用于存储器的压印管理的制作方法

用于存储器的压印管理
1.交叉参考
2.本专利申请案主张由班加罗尔
·
拉克什曼(bangalore lakshman)等人在2019年9月24日申请的标题为“用于存储器的压印管理(imprint management for memory)”的第16/580,935号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案被转让给其受让人且以引用方式明确并入本文中。


背景技术：

3.下文大体上涉及包含至少一个存储器装置的系统，且更明确来说，涉及用于存储器系统的压印管理。
4.存储器装置广泛用于在各种电子装置中存储信息，所述电子装置例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。信息通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储。举例来说，二进制装置最常存储通常由逻辑1或逻辑0标示的两种状态中的一者。在其它装置中，可存储多于两种状态。为了存取所存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。
5.存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如feram)即使在不存在外部电源的情况下也可维持存储的逻辑状态达延长时段。易失性存储器装置(例如，dram)可能在与外部电源断开连接时丢失其存储状态。feram可能够实现类似于易失性存储器的密度但可具有非易失性性质，这是由于使用铁电电容器作为存储装置。
6.一些存储器类型可经历压印，其可指代其中存储器单元变成倾向于存储一种逻辑状态而非另一逻辑状态、抗拒被写入到不同逻辑状态(例如，逻辑状态不同于在写入操作前存储的逻辑状态)、或两者的各种条件。在一些情况中，压印的可能性可随着时间而增加(例如，其中存储器单元存储逻辑状态的较长持续时间可与存储器单元被压印有逻辑状态的可能性增加相关联)。另外或替代地，压印的可能性可随着温度而增加(例如，其中存储器单元存储逻辑状态的较高温度可与存储器单元被压印有逻辑状态的可能性增加相关联)。经压印存储器单元可与可损害存储器装置、或包含存储器装置的系统的操作的读取错误、写入错误或其它行为或漏洞相关联。
附图说明
7.图1说明根据如本文中所公开的实例的支持压印管理的系统的实例。
8.图2说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的存储器裸片的实例。
9.图3a及3b根据如本文中所公开的各个实例用磁滞曲线图说明铁电存储器单元的非线性电性质的实例。
10.图4a及4b根据如本文中所公开的各个实例用磁滞曲线图说明经压印铁电存储器单元的非线性电性质的实例。
11.图5说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的系统的实例。
12.图6说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的过程流程的实例。
13.图7说明根据如本文中所公开的实例的可支持用于存储器系统的压印管理的压印检测条件的曲线图。
14.图8a及8b说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的压印评估过程的实例。
15.图9说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的单元偏压的实例。
16.图10说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的信令的实例。
17.图11说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的状态图的实例。
18.图12到16说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的过程流程的实例。
19.图17展示根据本公开的方面的支持用于存储器系统的压印管理的存储器装置的框图。
20.图18到21展示说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的一或若干方法的流程图。
具体实施方式
21.存储器装置可在作为电子装置(例如移动装置、个人计算机、无线通信装置、服务器、物联网(iot)装置、交通工具或交通工具组件及类似物)的部分操作时经历各种条件。在一些情况中，存储器装置的一或多个存储器单元可被压印，其可指代其中存储器装置的存储器单元变成倾向于存储一种逻辑状态而非另一逻辑状态、抗拒被写入到不同逻辑状态(例如，逻辑状态不同于在写入操作前存储的逻辑状态)、或两者的各种条件。存储器单元被压印有逻辑状态的可能性可与存储逻辑状态的不间断(例如，连续)时间长度、存储器单元在存储逻辑状态时的温度、或其它因素相关。
22.在一个实例中，存储器装置可从在一持续时间内被暴露到高温而经历压印，例如定位于热车中、定位于直射阳光、或其它环境，其中此类条件可称为静态烘烤(例如，当一或多个存储器单元在高温暴露期间维持在特定逻辑状态时)。在一些情况中，静态烘烤可压印(例如，热压印)存储器装置的各个存储器单元使得其变成被偏压或卡于第一状态(例如，对应于逻辑0的状态)而非另一状态(例如，对应于逻辑1的状态)中。在另一实例中，存储器装置的存储器单元可在制造条件下存储可或可不与数据相关联的逻辑状态、或某电荷状态或材料状态。存储器装置可在安装于系统中或操作于系统中之前经受某压印量，例如在空闲或在仓库中未供电时随时间的压印，此可在初始操作后引起性能降级或发生故障。在另一
实例中，压印可由操作参数或存取模式无意或恶意地引起。
23.当与未经压印存储器单元进行比较时，经压印存储器单元可与不利性能相关联。举例来说，经压印存储器单元可抵抗存取操作(例如，读取或写入操作)期间的电荷流、可抵抗存取操作期间的极化变化、可抵抗材料性质的变化(例如原子分布或布置的变化、电阻的变化、或阈值电压的变化)，或可与不同于未经压印存储器单元的其它行为(例如，关于不同逻辑状态不对称的行为)相关联。在一个实例中，当对经压印存储器单元执行写入操作以尝试写入目标逻辑状态时，存储器单元可不存储目标逻辑状态，或存储器装置在存储目标状态时原本可能无法读取存储器单元，此可导致存取错误(例如，写入错误、读取错误)或数据损坏。
24.在一些情况中，经压印存储器单元可使用恢复或修复过程恢复(例如，未压印、解开、修复、正规化、均衡)。举例来说，阵列的存储器单元可通过应用各种偏压技术，例如跨存储器单元施加一或多个电压或电压脉冲、或对存储器阵列的存储器单元执行多个存取操作(例如，多个读取操作、多个写入操作、多个读取及写入操作)来(例如，从可恢复压印)恢复。在各个实例中，此偏压可在可或可不与特定数据存取(例如，如由主机装置基于检测到或预测已发生压印在经调度基础上请求或命令)相关的维护或恢复模式中执行，或可在修改存取操作(例如，读取操作、写入操作、刷新操作)的参数的压印维护或恢复模式中执行同时支持在压印维护或恢复模式中进行数据传送。在一些情况中，可永久或无限期地修改参数以支持压印恢复或预防(例如，可修改存取电压的持续时间或量值)。此类技术可减轻压印效果，例如使存储器单元返回到大体上正规化、均衡、或关于不同逻辑状态的其它对称行为。
25.根据所描述技术的与存储器单元压印相关的恢复操作可根据各种条件或检测启动。举例来说，电子装置或存储器装置可检测与压印相关联的条件(例如，与高温相关联的条件、与在相对较长持续时间内维持逻辑状态相关联的条件、存储器装置第一次通电的指示、可引起压印的无意或恶意存取模式)，且至少部分基于检测到的条件启动恢复操作。换句话说，在一些实例中，压印的可能性可基于操作条件推断，或压印的存在可以其它方式预测。在一些实例中，此类检测可基于在电子装置(例如，主机装置、主机控制器)与存储器装置之间传递的信令、由存储器装置或包含存储器装置的电子装置中的一者或两者执行的各种跟踪、监测、感测、或计算操作。
26.在一些情况中，电子装置或存储器装置可能没有压印的指示，或可缺少与确定或预测压印是否发生或可能发生相关的信息。举例来说，存储器装置可在使用电子装置的过程中掉电或取消激活，例如当电子装置断电或损耗电力时(例如，当电池耗尽时、当电源断开连接时)、或当电子装置被置于其中存储器装置掉电或另外不监测操作条件或环境条件的待机模式或其它模式中时。在掉电、取消激活或待机状态期间，电子装置及存储器装置可暴露到可影响存储器装置的操作的一或多种操作或环境条件，但所述装置可能无法检测到将与压印相关联的条件。举例来说，如果装置未通电，那么装置可能并未监测热历史或条件。因此，在一些实例中，存储器装置可执行压印检测程序(例如，检测在存储器装置中存在压印)以确定是否应对存储器阵列执行压印恢复操作。存储器装置或包含存储器装置的系统可响应于来自主机装置的请求或在任何其它经调度(例如，周期性)或事件驱动(例如，经触发)基础上在激活(例如，作为初始化、供电或启动过程的部分)后启动或执行此检测程序，包含本文中描述的各种案例。
27.根据本公开的技术可提高存储器装置、用于存储器装置的主机装置、或包含存储器装置及主机装置的系统在存在与存储器单元压印相关联的条件下操作的稳健性、准确性或效率。举例来说，根据所描述技术，存储器装置、主机装置、或两者可执行各种操作以检测存储器单元压印的存在、或推断存储器单元压印的可能性。存储器装置可因此经配置以响应于此检测或推断执行各种操作，此可比连续或抢先执行此类操作更有效。在一些实例中，系统可经配置以特性化压印的严重性或方向性，且执行根据特性化严重性或方向性按比例缩放或选择的压印恢复操作。另外或替代地，压印恢复操作可由系统定制用于存储器装置或主机装置的特定操作条件，例如操作模式或环境条件，在一些实例中，其可为至少部分基于存储器装置与主机装置之间的发信号或操作协商。在一些情况中，所描述技术还可考虑数据保存或操作完整性的各个方面，包含存储器装置与主机装置之间的各种发信号、数据传送、或操作管理。
28.最初在如参考图1到4所描述的存储器系统及存储器裸片的上下文中描述本公开的特征。在参考图5到16的压印检测及恢复技术的上下文中进一步描述本公开的特征。本公开的这些及其它特征通过与如参考图17到32所描述的用于存储器的压印管理相关的设备图及流程图进一步说明且参考所述设备图及流程图来描述。
29.图1说明根据如本文中所公开的实例的支持压印管理的系统100的实例。系统100可包含外部存储器控制器105、存储器装置110、及耦合外部存储器控制器105与存储器装置110的多个通道115。系统100可包含一或多个存储器装置，但为便于描述，一或多个存储器装置可描述为单个存储器装置110。
30.系统100可包含电子装置的部分，例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、交通工具、或其它系统。在一些实例中，系统100可为便携式电子装置的实例。举例来说，系统100可说明计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、穿戴式装置、因特网连接的装置、交通工具控制器、或类似物的方面。存储器装置110可为经配置以存储用于系统100的一或多个其它组件的数据的系统的组件。
31.系统100的至少部分可为主机装置的实例。此主机装置可为使用存储器执行过程的装置的实例，例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、穿戴式装置、因特网连接的装置、某其它固定式或便携式电子装置、或类似物。在一些情况中，主机装置可指代实施外部存储器控制器105的功能的硬件、固件、软件、或其组合。在一些情况中，外部存储器控制器105可称为主机或主机装置。
32.在一些情况中，存储器装置110可为经配置以与系统100的其它组件通信且提供可由系统100使用或引用的物理存储器地址或空间的独立装置或组件。在一些实例中，存储器装置110可为可配置以与一或多种不同类型的系统100一起工作。系统100与存储器装置110的组件之间的发信号可为可操作以支持调制方案调制信号、用于传递信号的各种引脚设计、系统100及存储器装置110的物理封装的各种形状因子、系统100与存储器装置110之间的时钟信令及同步、时序惯例、及/或其它因素。
33.存储器装置110可经配置以存储用于系统100的组件的数据。在一些情况中，存储器装置110可用作系统100的从属式装置(例如，响应于由系统100通过外部存储器控制器105提供的命令及执行所述命令)。此类命令可包含用于存取操作的存取命令，例如用于写
入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令、或其它命令。存储器装置110可包含支持所期望或指定容量的数据存储的两个或更多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)。包含两个或更多个存储器裸片的存储器装置110可称为多裸片存储器或封装(也称为多芯片存储器或封装)。
