017年12月13日申请的美国正式申请案第15/840,083号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开涉及一种动态随机存取存储器(dram)，并且更具体地涉及管理dram上的更新操作。

背景技术：

动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)是一种随机存取存储器的形态。该种形态的随机存取存储器将每个位元的数据存储在单独的电容器中。最简单的dram单元包括单个n型金属氧化物半导体(n-typemetal-oxide-semiconductor，nmos)晶体管和单个电容器。如果电荷存储在电容器中，则根据所使用的惯例，该单元被称为存储逻辑高。如果不存在电荷，则称该单元存储逻辑低。由于电容器中的电荷随时间消耗，因此dram系统需要额外的更新电路来周期性地更新存储在电容器中的电荷。由于电容器只能存储非常有限的电荷量，为了快速区分逻辑1和逻辑0之间的差异，通常每个位元使用两个位元线(bitline，bl)，其中位元线对中的第一位被称为位元线真(bitlinetrue，blt)，另一个是位元线补数(bitlinecomplement，blc)。单个nmos晶体管的栅极由字元线(wordline，wl)控制。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

技术实现要素：

本公开的一实施例中，提供一种动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)。该dram包括一更新单元、一存取元件、一更新元件。该更新单元具有多个存储行。该存取元件经配置以存取所述存储行。该更新元件经配置以因应于一第一事件以一第一方式更新该更新单元，以及因应于一第二事件以一第二方式更新该更新单元，其中在该第一事件中，该更新单元的被存取存储行的一数量不大于一临界数量，以及其中在该第二事件中，该更新单元的被存取存储行的该数量大于该临界数量。

在本公开的一些实施例中，该更新元件经配置以，因应于该第一事件，除了该更新单元的一邻居存储行之外，根据一第一更新率更新该更新单元，其中该邻居存储行是该更新单元的全部的未被存取的存储行的一者，并且该邻居存储行紧邻该更新单元的一被存取的存储行。

在本公开的一些实施例中，该更新元件经配置以，因应于该第一事件，根据大于该第一更新率的一第二更新率更新该邻居存储行。

在本公开的一些实施例中，该dram还包括一控制元件。该控制元件经配置以，从该全部的未被存取的存储行，识别出该邻居存储行。

在本公开的一些实施例中，该更新元件经配置以，因应于该第二事件，除了全部的未被存取的存储行，根据一第一更新率更新该更新单元。

在本公开的一些实施例中，该更新元件经配置以，因应于该第二事件，根据大于该第一更新率的一第二更新率更新该全部的未被存取的存储行。

本公开的一实施例提供一种随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)。该dram包括一更新单元、一存取元件、一第一更新元件、一第二更新元件。该存取元件经配置以存取具有多个存储行的该更新单元。该第一更新元件经配置以更新所述存储行。该第二更新元件经配置以，因应于一第一事件，更新一邻居存储行，其中在该第一事件中，该更新单元的一存取次数在一自更新周期内达到一临界次数，并且该更新单元的被存取的存储行的一数量不大于一第一临界数量，以及其中该邻居存储行是该更新单元的全部的未被存取的存储行的一者，并且该邻居存储行紧邻该更新单元的一被存取的存储行。

在本公开的一些实施例中，该dram还包括一控制元件。该控制元件经配置以，从该全部的未被存取的存储行，识别出该邻居存储行。

在本公开的一些实施例中，该第二更新元件经配置以，因应于一第二事件，更新该全部的未被存取的存储行，其中，在该第二事件中，该更新单元的该存取次数在该自更新周期内达到该临界次数，并且该更新单元的被存取的存储行的该数量大于该第一临界数量。

在本公开的一些实施例中，该第一更新元件经配置以，因应于一第三事件，不在该自更新周期内更新该更新单元，其中，在该第三事件中，该更新单元的该存取次数在该自更新周期内达到该临界次数，并且该更新单元的被存取的存储行的该数量等于或大于一第二临界数量，该第二临界数量大于该第一临界数量。

