1.一种方法，其包括：
在存储器装置处确定存储在所述存储器装置的nand存储器单元中的值将被破坏；以及
响应于所述确定，通过仅向所述存储器单元施加预编程脉冲来破坏所述存储器单元中的所述值，所述预编程脉冲使所述存储器单元的电压电平达到预定电压电平。
2.根据权利要求1所述的方法，其包括：
施加所述预编程脉冲之后：
确定所述存储器单元将被擦除；以及
响应于确定所述存储器单元将被擦除：
向所述存储器单元施加所述预编程脉冲；
向所述存储器单元施加擦除脉冲；以及
验证所述存储器单元被擦除。
3.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述值将被破坏包括通过通信接口从主机接收命令。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述命令指定所述存储器装置的页，所述页中的多个存储器单元中的一个所述存储器单元。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述页中的所述多个存储器单元中的所有单元的值被破坏。
6.根据权利要求3所述的方法，其中所述命令指定所述存储器装置的块，所述块中的多个存储器单元中的一个所述存储器单元。
7.根据权利要求1所述的方法，其中确定存储在所述存储器装置的所述存储器单元中的所述值将被破坏包括：
通过通信接口从主机接收对映射到所述存储器单元的逻辑块地址的删除请求；
确定所述逻辑块地址被分类为敏感；
响应于接收到所述删除请求并且确定所述逻辑块地址被分类为敏感，确定存储在所述存储器装置的所述存储器单元中的所述值将被破坏。
8.根据权利要求7所述的方法，其包括：
响应于接收所述删除请求，将所述存储器单元标记为未分配的。
9.一种存储器装置，其包括：
nand存储器单元；
存储器控制器，其被配置成执行包括以下操作：
确定存储在所述存储器装置的所述nand存储器单元中的值将被破坏；以及
响应于所述确定，通过仅向所述存储器单元施加预编程脉冲来破坏所述存储器单元中的所述值，所述预编程脉冲使所述存储器单元的电压电平达到预定电压电平。
10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述存储器控制器进一步被配置成执行包括以下的操作：
施加所述预编程脉冲之后：
确定所述存储器单元将被擦除；以及
响应于确定所述存储器单元将被擦除：
向所述存储器单元施加所述预编程脉冲；
向所述存储器单元施加擦除脉冲；以及
验证所述存储器单元被擦除。
11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中确定所述值将被破坏的操作包括通过通信接口从主机接收命令的操作。
12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述命令指定所述存储器装置的页，所述页中的多个存储器单元中的一个所述存储器单元。
13.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述页中的所述多个存储器单元中的所有单元的值被破坏。
14.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述命令指定所述存储器装置的块，所述块中的多个存储器单元中的一个所述存储器单元。
15.根据权利要求9所述的存储器装置，其中确定存储在所述存储器装置的所述存储器单元中的所述值将被破坏的所述操作包括：
通过通信接口从主机接收对映射到所述存储器单元的逻辑块地址的删除请求；
确定所述逻辑块地址被分类为敏感；
响应于接收到所述删除请求并且确定所述逻辑块地址被分类为敏感，确定存储在所述存储器装置的所述存储器单元中的所述值将被破坏。
16.根据权利要求15所述的存储器装置，其包括：
响应于接收所述删除请求，将所述存储器单元标记为未分配的。
17.一种机器可读介质，其包括指令，所述指令在被机器执行时使所述机器执行包括以下的操作：
确定存储在存储器装置的nand存储器单元中的值将被破坏；以及
响应于所述确定，通过仅向所述存储器单元施加预编程脉冲来破坏所述存储器单元中的所述值，所述预编程脉冲使所述存储器单元的电压电平达到预定电压电平。
18.根据权利要求17所述的机器可读介质，其中所述存储器控制器进一步被配置成执行包括的以下操作：
施加所述预编程脉冲之后：
确定所述存储器单元将被擦除；以及
响应于确定所述存储器单元将被擦除：
向所述存储器单元施加所述预编程脉冲；
向所述存储器单元施加擦除脉冲；以及
验证所述存储器单元被擦除。
19.根据权利要求17所述的机器可读介质，其中确定所述值将被破坏的操作包括通过通信接口从主机接收命令的操作。
20.根据权利要求19所述的机器可读介质，其中所述命令指定所述存储器装置的页，所述页中的多个存储器单元中的一个所述存储器单元。
21.根据权利要求19所述的机器可读介质，其中所述页中的所述多个存储器单元中的所有单元的值被破坏。