34.系统100可进一步包含处理器120、基本输入/输出系统(bios)组件125、一或多个外围组件130、及输入/输出(i/o)控制器135。系统100的组件可使用总线140彼此电子通信。
35.处理器120可经配置以提供用于系统100的至少部分的控制或其它功能性。处理器120可为通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件、或这些类型的组件的组合。在此类情况中，处理器120可为中央处理部件(cpu)、图形处理部件(gpu)、通用图形处理部件(gpgpu)、或系统芯片(soc)的实例、以及其它实例。
36.bios组件125可为包含操作为固件的bios的软件组件，其可初始化及运行系统100的各种硬件组件。bios组件125还可管理处理器120与系统100的各个组件(例如，外围组件130、i/o控制器135)之间的数据流。bios组件125可包含存储于只读存储器(rom)、快闪存储器、或任何其它非易失性存储器中的程序或软件。
37.(若干)外围组件130可为任何输入装置或输出装置、或用于此类装置的接口，其可集成到系统100中或与系统100集成。实例可包含磁盘控制器、声音控制器、图形控制器、以太网控制器、调制解调器、通用串行总线(usb)控制器、串行或并行端口、或外围卡槽，例如外围组件互连(pci)或专用图形端口。(若干)外围组件130可为由所属领域的技术人员理解为外围设备的其它组件。
38.i/o控制器135可管理处理器120与(若干)外围组件130、输入装置145、或输出装置150之间的数据通信。i/o控制器135可管理未集成到系统100中或未与系统100集成的外围设备。在一些情况中，i/o控制器135可表示到外部外围组件的物理连接或端口。
39.输入145可表示系统100外部的将信息、信号、或数据提供到系统100或其组件的装置或信号。这可包含用户接口或对接其它装置或介接于其它装置之间。在一些情况中，输入145可为经由一或多个外围组件130对接系统100的外围设备、或可由i/o控制器135管理。
40.输出150可表示在系统100外部的经配置以从系统100或其组件中的任何者接收输出的装置或信号。输出150的实例可包含显示器、音频扬声器、打印装置、或印刷电路板上的另一处理器等等。在一些情况中，输出150可为经由一或多个外围组件130对接系统100的外围设备、或可由i/o控制器135管理。
41.系统100的组件可由经设计以实行其功能的通用或专用电路系统组成。这可包含经配置以实行本文中描述的功能的各种电路元件，例如，导电线、晶体管、电容器、电感器、电阻器、放大器、或其它有源或无源元件。
42.存储器装置110可包含装置存储器控制器155及一或多个存储器裸片160。每一存储器裸片160可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b、及/或本地存储器控制器165-n)及存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、及/或存储器阵列170-n)。存储器阵列170可为存储器单元的集合(例如，一或多个网格、一或多个区段)，其中每一存储器单元经配置以存储至少一个数字数据位。在一些情况中，存储器阵列170可包含铁电ram(feram)存储器单元。参考图2更详细地描述存
储器阵列170及/或存储器单元的特征。
43.存储器装置110可为二维(2d)存储器单元阵列的实例或可为三维(3d)存储器单元阵列的实例。举例来说，2d存储器装置可包含单个存储器裸片160。3d存储器装置可包含两个或更多个存储器裸片160(例如，存储器裸片160-a、存储器裸片160-b、及/或任何数量的存储器裸片160-n)。在3d存储器装置中，多个存储器器裸片160-n可彼此上下(例如，相对于衬底)或彼此紧挨堆叠。在一些情况中，3d存储器装置中的存储器裸片160-n可称为层面、层阶、层、或裸片。3d存储器装置可包含任何数量的堆叠式存储器裸片160-n(例如，两个高、三个高、四个高、五个高、六个高、七个高、八个高)。如与单个2d存储器装置相比，此可增加可定位于衬底上的存储器单元的数量，此又可降低生产成本或提高存储器阵列的性能、或两者。在某3d存储器装置中，不同层面可共享至少一个共同存取线使得一些层面可共享字线、数字线、及/或板线中的至少一者。
44.装置存储器控制器155可包含经配置以控制存储器装置110的操作的电路系统或组件。装置存储器控制器155可包含使存储器装置110能执行各种操作的硬件、固件、指令、或其它配置，且可经配置以接收、传输、或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据、或控制信息。装置存储器控制器155可经配置以与外部存储器控制器105、一或多个存储器裸片160、或处理器120通信。在一些情况中，存储器装置110可从外部存储器控制器105接收数据及/或命令。举例来说，存储器装置110可接收指示存储器装置110将代表系统100的组件(例如，处理器120)存储某些数据的写入命令或指示存储器装置110将存储于存储器裸片160中的某些数据提供到系统100的组件(例如，处理器120)的读取命令。在一些情况中，装置存储器控制器155可连同存储器裸片160的本地存储器控制器165来控制本文中描述的存储器装置110的操作。可包含于装置存储器控制器155/或本地存储器控制器165中的组件的实例可包含用于接收信号(例如，从外部存储器控制器105)的接收器、用于传输信号(例如，传输到外部存储器控制器105)的传输器、用于解码或解调接收到的信号的解码器、用于编码或调制将传输的信号的编码器、或经配置以支持装置存储器控制器155或本地存储器控制器165的所描述操作的各种其它电路系统或控制器。
45.本地存储器控制器165(例如，在存储器裸片160本地)可经配置以控制存储器裸片160的操作。在一些实例中，本地存储器控制器165可经配置以与装置存储器控制器155通信(例如，接收或传输数据/或命令)。本地存储器控制器165可支持装置存储器控制器155控制如本文中所描述的存储器装置110的操作。在一些情况中，存储器装置110可不包含装置存储器控制器155，且本地存储器控制器165或外部存储器控制器105可执行本文中描述的各种功能。因而，本地存储器控制器165可经配置以与装置存储器控制器155通信、与其它本地存储器控制器165通信、或直接与外部存储器控制器105或处理器120通信。
46.外部存储器控制器105可经配置以实现系统100的组件(例如，处理器120)与存储器装置110之间的信息、数据、及/或命令的传递。外部存储器控制器105可用作系统100的组件与存储器装置110之间的联络器使得系统100的组件可能无需知道存储器装置的操作细节。系统100的组件可向外部存储器控制器105提出外部存储器控制器105满足的请求(例如，读取命令或写入命令)。外部存储器控制器105可转换或转译在系统100的组件与存储器装置110之间交换的通信。在一些情况中，外部存储器控制器105可包含产生共同(源极)系统时钟信号的系统时钟。在一些情况中，外部存储器控制器105可包含产生共同(源极)数据
时钟信号的共同数据时钟。
47.在一些情况中，外部存储器控制器105或系统100的其它组件、或本文中描述的其功能可由处理器120实施。举例来说，外部存储器控制器105可为由处理器120或系统100的其它组件实施的硬件、固件、或软件、或其某组合。虽然外部存储器控制器105被描绘为在存储器装置110外部，但在一些情况中，外部存储器控制器105、或本文中描述的其功能可由存储器装置110实施。举例来说，外部存储器控制器105可为由装置存储器控制器155或一或多个本地存储器控制器165实施的硬件、固件、或软件、或其某组合。在一些情况中，外部存储器控制器105可跨处理器120及存储器装置110分布使得外部存储器控制器105的部分由处理器120实施，且其它部分由装置存储器控制器155或本地存储器控制器165实施。同样地，在一些情况中，本文中归功于装置存储器控制器155或本地存储器控制器165的一或多个功能可在一些情况中由外部存储器控制器105(与处理器120分离或如包含于处理器120中)执行。
48.系统100的组件可使用多个通道115与存储器装置110交换信息。在一些实例中，通道115可经配置以支持外部存储器控制器105与存储器装置110之间的通信。每一通道115可包含或与和系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或传输媒体(例如，导体)相关联。举例来说，通道115可包含包括外部存储器控制器105处的一或多个引脚或垫及存储器装置110处的一或多个引脚或垫的第一端子。引脚可为系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可经配置以用作通道的部分。在一些情况中，端子的引脚或垫可为通道115的信号路径的部分。额外信号路径可与用于在系统100的组件内路由信号的通道的端子耦合。举例来说，存储器装置110可包含将信号从通道115的端子路由到存储器装置110的各个组件(例如，装置存储器控制器155、存储器裸片160、本地存储器控制器165、存储器阵列170)的信号路径(例如，存储器装置110或其组件内部，例如存储器裸片160内部的信号路径)。
49.通道115(及相关联信号路径及端子)可专用于传递特定类型的信息。在一些情况中，通道115可为聚合通道且因此可包含多个个别通道。举例来说，数据通道190可为x4(例如，包含4个信号路径)、x8(例如，包含8个信号路径)、x16(包含16个信号路径)等等。经由通道传递的信号可使用双倍数据速率(ddr)时序方案。举例来说，信号的一些符号可注册于时钟信号的上升边缘上，且信号的其它符号可注册于时钟信号的下降边缘上。经由通道传递的信号可使用单倍数据速率(sdr)信令。举例来说，针对每一时钟循环，可注册信号的一个符号。
50.在一些情况中，通道115可包含一或多个命令及地址(ca)通道186。ca通道186可经配置以在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传递命令，包含与命令相关联的控制信息(例如，地址信息)。举例来说，ca通道186可包含读取命令及所期望数据的地址。在一些情况中，ca通道186可注册于上升时钟信号边缘及/或下降时钟信号边缘上。在一些情况中，ca通道186可包含用于解码地址及命令数据(例如，8个或9个信号路径)的任何数量的信号路径。
51.在一些情况中，通道115可包含一或多个时钟信号(ck)通道188。ck通道188可经配置以在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传递一或多个共同时钟信号。每一时钟信号可经配置以在高状态与低状态之间振荡且协调外部存储器控制器105及存储器装置
110的动作。在一些情况中，时钟信号可为差分输出(例如，ck_t信号及ck_c信号)，且ck通道188的信号路径相应地配置。在一些情况中，时钟信号可为单端式。ck通道188可包含任何数量的信号路径。在一些情况中，时钟信号ck(例如，ck_t信号及ck_c信号)可提供用于存储器装置110的命令及寻址操作、或用于存储器装置110的其它全系统操作的时序参考。时钟信号ck因此可不同地称为控制时钟信号ck、命令时钟信号ck、或系统时钟信号ck。系统时钟信号ck可由系统时钟产生，系统时钟可包含一或多个硬件组件(例如，振荡器、晶体、逻辑门、晶体管或类似物)。
52.在一些情况中，通道115可包含一或多个数据(dq)通道190。数据通道190可经配置以在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传递数据及/或控制信息。举例来说，数据通道190可传递将写入到存储器装置110的信息(例如，双向)或从存储器装置110读取的信息。
53.在一些情况中，通道115可包含可专用于其它目的的一或多个其它通道192。这些其它通道192可包含任何数量的信号路径。
54.在一些情况中，其它通道192可包含一或多个写入时钟信号(wck)通道。虽然wck中的
‘
w’可标称地代表“写入”，但写入时钟信号wck(例如，wck_t信号及wck_c信号)可提供通常用于存储器装置110的存取操作的时序参考(例如，用于读取及写入操作两者的时序参考)。因此，写入时钟信号wck还可称为数据时钟信号wck。wck通道可经配置以在外部存储器控制器105与存储器装置110之间传递共同数据时钟信号。数据时钟信号可经配置以协调外部存储器控制器105及存储器装置110的存取操作(例如，写入操作或读取操作)。在一些情况中，写入时钟信号可为差分输出(例如，wck_t信号及wck_c信号)，且wck通道的信号路径可相应地配置。wck通道可包含任何数量的信号路径。数据时钟信号wck可由数据时钟产生，数据时钟可包含一或多个硬件组件(例如，振荡器、晶体、逻辑门、晶体管或类似物)。