在本公开的一些实施例中，该dram还包括：一控制元件。该控制元件经配置以通过计数该存取元件存取该更新单元的次数来产生该更新单元的该存取次数，当该计数指出该第二事件时，该控制元件控制该第二更新元件更新该全部的未被存取的存储行，以及当该计数指出该第一事件时，该控制元件控制该第二更新元件更新该邻居存储行。

本公开的一实施例提供一种随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)。该dram包括一更新单元、一存取元件、一第一更新元件、一第二更新元件。该存取元件经配置以存取具有多个存储行的该更新单元。该第一更新元件经配置以根据一第一更新率更新所述存储行。该第二更新元件经配置以，因应于一事件，被启动，并且于被启动时，根据一第二更新率，更新该更新单元的未被存取的存储行，其中在该事件中，该更新单元的一存取次数在一自更新周期内达到一临界次数。

在本公开的一些实施例中，该第二更新元件被启动，其中该第二更新元件更经配置以，因应于一第一事件，更新一邻居存储行，其中在该第一事件中，该更新单元的一存取次数在一自更新周期内达到一临界次数，并且该更新单元的被存取的存储行的一数量不大于一第一临界数量，以及其中该邻居存储行是该更新单元的全部的未被存取的存储行的一者，并且该邻居存储行紧邻该更新单元的一被存取的存储行。

在本公开的一些实施例中，该第二更新元件被启动，其中该第二更新元件经配置以，因应于一第二事件，更新该全部的未被存取的存储行，其中，在该第二事件中，该更新单元的该存取次数在该自更新周期内达到该临界次数，并且该更新单元的被存取的存储行的该数量大于该第一临界数量。

在本公开的一些实施例中，该第一更新元件经配置以，因应于一第三事件，不在该自更新周期内更新该更新单元，其中，在该第三事件中，该更新单元的被存取的存储行的该数量等于或大于一第二临界数量，该第二临界数量大于该第一临界数量。

在本实施例中，当一更新单元被存取临界次数，例如非常高的5,000,000次时，该更新单元被更新。另外，根据该更新单元的不同存取情况，该更新单元可以以各种不同的方式被更新。结果，该更新操作相对多样性。

在一些现有方法中，当一存取更新单元被存取例如5,000,000次时，该更新单元仅以单一方式被更新。例如，该更新单元的全部的存储行都根据相同的更新率进行被更新。结果，这种方法相对来说较不多样性。

上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得优选了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。

附图说明

参阅实施方式与权利要求合并考量附图时，可得以更全面了解本公开的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。

