本实用新型涉及服务器板卡测试技术领域，特别涉及一种用于Memory VR测试的工具。
背景技术：
由于服务器的功能趋向多样化复杂化，服务器的板卡设计也越来越复杂。这样，板卡的测试验证工作也变得复杂化，进行测试的种类越来越多，精细程度也越来越高。作为板卡电源完整性测试的重要组成部分，Memory VR(内存供电的电压转换)测试是测试工作中必须要进行的一项重要测试。这部分线路的设计质量将直接决定Memory工作的情况。
Intel对其做出了非常明确的测试要求，并推出了进行此项测试的测试治具。利用Intel发布的测试治具，可以很方便的完成对应测试要求的测试项目。具体是：测试时，将Intel发布的测试治具(负载卡)安装在服务器板卡对应的DIMM插槽(主板上安装内存条的插槽)中。配合测试软件，我们会做多种不同的测试操作，而测试结果中的很多参数，需要通过量取负载卡上的对应位置来获得，负载卡必须要插在DIMM卡槽中。
由于DIMM卡槽和CPU底座之间距离非常近，这样在Gen4 VRTT(第四代电源测试治具)和负载卡分别安装到对应位置时，两者几乎贴在一起，这样我们在取用Gen4 VRTT上面的控制信号时，就非常不方便。
而且，由于测试需要，经常需要转换不同的驱动方式，来驱动不同的设备给不同的位置加载。当给负载卡加负载时，需要将默认带着的跳帽取下，将两边插针的驱动信号通过飞线引出，加到负载卡上。而通过Gen4 VRTT直接加载时，我们又需要将跳帽安装到默认位置。由于此位置在负载卡和Gen4 VRTT安装好时被遮挡，所以每当我们需要转换驱动方式时，就需要将治具拆下，然后再组装好，非常的繁琐耗时。同时对治具耗损也比较严重。
技术实现要素：
为克服现有技术中存在的问题，本实用新型提供了一种用于Memory VR测试的工具。
本实用新型解决其技术问题所采取的技术方案是：该种用于Memory VR测试的工具，包括三个套筒、三条引线和三个外延插针，引线的一端设置于套筒外中间部分，引线与套筒形成T型结构，引线的另一端为外延插针，外延插针位于治具外的空间内。
进一步地，所述套筒为中空的圆柱筒，套筒套置在Gen4 VRTT上的插针上。
进一步地，所述套筒长度比Gen4 VRTT上的插针长度短。
进一步地，所述套筒与Gen4 VRTT上的插针紧密固定。
进一步地，Gen4 VRTT上的插针上插接负载卡，负载卡位于套筒外侧。
进一步地，外延插针配合集成接口使用，集成接口包括BNC接头、负极插针插筒、正极插针插筒和跳线帽，负极插针插筒和正极插针插筒可分别与两个外延插针配合使用形成一种驱动方式，跳线帽与两个外延插针配合使用形成另一种驱动方式。
进一步地，所述负极插针插筒、正极插针插筒与跳线帽通过固定结固定。
综上，本实用新型的上述技术方案的有益效果如下：
该测试工具采用短套筒设计，套筒长度比Gen4 VRTT上插针的长度还短，所以不会干涉治具组装。
由于采用了T型外延设计，将Gen4VRTT上的三个插针信号引导到治具外旁边的空间中。这样，可以在治具组装好的情况下，进行各种操作，避免了拆卸组装治具的繁琐操作。提高了测试效率，同时避免了负载卡对引线的磨损，增加使用寿命。
采用多种接口集成的设计，可匹配多种接口，适用范围更广，使用更加方便。
附图说明
图1为现有结构中两种驱动方式示意图；
图2为现有结构中治具组装示意图；
图3为本实用新型结构示意图；
图4为该实用新型使用结构示意图；
图5为集成接口结构示意图；
图6为该实用新型配合集成接口使用时的结构示意图。
图中：
1套筒，2引线，3外延插针，4Gen4 VRTT，5插针，6负载卡，7BNC接头，8负极插针插筒，9正极插针插筒，10跳线帽，11固定结。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的特征和原理进行详细说明，所举实施例仅用于解释本实用新型，并非以此限定本实用新型的保护范围。