55.在一些情况中，其它通道192可包含一或多个错误检测代码(edc)通道。edc通道可经配置以传达错误检测信号，例如校验和，以改进系统可靠性。edc通道可包含任何数量的信号路径。
56.通道115可使用多种不同架构耦合外部存储器控制器105与存储器装置110。各种架构的实例可包含总线、点到点连接、交叉开关、高密度中介层(例如硅中介层)或形成于有机衬底中的通道或其一些组合。举例来说，在一些情况中，信号路径可至少部分包含高密度中介层，例如硅中介层或玻璃中介层。
57.经由通道115传达的信号可使用多种不同调制方案调制。在一些情况中，二进制符号(或二进制级)调制方案可用于调制外部存储器控制器105与存储器装置110之间传达的信号。二进制符号调制方案可为m进制调制方案的实例，其中m等于2。二进制符号调制方案的每一符号可经配置以表示一个数字数据位(例如，符号可表示逻辑1或逻辑0)。二进制符号调制方案的实例包含(但不限于)不归零(nrz)、单极编码、双极编码、曼彻斯特(manchester)编码、具有两个符号(例如，pam2)的脉冲振幅调制(pam)及/或其它。
58.在一些情况中，多符号(或多级)调制方案可用于调制外部存储器控制器105与存储器装置110之间传达的信号。多符号调制方案可为m进制调制方案的实例，其中m大于或等于3。多符号调制方案的每一符号可经配置以表示多于一个数字数据位(例如，符号可表示逻辑00、逻辑01、逻辑10或逻辑11)。多符号调制方案的实例包含(但不限于)pam3、pam4、
pam8、及其它pam配置、正交振幅调制(qam)、正交相移键控(qpsk)、及/或其它。多符号信号(例如，pam3信号或pam4信号)信号可为使用包含用于编码多于一个信息位的至少三个级的调制方案调制的信号。多符号调制方案及符号可替代地称为非二进制、多位、或高阶调制方案及符号。
59.在一些情况中，存储器阵列170的一或多个存储器单元可被压印，其可指代其中存储器单元变成倾向于存储一种逻辑状态而非另一逻辑状态、抗拒被写入到不同逻辑状态(例如，逻辑状态不同于在写入操作前存储的逻辑状态)、或两者的各种条件。存储器单元变成压印有逻辑状态的可能性可与存储逻辑状态的时间长度(例如，连续持续时间、不间断持续时间)、存储器单元在存储逻辑状态时的温度、无意或恶意存取模式、或其它因素相关。根据所描述技术，系统100的组件可经配置以选择性地执行各种操作来缓解此压印或从此压印恢复，此可提高存储器装置110、主机装置、或系统100作为整体可在存在与存储器单元压印相关联的条件下操作的稳健性、准确性、或效率。
60.举例来说，根据所描述技术，存储器装置110、主机装置(例如，外部存储器控制器105)、或两者可执行各种操作以检测存储器单元压印的存在、或推断存储器单元压印的可能性。存储器装置110可因此经配置以响应于此检测或推断执行各种操作，此可比连续或抢先执行此类操作更有效。在一些实例中，系统100的一或多个组件可经配置以特性化压印的严重性或方向性，且执行根据特性化严重性或方向性按比例缩放或选择的压印恢复操作。另外或替代地，压印恢复操作可由系统100定制用于存储器装置110、主机装置(例如，外部存储器控制器105)或系统100作为整体的特定操作条件，例如操作模式或环境条件，在一些实例中，其可为至少部分基于存储器装置110与主机装置(例如，外部存储器控制器105)之间的发信号或操作协商。
61.图2说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的存储器裸片200的实例。存储器裸片200可为参考图1描述的存储器裸片160的实例。在一些情况中，存储器裸片200可称为存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器裸片200可包含各自可编程以存储不同逻辑状态(例如，一组两个或更多个可能状态中的经编程者)的一或多个存储器单元205。举例来说，存储器单元205可经配置以一次存储一个数字逻辑位(例如，逻辑0或逻辑1)。在一些情况中，存储器单元205(例如，多级存储器单元205)可经配置以一次存储多于一个数字逻辑位(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10、或逻辑11)。
62.在一些实例中，存储器单元205可存储表示可编程逻辑状态的电荷(例如，将电荷存储于电容器、电容性存储器元件、电容性存储元件中)。在一个实例中，带电及不带电电容器可分别表示两种逻辑状态。在另一实例中，带正电(例如，第一极性、正极性)及带负电(例如，第二极性、负极性)的电容器可分别表示两种逻辑状态。dram或feram架构可使用此类设计，且所采用的电容器可包含具有线性或顺电极化性质的电介质材料作为绝缘体。在一些实例中，电容器的不同电荷电平可表示不同逻辑状态，在一些实例中，其可在相应存储器单元205中支持多于两种逻辑状态。在一些实例中，例如feram架构，存储器单元205可包含具有铁电材料作为电容器的端子之间的绝缘(例如非导电)层的铁电电容器。铁电电容器的极化的不同电平或极性可表示不同逻辑状态(例如，在相应存储器单元205中支持两种或更多种逻辑状态)。铁电材料具有非线性极化性质，包含参考图3a及3b更详细论述的非线性极化性质。
63.在一些实例中，存储器单元205可使用可配置材料存储逻辑状态，其可称为存储器元件、存储器存储元件、材料元件、材料存储器元件、材料部分、极性写入材料部分、及其它。存储器单元205的可配置材料可具有表示(例如，对应于)不同逻辑状态的一或多个可变且可配置特性或性质(例如，材料状态)。举例来说，可配置材料可采取不同形式、不同原子配置、不同结晶度、不同原子分布，或以其它方式维持不同特性。在一些实例中，此类特性可与不同电阻、不同阈值电压或在读取操作期间可检测或可区分以识别由可配置材料存储的逻辑状态的其它性质相关联。在一些实例中，可配置材料可指代基于硫属化物的存储组件。举例来说，硫属化物存储元件可用于相变存储器(pcm)单元或自选择存储器单元中。硫属化物存储元件可为电阻存储器或定限存储器的实例。
64.可通过激活或选择存取线(例如字线210、数字线215、及/或板线220)对存储器单元205执行操作(例如读取及写入)。在一些情况中，数字线215也可称为位线。在不失理解或操作的情况下，对存取线、字线、数字线、板线、位线、或其类似物的引用是可互换的。激活或选择字线210、数字线215、或板线220可包含将电压施加到相应存取线(例如，“加偏压于”相应存取线)。
65.存储器裸片200可包含布置成网格状图案的存取线(例如，字线210、数字线215、板线220)。存储器单元205可定位在字线210、数字线215、及/或板线220的相交点处。通过加偏压于字线210、数字线215及板线220(例如，将电压施加到字线210、数字线215或板线220)，可在其相交点处存取单个存储器单元205。
66.存取存储器单元205可通过行解码器225、列解码器230及板驱动器235控制。举例来说，行解码器225可从本地存储器控制器265接收行地址且基于接收到的行地址激活字线210。列解码器230可从本地存储器控制器265接收列地址且基于接收到的列地址激活数字线215。板驱动器235可从本地存储器控制器265接收板地址且基于接收到的板地址激活板线220、或可激活为所存取的存储器单元205的区段所共有的共同板或板节点。举例来说，存储器裸片200可包含标记为wl_1到wl_m的多个字线210、标记为dl_1到dl_n的多个数字线215及标记为pl_1到pl_p的多个板线，其中m、n及p取决于存储器阵列的大小。通过激活字线210、数字线215、及板线220，例如，wl_1、dl_3及pl_1，可存取其相交点处的存储器单元205。在二维或三维配置中，字线210与数字线215的相交点可称为存储器单元205的地址。在一些情况中，字线210、数字线215及板线220的相交点可称为存储器单元205的地址。
67.存储器单元205可包含逻辑存储组件，例如电容器240及开关组件245。在一些实例中，电容器240可为铁电电容器的实例。电容器240的第一节点(例如，单元底部、底部节点)可与开关组件245耦合，且电容器240的第二节点(例如，单元板、板节点)可与板线220耦合。开关组件245可为选择性地建立或取消建立两个组件之间的电子通信的晶体管或任何其它类型的开关装置的实例。
68.选择或取消选择存储器单元205可通过激活或取消激活开关组件245来完成。电容器240(例如，单元底部)可使用开关组件245与数字线215电子通信。举例来说，电容器240可在开关组件245被取消激活时与数字线215隔离，且电容器240可在开关组件245被激活时与数字线215耦合。在一些情况中，开关组件245是晶体管，且其操作是通过将电压施加到晶体管栅极来控制，其中晶体管栅极与晶体管源极之间的电压差大于或小于晶体管的阈值电压。在各个实例中，开关组件245可为p型晶体管或n型晶体管。字线210可与开关组件245的
栅极电子通信且可基于电压被施加到字线210而激活/取消激活开关组件245。
69.感测组件250可经配置以检测由存储器单元205的电容器240存储的状态(例如，极化状态、或电荷状态)且基于检测到的状态确定存储器单元205的逻辑状态。感测组件250可包含一或多个感测放大器以放大或以其它方式转换由存取存储器单元205引起的信号。举例来说，在读取操作期间，存储器单元205的电容器240可将信号(例如，放电电荷)输出到其对应数字线215，此可引起数字线215的电压改变。感测放大器可在读取操作期间检测数字线215的电荷或电压的微小变化，且可基于检测到的电荷产生对应于逻辑0或逻辑1的信号。
70.在一些实例中，感测组件250可经配置以比较从存储器单元205(例如，经由数字线215)接收的信号与参考线255(例如，参考电压)。感测组件250可基于所述比较确定存储器单元205的所存储状态。在根据二进制发信号的一个实例中，如果数字线215具有比参考线255更高的电压，那么感测组件250可确定存储器单元205的所存储状态是逻辑1，且如果数字线215具有比参考线255更低的电压，那么感测组件250可确定存储器单元205的所存储状态是逻辑0。感测组件250可包含各种晶体管、放大器、或其它电路系统以检测及放大信号中的差异。存储器单元205的检测到的逻辑状态可提供为感测组件250的输出(例如，提供到输入/输出组件260)，且可向包含存储器裸片200的存储器装置110的另一组件(例如装置存储器控制器155)指示检测到的状态(例如，直接或使用本地存储器控制器265)。在一些情况中，感测组件250可与行解码器225、列解码器230及/或板驱动器235电子通信。
71.在一些情况中，感测组件250或参考线255可经配置(例如，通过本地存储器控制器265)以控制或调整用于确定(读取)由存储器单元205存储的逻辑状态的参考电压(例如，根据各种操作模式或其它调整)。举例来说，在存取模式(例如，其中应用数据可写入到存储器单元205或从存储器单元205读取的模式)期间，感测组件250及参考线255可经配置以使用默认参考电压来确定(例如，读取)存储器单元205的所存储状态。默认参考电压可配置或设置在感测操作期间减少或最小化错误或以其它方式最大化读取窗的电压电平(例如，关于检测到不同逻辑状态均衡或集中的参考电压)。举例来说，默认电压可经配置(例如，作为静态配置、作为在操作过程中调整的配置)到在读取存储逻辑1的存储器单元205时数字线215的电压与读取存储逻辑0的存储器单元205时数字线215的电压之间的电压电平(例如，与和逻辑1相关联的数字线215电压及和逻辑0相关联的数字线215电压等距)。这可促进所存储存储器状态的准确确定。
72.本地存储器控制器265可通过各种组件(例如，行解码器225、列解码器230、板驱动器235及感测组件250)控制存储器单元205的存取。本地存储器控制器265可为参考图1描述的本地存储器控制器165的实例。在一些情况中，行解码器225、列解码器230及板驱动器235以及感测组件250中的一或多者可与本地存储器控制器265共同定位。本地存储器控制器265可经配置以从参考图1描述的外部存储器控制器105或装置存储器控制器155接收一或多个命令及/或数据、将所述命令及/或数据转译成可由存储器裸片200使用的信息、对存储器裸片200执行一或多个操作，或响应于执行所述一或多个操作将数据从存储器裸片200传送到外部存储器控制器105或装置存储器控制器155。本地存储器控制器265可生成行、列及/或板线地址信号以激活目标字线210、目标数字线215及目标板线220。本地存储器控制器265还可产生且控制在存储器裸片200的操作期间使用的各种电压或电流。一般来说，本文论述的施加电压或电流的振幅、形状或持续时间可调整或改变且可针对在操作存储器裸
片200时论述的各种操作不同。
