技术特征：
技术总结
本发明提供一种SRAM存储单元电路，包括写入单元电路和读取单元电路，写入单元电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，读取单元电路包括第三NMOS管和第四NMOS管；第一PMOS管的栅极与写入字线连接，漏极与写入位线连接，源极与控制节点连接；第二PMOS管的栅极与控制节点连接，漏极与存储节点连接，源极连接电源电压；第一NMOS管的栅极与存储节点连接，漏极与控制节点连接，源极接地；第二NMOS管的栅极与控制节点连接，漏极与存储节点连接，源极接地；第三NMOS管的栅极与存储节点连接，漏极与第四NMOS管的源极连接，源极接地；第四NMOS管的栅极与读取字线连接，漏极与读取位线连接。本发明能够降低SRAM存储单元电路的功耗以及位线对存储节点的电位影响。
技术研发人员：郭桂良;赵佳宁;郭江飞;刘生有;韩荆宇;姜宇;来强涛
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2019.02.22
技术公布日：2019.06.21