EEPROM存储器的制作方法

文档序号:20604499发布日期:2020-05-01 21:57阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种eeprom存储器,其特征在于,其包括存储阵列、位线、页锁存器以及读出灵敏放大器;

所述存储阵列,其包括l行、m列存储字节;

每一存储字节,由2n个存储单元组成;l、m、n均为正整数;

每一存储字节中的2n个存储单元分为n组;

同一组的两个存储单元各自对应1个位线;

同一行的各存储字节的各组存储单元分别对应于不同的页锁存器;

每一个页锁存器保存1位数据,其两个输出端分别接同一组的两个存储单元的位线;

所述页锁存器,用于锁存需要写入存储阵列的相应存储字节相应一组存储单元的数据,其两个输出端的状态相反;

同一行的各存储字节的各组存储单元分别对应于不同的灵敏放大器;

每一个灵敏放大器,用于从存储阵列中读1位数据,其根据对应的同一组中的两个存储单元的电流来判断存储的数据。

2.根据权利要求1所述的eeprom存储器,其特征在于,

每一个灵敏放大器,比较同一组中的第1存储单元的电流和第2个存储的电流,如果第1存储单元的电流大于第2存储单元的电流,则判断数据为1;如果第1存储单元的电流小于第2存储单元的电流,则判断数据为0。

3.根据权利要求1所述的eeprom存储器,其特征在于,

同一行的各存储字节分别对应于不同的字选择锁存器;

字选择锁存器用于保存对应存储字节的状态位;

状态位用于表示对应于该个字节的各页锁存器中的数据是否需要写入相应一组存储单元。

4.根据权利要求3所述的eeprom存储器,其特征在于,

对存储阵列做编程操作时,所选择字节的各组存储单元根据对应页锁存器的两个输出状态,决定各组存储单元中的第1存储单元和第2存储单元分别保存数据0和1或者是1和0。

5.根据权利要求1所述的eeprom存储器,其特征在于,

n为8、16、32或64。

6.根据权利要求1所述的eeprom存储器,其特征在于,

对存储阵列做擦除操作时,所选择字节的所有存储单元都执行擦操作,数据都变为擦状态。

7.根据权利要求1所述的eeprom存储器,其特征在于,

eeprom存储器还包括行选择电路;

所述行选择电路连接到存储阵列对应的字线,用于选择对应的字线。

8.根据权利要求1所述的eeprom存储器,其特征在于,

所述eeprom存储器还包括列解码电路及列选择电路;

所述列解码电路以及列选择电路,用于选择对应的字节及位线。

9.根据权利要求1所述的eeprom存储器,其特征在于,

所述列选择电路,对应于同一行的存储字节的同一组中的两个存储单元各自设置一个nmos管;

所述nmos管的栅极接列解码电路的一路输出,漏极接对应的位线,源极接所述灵敏放大器。


技术总结
本发明公开了一种EEPROM存储器,其存储阵列包括L行、M列存储字节;每一存储字节由2N个存储单元组成;每一存储字节中的存储单元分为N组;同一组的两个存储单元各自对应1个位线;各组存储单元分别对应于不同的页锁存器;每一个页锁存器的两个输出端分别接同一组的两个存储单元的位线;每一个页锁存器用于锁存需要写入一组存储单元的1位数据,其两个输出端的状态相反;同一行的各存储字节的各组存储单元分别对应于不同的灵敏放大器;灵敏放大器根据对应的同一组中的两个存储单元的电流来判断存储的数据。该EEPROM存储器,其存储单元读出窗口增加大约2倍,极大增加了存储器的可靠性,可以明显提高存储器的擦写耐久性。

技术研发人员:陈涛;汪齐方;冯国友
受保护的技术使用者:普冉半导体(上海)有限公司
技术研发日:2019.12.26
技术公布日:2020.05.01
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1