73.在一些情况中，本地存储器控制器265可经配置以对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行写入操作(例如，编程操作)。在写入操作期间，存储器裸片200的存储器单元205可经编程以存储所期望逻辑状态。在一些情况中，多个存储器单元205可在单个写入操作期间编程。本地存储器控制器265可识别对其执行写入操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器265可识别与目标存储器单元205电子通信的目标字线210、目标数字线215及/或目标板线220(例如，目标存储器单元205的地址)。本地存储器控制器265可激活目标字线210、目标数字线215及/或目标板线220(例如，将电压施加到字线210、数字线215或板线220)以存取目标存储器单元205。本地存储器控制器265可在写入操作期间将特定信号(例如，电压)施加到数字线215及将特定信号(例如，电压)施加到板线220以将特定状态存储于存储器单元205的电容器240中，所述特定状态指示所期望的逻辑状态。
74.在一些情况中，本地存储器控制器265可经配置以对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行读取操作(例如，感测操作)。在读取操作期间，可确定存储于存储器裸片200的存储器单元205中的逻辑状态。在一些情况中，多个存储器单元205可在单个读取操作期间感测。本地存储器控制器265可识别对其执行读取操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器265可识别与目标存储器单元205电子通信的目标字线210、目标数字线215及/或目标板线220(例如，目标存储器单元205的地址)。本地存储器控制器265可激活目标字线210、目标数字线215及/或目标板线220(例如，将电压施加到字线210、数字线215及/或板线220)以存取目标存储器单元205。目标存储器单元205可响应于加偏压于存取线将信号传送到感测组件250。感测组件250可放大所述信号。本地存储器控制器265可触发感测组件250(例如，锁存感测组件)且借此比较从存储器单元205接收到的信号与参考线255。基于所述比较，感测组件250可确定存储于存储器单元205上的逻辑状态。本地存储器控制器265可将存储于存储器单元205上的逻辑状态传达到外部存储器控制器105(或装置存储器控制器)作为读取操作的部分。
75.在一些存储器架构中，存取存储器单元205可使存储于存储器单元205中的逻辑状态降级或损坏，且重写或刷新操作可经执行以使原始逻辑状态返回到存储器单元205。在dram或feram中，例如，存储器单元205的电容器在感测操作期间可部分或完全放电，借此破坏存储于存储器单元205中的逻辑状态。因此，在一些实例中，存储于存储器单元205中的逻辑状态可在存取操作之后重写(例如，在重写操作中)以使存储器单元返回到其原始逻辑状态。本地存储器控制器265可在读取操作之后将逻辑状态重写到目标存储器单元，且在一些情况中，重写操作可被视作读取操作的部分。在一些情况中，激活单个存取线(例如，字线210、数字线215、板线220)可导致与经激活存取线耦合的所有存储器单元205放电。因此，可在存取操作之后重写与存取操作相关联的存取线耦合的若干或所有存储器单元205(例如经存取行的所有单元、经存取列的所有单元)。
76.在一些实例中，读取存储器单元205可为非破坏性的。即，在读取存储器单元205之后可能无需重写存储器单元205的逻辑状态。然而，在一些实例中，在不存在或存在其它存取操作的情况下可能需要或无需刷新存储器单元205的逻辑状态。举例来说，由存储器单元205存储的逻辑状态可通过施加适当写入、、重写、刷新、或均衡脉冲或加偏压以维持经存储逻辑状态来以周期性间隔进行刷新。刷新存储器单元205可减少或消除由于电荷泄漏或存
储器元件的原子配置随时间变化的读取干扰错误或逻辑状态破坏。
77.在一些情况中，例如静态烘烤的环境条件可使存储器单元205的可编程特性移位或改变。举例来说，在feram应用中，静态烘烤可移位或更改存储器单元205的电荷迁移率的极化容量、矫顽性、或其它方面，此可引起存储器单元205变成偏压到特定逻辑状态(例如，经偏压以被写入到或读取为逻辑1状态或经偏压以写入到或读取为逻辑0状态)。在使用可配置材料(例如，材料存储器元件)的存储器应用中，这些或其它条件可引起可变且可配置特性或性质抵抗响应于写入操作而改变，例如抗拒被编程有不同原子配置、抗拒被编程有不同结晶度、抗拒被编程有不同原子分布、或抗拒被编程有与不同逻辑状态相关联的某其它特性。可编程特性的此类变化可称为压印，且可引起与在压印尚未发生时不同的读取或写入行为(例如，关于逻辑状态不对称)。举例来说，当对具有初始状态的经压印存储器单元执行希望改变存储器单元的逻辑状态的写入操作时，存储器单元205可保持或返回到初始(例如，经压印)状态、或可以其它方式读取为存储初始状态。举例来说，如果存储器单元205经压印于0逻辑状态中，那么在尝试用逻辑1状态写入存储器单元205之后(例如，在执行对应于逻辑1状态的写入操作之后)，存储器单元205可继续保持于0逻辑状态中，或继续读取为存储逻辑0状态。
78.在一些情况中，存储器裸片200、或包含存储器裸片200的存储器装置110或系统100可经配置以执行压印检测程序以确定是否执行压印恢复操作。在一些情况中，压印检测程序可评估或确定已压印或卡于逻辑状态中的存储器单元205的数量、或以其它方式确定或推断压印的存在、严重性、或方向性。
79.在一个实例中，压印检测程序可包含将至少一第一组逻辑状态写入或尝试写入到一组存储器单元205。存储器裸片200可经配置或操作以读取一组存储器单元205及执行分析程序，所述分析程序比较写入逻辑状态与从一组存储器单元205读取的逻辑状态以确定是否应执行恢复操作。如本文中使用，写入逻辑状态可指代尝试或希望写入的逻辑状态，且写入逻辑状态可指代尝试写入逻辑状态，尽管在一些情况中，写入逻辑状态可能不成功(例如，由于目标存储器单元205的压印)。
80.在一些情况中，针对一或多个写入操作，且使用一或多个读取参考电压，压印检测程序可确定从一组存储器单元205读取的逻辑状态中有多少无法匹配被写入的对应响应逻辑状态。举例来说，存储器裸片200(例如，本地存储器控制器265)、或以其它方式操作存储器裸片200的存储器装置或主机装置可在从存储器单元205读取的逻辑状态不同于写入到那个存储器单元205的逻辑状态时确定已发生失配或错误。压印检测程序可对失配或错误的数目进行计数以确定是否应执行恢复操作，此可包含基于失配或错误的数目执行一或多个比较或其它计算。
81.在一些情况中，为了支持压印检测或评估程序，感测组件250或参考线255可经配置以将参考电压从默认参考电压调整到大于或小于默认参考电压的参考电压(例如，偏移参考电压)。可预期在读取一组存储器单元205时使用偏移参考电压引入某数量的失配或错误(例如，所存储逻辑状态与检测到的逻辑状态之间的预期差异)或以其它方式与某数量的失配或错误相关联，而与压印无关。举例来说，第一偏移参考电压可比默认参考电压更接近与逻辑1相关联的数字线电压，此可减小或消除与读取存储逻辑1的存储器单元相关联的读取裕度。此可导致与感测操作相关联的读取失配或错误增加。即，即使没有压印，也可预期
经修改以使用偏移参考电压的感测操作会导致特定数目个错读，例如(举例来说)在读取实际存储逻辑1的存储器单元205时检测到逻辑0。在一些实例中，预期及经测量失配或错误的各个方面可用于压印评估，如本文中描述。
82.在一些情况中，压印检测或评估程序可经配置以将参考电压从默认参考电压调整到大于或小于默认参考电压的多个不同参考电压(例如，多个偏移参考电压)，其中偏移参考电压中的每一者可与失配或错误的相应预期数目相关联(例如，根据随机或概率分布)。在一些情况中，比较在使用操作参考电压或偏移参考电压读取存储器单元205时观测到的失配的确定数目与失配的对应预期数目(可能连同如本文中所描述的相关分析)可用于确定是否执行压印恢复程序。
83.在一些情况中，经压印存储器单元205可使用各种压印恢复或修复过程恢复(例如，未压印、解开、修复、正规化、均衡)。举例来说，存储器单元205可通过应用各种偏压技术来恢复，例如跨存储器单元205施加一或多个电压(例如，根据经由数字线215、板线220、或两者施加的电压脉冲或偏压)。在各个实例中，此类电压脉冲或偏压可包含一或多个脉冲，其中脉冲可根据不同脉波、步骤、斜坡、或具有各种持续时间、振幅、极性、及其组合的其它特性形状施加。在一些实例中，此类电压脉冲可基于检测到或推断的压印的严重性或方向性、基于存储器单元205在压印恢复时的操作条件、基于存储器裸片200或与存储器裸片200相关联的存储器装置或主机装置的操作模式、或其各种组合施加。
84.另外或替代地，存储器单元205可通过对存储器单元205执行存取操作(例如，多个读取操作、多个写入操作、多个读取及写入操作)来恢复，其可经定制(例如，修改)或以其它方式明确执行用于压印恢复(例如，根据压印恢复或维护模式)。举例来说，压印修复操作可包含通过将多个相反逻辑状态写入到存储器单元205(例如，包含重复或交替写入偏压的应用)来在存储器单元205上循环逻辑状态。在一些情况中，存储器单元205可在修复或维护操作期间循环定义数目次，或重复定义量的时间。在一些情况中，修复操作可包含对存储器单元205执行多个读取操作(例如，包含重复或交替读取偏压的应用)，且读取操作可经包含作为循环程序的部分(例如，具有或没有相应写入或重写操作)。另外或替代地，刷新操作可经修改(例如，通过延长刷新持续时间、通过增加刷新偏压振幅)用于特定压印恢复目的，在各个实例中，其可在或可不在支持与主机装置进行数据交换的操作模式期间执行。在一些实例中，读取操作可用于确定存储器单元205中的压印何时减少、或更一般来说特性化压印的严重性。举例来说，读取操作可用于比较读取逻辑状态或存储器单元205与意欲已写入到存储器单元205的逻辑状态以确定它们是否匹配、或与读取逻辑状态相关联的读取信号是否比预期或所期望更接近参考电压。
85.在各个实例中，此偏压可在可与或可不与特定数据存取(例如，如由主机装置请求或命令)相关的存储器裸片200的维护或恢复模式中执行，其可包含主机装置与包含存储器裸片200的存储器装置及潜在地可支持各种数据保存、冗余、或完整性技术的其它辅助存储器装置之间的各种发信号或数据交换。此类技术可减轻压印效果，例如使存储器单元205返回到大体上正规化、均衡、或关于不同逻辑状态的其它对称行为，且改进对可与压印相关的漏洞的稳健性。
86.图3a及3b用磁滞曲线图300-a及300-b说明根据如本文中所公开的各个实例的铁电存储器单元的非线性电性质的实例。磁滞曲线图300-a及300-b分别可说明采用如参考图
2所描述的铁电电容器240的存储器单元205的写入过程及读取过程的实例。磁滞曲线图300-a及300-b描绘存储于铁电电容器240上的依据铁电电容器240的端子之间的电压差v
cap
而变化的电荷q(例如，当根据电压差v
cap
准许电荷流入或流出铁电电容器时)。举例来说，电压差v
cap
可表示电容器240的板线侧与电容器240的数字线侧之间的电压的差异(例如，板节点处的电压与底部节点处的电压之间的差异，其可称为v
plate
–vbottom
，如图2中说明)。
87.铁电材料的特征为电极化，其中材料在不存在电场的情况下可维持非零电荷。铁电材料的实例包含钛酸钡(batio3)、钛酸铅(pbtio3)、锆钛酸铅(pzt)及钽酸锶铋(sbt)。本文中描述的铁电电容器240可包含这些或其它铁电材料。铁电电容器240内的电极化导致铁电材料的表面处的净电荷且通过铁电电容器240的端子来吸引相反电荷。因此，可将电荷存储于铁电材料与电容器端子的界面处。因为可在不存在外部施加电场的情况下相对较长时间甚至无限期地维持电极化，所以与例如不具有铁电性质的电容器(例如用于一些dram阵列中的那些电容器)相比，可大幅减少电荷泄漏。采用铁电材料可降低针对一些存储器架构执行刷新操作的需要，使得维持feram架构的逻辑状态可与比维持dram架构的逻辑状态更低的电力消耗相关联。
88.可从铁电电容器240的单个端子的角度理解磁滞曲线图300-a及300-b。通过实例，如果铁电材料具有负极化，那么正电荷积累于铁电电容器240的相关联端子处。同样地，如果铁电材料具有正极化，那么负电荷积累于铁电电容器240的相关联端子处。另外，应理解，磁滞曲线图300-a及300-b中的电压表示跨电容器的电压差(例如铁电电容器240的端子之间的电势)且是定向的。举例来说，可通过将正电压施加到透视端子(例如，单元板)及使参考端子(例如，单元底部)维持在接地或虚拟接地(或约0伏特(0v))来实现正电压。在一些实例中，可通过将透视端子(例如，单元板)维持在接地及将正电压施加到参考端子(例如，单元底部)来施加负电压。换句话说，正电压可经施加以达到跨铁电电容器240的负电压差v
cap
且借此使所讨论的端子负极化。类似地，可将两个正电压、两个负电压或正电压及负电压的任何组合施加到适当电容器端子以产生磁滞曲线图300-a及300-b中展示的电压差v
cap
。