图1是根据本公开的一些实施例的一种动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)的示意图。

图2是根据本公开的一些实施例的一种dram的操作方法的流程图。

图3是根据本公开的一些实施例的图1所示的dram包括一更新单元的示意图。

图4的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图3的dram的第一种方案的一存取操作。

图5的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图3的dram的该第一种方案的一更新操作。

图6的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图3的dram的第二种方案的一存取操作。

图7的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图3的dram的该第二种方案的一更新操作。

图8是根据本公开的一些实施例的一种dram的操作方法的流程图。

图9是根据本公开的一些实施例的图1所示的另一dram包括一更新单元的示意图。

图10的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图9的dram的第一种方案的一存取操作。

图11的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图9的dram的该第一种方案的一更新操作。

图12是根据本公开的一些实施例的图示说明更新率的时序图。

图13的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图9的dram的第二种方案的一存取操作。

图14的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图9的dram的该第二种方案的一更新操作。

图15的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图9的dram的该第二种方案的另一更新操作。

图16是根据本公开的一些实施例的一种dram的操作方法的流程图。

附图标记说明：

10dram

12存储区域

14更新元件

16存取元件

18控制元件

20操作方法

32更新单元

33存储行

34存储行

35存储行

36存储行

37存储行

40操作方法

50dram

52第一更新元件

54第二更新元件

60操作方法

140存储器单元

200操作

202操作

204操作

206操作

402操作

406操作

408操作

410操作

412操作

414操作

604操作

606操作

608操作

614操作

616操作

618操作

bl1位元线

bl2位元线

blm位元线

wl1字元线

wl2字元线

wln字元线

具体实施方式

本公开的以下说明伴随并入且组成说明书的一部分的附图，说明本公开的实施例，然而本公开并不受限于该实施例。此外，以下的实施例可适当整合以下实施例以完成另一实施例。

“一实施例”、“实施例”、“例示实施例”、“其他实施例”、“另一实施例”等是指本公开所描述的实施例可包含特定特征、结构或是特性，然而并非每一实施例必须包含该特定特征、结构或是特性。再者，重复使用“在实施例中”一语并非必须指相同实施例，然而可为相同实施例。

为了使得本公开可被完全理解，以下说明提供详细的步骤与结构。显然，本公开的实施不会限制该技艺中的技术人士已知的特定细节。此外，已知的结构与步骤不再详述，以免不必要地限制本公开。本公开的优选实施例详述如下。然而，除了实施方式之外，本公开亦可广泛实施于其他实施例中。本公开的范围不限于实施方式的内容，而是由权利要求定义。

图1是根据本公开的一些实施例的一种动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)10的示意图。参考图1，dram10包括一存储区域12、一更新元件14、一存取元件16和一控制元件18。

存储区域12包括以二维阵列布置的多个存储器单元140。存储器单元140用于存储数据。同一列中的存储器单元140可以被认为是一存储行，并且可以为了方便而用方块来图示说明。除了存储器单元140之外，存储区域12还包括多个字元线wl1至wln和多个位元线bl1至blm，其中n和m是正整数。字元线wl1至wln和位元线bl1至blm用于控制相关存储器单元140的操作。

更新元件14用于以例如从一存储行的存储器单元140读取电荷，并且随后相同的电荷被立即写回到存储器单元140的方式来更新该存储行，然而，本公开不限于此。更新元件14可以以另一替代方式更新存储行。

存取元件16用于存取存储行。例如，存取元件16可以从存储行的存储器单元140读取数据或向其写入数据。

控制元件18用于基于存储器单元140的存取环境来控制更新元件14。结果，控制元件18能够管理更新元件14的一更新操作。该更新操作是相对多样性地，如下面的详细描述中所见。

图2是根据本公开的一些实施例的一种dram的操作方法20的流程图。参考图2，操作方法20包括操作200、202、204和206。

操作方法20从操作200开始，其中一更新单元在一自更新周期(self-refreshcycle)内被存取一临界次数。

操作方法20前进到操作202，其中判断该更新单元的被存取存储行的一数量是否大于一临界数量。如果否定，则操作方法20进行到操作204。在操作204中，该更新单元以一第一方式被更新。如果是肯定的，则操作方法20进行到操作206，其中该更新单元以不同于该第一方式的一第二方式被更新。

操作方法20仅仅是一个示例，并非旨在将本公开限制在权利要求中明确记载的范围之外。可以在操作方法20之前，期间和之后提供额外的操作，并且可以替换，消除或移动所描述的一些操作以用于该方法的另外的实施例。

在本实施例中，当一更新单元被存取一临界次数，例如非常高的5,000,000次时，该更新单元被更新。另外，根据该更新单元的不同存取情况，该更新单元可以以各种不同的方式被更新。结果，该更新操作相对多样性。

在一些现有方法中，当一存取更新单元被存取例如5,000,000次时，该更新单元仅以单一方式被更新。例如，该更新单元的全部的存储行都根据相同的更新率被进行更新。结果，这种方法相对来说较不多样性。

图3是根据本公开的一些实施例的图1所示的dram10包括一更新单元32的示意图。参考图3，存储区域12包括包括存储行33、34、35、36和37的更新单元32。

在一些实施例中，更新单元32的存储行33、34、35、36和37属于单个存储库(bank)。在一些实施例中，存储行33、34、35、36和37可以属于不同的存储库。即，更新单元120可以包括单个存储库或多个存储库。本公开不限于任何特定类型。

