用于静态随机存取存储器编译器的鲁棒写入驱动器机制的制作方法

文档序号:20606386发布日期:2020-05-01 22:08阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种装置,包括:

静态随机存取存储器(sram),其中所述sram包括:

位单元阵列;

耦合至所述位单元阵列的位线;

驱动电路,所述驱动电路被配置为经由写入驱动器节点驱动所述位线,用于将数据写入到所述位单元阵列的位单元中,以进行写入操作;和

预充电电路,所述预充电电路被配置为与所述驱动电路一起操作以:

将所述写入驱动器节点驱动至高电压电平或低电压电平,以进行所述写入操作,

将所述写入驱动器节点预充电至所述高电压电平,以及

使所述写入驱动器节点浮置,以进行位掩蔽操作。

2.根据权利要求1所述的装置,其中:

所述预充电电路被耦合至掩蔽信号线输入,其中所述掩蔽信号线输入控制所述预充电电路以与所述驱动电路一起操作,来在所述位掩蔽操作被禁用的情况下,将所述写入驱动器节点驱动至所述高电压电平或所述低电压电平。

3.根据权利要求2所述的装置,其中:

所述预充电电路被耦合到位时钟输入,其中所述位时钟输入控制所述预充电电路以与所述驱动电路一起操作,来将所述写入驱动器节点预充电至所述高电压电平,并使所述写入驱动器节点浮置,以进行所述位掩蔽操作。

4.根据权利要求1所述的装置,其中在所述写入驱动器节点浮置在所述高电压电平的情况下,在写入周期开始时,在所述位线上维持用于将所述数据写入到所述位单元中的阈值电压电平。

5.根据权利要求1所述的装置,还包括:

反向位线,被耦合到所述位单元阵列;

第二驱动电路,所述第二驱动电路被配置为经由第二写入驱动器节点来驱动所述反向位线,用于将所述数据写入到所述位单元中,以进行所述写入操作;和

第二预充电电路,所述第二预充电电路被配置为与所述第二驱动电路一起操作以:

将所述第二写入驱动器节点驱动至所述高电压电平或所述低电压电平,以进行所述写入操作,

将所述第二写入驱动器节点预充电至所述高电压电平,以及

使所述第二写入驱动器节点浮置,以进行所述位掩蔽操作。

6.根据权利要求5所述的装置,其中:

所述第二预充电电路被耦合至掩蔽信号线输入,其中所述掩蔽信号线输入控制所述第二预充电电路以与所述第二驱动电路一起操作,来在所述位掩蔽操作被禁用的情况下,将所述第二写入驱动器节点驱动至所述高电压电平或所述低电压电平。

7.根据权利要求6所述的装置,其中:

所述第二预充电电路被耦合到位时钟输入,其中所述位时钟输入控制所述第二预充电电路以与所述第二驱动电路一起操作,来将所述第二写入驱动器节点预充电至所述高电压电平,并使所述第二写入驱动器节点浮置,以进行所述位掩蔽操作。

8.根据权利要求5所述的装置,其中在所述第二写入驱动器节点浮置在所述高电压电平的情况下,在写入周期开始时,在所述反向位线上维持用于将所述数据写入到所述位单元中的阈值电压电平。

9.根据权利要求1所述的装置,还包括:

蜂窝电话和移动计算设备之一,所述蜂窝电话和所述移动计算设备之一并入有所述sram。

10.一种用于将数据写入到静态随机存取存储器(sram)中的方法,包括:

检测位掩蔽操作是被启用还是被禁用;

将写入驱动器节点驱动至高电压电平或低电压电平,以进行写入操作;

将所述写入驱动器节点预充电至所述高电压电平;

使所述写入驱动器节点浮置,以进行所述位掩蔽操作;以及

驱动被耦合到位单元阵列的位单元的位线,以根据在所述写入驱动器节点处的所述高电压电平或所述低电压电平,将数据写入到所述位单元中,以进行所述写入操作。

11.根据权利要求10所述的方法,还包括:接收掩蔽信号线输入,其中所述掩蔽信号线输入进行控制,以在所述位掩蔽操作被禁用的情况下,将所述写入驱动器节点驱动至所述高电压电平或所述低电压电平。

