技术特征：
1.一种方法，其包括：将第一组逻辑状态写入到存储器阵列的存储器单元的子集；使用第一参考电压读取存储器单元的所述子集以获得至少部分基于所述第一组逻辑状态的第二组逻辑状态；使用第二参考电压读取存储器单元的所述子集以获得至少部分基于所述第一组逻辑状态的第三组逻辑状态；确定与所述第二组逻辑状态相关联的错误的第一数量及与所述第三组逻辑状态相关联的错误的第二数量；及至少部分基于错误的所述第一数量与错误的所述第二数量之间的差异对所述存储器阵列执行恢复操作。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：至少部分基于错误的所述第一数量及错误的所述第二数量计算梯度；及比较所述计算得到的梯度与预期梯度，其中执行所述恢复操作是至少部分基于比较所述计算得到的梯度与所述预期梯度。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述预期梯度是至少部分基于来自以所述第一参考电压读取存储器单元的所述子集的错误的第一预期数量及来自以所述第二参考电压读取存储器单元的所述子集的错误的第二预期数量。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：识别用于读取所述存储器阵列的其它存储器单元的参考电压，其中：所述第一参考电压及所述第二参考电压小于所述参考电压；写入所述第一组逻辑状态包括将相同逻辑状态写到所述子集的每一存储器单元；且执行所述恢复操作是至少部分基于错误的所述第一数量大于用于以所述第一参考电压读取的错误的第一预期数量、错误的所述第二数量小于用于以所述第二参考电压读取的错误的第二预期数量、或两者。5.根据权利要求4所述的方法，其中：所述第二参考电压小于所述第一参考电压；及使用所述第一参考电压读取在使用所述第二参考电压读取之前发生。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：识别用于读取所述存储器阵列的其它存储器单元的参考电压，其中：所述第一参考电压及所述第二参考电压大于所述参考电压；写入所述第一组逻辑状态包括将相同逻辑状态写入到所述子集的每一存储器单元；且执行所述恢复操作是至少部分基于错误的所述第一数量大于用于以所述第一参考电压读取的错误的第一预期数量、错误的所述第二数量小于用于以所述第二参考电压读取的错误的第二预期数量、或两者。7.根据权利要求6所述的方法，其中：所述第二参考电压大于所述第一参考电压；及使用所述第一参考电压读取在使用所述第二参考电压读取之前发生。8.根据权利要求1所述的方法，其中：写入所述第一组逻辑状态包括将第一逻辑状态写入到存储器单元的所述子集的第一
部分及将第二逻辑状态写入到存储器单元的所述子集的第二部分。9.一种方法，其包括：将第一组逻辑状态写入到存储器阵列的存储器单元的子集；使用参考电压读取存储器单元的所述子集以获得至少部分基于所述第一组逻辑状态的第二组逻辑状态；至少部分基于以所述参考电压的所述读取确定所述第二组逻辑状态与所述第一组逻辑状态之间的差异的数量；及至少部分基于比较差异的所述数量与和以所述参考电压的读取相关联的差异的预期数量对所述存储器阵列执行恢复操作。10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：将第三组逻辑状态写入到所述存储器阵列的存储器单元的第二子集；使用第二参考电压读取存储器单元的所述第二子集以获得至少部分基于写入所述第三组逻辑状态的第四组逻辑状态；至少部分基于使用所述第二参考电压读取来确定所述第四组逻辑状态与所述第三组逻辑状态之间的差异的第二数量；及至少部分基于比较差异的所述第二数量与和以所述第二参考电压的读取相关联的差异的第二预期数量来执行所述恢复操作。11.根据权利要求10所述的方法，其中：所述参考电压低于用于读取所述存储器阵列的存储器单元的默认参考电压；且所述第二参考电压高于所述默认参考电压。12.根据权利要求9所述的方法，其中：写入所述第一组逻辑状态包括将相同逻辑状态写入到所述子集的每一存储器单元。13.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：读取所述子集的每一存储器单元以获得对应初始逻辑状态，其中所述第一组的每一逻辑状态不同于所述对应初始逻辑状态。14.