在本实施例中，一临界次数指的是更新单元32变的容易受到一行锤子效应(rowhammereffect)的影响的点。也就是说，当存取元件16在一自更新周期内存取更新单元32一临界次数时，更新单元32容易受到行锤子效应。更详细地说，当更新单元32的存储行34在诸如一自更新周期内的一给定周期内被存取超过例如约300,000次时，存储行34容易受到行锤子效应，即可能发生行锤子效应。为了便于更好地理解行锤子效应，假定存储行33和35的存储器单元140具有逻辑高电位。存储行33和35紧邻存储行34。如果在给定的时间段内存取存储行34的次数大于例如大约300,000次，则由存储行33和35存储的数据可以在没有存取存储行33和35的情况下从逻辑高电位变为逻辑低电位。这种情况被称为行锤子效应。由于这种翻转并非意图，所以这种翻转可能导致dram10异常工作或提供错误的数据。

然而，本公开不限于此。临界次数可以指示其他情况。

在本公开中，当更新单元32被存取临界次数，例如非常高的5,000,000次时，更新单元32被更新。另外，取决于更新单元32的不同存取情况，更新单元32可以以各种不同的方式被更新。结果，更新操作是相对多样性的，如将参照图4至7所描述及图示说明。

在一些现有的dram中，当该dram的一更新单元被存取例如5,000,000次时，该更新单元仅以单一方式被更新。出于讨论的目的，例如以更新单元32为例，当更新单元32被存取，例如，5,000,000次时，更新单元32以单一方式被更新，使得全部的存储行33至37被以相同的更新率更新。结果，这种dram相对来说不是多样性的。

图4的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图3的dram10的第一种方案的一存取操作。参考图4，存取元件16在一自更新周期内存取更新单元32一临界次数。

控制元件18判断更新单元32的被存取的存储行的一数量是否大于一第一临界数量。为了讨论的目的，假设第一临界数量是2。在图2中，仅存取单个存储行34。控制元件18判断出该数量的1不大于第一临界数量的2。

图5的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图3的dram10的该第一种方案的一更新操作。参考图5，控制元件18从全部的未被存取的存储行33、35、36和37中识别出邻居存储行33和35。邻居存储行33和35是全部的未被存取的存储行33、35、36和37中的两个，并且紧邻被存取的存储行34。

更新元件14，因应于一第一事件，除了邻居存储行33和35之外，根据一第一更新率ref0更新更新单元32，其中在该第一事件中，更新单元32的存取次数达到临界次数以及更新单元32的被存取的存储行的一数量不大于该第一临界数量。此外，因应于该第一事件，更新元件14根据大于第一更新率ref0的一第二更新率ref0'更新邻居存储行33和35。

由于例如5,000,000次的存取次数集中在单个存储行34上，存储行34上的行锤子效应相对较严重。也就是说，与其他非邻居存储行36和37相比，邻居存储行33和35的数据相对易于翻转。在本实施例中，存储行33和35根据相对较高的第二更新率ref0'被更新。结果，可以减轻或消除对邻居存储行33和35的这种不利影响。此外，仅邻居存储行33和35，而不是全部的未被存取的存储行33、35、36和37，根据相对较高的第二更新率ref0'被更新。结果，dram10相对节能。

在一些现有的dram中，当存取该现有的dram的一更新单元例如5,000,000次时，其所有存储行(包括类似于本公开的邻居存储行的一存储行)都根据相同的更新率被更新。更详细地说，与其他非邻居存储行相比，该存储行的数据相对易于翻转。然而，该存储行的更新率不会增加，并且该存储行，根据其他非邻居存储行所根据的相同较低更新率，被更新。因此，即使该存储行被更新，该存储行上的数据翻转问题仍然相对严重。因应于可能的数据翻转，现有的dram可能功能异常且缺乏可靠性。

图6的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图3的dram10的第二种方案的一存取操作。参考图6，存取元件16在一自更新周期内存取更新单元32一临界次数。

