一种容量为32M×32bit的非气密三维封装SDRAM存储器的制作方法

本实用新型涉及存储设备，具体涉及一种容量为32M×32bit的非气密三维封装SDRAM存储器。

背景技术：

易失性存储器(SDRAM)是计算机中的重要部件之一，是CPU能直接寻址的存储空间，计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，其特点是存取速率快，因此内存的性能对计算机的影响非常大。

对于计算机尺寸要求严格的应用环境，如导弹、船舶、卫星等应用环境，内存部位所占PCB板的面积要求缩小，迫切需要一款能够按照用户实际需求容量及位宽的进行小型化，并且保存SDRAM原有特点的存储器模块。

近年来，随着技术的高速发展及国家战略安全的需要，对弹载系统的国产化、小型化和综合打击性能提出了更高的需求。系统迫切需要体积小、综合抗辐照能力强的静态随机存取存储器。很多电子产品都需要使用SDRAM 器件，而且电子产品处理数据量越来越大，要求存储空间越来越大。各种 SDRAM的容量有限，要实现大容量势必要在PCB板上放置多片SDRAM器件，这些器件会占用相当大的面积，引起PCB板面积的增大。

越来越多的电子产品对小型化的要求程度越来越高，PCB板的面积不仅不能扩大，还要求更小。存储器件在板子上能够占用的面积几乎不可能再扩大。系统板需要容量更大、体积更小的存储器。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种容量为32M×32bit的非气密三维封装 SDRAM存储器，以克服现有技术的不足，本实用新型能够满足系统板对大容量、小体积的SDRAM存储器的需求。

为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种容量为32M×32bit的非气密三维封装SDRAM存储器，包括两个互联印制板和两个容量均为32M×16bit的SDRAM芯片，一个SDRAM芯片与一个互联印制板为一组，SDRAM芯片设置于互联印制板下侧，SDRAM芯片的引脚与互联印制板的引脚电气连接；每个互联印制板的上侧设有与互联印制板下侧设置的SDRAM芯片引脚连接的层间内引线，两个均设有SDRAM 芯片的互联印制板堆叠设置，最下层互联印制板下端设有引线框架，引线框架的插槽内固定有外引线，互联印制板和引线框架通过灌封胶灌封，灌封胶将SDRAM芯片、互联印制板和引线框架全部包裹在内，灌封胶外层设有外部金属镀化层引线，层间内引线与外引线通过外部金属镀化层引线连通。

进一步的，外部金属镀化层引线外侧设有包裹层。

进一步的，SDRAM芯片采用容量为512Kb、数据总线宽度16位的 TSOP-54封装的SDRAM芯片。

进一步的，层间内引线采用扁平引线-H4引线。

进一步的，引线框架采用B-SR16M32VS4R1框架。

进一步的，灌封胶层采用环氧树脂胶。

进一步的，外部金属镀化层引线采用镀镍、镍或金复合层。

进一步的，两个SDRAM芯片的地址线分别单独引出，分别为模块 D0-D15地址线和D16-D31地址线；两个SDRAM芯片的选通线分别单独引出；两个SDRAM芯片的数据线、写使能线、低位输出控制线、高位输出控制线、行地址选通线、列地址选通线、时钟使能线、系统时钟输入线分别对应连接。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益的技术效果：

本实用新型一种容量为32M×32bit的非气密三维封装SDRAM存储器，包括两个互联印制板和两个容量均为32M×16bit的SDRAM芯片，一个 SDRAM芯片与一个互联印制板为一组，SDRAM芯片设置于互联印制板下侧，SDRAM芯片的引脚与互联印制板的引脚电气连接；每个互联印制板的上侧设有与互联印制板下侧设置的SDRAM芯片引脚连接的层间内引线，两个均设有SDRAM芯片的互联印制板堆叠设置，最下层互联印制板下端设有引线框架，引线框架的插槽内固定有外引线，互联印制板和引线框架通过灌封胶灌封，灌封胶将SDRAM芯片、互联印制板和引线框架全部包裹在内，灌封胶外层设有外部金属镀化层引线，层间内引线与外引线通过外部金属镀化层引线连通，结构上利用两层互联印制板作为三维结构堆叠层，将两芯片通过互联印制板焊接互联，将两互联印制板堆叠，形成堆叠体，堆叠体经过灌封、切割、外表面镀金、外表面金属三维立体刻线工艺将两个芯片、两层层间互连印制板、一个引线框架层的引脚接线连接成一个SDRAM存储器， SDRAM基片通过三维封装的形式进行容量的扩展，从而减小其所占用的面积；三维立体结构的设计，实现了在与单层芯片所占面积接近的情况下实现了2倍容量和2倍位宽的扩展。显著减少存储器器件占用PCB板的平面空间，利于系统的小型化。尤其适合应用于有高密度集成、小型化需求的航空、航天领域。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图2为本实用新型连接电路图。