12.根据权利要求11所述的方法,还包括:接收位时钟输入,其中所述位时钟输入进行控制,以将所述写入驱动器节点预充电在所述高电压电平处,并使所述写入驱动器节点浮置,以进行所述位掩蔽操作。

13.根据权利要求10所述的方法,其中在所述写入驱动器节点浮置在所述高电压电平的情况下,在写入周期开始时,在所述位线上维持用于将所述数据写入到所述位单元中的阈值电压电平。

14.根据权利要求10所述的方法,还包括:

将第二写入驱动器节点驱动至所述高电压电平或所述低电压电平,以进行所述写入操作;

将所述第二写入驱动器节点预充电至所述高电压电平;

使所述第二写入驱动器节点浮置,以进行所述位掩蔽操作;以及

驱动被耦合到所述位单元的反向位线,以根据在所述第二写入驱动器节点处的所述高电压电平或所述低电压电平,将所述数据写入到所述位单元中,以进行所述写入操作。

15.根据权利要求14所述的方法,还包括:接收掩蔽信号线输入,其中所述掩蔽信号线输入进行控制,以在所述位掩蔽操作被禁用的情况下将所述第二写入驱动器节点驱动至所述高电压电平或所述低电压电平。

16.根据权利要求15所述的方法,还包括:接收位时钟输入,其中所述位时钟输入进行控制,以将所述第二写入驱动器节点预充电在所述高电压电平处,并使所述第二写入驱动器节点浮置,以进行所述位掩蔽操作。

17.根据权利要求14所述的方法,其中在所述第二写入驱动器节点浮置在所述高电压电平的情况下,在写入周期开始时,在所述反向位线上维持用于将所述数据写入到所述位单元中的阈值电压电平。

18.一种用于将数据写入静态随机存取存储器(sram)的装置,包括:

用于检测位掩蔽操作是被启用还是被禁用的部件;

用于将写入驱动器节点驱动至高电压电平或低电压电平以进行写入操作的部件;

用于将所述写入驱动器节点预充电至所述高电压电平的部件;

用于将所述写入驱动器节点浮置以进行位掩蔽操作的部件;和

用于驱动被耦合到位单元阵列的位单元的位线的部件,用以根据在所述写入驱动器节点处的所述高电压电平或所述低电压电平,将数据写入到所述位单元中,以进行所述写入操作。

19.根据权利要求18所述的装置,还包括:用于接收掩蔽信号线输入的部件,其中所述掩蔽信号线输入进行控制,以在所述位掩蔽操作被禁用的情况下,将所述写入驱动器节点驱动至所述高电压电平或所述低电压电平。

20.根据权利要求19所述的装置,还包括:用于接收位时钟输入的部件,其中所述位时钟输入进行控制,以将所述写入驱动器节点预充电在所述高电压电平处,并使所述写入驱动器节点浮置,以进行所述位掩蔽操作。

21.根据权利要求18所述的装置,其中在所述写入驱动器节点浮置在所述高电压电平的情况下,在写入周期开始时,在所述位线上维持用于将所述数据写入到所述位单元中的阈值电压电平。

22.根据权利要求18所述的装置,还包括:

用于将第二写入驱动器节点驱动至所述高电压电平或所述低电压电平以进行所述写入操作的部件;

用于将所述第二写入驱动器节点预充电至所述高电压电平的部件;

用于使所述第二写入驱动器节点浮置以进行所述位掩蔽操作的部件;和

用于驱动被耦合到所述位单元的反向位线的部件,用以根据在所述第二写入驱动器节点处的所述高电压电平或所述低电压电平,将所述数据写入到所述位单元中,以进行所述写入操作。

23.根据权利要求22所述的装置,还包括:用于接收掩蔽信号线输入的部件,其中所述掩蔽信号线输入进行控制,以在所述位掩蔽操作被禁用的情况下,将所述第二写入驱动器节点驱动至所述高电压电平或所述低电压电平。