如在图5的实施例中所讨论的，假设第一临界数量是2。在图6的实施例中，存取三个存储行34、35和36。控制元件18判断出该数量的3大于第一临界数量的2。

图7的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图3的dram10的该第二种方案的一更新操作。参考图7，更新元件14，因应于一第二事件，除了全部的未被存取的存储行33和37，根据第一更新率ref0更新更新单元32，其中在该第二事件中，更新单元32的存取次数达到该临界次数，并且更新单元32的被存取的存储行的该数量大于该第一临界数量。此外，因应于该第二事件，更新元件14根据第二更新率ref0'更新全部的未被存取的存储行33和37。

更新单元32的被存取的存储行的一数量大于一临界数量的情况意味着：未被存取的存储行33和37为全部的存储行33至37的一少数，以及被存取的存储行的34、35和36为全部的存储行33至37的一多数。

识别出邻居存储行的一次数与被存取的存储行的一数量正相关。随着被存取的存储行的该数量的增加，识别邻居存储行的该次数增加。

在该第二事件中，被存取的存储行为全部的存储行的一多数。因应于该第二事件，控制元件18不进行识别邻居存储行的识别操作。结果，dram10具有相对较高的计算效率。

图8是根据本公开的一些实施例的一种dram的操作方法40的流程图。参考图8，操作方法40类似于参照图2描述和说明的操作方法20，除了例如操作方法40包括操作402、406、408、410、412和414之外。

在操作402中，得到关于该更新单元的一全部的未被存取的存储行的信息。

在操作202之后，如果否定，则操作方法40前进到操作410。在操作410中，从该全部的未被存取的存储行中识别出一邻居存储行，其中该邻居存储行紧邻一被存取存储行。操作方法40进行到操作412，其中除了该邻居存储行之外，根据一第一更新率更新该更新单元。操作方法40继续操作414，其中根据大于该第一更新率的一第二更新率更新该邻居存储行。如果是肯定的，则操作方法40进行到操作406。在操作406中，除了该全部的未被存取的存储行，根据该第一更新率更新该更新单元。操作方法40进行到操作408，其中根据该第二更新率更新该全部的未被存取的存储行。

操作方法40仅仅是一个例子，并不意图将本公开限制在权利要求中明确记载的范围之外。可以在操作方法40之前，期间和之后提供额外的操作，并且可以替换，消除或移动所描述的一些操作以用于该方法的另外的实施例。

在本实施例中，当一更新单元被存取临界次数，例如非常高的5,000,000次时，该更新单元被更新。另外，根据该更新单元的不同存取情况，该更新单元可以以各种不同的方式被更新。结果，该更新操作相对多样性。

在一些现有方法中，当一存取更新单元被存取例如5,000,000次时，该更新单元仅以单一方式被更新。例如，该更新单元的全部的存储行都根据相同的更新率被进行更新。结果，这种方法相对来说较不多样性。

图9是根据本公开的一些实施例的图1所示的另一dram50包括一更新单元32的示意图。参考图9，dram50与参考图1描述和说明的dram10类似，除了例如dram50包括一第一更新元件52和一第二更新元件54之外。

第一更新元件52用于根据一第一更新率ref1来更新更新单元32，特别的是，根据第一更新率ref1更新全部的存储行33至37。

第二更新元件54用于，因应于一事件，被启动，其中在该事件中，更新单元32的一存取次数在一自更新周期内达到一临界次数。此外，第二更新元件54于被启动时，根据一第二更新率ref2，更新更新单元32。更详细地说，第二更新元件54根据更新单元32的不同存取情况以各种不同的方式根据第二更新率ref2更新更新单元32的一部分的存储行，其详细描述及图示说明于图10、11和13至15。

在一些实施例中，控制元件18用于通过计数存取元件16存取更新单元32的次数来产生更新单元32的存取次数。此外，当该计数指出一第二事件时，控制元件18控制第二更新元件54更新全部的未被存取的存储行；以及，当该计数指出一第一事件时，控制元件18控制第二更新元件54更新该邻居存储行。

因为有了第二更新元件54，在更新单元32上执行的一更新操作是相对多样性的。

图10的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图9的dram50的第一种方案的一存取操作。参考图10，存取元件16在一自更新周期内存取更新单元32临界次数。

