本发明涉及数据存储
技术领域：
：，具体为一种动态nandflash危险块筛选的方法。
背景技术：
：：nandflash可以在无电源的情况下仍然保持电荷，存储方式基于浮栅(floatinggate)的技术，在栅极(控制栅)与漏极之间存在浮置栅，用于存储数据。数据在nandflash中的存储是以电荷形式存储的，栅极及主板利用氧化膜进行绝缘处理，所以可以使电荷存储很长时间，但是如果氧化膜存在缺陷或者遭到破坏，那么数据就会收到破坏。由于制作工艺或者硬件电气特性的影响，存储在nandflash存储器中的数据位会发生反转。当前使用nandflash的产品中，都会通过解码模块对nand进行解码，当发生反转的数据量较大并超出硬件纠错模块的纠错能力时，可能就会产生数据丢失。所以在读取数据时容易发生eccfail，所以我们要提前监测出比较危险的块(dangerousblock)，防止在某次读取数据时直接丢失数据，因此，亟待一种改进的技术来解决现有技术中所存在的这一问题。技术实现要素：本发明的目的在于提供一种动态nandflash危险块筛选的方法，在nand的使用过程中通过读写辨别出危险块的存在，基于该筛选的结果，nandflash存储器的使用者可以采取不同的应对方案，规避使用危险块带来的影响，以解决上述
背景技术：
：中提出的问题。为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种动态nandflash危险块筛选的方法，包括以下步骤：步骤一：在nandflash使用过程中使用默认电压出现eccfail；步骤二：使用厂商提供的读取电压表，并看出错的页在每个读取电压表的条件下读取时的errorbit，如果在每个读取电压表的条件下errorbit都大于阈值t，那么就把这个块标为危险块；步骤三：只要块中有一个页经过所有的读取电压表的errorbit都大于阈值t，就说明该块为危险块，进行标注，并进行下一个块的筛选；步骤四：若块中所有页不需要经过所有的读取电压表就可以把errorbit降低到阈值t以下则认为是正常的块。优选的，所述步骤一中eccfail为发生数据丢失。优选的，所述步骤二中errorbit为错误位。优选的，所述步骤二中errorbit阈值t根据ecc纠错能力设置，所述errorbit阈值t为解码极限的85%。与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明充分考虑了环境温度、磨损次数、endurance、errorbit阈值等因素影响，可以筛选出在使用过程中导致nandflash内特性不佳的危险块。用户把经过筛选的危险块的数据读出，放到正常块中，并把这个危险块避过不再使用，避免因为下次使用了危险块导致一系列不稳定的问题出现，提升了产品的稳定性。附图说明图1为本发明流程示意图。具体实施方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种动态nandflash危险块筛选的方法，包括以下步骤：步骤一：在nandflash使用过程中使用默认电压出现eccfail；步骤二：使用厂商提供的读取电压表，并看出错的页在每个读取电压表的条件下读取时的errorbit，如果在每个读取电压表的条件下errorbit都大于阈值t，那么就把这个块标为危险块；步骤三：只要块中有一个页经过所有的读取电压表的errorbit都大于阈值t，就说明该块为危险块，进行标注，并进行下一个块的筛选；步骤四：若块中所有页不需要经过所有的读取电压表就可以把errorbit降低到阈值t以下则认为是正常的块。在任何使用nand的存储设备使用过程中，都会在默认电压下发生数据丢失。在默认电压下出现eccfail的条件下，可以启动危险块标记。将在默认电压下出现eccfail的块（block）中的页（page）使用所有的可读取电压，并看是否有电压能将page的errorbit降到阈值以下。若使用所有可读取电压（retrytable）读出的errorbit都大于阈值t，则将这个块（block）标记为危险块。若有一个读取电压读出的errorbit不大于阈值t，则认为这个块（block）是正常的。以下实施例用若干个u盘进行测试。实施例一：采用第一个u盘进行测试，该u盘容量为2gb，该u盘的errorbit的阈值为140，在默认电压下其中一个块中的页出现了eccfail，随后电压将page的errorbit降到120，即判断该块为正常的块，显示为绿色，继续测试，然后另一个块中的页也出现了eccfail，随后电压将page的errorbit降到95，即判断该块为正常的块，继续测试，第三次另一个块中的页出现了eccfail，随后电压将page的errorbit降到80，即判断该块为正常的块，继续测试，结束前未出现eccfail，完成测试。本实施例在测试过程中出现了三次eccfail，随后通过电压将errorbit均降到阈值140以下，均判断为正常的块。实施例二：采用第二个u盘进行测试，该u盘容量为2gb，该u盘的errorbit的阈值为140，在默认电压下其中一个块中的页出现了eccfail，随后电压将page的errorbit降到85，即判断该块为正常的块，显示为绿色，继续测试，然后另一个块中的页也出现了eccfail，随后电压将page的errorbit降到170，即判断该块为危险块，显示为红色并进行标记，继续测试，在默认电压下其中一个块中的页出现了eccfail，随后电压将page的errorbit降到130，即判断该块为正常的块，显示为绿色，继续测试，在默认电压下其中一个块中的页出现了eccfail，电压将page的errorbit降到110，即判断该块为正常的块，显示为绿色，继续测试，在默认电压下其中一个块中的页出现了eccfail，电压将page的errorbit降到150，即判断该块为危险块，显示为红色并进行标记，继续测试，结束前未出现eccfail。本实施例在测试过程中出现了五次eccfail，其中有三次通过电压将errorbit均降到阈值140以下，这三次均判断为正常的块，其中有两次通过电压未将errorbit均降到阈值140以下，这两次均判断为危险块，并进行了标记。本发明充分考虑了环境温度、磨损次数、endurance、errorbit阈值等因素影响，可以筛选出在使用过程中导致nandflash内特性不佳的危险块，用户把经过筛选的危险块的数据读出，放到正常块中，并把这个危险块避过不再使用，避免因为下次使用了危险块导致一系列不稳定的问题出现，提升了产品的稳定性。尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。当前第1页12当前第1页12