具有电荷隔离以减少注入类型的编程干扰的存储器设备的制作方法

文档序号:26009791发布日期:2021-07-23 21:29阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种装置,所述装置包括:

布置在nand串(700n,710n,720n,730n)中的一组存储器单元(703-714,723-734,743-754,763-774),所述一组存储器单元包括连接到选定字线的存储器单元和连接到未选定字线的存储器单元,所述未选定字线包括隔离字线(wliso),所述隔离字线位于所述选定字线的源极侧上并且通过至少一个其他字线与所述选定字线分开,并且所述未选定字线还包括附加的未选定字线;和

控制电路(110,122),为了在一个编程循环中对选定存储器单元进行编程,所述控制电路被配置为同时将所述选定字线和所述附加的未选定字线上的电压(vwln,vwl_unsel)从初始电压(0v)增加到通过电压(vpass),并且随后将所述选定字线上的所述电压从所述通过电压增加到编程电压(vpgm)并且将所述选定字线上的所述电压保持在所述编程电压一时间段(t7-t5),以及在所述时间段结束之前以及在由所述选定字线上的所述电压从所述通过电压增加到所述编程电压所致的延迟(d1)之后,将所述隔离字线上的电压从初始电压(1614,1617)增加到所述通过电压。

2.根据权利要求1所述的装置,其中:

所述未选定字线包括所述隔离字线的源极侧相邻字线(wln-1)和所述隔离字线的漏极侧相邻字线(wln+1);并且

所述控制电路被配置为将所述源极侧相邻字线和所述漏极侧相邻字线的电压从相应初始电压(0v)增加到在所述相应初始电压和所述通过电压之间的中途的电压(1617),同时将所述选定字线和所述附加的未选定字线上的所述电压从所述初始电压增加到所述通过电压。

3.根据权利要求1或2所述的装置,其中:

在所述选定字线上的所述电压保持在所述编程电压的所述时间段的至少一半处,所述隔离字线上的所述电压从所述初始电压增加到所述通过电压。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置,所述装置还包括:

温度感测电路(116),所述温度感测电路被配置为提供温度的指示,其中响应于确定所述温度低于转变温度(temp_t1),施加所述隔离字线上的所述电压从所述初始电压增加到所述通过电压的延迟。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置,所述装置还包括:

温度感测电路(116),所述温度感测电路被配置为提供温度的指示,其中所述控制电路被配置为将所述延迟的量值设定为所述温度的递减函数。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置,其中:

所述一个编程循环在包括多个编程循环的编程遍中;

所述编程电压在所述多个编程循环的连续编程循环中逐步增大;并且

所述控制电路被配置为在所述编程遍期间跟踪编程循环编号,并且响应于所述编程循环编号达到转变编程循环编号,施加所述隔离字线上的所述电压从所述初始电压增加到所述通过电压的所述延迟。

7.根据权利要求6所述的装置,其中:

所述转变编程循环编号是所述组存储器单元的编程-擦除周期数量的递减函数。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的装置,其中:

所述一个编程循环在包括多个编程循环的编程遍中;

所述编程电压在所述多个编程循环的连续编程循环中逐步增大;并且

所述控制电路被配置为在所述编程遍期间跟踪编程循环编号,并且将所述延迟的量值设定为所述编程遍中的所述编程循环编号的递增函数。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的装置,其中:

所述控制电路被配置为响应于确定所述选定字线远离所述nand串的源极端多于指定数量的字线,施加将所述隔离字线上的所述电压从所述初始电压增加到所述通过电压的所述延迟。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的装置,其中:

所述控制电路被配置为将所述延迟的量值设定为所述选定字线与所述nand串的源极端之间的字线的数量的递增函数。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的装置,其中:

所述一个编程循环在包括多个编程循环的编程遍中;

所述编程电压在所述多个编程循环的连续编程循环中逐步增大;并且

将所述隔离字线与所述选定字线分开的字线的数量是所述编程遍中的编程循环编号的递增函数。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的装置,其中:

所述控制电路被配置为增加将所述隔离字线与所述选定字线分开的所述至少一个其他字线的电压从所述初始电压增加到所述通过电压,同时将所述选定字线和所述附加的未选定字线上的所述电压从所述初始电压增加到所述通过电压。

13.一种方法,所述方法包括:

将块中的未选定字线上的电压从初始电压(1614,1617)增加到通过电压(vpass);

将选定字线上的电压增加到编程电压,并将所述选定字线上的所述电压保持在所述编程电压一时间段(t7-t5);并且

在所述时间段结束之前以及在由所述选定字线上的所述电压增加到所述编程电压所致的延迟(d1)之后,将隔离字线上的电压从所述初始电压增加到所述通过电压,其中所述隔离字线位于所述选定字线的源极侧上并且通过至少一个其他字线与所述选定字线分开。

14.根据权利要求13所述的方法,所述方法还包括:

在将所述隔离字线上的所述电压从所述初始电压增加到所述通过电压之前并且在将所述未选定字线上的所述电压从所述初始电压增加到所述通过电压且将所述选定字线上的所述电压增加到所述通过电压之后,将所述隔离字线的源极侧相邻字线(wln-1)和漏极侧相邻字线(wln+1)的电压从相应初始电压增加到介于所述相应初始电压和所述通过电压之间的中途的电压。

15.根据权利要求13所述的方法,所述方法还包括:

将所述隔离字线的源极侧相邻字线(wln-1)和漏极侧相邻字线(wln+1)的电压从相应初始电压增加到介于所述相应初始电压和所述通过电压之间的中途的电压,同时将所述未选定字线上的所述电压从所述初始电压增加到所述通过电压。


技术总结
本发明描述了用于减少存储器设备中的注入类型的编程干扰的技术。当编程电压增加到编程电压(Vpgm)时,在NAND串的沟道中形成电荷隔离区,该沟道位于选定字线WLn的源极侧上并且与WLn间隔开一个或多个其他字线。通过向隔离字线施加0V或其他低电压来形成隔离区。隔离区保持施加Vpgm的时间段的第一部分。可基于与编程干扰风险相关联的因素来修改电荷隔离区,该因素包括Vpgm的量值、WLn在一组字线中的位置以及环境温度。

技术研发人员:陈红艳;赵伟
受保护的技术使用者:桑迪士克科技有限责任公司
技术研发日:2019.11.27
技术公布日:2021.07.23
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