控制元件18判断更新单元32的被存取的存储行的一数量是否大于第一临界数量。在图10所示的实施例中，仅存取单个存储行34。控制元件18判断出该数量的1不大于第一临界数量的2。

图11的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图9的dram50的该第一种方案的一更新操作。参考图11，控制元件18从全部的未被存取的存储行33、35、36、37中识别出邻居存储行33及35。

第一更新元件52根据第一更新率ref1更新更新单元32的全部的存储行33至37。

第二更新元件54，因应于一第一事件，根据第二更新率ref2更新邻居存储行33和35，其中在该第一事件中，更新单元32的存取次数在一自更新周期内达到一临界次数，并且更新单元32的被存取的存储行的一数量不大于该第一临界数量。由第二更新元件54执行的该更新操作独立于第一更新元件52的更新操作。

如图12所示，施加到邻居存储行33和36的等效更新率(ref1+ref2)大于第一更新率ref1。如在图5的描述中所讨论的，存储在存储行33和35中的数据容易被翻转的不利影响可被减轻或消除。

图12是根据本公开的一些实施例的图示说明更新率的时序图。参考图12，顶部的波形表示第一更新率ref1；中间的波形表示第二更新率ref2；底部的波形表示等效更新率req(或ref1+ref2)。

从图12可以看出，交替地展现与第一更新率ref1相关联的责任周期的启动时间和与第二更新率ref2相关联的责任周期的启动时间。结果，等效更新率req大于第一更新率ref1。

图13的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图9的dram50的第二种方案的一存取操作。参考图13，存取元件16在一自更新周期内存取更新单元32一临界次数。

如在图5的实施例中所讨论的，假设第一临界数量是2。在图13的实施例中，存取三个存储行34、35和36。控制元件18判断出该数量的3大于第一临界数量的2。

图14的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图9的dram50的该第二种方案的一更新操作。参考图14，第一更新元件52根据第一更新率ref1更新更新单元32的全部的存储行33至37。

此外，第二更新元件54，因应于一第二事件，根据第二更新率ref2更新全部的未被存取的存储行33和37，其中在该第二事件中，更新单元32的存取次数在该自更新周期内达到该临界次数并且更新单元32的被存取的存储行的数量大于第一临界数量。

如前所述，控制元件18，因应于该第二事件，不执行识别出邻居存储行的一识别操作。结果，dram50具有相对较高的计算效率。

图15的示意示说明根据本公开的一些实施例的操作图9的dram50的该第二种方案的另一更新操作。参考图15，第一更新元件52，因应于一第三事件而不更新新单元32，其中在该第三事件中，更新单元32的存取次数在一自更新周期内达到临界次数，并且被存取的存储行的数量等于或大于一第二临界数量，该第二临界数量大于该第一临界数量。为了便于讨论，假定第一临界数量为2，并且第二临界数量为3。在图13所示的实施例中，存取三个存储行34、35和36。控制元件18判断出该数量的3大于第一临界数量的2并且等于第二临界数量的3。因此，控制元件18控制第一更新元件52，使得第一更新元件52不更新更新单元32。

一存取操作包括与一更新操作类似的一操作。例如，该存取操作包括一读取操作。当执行该读取操作时，从存储器单元140读取电荷，并且相同的电荷被立即写回到存储器单元140。因此，当多次存取一存储行时，该存储行可以被认为是更新了很多次。这样，存储在该存储行中的数据相对可靠。

由于存储行34至36(其为全部的存储行33至37的一多数)被存取多次，因此存储在存储行34至36中的数据是可靠的，即使第一更新元件52不更新更新单元32，特别是不更新存储行34至36。由于第一更新元件52不执行更新操作，因此dram50相对功率效率较高。

此外，存储行33和37仍由第二更新元件54更新。结果，存储行33和37上由行锤子效应引起的数据翻转的风险仍然可以是缓解或消除。

图16是根据本公开的一些实施例的一种dram的操作方法60的流程图。参考图16，操作方法60类似于参考图1描述和图示说明的操作方法40，除了例如操作方法60包括操作604、606、608、610、614、616和618之外。