24.根据权利要求23所述的装置,还包括:用于接收位时钟输入的部件,其中所述位时钟输入进行控制,以将所述第二写入驱动器节点预充电在所述高电压电平处,并使所述第二写入驱动器节点浮置,以进行所述位掩蔽操作。

25.根据权利要求22所述的装置,其中在所述第二写入驱动器节点浮置在所述高电压电平的情况下,在写入周期开始时,在所述反向位线上维持用于将所述数据写入到所述位单元中的阈值电压电平。

26.一种装置,包括:

静态随机存取存储器(sram);和

写入驱动器电路,用于将数据写入到所述sram中,所述写入驱动器电路被配置为:

检测位掩蔽操作是被启用还是被禁用,

将写入驱动器节点驱动至高电压电平或低电压电平,以进行写入操作,

将所述写入驱动器节点预充电至所述高电压电平,

使所述写入驱动器节点浮置,以进行位掩蔽操作,以及

驱动被耦合到位单元阵列的位单元的位线,以根据在所述写入驱动器节点处的所述高电压电平或所述低电压电平,将数据写入到所述位单元中,以进行所述写入操作。

27.根据权利要求26所述的装置,其中所述写入驱动器电路还被配置为:

接收位时钟输入和掩蔽信号线输入,

其中所述掩蔽信号线输入进行控制,以在所述位掩蔽操作被禁用的情况下,将所述写入驱动器节点驱动至所述高电压电平或所述低电压电平,

其中所述位时钟输入进行控制,以将所述写入驱动器节点预充电在所述高电压电平处,并使所述写入驱动器节点浮置,以进行所述位掩蔽操作,以及

其中在所述写入驱动器节点浮置在所述高电压电平的情况下,在写入周期开始时,在所述位线上维持用于将所述数据写入到所述位单元中的阈值电压电平。

28.根据权利要求26所述的装置,其中所述写入驱动器电路还被配置为:

将第二写入驱动器节点驱动至所述高电压电平或所述低电压电平,以进行所述写入操作;

将所述第二写入驱动器节点预充电至所述高电压电平;

使所述第二写入驱动器节点浮置,以进行所述位掩蔽操作;以及

驱动被耦合到所述位单元的反向位线,以根据在所述第二写入驱动器节点处的所述高电压电平或所述低电压电平,将所述数据写入到所述位单元中,以进行所述写入操作。

29.根据权利要求28所述的装置,其中所述写入驱动器电路还被配置为:

接收位时钟输入和掩蔽信号线输入,其中所述掩蔽信号线输入进行控制,以在所述位掩蔽操作被禁用的情况下,将所述第二写入驱动器节点驱动至所述高电压电平或所述低电压电平,

其中所述位时钟输入进行控制,以将所述第二写入驱动器节点预充电在所述高电压电平处,并使所述第二写入驱动器节点浮置,以进行所述位掩蔽操作,以及

其中在所述第二写入驱动器节点浮置在所述高电压电平的情况下,在写入周期开始时,在所述反向位线上维持用于将所述数据写入到所述位单元中的阈值电压电平。

30.根据权利要求26所述的装置,还包括:

蜂窝电话和移动计算设备之一,所述蜂窝电话和所述移动计算设备之一并入有所述sram和所述写入驱动器电路。


技术总结
提供了用于将数据写入到静态随机存取存储器(SRAM)中的系统、方法和装置。写入驱动器电路包括位单元阵列、耦合到该位单元阵列的位线、以及第一驱动电路,该第一驱动电路被配置为经由写入驱动器节点驱动位线,用于将数据写入到位单元中,以进行写入操作。写入驱动器电路还包括预充电电路,该预充电电路被配置为控制写入驱动器电路或与写入驱动器电路一起操作,以将写入驱动器节点驱动至用于写入操作的高电压电平或低电压电平,并将写入驱动器节点预充电至高电压电平,并使写入驱动器节点浮置,以进行位掩蔽操作。

技术研发人员:S·N·莫汉蒂;M·纳拉西姆汉;R·K·辛哈;R·古普塔
受保护的技术使用者:高通股份有限公司
技术研发日:2018.08.23
技术公布日:2020.05.01
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