89.如磁滞曲线图300-a中描绘，用于铁电电容器240中的铁电材料可在铁电电容器240的端子之间不存在净电压差时维持正或负极性。举例来说，磁滞曲线图300-a说明两种可能极化状态：电荷状态305-a及电荷状态310-b，其可分别表示负饱和极化状态及正饱和极化状态。电荷状态305-a及310-a可处于说明剩余极化(pr)值的物理条件，其可指代移除外部偏压(例如，电压)后留下的极化或电荷。根据磁滞曲线图300-a的实例，电荷状态305-a可在跨铁电电容器240未施加电压差时表示逻辑0，且电荷状态310-a可在跨铁电电容器240未施加电压差时表示逻辑1。在一些实例中，相应电荷状态或极化状态的逻辑值可反转或以相反方式解译以适应用于操作存储器单元205的其它方案。
90.可通过借助于跨铁电电容器240施加净电压差来控制铁电材料的电极化且因此控制电容器端子上的电荷来将逻辑0或1写入到存储器单元。举例来说，电压315可为等于或大于正饱和电压的电压，且跨铁电电容器240施加电压315可导致电荷积累直到达到电荷状态305-b(例如，写入逻辑0)。在从铁电电容器240移除电压315(例如，跨铁电电容器240的端子施加零净电压)后，铁电电容器240的电荷状态可遵循在电荷状态305-b与电荷状态305-a之间跨电容器以零电压展示的路径320。换句话说，电荷状态305-a可表示跨已经正饱和的铁电电容器240处于相等电压的逻辑0状态。
91.类似地，电压325可为等于或小于负饱和电压的电压，且跨铁电电容器240施加电压325可导致电荷积累直到达到电荷状态310-b(例如，写入逻辑1)。在从铁电电容器240移除电压325(例如，跨铁电电容器240的端子施加零净电压)后，铁电电容器240的电荷状态可遵循在电荷状态310-b与电荷状态310-a之间跨电容器以零电压展示的路径330。换句话说，电荷状态310-a可表示跨已经负饱和的铁电电容器240处于相等电压的逻辑1状态。在一些实例中，表示饱和电压的电压315及电压325可具有相同量值，但跨铁电电容器240具有相反极性。
92.为读取或感测铁电电容器240的经存储状态，还可跨铁电电容器240施加电压。响应于经施加电压，由铁电电容器存储的后续电荷q改变，且变化的程度可取决于初始极化状态、经施加电压、存取线上的本征或其它电容及其它因素。换句话说，由读取操作造成的电荷状态或存取线电压可取决于电荷状态305-a或电荷状态310-a或一些其它电荷状态是否被初始地存储以及其它因素。
93.磁滞曲线图300-b说明用于读取经存储电荷状态305-a及310-a的存取操作的实例。可经由如参考图2所描述的板线220及数字线215施加读取电压335例如作为电压差。磁滞曲线图300-b可说明其中读取电压335是正电压差v
cap
(例如，其中v
plate-v
bottom
是正)的读取操作。跨铁电电容器240的正读取电压可称为“板高”读取操作，其中板线220最初处于高电压，且数字线215最初处于低电压(例如，接地电压)。尽管读取电压335被展示为跨铁电电容器240的正电压，但在替代存取操作中，读取电压可为跨铁电电容器240的负电压，其可称为“板低”读取操作。
94.读取电压335可在存储器单元205被选择时跨铁电电容器240施加(例如，通过经由字线210激活开关组件245，如参考图2描述)。在将读取电压335施加到铁电电容器240后，电荷可经由相关联数字线215及板线220流入或流出铁电电容器240，且在一些实例中，可取决于铁电电容器240是处于电荷状态305-a(例如，逻辑0)还是电荷状态310-a(例如，逻辑1)、或某其它电荷状态而产生不同电荷状态或存取线电压。
95.当对处于电荷状态305-a(例如，逻辑0)的铁电电容器240执行读取操作时，额外正电荷可跨铁电电容器240积累，且电荷状态可遵循路径340直到达到电荷状态305-c的电荷及电压。流过电容器240的电荷量可与数字线215或其它存取线(例如，与来自数字线215的例如电荷传送感测放大器的放大器相反的信号线)的本征或其它电容(例如，数字线215的本征电容、与数字线215耦合的电容器或电容元件的电容、或其组合)相关。在“板高”读取配置中，与电荷状态305-a及305-c相关联的读取操作，或更一般来说，与逻辑0状态相关联的读取操作，可与相对少量电荷传送相关联(例如，相较于与电荷状态310-a及310-c相关联的读取操作，或更一般来说，相较于读取逻辑1状态)。
96.如由电荷状态305-a与电荷状态305-c之间的转变展示，跨铁电电容器240的所得电压350可由于电容器240处的电压针对给定电荷变化的相对较大变化而为相对较大正值。因此，在“板高”读取操作中读取逻辑0后，等于电荷状态310-c的板线电压v
pl
与v
cap
(例如，v
plate-v
bottom
)的差异的数字线电压可为相对较低电压。此读取操作可能不会改变存储电荷状态305-a的铁电电容器240的剩余极化，且因此在执行读取操作之后，铁电电容器240可在读取电压335被移除时经由路径340返回到电荷状态305-a(例如，通过跨铁电电容器240施加零净电压，通过使跨铁电电容器240的电压均衡)。因此，用正读取电压对具有电荷状态
305-a的铁电电容器240执行读取操作可视作非破坏性读取过程。在一些情况中，在此类案例中，可能不需要重写操作，或可省略重写操作。
97.当对处于电荷状态310-a(例如，逻辑1)的铁电电容器240执行读取操作时，经存储电荷可或可不随着净正电荷跨铁电电容器240积累反转极性，且电荷状态可遵循路径360直到达到电荷状态310-c的电荷及电压。流过铁电电容器240的电荷量可再次与数字线210的本征或其它电容相关。在“板高”读取配置中，与电荷状态310-a及310-c相关联的读取操作，或更一般来说，与逻辑1状态相关联的读取操作，可与相对大量电荷传送或相对较小电容器电压v
cap
(例如，相较于与电荷状态305-a及305-c，或更一般来说，与逻辑1状态相关联的读取操作)相关联。
98.如由电荷状态310-a与电荷状态310-c之间的转变展示，在一些情况中，所得电压355可由于电容器240处的电压针对给定电荷变化的相对较小变化而为相对较小正值。因此，在“板高”读取操作中读取逻辑1后，等于电荷状态310-c的板线电压v
pl
与v
cap
(例如，v
plate-v
bottom
)的差异的数字线电压可为相对较高电压。
99.从电荷状态310-a到电荷状态310-d的转变可说明与存储器单元205的铁电电容器240的极化或电荷的部分减小或部分反转(例如，从电荷状态310-a到电荷状态310-d的电荷q的量值的减小)相关联的感测操作。换句话说，根据铁电材料的性质，在执行读取操作之后，铁电电容器240可在读取电压335被移除时不返回到电荷状态310-a(例如，通过跨铁电电容器240施加零净电压，通过使跨铁电电容器240的电压均衡)。确切来说，当在用读取电压335进行电荷状态310-a的读取操作之后跨铁电电容器240施加零净电压时，电荷状态可遵循从电荷状态310-c到电荷状态310-d的路径365，从而说明极化量值的净减少(例如，比初始电荷状态310-a小的正极化电荷状态，由电荷状态310-a与电荷状态310-d之间的电荷的差异说明)。因此，用正读取电压对具有电荷状态310-a的铁电电容器240执行读取操作可被描述为破坏性读取过程。
100.在一些情况中，重写操作(例如，施加电压325)可在执行此读取操作之后执行，此可引起存储器单元从电荷状态310-d转变到电荷状态310-a(例如，例如经由电荷状态310-b间接地)。在各个实例中，此重写操作可在任何读取操作之后执行，或可基于某些情况(例如，当读取电压与和检测到的逻辑状态相关联的写入电压相反时)选择性地执行。然而，在一些感测方案中，经减小剩余极化可仍读取为与饱和剩余极化状态相同的经存储逻辑状态(例如，支持从电荷状态310-a及电荷状态310-d两者检测逻辑1)，借此相对于读取操作提供存储器单元205的一定程度的非易失性。
101.在其它实例中(例如，当铁电材料能够在至少某电平的去极化场存在的情况下维持极化时、当铁电材料具有足够矫顽性时，未展示)，在执行读取操作之后，铁电电容器240可在读取电压被移除时返回到电荷状态310-a，且用正读取电压对具有电荷状态310-a的铁电电容器240执行此读取操作可被描述为非破坏性读取过程。在此类情况中，在此读取操作之后可能不需要重写操作。
102.在启动读取操作之后电荷状态305-c及电荷状态310-c的位置可取决于数个因素，包含特定感测方案及电路系统。在一些情况中，最终电荷可取决于与存储器单元205耦合的数字线215的净电容，其可包含本征电容、积分器电容器、及其它。举例来说，如果铁电电容器240最初在0v下与数字线215电耦合且将读取电压335施加到板线220，那么数字线215的
电压可在存储器单元205被选择时由于电荷从铁电电容器240流动到数字线215的净电容而上升。因此，在一些实例中，在感测组件250处测量的电压可不等于读取电压335、或所得电压350或355，且代替地可取决于在电荷共享周期之后的数字线215的电压。
103.在启动读取操作后，磁滞曲线图300-b上的电荷状态305-a及电荷状态310-c的位置可取决于数字线215的净电容且可通过负载线分析确定。换句话说，电荷状态305-c及310-c可关于数字线215、或其它存取线(例如，与来自数字线215的电荷传送感测放大器相对的信号线)的净电容定义。因此，在启动读取操作之后铁电电容器240的电压(例如，当读取存储电荷状态305-a的铁电电容器240时的电压350、当读取存储电荷状态310-a的铁电电容器240时的电压355)可不同且可取决于铁电电容器240的初始状态。在一些实例中，存储器单元205的铁电电容器240的极化由于感测操作的变化量可根据特定感测方案选择。在一些实例中，具有存储器单元205的铁电电容器240的极化的较大变化的感测操作可与在检测存储器单元205的逻辑状态时的相对较大稳健性(例如，较宽感测裕度)相关联。
104.铁电电容器240的初始状态(例如，电荷状态、逻辑状态)可通过比较由读取操作造成的数字线215(或信号线，在适用情况下)的电压与参考电压来确定(例如，经由如参考图2所描述的参考线255)。在一些实例中，数字线电压可为读取电压335与跨电容器240的最终电压之间的差异(例如，在读取具有经存储电荷状态305-a的铁电电容器240时是(读取电压335-电压350)、在读取具有经存储电荷状态310-a的铁电电容器240时是(读取电压335-电压355))。在一些实例中，数字线电压可为板线电压与跨铁电电容器240的最终电压(例如，当读取具有经存储电荷状态305-a的铁电电容器240时的电压350、或当读取具有经存储电荷状态310-a的铁电电容器240时的电压355)之和。
105.在一些实例中，存储器单元205的读取操作可与数字线215的固定电压相关联，其中在启动读取操作之后铁电电容器240的电荷状态可相同，无论其初始电荷状态为何。举例来说，在其中数字线215及板线220保持在支持读取电压335的固定相对电压下的读取操作中，铁电电容器240可针对其中铁电电容器最初存储电荷状态305-a的情况及其中铁电电容器最初存储电荷状态310-a的情况两者继续到电荷状态370。因此，在一些实例中，铁电电容器240的初始电荷状态或逻辑状态可至少部分基于与读取操作相关联的电荷的差异来确定，而非使用数字线215的电压的差异来检测初始电荷状态或逻辑状态。举例来说，如由磁滞曲线图300-b说明，逻辑0可基于电荷状态305-a与电荷状态370之间(例如，相对少量电荷传送)的电荷q的差异来检测，且逻辑1可基于电荷状态310-a与电荷状态370之间(例如相对大量电荷传送)的电荷q的差异来检测。
106.在一些实例中，此检测可由电荷传送感测放大器、共源共栅(例如，经配置成共源共栅布置的晶体管)、或与感测放大器耦合的数字线215与信号线之间的其它信号开发电路系统支持，其中信号线的电压可至少部分基于在启动读取操作之后电容器240的电荷传送量(例如，其中所描述电荷传送可对应于穿过电荷传送感测放大器、共源共栅、或其它信号开发电路系统的电荷量)。在此类实例中，可比较信号线的电压与参考电压(例如，感测组件250处)以确定最初由铁电电容器240存储的逻辑状态，尽管数字线215被保持在固定电压电平下。
107.在其中数字线215被保持在固定读取电压335下的一些实例中，电容器240可在读取操作之后正饱和，无论电容器240最初是处于电荷状态305-a(例如，逻辑0)还是最初处于
电荷状态310-a(例如，逻辑1)。因此，在此读取操作之后，电容器240可根据逻辑0状态至少临时被充电或极化，无论其初始或预期逻辑状态为何。因此，至少在电容器240希望存储逻辑1状态时，可需要重写操作，其中此重写操作可包含施加写入电压325以存储逻辑1状态，如参考磁滞曲线图300-a描述。此重写操作可经配置或以其它方式描述为选择性重写操作，这是因为在电容器240希望存储逻辑0状态时可能无需施加重写电压。在一些实例中，此存取方案可称为“2pr”方案，其中用于区分逻辑0与逻辑1的电荷的差异可等于存储器单元205的剩余极化的两倍(例如，电荷状态305-a、正饱和电荷状态与电荷状态310-a、负饱和电荷状态之间的电荷的差异)。