如图1所示，图中测试Gen4 VRTT 4上的插针5有三个。从图中可以看出当右侧两个插针5通过跳帽连接在一起时，这是第一种驱动方式，也是Gen4 VRTT 4默认的驱动方式。而把跳线帽10取下，将第一和第三个插针5的信号引出时，这就是第二种驱动方式。
根据测试需要的不同，会选用不同的驱动方式。图2为治具组装好时的示意图。从图中可以看到，负载卡6会紧贴Gen4 VRTT 4上的插针5，当我们需要将跳线帽10取下，转换到驱动方式2时，一定需要取下负载卡6，或者取下Gen4 VRTT 4。Gen4 VRTT 4是固定在CPU槽里面，负载卡6固定在DIMM槽里面，且图中只是示意图，只有一个，实际测试中，图中的负载卡6是4个或者6个并列的。因此，不管是Gen4 VRTT 4还是负载卡6取下都非常麻烦。而且完成变换操作后还需要再安装上去。整体操作非常繁琐。
该种用于Memory VR测试的工具，包括三个套筒1、三条引线2和三个外延插针3，引线2的一端设置于套筒1外中间部分，引线2与套筒1形成T型结构，引线2的另一端为外延插针3。套筒1为中空的圆柱筒，套筒1套置在Gen4 VRTT 4上的插针上，外延插针3位于治具外的空间内。
如图3所示，为T型短套筒1设计示意图。首先，现有与插针配合使用的杜邦线插针插筒长度较长，由于组装后，负载卡紧贴Gen4 VRTT 4上的插针，普通的杜邦线无法安装到Gen4 VRTT 4的插针上使用。
本文提出的新型测试套件采用短套筒1设计，套筒1长度比Gen4 VRTT 4上插针的长度还短，所以不会干涉治具组装。同时新型套件采用T型引线2设计，进一步确保不会干涉组装，同时避免了负载卡对引线2的磨损，增加使用寿命。
如图4所示，为T型短套筒1使用示意图。由图中可以看到，由于采用了T型外延设计，将Gen4 VRTT 4上的三个插针信号引导到治具外旁边的空间中。这样，可以在治具组装好的情况下，进行各种操作，避免了拆卸组装治具的繁琐操作。提高了测试效率。
如图5所示，为集成接口的示意图。如图所示，集成接口集成了BNC接口，插针套筒1和跳线帽10与一体。集成接口末端是BNC接头7，这样可以更方便的适配后面的驱动信号线。
集成接口右端分为两部分：上面部分是BNC接头7的正极插针插筒9和负极插针插筒8，这样可以搭配图4中的T型外延插针3使用。接口下面部分一个跳线帽10。上下两部分通过固定结11固定在一起，增加使用的方便性和牢固性。
为清楚的说明该设计方法的实现情况，结合示意图来说明实现步骤。
1).参照图4所示，将T型短套筒1装在Gen4 VRTT 4上的驱动插针5上，将外延插针3放在Gen4 VRTT 4旁侧。然后安装负载卡，组装治具。
2).参照图1和图6所示，当需要第一种驱动方式时，可将对应的外延插针3插到集成接口上的跳线帽10中即可。
3).参照图1和图6所示，当需要第二种驱动方式时，可将对应的外延插针3插到集成接口对应正极插针插筒9和负极插针插筒8中即可。
4).治具不用时可将集成接口取下单独放置。
这样一种用于Memory VR测试的新型测试工具即可实现。
该测试工具采用短套筒设计，套筒1长度比Gen4 VRTT 4上插针的长度还短，所以不会干涉治具组装。
由于采用了T型外延设计，将Gen4 VRTT 4上的三个插针信号引导到治具外旁边的空间中。这样，可以在治具组装好的情况下，进行各种操作，避免了拆卸组装治具的繁琐操作。提高了测试效率，同时避免了负载卡对引线2的磨损，增加使用寿命。
采用多种接口集成的设计，可匹配多种接口，适用范围更广，使用更加方便。
上述实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行的描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域相关技术人员对本实用新型的各种变形和改进，均应扩入本实用新型权利要求书所确定的保护范围内。