一种减小电压差的电压传递电路及存储芯片、存储器的制作方法

本实用新型涉及一种存储器的电压传递电路，特别是一种减小电压差的电压传递电路及存储芯片、存储器。

背景技术：

在存储器电路中，采用电压传递电路从外界准确的给芯片内部加入电压信号，来实现对存储器的读取和擦写，而作为输入的电压按照电压高低包括低电平、高电平和高电压三种；由于精细化的mos管对电压非常敏感，为了确保其工作的可靠性，有必要减低电路中mos管两端的电压差。

技术实现要素：

为解决上述问题，本实用新型提供了一种减小电压差的电压传递电路，能够有效降低电路中的MOS管的电压差，保护MOS管，从而提高电路可靠性和耐久性。

本实用新型解决其问题所采用的技术方案是：

一种减小电压差的电压传递电路，包括控制信号发生电路和电压输出电路，所述电压输出电路包括2个P型mos管和4个N型mos管，2个P型mos管分别为MP1和MP2，4个N型mos管分别为MN1、MN2、MN3和MN4，所述MP1和MP2的源极连接到正电压输入端HV，所述MN1、MN2、MN3和MN4的源极均连接到所述控制信号发生电路的输出端MGND，所述MN1和MN2漏极与所述MP1的漏极连接作为第一电压输出点，所述MN3和MN4的漏极与所述MP2的漏极连接作为第二电压输出点，所述MP1和MN2两者的栅极连接到所述第二电压输出点，所述MP2和MN3两者的栅极连接到所述第一电压输出点，所述MN1和MN4的栅极分别连接到控制信号SEL。

进一步，所述控制信号发生电路包括一个非门、一个P型mos管MP0和一个N型mos管MN0，所述非门的输出端连接所述MP0和MN0的栅极，所述MP0的漏极与所述MN0的漏极连接作为输出端MGND。

进一步，所述非门和所述MP0的源极的输入信号均为低电平或高电平的电平信号SEL＿VGND，所述MN0的源极接地。

进一步，所述控制信号SEL输入低电平或高电平的电平信号，所述正电压输入端HV输入高电平到高电压的电平信号。

一种存储器芯片，包括有上述的一种减小电压差的电压传递电路。

一种存储器，设置有至少一个存储器芯片，包括有上述的一种减小电压差的电压传递电路。

本实用新型的有益效果是：本实用新型通过2个P型mos管和4个N型mos管连接并以所述4个N型mos管的源极作为控制信号端，实现了电路中各个mos管在工作时，最大电压差不超过一定值，从而有效保护mos管，保证电路的可靠性。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

图1是本实用新型的实施例的控制信号发生电路的电路图；

图2是本实用新型的实施例实现传递电压电路的电路图；

图3是本实用新型的实施例的输入输出电平变化示意图。

具体实施方式

参照图1，本实用新型的一个实施例提供了一种减小电压差的电压传递电路，包括控制信号发生电路和电压输出电路，所述电压输出电路包括2个P型mos管和4个N型mos管，2个P型mos管分别为MP1和MP2，4个N型mos管分别为MN1、MN2、MN3和MN4，所述MP1和MP2的源极连接到正电压输入端HV，所述MN1、MN2、MN3和MN4的源极均连接到所述控制信号发生电路的输出端MGND，所述MN1和MN2漏极与所述MP1的漏极连接作为第一电压输出点，所述MN3和MN4的漏极与所述MP2的漏极连接作为第二电压输出点，所述MP1和MN2两者的栅极连接到所述第二电压输出点，所述MP2和MN3两者的栅极连接到所述第一电压输出点，所述MN1和MN4的栅极分别连接到控制信号SEL。所述控制信号SEL输入低电平或高电平的电平信号，所述正电压输入端HV输入高电平到高电压的电平信号。

图1中以OUT＿1代表所述第一电压输出点，以OUT＿2代表所述第二电压输出点，两个电压输出端统一以OUT表示。

参照图2，所述控制信号发生电路包括一个非门、一个P型mos管MP0和一个N型mos管MN0，所述非门的输出端连接所述MP0和MN0的栅极，所述MP0的漏极与所述MN0的漏极连接作为输出端MGND。所述非门和所述MP0的源极的输入信号均为低电平或高电平的电平信号SEL＿VGND，所述MN0的源极接地。

一种存储器芯片，包括有上述的一种减小电压差的电压传递电路。

一种存储器，设置有至少一个存储器芯片，包括有上述的一种减小电压差的电压传递电路。

参照图3，一种应用上面任一所述的一种减小电压差的电压传递电路的控制方法，包括以下步骤：

所述控制信号SEL保持低电平，所述控制信号发生电路的输出端MGND保持低电平，所述正电压输入端HV保持高电平，所述第一电压输出点和第二电压输出点输出低电平；

所述控制信号SEL改为高电平，所述控制信号发生电路的输出端MGND保持低电平，所述正电压输入端HV保持高电平，所述第一电压输出点和第二电压输出点输出高电平；

所述控制信号SEL保持高电平，所述控制信号发生电路的输出端MGND改为中间电平GND＿V，所述正电压输入端HV改为高电压HV＿V，所述第一电压输出点和第二电压输出点输出高电压HV＿V；此时所述电压输出电路中任一mos管的最大电压差不超过Vmax＝HV＿V－GND＿V。

所述控制信号发生电路的输出端MGND、所述第一电压输出点和第二电压输出点的电压变化过程均为线性变化。

本实用新型的控制方式实际上是控制mos管导通和截止的控制方法，由于所述正电压输入端HV最高电压为HV＿V，此时所述控制信号发生电路的输出端MGND的中间电平GND＿V，相当于在所述第一电压输出点和第二电压输出点，P型mos管一侧电压为HV＿V，N型mos管一侧电压为GND＿V，因此整个电路中mos管的电压差不超过Vmax＝HV＿V－GND＿V，有效保护了mos管的工作稳定性，从而使电压传递电路更加可靠。

以上所述，只是本实用新型的较佳实施例而已，本实用新型并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本实用新型的技术效果，都应属于本实用新型的保护范围。