108.在一些感测方案中，参考电压可经产生使得参考电压在可由读取不同逻辑状态造成的(例如，数字线215的、信号线的)可能电压之间。举例来说，取决于所使用的惯例，参考电压可经选择以在读取逻辑1时低于数字线215或信号线的所得电压，且在读取逻辑0时高于数字线215或信号线的所得电压，或反之亦然。在其它实例中，可在不同于其中数字线215或信号线耦合的部分的感测组件250或相关感测放大器的部分处进行比较，且因此，参考电压可经选择以在读取逻辑1时低于感测组件250或相关感测放大器的比较部分处的所得电压且在读取逻辑0时高于感测组件250或感测放大器的比较部分处的所得电压。在由感测组件250或感测放大器进行比较期间，可确定基于感测的电压高于或低于参考电压，且可因此确定存储器单元205的经存储逻辑状态(例如，逻辑0、逻辑1)。
109.在感测操作期间，从读取各个存储器单元205所得的信号可依据各个存储器单元205之间的制造、操作、其它变动而变化。举例来说，各个存储器单元205的电容器240可具有不同电平的电容、饱和极化、或矫顽性，使得逻辑0可与从一个存储器单元205到下一存储器单元的不同电荷电平相关联，且逻辑1可与从一个存储器单元205到下一存储器单元的不同电荷电平相关联。此外，本征或其它电容可从存储器装置110中的一个数字线215到另一数字线215而有所不同，且从相同数字线215上的一个存储器单元205到下一存储器单元205的角度来看，在数字线215内也可有所不同。因此，出于这些及其它原因，读取逻辑0可与从一个存储器单元205到另一存储器单元的数字线215或信号线的不同电压电平相关联(例如，所得电压350可从读取一个存储器单元205到下一存储器单元而有所不同)，且读取逻辑1可与从一个存储器单元205到另一存储器单元的不同电压电平相关联(例如，所得电压355可从读取一个存储器单元205到下一存储器单元而有所不同)。
110.在一些实例中，可提供在与读取逻辑0相关联的电压的统计平均值与和读取逻辑1相关联的电压的统计平均值之间的默认参考电压，但所述参考电压可相对更接近读取任何给定存储器单元205的逻辑状态中的一者的所得电压。读取特定逻辑状态的所得电压(例如，作为用于读取存储器装置的多个存储器单元205的统计值)与默认参考电压的相关联电平之间的最小差异可称为“最小读取电压差异”或“读取裕度”，且具有低最小读取电压差异或读取裕度可与在可靠地感测给定存储器装置110或存储器裸片200的存储器单元205的逻辑状态时的难度或敏感度相关联。
111.磁滞曲线图300-a及300-b的实例可说明包含铁电电容器240的存储器单元205在经受写入脉冲或读取脉冲时的均衡或正规化行为。然而，基于各种操作或环境条件，铁电电容器240可变成压印有特定逻辑状态，其可指代其中铁电电容器240变成倾向于存储一种逻辑状态而非另一逻辑状态、抗拒被写入到不同逻辑状态(例如，逻辑状态不同于在写入操作
前存储的逻辑状态)、或两者的各种条件。举例来说，如与磁滞曲线图300-a及300-b相比，经压印铁电电容器240可与可关于不同逻辑状态不对称的较高矫顽性(例如，关于改变或反转极化状态)、减小的饱和极化、较浅极化斜率、或其它特性相关联。具有经压印铁电电容器240的存储器阵列可与可损害存储器装置、或包含存储器装置的系统的操作的读取错误、写入错误、或其它行为相关联。根据如本文中所公开的实例，经压印铁电电容器240可使用各种压印恢复或修复过程恢复(例如，未压印、解开、修复、正规化、均衡)。
112.图4a及4b用磁滞曲线图400-a及400-b说明如根据本文中所公开的各个实例的经压印铁电存储器单元的非线性电性质的实例。磁滞曲线图400-a及400-b说明可由于压印有逻辑状态或电荷状态(例如，具有逻辑1的压印、具有电荷状态310-a的压印)而移位的铁电电容器240的特性的实例，其可与铁电存储器单元205中的静电域的配置的更改相关。举例来说，由经压印磁滞曲线440说明的磁滞曲线图400-a及400-b的经移位特性可由其中铁电电容器240已维持电荷状态达相对较长持续时间或在相对较高温度条件下维持电荷状态、或两者(例如，在静态烘烤条件下)的条件引起。
113.图4a说明从未经压印磁滞曲线430-a到经压印磁滞曲线440-a的移位的实例，其可对应于铁电电容器240的矫顽性的移位。在一些实例中，到经压印磁滞曲线440-a的矫顽性的移位可与写入操作期间对改变极化的抗拒增加相关联，例如对域改变极化状态的抗拒集体增加(例如，其中域能够具有其反转的极化，但其中此反转集体需要相对较高电压偏压)。
114.举例来说，根据磁滞曲线图400-a，当存储电荷状态310-a的经压印铁电电容器240以电压315(例如，与写入逻辑0相关联的写入偏压，如参考图3a描述)加偏压时，电荷可积累直到达到电荷状态405-a。然而，与可对应于其中铁电电容器的极化完全反转的均衡或正规化铁电电容器240的饱和条件的电荷状态305-b相比，电荷状态405-a可不对应于饱和条件，且代替地可说明响应于写入电压315的部分极化反转的实例。在从铁电电容器240移除电压315(例如，跨铁电电容器240的端子施加零净电压)后，铁电电容器240的电荷状态可在跨电容器的零电压下遵循在电荷状态405-a与电荷状态405-b之间展示的路径420-a。
115.在各个实例中，电荷状态405-b可具有比电荷状态305-a(例如，对应于逻辑0的未经压印存储器单元205的电荷状态)更低的电荷。尽管磁滞曲线图400-a的说明性实例将电荷状态405-b说明为在各种情况(例如，存储器单元205或铁电电容器240的一组域中的各种压印严重性、各种矫顽性移位程度、各种极化反转程度)下具有正的净电荷q，但电荷状态405-b的净电荷可具有正值或负值。因此，在各种情况下，此电荷状态可说明存储逻辑0或逻辑1，或可说明可由存储器装置读取为存储逻辑0或逻辑1的电荷状态。换句话说，由于从未经压印磁滞曲线430-a到经压印磁滞曲线440-a的移位，将电压315施加到经压印存储器单元可或可不将压印有逻辑1的铁电电容器成功地写入到逻辑0、或可不支持铁电电容器被成功读取为逻辑0。
116.图4b说明从未经压印磁滞曲线430-b到经压印磁滞曲线440-b的移位的实例，其可说明铁电电容器240的饱和极化、或极化容量的移位或塌缩。在一些实例中，经压印磁滞曲线440-a的移位或塌缩可与铁电电容器中的一些域无法在写入操作期间反转其极性相关联(例如，其中某些域被冻结或卡于极化状态中)。在一些实例中，能够反转其极化的域的矫顽性可基本上相同或类似于未经压印状态中的域的矫顽性，但极化反转的容量(例如，在饱和电压或偏压下)可减小。在其它实例中，此压印还可伴随有能够将其极化反转的那些域的矫
顽性的移位的方面(例如，如参考图4a描述)。
117.举例来说，根据磁滞曲线图400-b，当存储电荷状态310-a的经压印铁电电容器240以电压315(例如，与写入逻辑0相关联的写入偏压，如参考图3描述)加偏压时，电荷可积累直到达到电荷状态405-c。然而，与可对应于其中铁电电容器的极化完全反转的未经压印(例如，均衡或正规化)铁电电容器240的饱和条件的电荷状态305-b相比，电荷状态405-c可对应于响应于写入电压315减小了极化反转的容量的铁电电容器的有效饱和条件、或无法支持极化反转。在从铁电电容器240移除电压315(例如，跨铁电电容器240的端子施加零净电压)后，铁电电容器240的电荷状态可在跨电容器的零电压下遵循在电荷状态405-c与电荷状态405-d之间展示的路径420-b。
118.在各个实例中，电荷状态405-d可具有比电荷状态305-a(例如，对应于逻辑0的未经压印存储器单元205的电荷状态)更低的电荷。尽管磁滞曲线图400-b的说明性实例将电荷状态405-b说明为在各种情况(例如，存储器单元205或铁电电容器240的一组域中的各种压印严重性、各种极化固定程度)下具有负的净电荷q，但电荷状态405-d的净电荷可具有正值或负值。因此，在各种情况下，此电荷状态可说明存储逻辑0或逻辑1，或可说明可由存储器装置读取为存储逻辑0或逻辑1的电荷状态。换句话说，由于从未经压印磁滞曲线430-b到经压印磁滞曲线440-b的移位，将电压315施加到经压印存储器单元可或可不将压印有逻辑1的铁电电容器成功地写入到逻辑0、或可不支持铁电电容器被成功读取为逻辑0。
119.尽管磁滞曲线图400-a及400-b说明可与铁电电容器240中的压印相关的机构的简化实例，但其它机构或条件、或其组合可与存储器单元压印相关联。举例来说，压印有逻辑1的存储器单元可与或可不与如参考图3a、3b、4a及4b所描述的电荷状态310-a相关联，且可在压印之后具有不同电荷状态(例如，由于压印期间的电荷降级、由于压印本身期间的经压印逻辑状态或电荷状态的饱和极化塌缩、由于电荷泄漏、由于可在以逻辑1状态重写时改变或减小电荷状态310-a的饱和极化的变化)。在另一实例中，压印可改变(例如，加宽)极化反转电压跨铁电电容器240中的一组域的分布，其可与一个极化状态与另一极化状态之间(例如，跨极化反转区)的q对v
cap
的较浅斜率相关联，此可或可不伴随有矫顽性的集体移位或极化反转容量的变化(例如，如参考图4a及4b描述)。在一些实例中，铁电电容器240中的压印可与其它现象、或这些及其它现象的各种组合相关联。
120.在一些情况中，铁电存储器单元205的压印(例如，如由图4a或图4b、或其它说明)可由防止域(例如，电荷域)保持于写入状态中的存储器单元205中的本地静电交互驱动。经压印存储器单元205可例如能够在施加适当写入偏压时改变其电荷状态或极化状态。然而，存储器单元205可在移除写入偏压时返回到经压印电荷状态或极化状态，此可称为背向切换、下降、或反冲。因此，可期望执行压印恢复操作(例如，在修复模式中、在维护模式中、在恢复模式中)以使存储器装置中的存储器单元正规化或均衡以解决或缓解此类效果(例如，使存储器单元205的电荷迁移率返回到正规化或均衡状态、返回到未经压印磁滞曲线430、恢复剩余极化容量、或使矫顽性正规化或均衡)。
121.在一些实例中，可通过在足够长的持续时间内将存储器单元205保持于相反状态(例如，与经压印状态相反)中以更改引起存储器单元回复到经压印状态的本地静电配置来支持压印恢复。举例来说，可由经施加偏压时间及电荷状态切换(例如，偏压切换、电荷切换、极化切换)辅助恢复。
122.关于偏压时间，移动带电缺陷可改变存储器单元205内的配置以与经施加偏压对准，其还可与预期极化状态对准。在一些实例中，此过程可随总累积偏压时间按比例缩放。然而，只有在内部电场与所施加电场对准的情况下，偏压时间才可为有益的。举例来说，存储器单元205内本地电荷的显著积累可屏蔽施加场且防止存储器单元205的一些部分中的缺陷的局部重新配置。尽管单极(例如，非切换、非循环)偏压可用于支持压印恢复，且具有某些优点，但循环方法在一些实例中可更有效。
123.在一些实例中，关于电荷状态切换，重复地切换施加偏压可为存储器单元205内的域提供重复机会来经历随机切换事件。举例来说，针对根据概率分布可或可不在给定电压或偏压下经历极化切换事件的域，重复电荷切换可为此域提供更多机会切换极化，从而增强此切换实际上将发生的概率。在一些实例中，状态或偏压切换还可提高存储器单元205单元的内部温度，此可进一步增强缺陷或域迁移率。因此，复极化的温度及重复机会两者的增加可有助于存储器单元205的压印恢复。
124.例如这些的机构可促成可称为从存储器单元205的初处理(时间零、初始、起始)压印状态“唤醒”或“恢复”。此类机构还可促成从疲劳恢复，其可与对称地没有参与极化切换过程(例如，没有参与极化切换，无论从逻辑0极化切换到逻辑1极化还是从逻辑1极化切换到逻辑0极化)的电荷域相关。在一些实例中，疲劳恢复可通过“唤醒”先前尚未参与极化切换的单元内的域驱动。因为疲劳可定义为由极化状态的重复切换引发的极化信号损耗，所以从疲劳恢复可依赖于施加偏压的变动(例如，与典型或初始操作条件相比更高的偏压或更长的脉冲)。
125.尽管存储器单元压印的某些方面是参考铁电存储器应用描述，根据本公开的压印管理还可适用于经历可关于不同逻辑状态不对称的特性的漂移或其它移位的其它存储器技术。举例来说，例如相变、电阻、或定限存储器的材料存储器元件可由于存储器单元压印(例如，由于在一持续时间内存储逻辑状态、由于在高温下存储逻辑状态)而经历材料离析或固定，其中此类效果可与存储或读取特定逻辑状态而非另一逻辑状态相关联(例如，不对称地相关联、朝向存储或读取特定逻辑状态而非另一逻辑状态的漂移)。在一些实例中，此类应用中被压印的存储器单元205可与对从一个可配置材料性质或特性改变成另一可配置材料性质或特性的抗拒增加相关联，其可对应于一现象，例如对从一个阈值电压改变到另一阈值电压的相对较大抗拒力、对从一个电阻改变到另一电阻的相对较大抗拒力、及其它特性。
126.在各个实例中，可包含信号或脉冲循环或偏压时间、或存取操作循环的压印恢复操作可使材料存储器元件的特性正规化或均衡，例如使材料分布正规化或均衡、将缺陷移动到一个端或另一端、通过单元更均匀地分布缺陷、或调动材料存储器元件以经受原子重新配置。举例来说，在某些相变存储器应用中，压印恢复可根据用于本文中描述的压印管理的各种技术选择性地应用调味步骤的方面。
