技术总结
本申请涉及用于减少半导体装置中存取装置亚阈值泄漏的设备和方法。在一些实例中，非作用字线电压控制IWVC电路可以被配置成在激活多个存储体中的一个存储体之后的某一持续时间之后向与所述存储体相关联的相应子字驱动器提供非作用电势(从默认关断状态字线电压VNWL到低于所述默认VNWL的减小电压VNWL)。所述IWVC电路还可以被配置成响应于对所述存储体进行预充电而向相应子字驱动器提供所述默认VNWL。所述IWVC电路可以包含复用器，所述复用器耦合到所述子字驱动器并且被配置成响应于VNWL控制信号而向所述相应子字驱动器提供所述默认VNWL或所述减小电压VNWL。所述IWVC电路还可以包含时间控制电路，所述时间控制电路被配置成响应于时钟信号和时间控制信号而提供所述VNWL控制信号。供所述VNWL控制信号。供所述VNWL控制信号。
技术研发人员：B
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2020.08.05
技术公布日：2021/2/24