图3为本实用新型外部引脚结构示意图。

图4为本实用新型电路连接示意图。

其中，1、SDRAM芯片；2、互联印制板；3、层间内引线；4、灌封胶； 5、引线框架；6、外部金属镀化层引线；7、外引线。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步详细描述：

如图1至图4所示，一种容量为32M×32bit的非气密三维封装SDRAM 存储器，包括两个互联印制板2和两个容量均为32M×16bit的SDRAM芯片 1，一个SDRAM芯片1与一个互联印制板2为一组，SDRAM芯片1封装于互联印制板2下侧，SDRAM芯片1的引脚与互联印制板2的引脚电连接；每个互联印制板2的上侧设有与互联印制板2下侧设置的SDRAM芯片1引脚电连接的层间内引线3，两个均设有SDRAM芯片1的互联印制板2堆叠设置，最下层互联印制板2下端设有引线框架5，引线框架5的插槽内固定有外引线7，互联印制板2和引线框架5通过灌封胶4灌封，SDRAM芯片1、互联印制板2和引线框架5外侧包裹有灌封胶4层，灌封胶4外层设有外部金属镀化层引线6，层间内引线3与外引线7通过外部金属镀化层引线6连通；

外部金属镀化层引线6外侧设有包裹层；

SDRAM芯片1采用容量为512Kb、数据总线宽度16位的TSOP-54封装的SDRAM芯片；层间内引线3采用扁平引线-H4引线；引线框架采用 B-SR16M32VS4R1框架；灌封胶层采用环氧树脂胶；外部金属镀化层引线采用镀镍、镍或金复合层；

引线框架5上的外引线7为最终模块引脚，外引线7通过引线框架5上的插槽固定，将两个SDRAM芯片分别固定在两个互联印制板2上，然后将互联印制板2堆叠后在最下层互联印制板2底部放置引线框架5，堆叠完成后的模块通过灌封胶4填充固定，之后切割成设计大小的模块，漏出层间内引线3与外引线7引脚，然后在灌封胶4外层设置外部金属镀化层引线6，最后通过激光刻蚀工艺完成表面刻蚀金属连线，实现模块线路的组装；结构截面图如图1所示；

两个SDRAM芯片的地址线分别单独引出，分别为模块D0-D15地址线和D16-D31地址线；两个SDRAM芯片的选通线分别单独引出，实现两个 SDRAM芯片的选通控制；两个SDRAM芯片的数据线、写使能线、低位输出控制线、高位输出控制线、行地址选通线、列地址选通线、时钟使能线、系统时钟输入线分别对应连接后引出，实现对模块的功能控制。外部金属镀化层引线将互联印制板通过层间内引线、引线支架上的外引脚连接在一起，完成整个模块的电气连接，引线支架上的外引脚将存储器的外引信号线引出，最终形成容量为1G、数据总线宽度达32位、封装为TSOP-70封装的非气密三维封装。

表1容量为1M×32bit非气密三维封装SDRAM存储器各引出端功能

结构上利用两层互联印制板作为三维结构堆叠层，将两芯片通过互联印制板焊接互联，将两互联印制板堆叠，形成堆叠体，堆叠体经过灌封、切割、外表面镀金、外表面金属三维立体刻线工艺将两个芯片、两层层间互连印制板、一个引线框架层的引脚接线连接成一个SDRAM存储器，SDRAM基片通过三维封装的形式进行容量的扩展，从而减小其所占用的面积；三维立体结构的设计，实现了在与单层芯片所占面积接近的情况下实现了2倍容量和 2倍位宽的扩展。显著减少存储器器件占用PCB板的平面空间，利于系统的小型化。尤其适合应用于有高密度集成、小型化需求的航空、航天领域。