127.图5说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的系统500的实例。系统500可尤其包含参考图1到4描述的一或多个组件。举例来说，系统500可包含主机装置510及存储器装置540。在一些实例中，系统500还可包含一或多个辅助存储器装置590，在各个实例中，其可包含具有与存储器装置540相同或类似的功能性的存储器装置，或可为具有不同配置或特性的存储器装置。举例来说，辅助存储器装置590可包含经配置以
向主机装置510提供额外存储容量的存储器装置、用于冗余或备份信息存储的冗余存储器装置、具有不同程度的存取速度或非易失性的存储器装置、具有不同存储架构的存储器装置、经布置或配置有在存储器阶层中不同角色的存储器装置、及其它。
128.在一些情况中，存储器阵列555的一或多个存储器单元(例如，参考图2描述的存储器单元205)可被压印或可以其它方式易受压印，其可指代其中存储器单元变成倾向于存储一种逻辑状态而非另一逻辑状态、抗拒被写入到不同逻辑状态(例如，逻辑状态不同于在写入操作前存储的逻辑状态)、或两者的各种条件。在一些实例中，压印本身可使存储于存储器单元处的逻辑状态降级或损坏，但此类效果可能不会直接引起系统500的操作出现问题。举例来说，压印可在系统500掉电或不活动时发生，但系统500可不经配置以依赖于存储器装置540提供非易失性数据存储。然而，在将系统500通电或启动后，例如，主机装置510可尝试将数据写入到存储器装置540(例如，作为启动操作的部分、作为bios级操作、作为加载操作系统的部分或在加载操作系统前，从例如非易失性辅助存储器装置590(例如硬盘驱动器或快闪存储器装置)的非易失性存储装置传送数据)，且此类写入操作可由于存储器阵列555的经压印状态而不会成功。换句话说，在一些实例或配置中，经压印存储器单元的进行中的基本操作(例如，写入及读取)可比与压印本身相关联的信息丢失更成问题。
129.根据所描述技术的各个实例，系统500的组件可经配置以执行各种操作来检测、推断、缓解、禁止此压印、或从此压印恢复，此可提高存储器装置540、主机装置510、或系统500整体上可在存在与存储器单元压印相关联的条件下操作的稳健性、准确性、或效率。举例来说，存储器装置540、主机装置510、或两者可执行各种操作以检测存储器阵列555中压印的存在、或推断此压印的可能性，且存储器装置540可相应地经配置以响应于此检测或推断对存储器阵列555执行各种操作。例如本文中描述的压印恢复程序可包含各种存储器单元偏压或存取技术，特定来说，其经启动或修改以加速可关于不同逻辑状态展现不对称行为的经压印存储器单元的均衡或正规化。在一些情况中，所描述技术还可考虑数据保存或操作完整性的各个方面，包含主机装置510、存储器装置540与任何辅助存储器装置590之间的各种发信号、数据传送、或操作管理。
130.用于压印管理的所描述技术可在存储器装置540与主机装置之间采用检测、计算、评估、及操作的各种分布。在一些实例中，存储器装置540可包含经配置以支持各种压印管理技术的(例如，本地存储器控制器265的、装置存储器控制器155的、本地存储器控制器165的)芯片级或晶体管级电路系统。另外或替代地，存储器装置540可包含与相关联存储器裸片耦合、经配置或经编程以支持各种压印管理技术的板载处理器或集成处理器(例如，ram集成处理器、ram集成控制器的处理器)。另外或替代地，主机装置510可包含经配置或经编程以支持各种压印管理技术的处理器、控制器、或其它电路系统，其可包含到或来自存储器装置540或任何辅助存储器装置590的各种信令。
131.在一些实例中，系统500的一或多个组件可经配置以特性化压印严重性(例如，量值、程度)或方向性(例如，压印是与一种逻辑状态更密切相关联或对一种逻辑状态更敏感还是与另一逻辑状态更密切相关联或对另一逻辑状态更敏感，压印是否不对称)及执行根据特性化严重性或方向按比例缩放或选择的压印恢复操作。另外或替代地，压印恢复操作可由系统500定制用于存储器装置500、主机装置510、或系统500整体上的操作条件，例如操作模式或环境条件，在一些实例中，其可至少部分基于存储器装置540与主机装置510之间
的发信号或操作协商。另外或替代地，压印恢复操作可基于各种操作模式、准许、批准、或禁止，其可至少部分基于存储器装置540与主机装置510之间的发信号或操作协商。
132.主机装置510可为如参考图1所描述的主机装置或外部存储器控制器105、或其任何组合的实例。主机装置可包含主机装置接口515、主机装置控制器520、及压印管理器525。尽管主机装置接口515、主机装置控制器520、及压印管理器525说明为单独组件，但所描述组件中的一或多者、或其部分可集体或通常描述为经配置以执行本文中描述的各种技术的组件、控制器、处理器、或电路系统。
133.主机装置接口515可为如参考图1所描述的一或多个通道115的实例、或可以其它方式与所述一或多个通道相关联。举例来说，主机装置接口515可包含支持与存储器装置540(例如，与存储器接口545)的双向发信号或通信(例如命令、状态指示、数据、及其它信息)的收发器。在一些实例中，主机装置接口515还可向存储器装置540供应电力(例如，从主机装置510的电池、从主机装置510的电力供应器、从连线到主机装置510的电源)。
134.主机装置控制器520可为与存储器装置540交换信息(例如，应用数据、用户数据)的主机装置510的处理元件。举例来说，主机装置控制器520可发出读取命令及响应于所述读取命令从存储器装置540接收数据，或主机装置控制器520可向存储器装置540发出写入命令，其伴随有提供到存储器装置540的写入数据或以其它方式与所述写入数据相关联。主机装置控制器520还可控制主机装置510的操作的各个其它方面。举例来说，主机装置控制器520可管理主机装置510的各种操作模式或配置，可控制各种信息或控制主机装置510与存储器装置540之间的发信号，或响应于来自存储器装置540的信令控制主机装置510的各种操作。
135.压印管理器525可经配置以执行与本文中描述的压印检测或压印恢复相关的各种操作，或控制或修改主机装置510的以其它方式与存储器装置540的压印管理相关的其它操作。在一些实例中，此方法可支持将压印管理的方面从存储器装置540卸载到主机装置510，其可支持相对精简的存储器架构(例如，具有相对有限的板载处理能力或性能)、使相对复杂的技术能由主机装置510的增强能力支持、及其它益处。
136.在一些实例中，压印管理器525可检测可与存储器阵列555的可能压印相关的各种条件(例如，主机装置510的温度、时间、故障、无意或故意可引起压印、蓝屏事件的存取模式)。响应于此类检测，压印管理器525可向存储器装置540发出命令来执行压印检测程序(例如，针对存储器装置540，直接评估存储器阵列555是否已被压印)，或向存储器装置540发出命令以执行压印恢复程序(例如，无论压印是否被存储器装置540检测到)。在一些实例中，此类命令可伴随有用于触发此类命令的信息、检测到的条件严重性的指示、可由存储器装置540用于识别或选择压印恢复程序的条件的指示、或应如何积极地执行压印恢复的指示。在一些实例中，压印管理器525可支持基于系统状态、用户需求、或其它参数选择压印恢复方法，且可向存储器装置540指示选择，或向存储器装置540提供信息使得存储器装置540可作出此选择。
137.在一些实例中，压印管理器525可授权或批准存储器装置540进入恢复模式，其在恢复模式期间可支持或可不支持进行中的数据操作(例如，读取操作、写入操作、主机装置510与存储器装置540之间的数据交换)。在一些实例中，压印管理器525可接收存储器装置540正执行恢复操作的指示，且可暂停对存储器装置540的存取操作或可根据较慢速率或其
它降级或较低执行模式对存储器装置540执行存取操作。在一些实例中，压印管理器525可拒绝由存储器装置540作出的执行压印检测或恢复操作的请求，或可以其它方式禁止或不允许此类操作(例如，当主机装置510正根据需要来自存储器装置540的特定性能的模式操作时、当存储器装置540可默认执行此类操作但主机装置510已理解此类操作可停用时)。
138.在一些实例中，压印管理器525可从存储器装置540接收存储器阵列555被压印或可被压印的指示，且压印管理器525可发出或启动(例如，经由主机装置控制器520)特定地经配置以减轻存储器阵列555的压印的存取命令的模式。举例来说，响应于存储器阵列的检测到的或经推断压印的此指示，压印管理器525可发出与逻辑状态的模式相关联的读取、写入、或刷新命令，例如在逻辑状态的实心模式或逻辑状态的其它模式之间循环或交替写入操作(例如，根据交替逻辑状态、根据交替棋盘模式、根据经反转写回操作)。
139.系统还可包含存储器装置540，其可为如参考图1及2所描述的存储器装置110、存储器裸片160、或存储器裸片200的实例。存储器装置540可包含存储器接口545、存储器控制器550、一或多个存储器阵列555(例如，存储器阵列555-a及存储器阵列555-b)、压印检测组件560、压印恢复组件565、及错误校正码(ecc)组件570。尽管存储器接口545、存储器控制器、压印检测组件560、压印恢复组件565、及ecc组件570说明为单独组件，但所描述组件中的一或多者、或其部分可集体或通常描述为经配置以执行本文中描述的各种技术的组件、控制器、处理器、或电路系统。
140.存储器接口545可为如参考图1所描述的一或多个通道115的实例、或以其它方式与所述一或多个通道相关联。举例来说，存储器接口545可包含支持与主机装置510(例如，与主机装置接口515)的双向发信号或通信(例如命令、状态指示、数据、及其它信息)的收发器。在一些实例中，存储器接口545还可从主机装置510接收电力。
141.存储器控制器550可为与主机装置510交换信息(例如，应用数据、用户数据)的存储器装置540的处理元件。举例来说，存储器控制器550可接收读取命令及响应于所述读取命令将响应数据传输到主机装置510，或存储器控制器550可从主机装置510接收写入命令，其伴随有从主机装置510提供的写入数据或以其它方式与所述写入数据相关联。存储器控制器550还可控制存储器装置540的操作的各个其它方面。举例来说，存储器控制器550可管理存储器装置540的各种操作模式或配置，可控制各种信息或控制存储器装置540与主机装置510之间的发信号，或响应于来自主机装置510的信令控制存储器装置540的各种操作。
142.在一些实例中，存储器控制器550可从存储器接口545接收命令，处理所述命令，且执行所述命令(例如，通过与存储器阵列555或存储器装置540的其它方面交互)。存储器控制器550可以各种方式配置，且可为装置存储器控制器155、本地存储器控制器165、本地存储器控制器265、或其组合的实例，或以其它方式包含存储器控制器155、本地存储器控制器165、本地存储器控制器265、或其组合，或指代存储器控制器155、本地存储器控制器165、本地存储器控制器265、或其组合的功能性。在一些实例中，存储器控制器550可包含经配置用于组合逻辑的各种技术的硬件或电路系统(例如，晶体管级电路系统)，或可为对接存储器阵列555的存储器装置540的单独处理组件或芯片。
143.存储器阵列555可为如参考图1及2所描述的存储器阵列170的实例。在一些实例中，存储器阵列555可包含包括铁电电容器作为相应存储器存储元件的存储器单元205的阵列。然而，所描述的压印管理技术可使用其它类型的存储器阵列555执行，例如具有基于可
变且可配置材料性质存储逻辑状态的材料存储器元件的存储器阵列。
144.压印检测组件560可经配置以执行各种操作来检测或预测存储器阵列555中存储器单元压印的存在。在一些实施例中，压印检测组件560可独立于压印管理器525或在不存在压印管理器525的情况下操作以支持存储器装置540内的各种压印检测技术。举例来说，压印检测组件560可自主操作，而无需协调压印检测技术与主机装置510(例如，使用存储器装置540的裸片上或其它集成电路系统或处理能力)。在一些实例中，此方法可对受益于对芯片级条件的更深理解或操作条件的其它相对直接理解(例如，无需向主机装置传递此理解)的压印检测技术有益，且可支持存储器装置540对不同类型或能力的不同主机装置是不可知的。在其它实例中，压印检测组件560可基于与可支持主机装置510与存储器装置之间的压印管理协调的协调压印管理系统中的压印管理器525交换的信令而操作。在一些实例中，此方法可支持将压印管理的方面从存储器装置540卸载到主机装置510，其可支持相对精简的存储器架构(例如，具有相对有限的板载处理能力或性能)、使相对复杂的技术能由主机装置510的增强能力支持、及其它益处。