根据权利要求9所述的方法，其中：写入所述第一组逻辑状态包括将第一逻辑状态写入到存储器单元的所述子集的第一部分及将第二逻辑状态写入到存储器单元的所述子集的第二部分。15.一种方法，其包括：将第一组逻辑状态写入到存储器阵列的存储器单元的子集；读取存储器单元的所述子集以获得至少部分基于所述第一组逻辑状态的第二组逻辑状态；确定所述第二组逻辑状态与所述第一组逻辑状态之间的差异的数量满足阈值；及至少部分基于差异的所述数量满足所述阈值对所述存储器阵列执行恢复操作。16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：识别所述存储器阵列的激活，其中所述写入、读取、及确定是响应于所述存储器阵列的所述激活；及在包含所述存储器阵列的系统的启动序列完成之前执行所述多个写入操作。17.根据权利要求15所述的方法，其中：
写入所述第一组逻辑状态包括将相同逻辑状态写入到所述子集的每一存储器单元、将存储器单元的所述子集的第一部分写入到第一逻辑状态及将存储器单元的所述子集的第二部分写入到第二逻辑状态、或其组合。18.根据权利要求15所述的方法，其中：包含所述存储器阵列的存储器装置支持所述存储器阵列的错误校正码(ecc)操作；且所述阈值是至少部分基于可由与所述ecc操作相关联的码字校正的错误的数量。19.一种方法，其包括：在存储器阵列取消激活之前将第一组逻辑状态写入到所述存储器阵列内的存储器单元的子集；在所述存储器阵列重新激活之后将第二组逻辑状态写入到存储器单元的所述子集；读取存储器单元的所述子集以获得至少部分基于写入所述第二组逻辑状态的第三组逻辑状态；至少部分基于比较所述第三组逻辑状态与所述第一组逻辑状态确定存储器单元的所述子集的错误的第一数量；及当错误的所述第一数量满足阈值时，对所述存储器阵列执行恢复操作。20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括：在所述存储器阵列的所述取消激活之前，针对所述存储器阵列执行损耗均衡程序，其中所述损耗均衡程序使存储器单元的所述子集可用于存储所述第一组逻辑状态。21.根据权利要求20所述的方法，其中：所述存储器阵列包括多个字线；且所述子集的所述存储器单元与所述多个中的一或多个字线耦合，所述一或多个字线至少部分基于所述损耗均衡程序而变得可用。22.根据权利要求19所述的方法，其中：写入所述第一组逻辑状态包括将第一逻辑状态写入到存储器单元的所述子集的第一部分及将第二逻辑状态写入到存储器单元的所述子集的第二部分；且写入所述第二组逻辑状态包括将相同逻辑状态写入到所述子集的每一存储器单元。23.根据权利要求22所述的方法，其中读取存储器单元的所述子集以获得所述第三组逻辑状态是至少部分基于第一参考电压，所述方法进一步包括：至少部分基于不同于所述第一参考电压的第二参考电压，读取存储器单元的所述子集以获得至少部分基于写入所述第二组逻辑状态的第四组逻辑状态；至少部分基于比较所述第四组逻辑状态与所述第一组逻辑状态确定存储器单元的所述子集的错误的第二数量；及至少部分基于错误的所述第一数量与错误的所述第二数量之间的差异在所述存储器阵列处执行所述恢复操作。24.根据权利要求23所述的方法，其进一步包括：在所述存储器阵列的所述取消激活之前，至少部分基于第三参考电压读取存储器单元的所述子集，其中所述第一参考电压及所述第二参考电压两者都小于或两者都大于所述第三参考电压。25.根据权利要求22所述的方法，其中：
读取存储器单元的所述子集以获得所述第三组逻辑状态包括使用第一参考电压；且所述阈值是至少部分基于与以所述第一参考电压读取相关联的错误的预期数量。
技术总结
本发明描述用于存储器系统的压印恢复管理的方法、系统及装置。在一些情况中，存储器单元可被压印，其可指代其中单元变成倾向于存储一种逻辑状态而非另一逻辑状态、抗拒被写入到不同逻辑状态、或两者的条件。压印存储器单元可使用可根据各种条件、检测或推断启动的恢复或修复过程来恢复。在一些实例中，系统可经配置以执行根据特性化的压印严重性、操作模式、环境条件、及其它因素按比例缩放或选择的压印恢复操作。压印管理技术可增加存储器系统或其组件可在存在与存储器单元压印相关联的条件的情况下以其操作的稳健性、准确性或效率。准确性或效率。准确性或效率。
技术研发人员：S
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2020.09.02
技术公布日：2022/6/10