在操作604中，由具有一第一更新率的一第一更新元件更新该更新单元。

操作606类似于参照图8描述和图示说明的操作202，除了例如在图8的实施例中的该临界数量在图16的实施例中被重命名为一第一临界数量之外。

在操作606中，如果是否定的，则操作方法60前进到操作614。在操作614中，由具有一第二更新率的一第二更新单元更新该邻居存储行。如果是肯定的，则操作方法60进行到操作608。在操作608中，由第二更新元件更新全部的未被存取的存储行。

操作方法60进行到操作610，其中判断该更新单元的该存取次数是否等于或大于大于该第一临界数量的一第二临界数量。如果是肯定的，则操作方法60进行到操作616。在操作616中，该第一更新元件停止更新该更新单元。如果否定，则操作方法60进行到操作618。在操作618中，该第一更新元件保持更新该更新单元。

操作方法60仅仅是一个示例，并不意图将本公开限制在权利要求中明确记载的范围之外。可以在操作方法60之前，期间和之后提供额外的操作，并且可以替换，消除或移动所描述的一些操作以用于该方法的另外的实施例。

在本公开中，当更新单元32被存取了一临界次数，例如非常高的5,000,000次时，可以根据不同的存取情况以各种不同的方式更新更新单元32结果，更新操作是相对多样性的。

在一些现有的dram中，当该dram的一更新单元被存取例如5,000,000次时，该更新单元仅以单一方式被更新。出于讨论的目的，例如以更新单元32为例，当更新单元32被存取，例如，5000000次时，更新单元32以单一方式被更新，使得全部的存储行33至37被以相同的更新率更新。结果，这种dram相对来说不是多样性的。

本公开的一实施例，提供一种随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)。该dram包括一更新单元、一存取元件、一更新元件。该更新单元具有多个存储行。该存取元件经配置以存取所述存储行。该更新元件经配置以因应于一第一事件以一第一方式更新该更新单元，以及因应于一第二事件以一第二方式更新该更新单元，其中在该第一事件中，该更新单元的被存取存储行的一数量不大于一临界数量，以及其中在该第二事件中，该更新单元的被存取存储行的该数量大于该临界数量。

本公开的一实施例，提供一种随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)。该dram包括一更新单元、一存取元件、一第一更新元件、一第二更新元件。该存取元件经配置以存取具有多个存储行的该更新单元。该第一更新元件经配置以更新所述存储行。该第二更新元件，经配置以，因应于一第一事件，更新一邻居存储行，其中在该第一事件中，该更新单元的一存取次数在一自更新周期内达到一临界次数，并且该更新单元的被存取的存储行的一数量不大于一第一临界数量，以及其中该邻居存储行是该更新单元的全部的未被存取的存储行的一者，并且该邻居存储行紧邻该更新单元的一被存取的存储行。

本公开的一实施例，提供一种随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)。该dram包括一更新单元、一存取元件、一第一更新元件、一第二更新元件。该存取元件经配置以存取具有多个存储行的该更新单元。该第一更新元件经配置以根据一第一更新率更新所述存储行。该第二更新元件，经配置以，因应于一事件，被启动，并且于被启动时，根据一第二更新率，更新该更新单元的未被存取的存储行，其中在该事件中，该更新单元的一存取次数在一自更新周期内达到一临界次数。

虽然已详述本公开及其优点，然而应理解可进行各种变化、取代与替代而不脱离权利要求所定义的本公开的构思与范围。例如，可用不同的方法实施上述的许多工艺，并且以其他工艺或其组合替代上述的许多工艺。

再者，本公开的范围并不受限于说明书中所述的工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法与步骤的特定实施例。该技艺的技术人士可自本公开的公开内容理解可根据本公开而使用与本文所述的对应实施例具有相同功能或是达到实质相同结果的现存或是未来发展的工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤。据此，这些工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤是包含于本公开的权利要求内。