145.压印检测组件560可支持支持压印恢复技术的选择性或按比例缩放应用的各种检测。举例来说，尽管压印恢复的某些方面通常可对存储器装置有益，但执行恢复程序可花费一定时间量或其它系统资源，此可影响存储器装置540或主机装置510的性能或操作。在一些实例中，压印恢复技术可具有不利效果，例如需要与压印的存在或易感性平衡的疲劳加速或其它损耗机构。因此，针对这些及其它原因，可优选地是，基于检测到的或经推断的压印存在选择性地执行恢复程序、或基于检测到的或经推断的压印缺少选择性禁止恢复程序。因此，压印检测组件560可经配置以支持确定何时执行恢复程序，其可提供效率及可靠性益处、以及可由所属领域的一般技术人员了解的益处。
146.在一些实例中，压印检测组件560可执行或管理(例如，引起存储器装置540执行、引起压印检测组件560执行)一或多个压印检测程序来确定存储器阵列555及/或存储器阵列555的存储器单元是否在一或多个规格内起作用(例如，是否执行恢复操作)。在一些情况中，压印检测组件560可确定存储器阵列555在一或多个规格内操作且向存储器装置540的另一组件或向主机装置510发送存储器装置540正正确操作的指示。在其它情况中，压印检测组件560可确定存储器阵列555可在或可不在一或多个规格内操作(例如，压印已发生、压印已经检测到、压印已经预测到)，且可启动恢复程序。压印检测组件560可在经调度(例如，周期性)或事件驱动的基础上(例如，响应于检测到一或多个触发事件)执行压印检测程序(例如，自主地、或响应于来自主机装置510的命令)。
147.在一些实例中，压印检测组件560可检测可与存储器阵列555的可能压印相关的各种条件(例如，存储器装置540的温度、时间、故障、无意或故意可引起压印的存取模式)。响应于此类检测，压印检测组件560可向压印恢复组件565发出命令以启动恢复操作、或可触发由压印检测组件进行的压印检测的另外(例如，更确定、更复杂的)方面。在一些实例中，此类命令或触发可伴随有用于启动或按比例缩放操作的信息、检测到的条件严重性的指示、可由压印恢复组件565用于选择压印恢复程序的条件的指示、或应如何积极地执行压印恢复的指示。在一些实例中，压印检测组件560可(例如，向压印恢复组件565、向存储器控制器550)指示将针对其执行压印检测程序的存储器阵列555的一或多个区段。
148.在一些实例中，压印检测组件560可支持压印恢复组件565基于系统状态、用户需
求、或其它参数选择压印恢复方法，例如向压印恢复组件565提供信息使得压印恢复组件565可作出此选择。在一些实例中，压印检测组件560可向压印管理器525提供此信息使得压印管理器525可作出此选择。
149.在一些实例中，压印检测组件560可发信号向主机装置510通知存储器阵列555中压印的存在或预测，此可指示或以其它方式解译为主机装置510启动恢复操作的请求、主机装置510批准恢复操作的请求(例如，发信号向压印恢复组件565通知批准继续进行压印恢复)、存储器装置540将或正经历恢复操作的指示、存储器装置540可或将临时可用于存取操作、或可用于以降低的速率或性能进行存取操作的指示、及其它解译。
150.在一些情况中，压印检测组件560可自主(例如，单方面地，在没有来自主机装置510的显式命令的情况下)确定执行压印检测程序，其可与存储器装置540主动或抢先执行检测或恢复操作(例如，在对主机装置510透明的一组操作中)相关联。在一些实例中，压印检测组件560可响应于从主机装置510(例如，从压印管理器525)接收的命令确定执行压印检测程序。在一些情况中，命令可由存储器装置540接收作为激活程序的部分(例如，作为启动或初始化信令的部分)。
151.在一些实例中，压印检测组件560可执行检测操作作为启动过程(例如，作为开机自检(post)的部分)、存储器装置540的初始化(例如，存储器装置540第一次通电)或其它操作条件的部分。在一些实例中，压印检测组件560可在将数据加载到存储器阵列555之前(例如，在加载操作系统前)执行此类操作，其可包含禁止或高速缓存来自主机装置510的存取命令。在一些实例中，压印检测组件560可在数据存储于存储器阵列555中时执行检测操作，且压印检测组件560可支持与主机装置510或存储器装置540的其它组件的各种协调以支持本文中描述的各种数据保存、冗余、或完整性技术。
152.压印检测组件560可支持用于确定存储器阵列555中压印的存在或可能性的各种技术。举例来说，压印检测组件560可能已经知道存储器阵列555正存储可被压印的逻辑状态、且检测或监测可指示静态烘烤的温度或持续时间。在另一实例中，压印检测组件可监测存取操作(例如，由存储器控制器550执行)，且可经配置以检测可导致压印的无意或恶意存取条件，例如可与关于不同逻辑状态不对称地更改存储器阵列555中的存储器单元相关的不利存取模式、不利偏压、或其它条件。因此，压印检测组件560可经配置以支持基于压印或其它不利条件的预测在系统500中启动或触发各种操作，而不必直接检测压印本身。
153.另外或替代地，压印检测组件560可执行希望直接检测存储器阵列555中压印的存在或程度的各种操作。在一个实例中，可由压印检测组件560执行或管理的压印检测程序可包含将第一组逻辑状态写入到存储器阵列555的存储器单元的子集。在一些情况中，在写入第一组逻辑状态前，存储器装置540可将逻辑状态的特定(例如，已知、经配置、强制)模式写入到存储器单元的子集，且所述模式可经配置以支持压印检测程序的后续操作。在其它情况中，由存储器单元的子集存储的逻辑状态可能不会先验地强制执行，且因此从压印检测程序的角度来看，可为随机的(例如，未知、未专门配置以支持压印检测程序)。
154.存储器装置540可经配置(例如，经由压印检测组件的操作)以读取存储器单元的子集来获得第二组逻辑状态且确定与第二组逻辑状态相关联的失配或错误的第一数量。在一些情况中，存储器装置可比较从每一存储器单元(例如，从第二组逻辑状态、读取或检测到的逻辑状态)读取的逻辑状态与写入到每一相应存储器单元的逻辑状态(例如，来自第一
组逻辑状态、先前写入操作的目标逻辑状态)。可对每一例子的失配或错误进行计数，读取或检测到的逻辑状态不同于先前写入操作的目标逻辑状态。在一个实例中，即使在尝试将经压印存储器单元写入到不同状态(例如，对应于目标逻辑0)之后，所述存储器单元也可保持于第一状态(例如，对应于检测到的逻辑1)。基于此差异，存储器装置540(例如，压印检测组件560)可确定或推断压印已或可已发生于那个存储器单元上。当失配或错误的存在、数量、或速率满足阈值时，存储器装置540可基于第二组逻辑状态与第一组逻辑状态之间的失配或错误继续恢复操作(例如，压印恢复组件565的恢复操作，如由压印检测组件560触发或启动)。
155.压印检测组件560可采用各种技术来确定及评估此类操作中的失配或错误的数量。举例来说，存储器装置540(例如，存储器装置540的感测组件)可以用于确定存储器单元在正常操作条件下(例如当从存储器阵列555读取应用数据时)的逻辑状态的默认或操作参考电压来配置。作为一个实例，存储器装置540(例如，压印检测组件560)可通过使用默认参考电压读取存储器单元来获得第二组逻辑状态，且比较失配或错误的所得数量与阈值。
156.另外或替代地，存储器装置540(例如，压印检测组件560)可通过使用低于或高于默认参考电压的参考电压(其可称为偏移参考电压)读取存储器单元来获得第二组逻辑状态。在一些情况中，偏移参考电压可与失配或错误的预期数量(例如，将由于使用小于或大于默认参考电压读取而发生的错误的预期数目，即使没有压印)相关联。存储器装置540(例如，压印检测组件560)可比较如在使用偏移参考电压读取存储器单元的子集时观测到的错误的经测量数量与和偏移参考电压相关联的错误的预期数量。在一些情况中，压印检测组件560可基于此比较确定是否执行恢复程序。在一些情况中，两个偏移参考电压可用于获得两组逻辑状态。举例来说，第一偏移参考电压可小于默认参考电压，且第二偏移参考电压可大于默认参考电压。
157.另外或替代地，存储器装置540(例如，压印检测组件560)可使用在使用两个不同参考电压读取时观测到的失配或错误的数量之间的差异确定是否应执行恢复程序。举例来说，第二组逻辑状态及第三组逻辑状态可通过使用两者都低于或两者都高于默认参考电压的两个相应偏移参考电压读取存储器单元来获得。经测量差异(例如，减法)、斜率、或其它类型的梯度(例如，线性梯度、非线性梯度，例如非线性回归)可基于与以第一偏移参考电压读取存储器单元的子集相关联的失配或错误的第一数量及与作为第二偏移参考电压读取存储器单元的子集相关联的错误的第二数量来确定。预期差异、斜率、或其它对应类型的梯度可基于由于使用第一偏移参考电压读取而引起的错误的第一预期数目及由于使用第二偏移参考电压读取而引起的错误的第二预期数量来定义。经测量差异、斜率、或其它类型的梯度可与预期对应物进行比较以确定是否已发生压印或是否应执行恢复程序。
158.这些实例用于说明性目的，且压印检测组件560可基于失配或错误的数量执行一或多个额外分析(例如，比较失配或错误的数量与阈值、比较或以其它方式分析失配或错误的数量与使用另一参考电压确定的失配或错误的另一数量)以确定是否执行恢复操作。
159.存储器装置540还可包含经配置以支持在存储器装置540处的一或多个ecc操作的ecc组件570。在各个实例中，ecc组件570可经配置以校正每字或页面的单个位、字或页面的两个位错误、或其它配置。在一些实例中，压印检测组件560可与ecc组件570耦合，且压印检测组件560可使用来自ecc组件570的信息确定是否执行恢复程序。举例来说，压印检测组件
560可在写入与读取逻辑状态之间的失配或错误的数目无法满足阈值时确定执行压印检测程序，且在一些情况中，阈值可基于可由ecc组件570校正的错误的数目、或可由ecc组件570校正的错误率。在这方面，压印检测组件560可设置用于启动恢复操作的阈值，其处于或高于ecc组件570可校正的错误的数目(例如，指示相对严重条件)。在一些情况中，用于启动恢复操作的阈值可为零错误(例如，每当检测到任何失配时，可启动恢复操作)。
160.在一些实例中，压印检测组件560可经配置以设置用于启动恢复操作的阈值，其低于可由ecc组件570校正的错误的数目，其可指示不太严重或中等严重的条件。举例来说，可假设ecc组件570根据所采用的ecc方案的能力来处理一些故障，但如果由ecc组件570处理的错误的数量或错误率在此能力内达到阈值水平，那么压印检测组件560可经配置以抢先启动恢复操作(例如，在ecc组件无法跟进错误之前)，其可包含触发相对低级或中等恢复操作。
161.在一些实例中，ecc组件570处的多个错误阈值或阈值错误率可用作恢复决策的部分。针对低于最低阈值的ecc校正速率，可不启动恢复操作。针对高于低阈值的ecc校正速率，可存在“低严重性”恢复操作，例如在操作期间恢复(例如，后台恢复、维护恢复)。针对高于高阈值的ecc校正速率、或针对超过ecc校正能力的功能故障，可存在“高严重性”恢复操作，例如离散恢复事件。在一些实例中，此类技术可由(例如，存储器控制器550的、压印检测组件560的)状态机方法支持，其中如果计数超过阈值，那么可启动各种转变。在一些实例中，此类技术可包含基于组合逻辑技术(例如，在存储器装置540处应用的芯片级或阵列级技术)实时进行实时速率确定。
162.在用于考虑ecc组件处的能力或错误的一个实例中，ecc速率可定义为可校正ecc错误的数量除以存取计数(例如，时间导数、计数导数)。在一些实例中，ecc速率可以绝对值计算或以其它方式考虑，例如直接将ecc错误的经确定数量除以存取计数。在一些实例中，ecc速率可计算或以其它方式视作近似导数(例如，在溢流后作为计数器的右移)以并入组合逻辑。在一些实例中，存储器装置540可不经配置以执行中断且停止系统。因此，用于考虑ecc速率的所描述技术可使用实际(例如，经确定)ecc计数或速率，且可将实际ecc计数或速率添加到ecc组件570能够检测到的后台计数或速率(例如，标称ecc计数或速率、阈值ecc计数或速率、或正规化ecc计数或速率)。在此添加导致计数器溢流的情况下，计数器的对应重新运行可用作与预期行为的差异的指示(例如，作为存储器单元压印的检测或预测)。
163.在说明性实例中，在某数量的存取操作(例如，一百万次激活、十亿次激活、百亿次激活)的过程中，故障的预期或阈值数目可为所校正的10个字。在ecc组件570在相同数量个存取操作内校正35个字的事件中，错误可在ecc组件的能力内，但超出预期的漂移或增加可(例如，由压印检测组件560)用于进行预防性措施(例如，启动恢复操作)以减轻ecc组件570的校正负载。
164.在各个实例中，ecc组件570处的错误的数量或错误率可包含校正的总数量或速率、其中与逻辑状态(例如，逻辑0的错误、逻辑1的错误)相关联的校正独立地进行考虑的数量或速率、或其中与逻辑状态(例如，逻辑0的错误、逻辑1的错误)相关联的校正隔离地进行考虑的数量或速率。换句话说，ecc组件570可支持与错误数量或错误率方向性相关的信息(例如，关于不同逻辑状态)。因此，根据所描述技术的各个实例，压印检测组件560、压印恢复组件565、压印管理器525、或其各种组合可考虑错误或失配方向性以确定与压印管理相
关的一或多个参数。
165.压印恢复组件565可经配置以执行各种操作来使存储器阵列555的存储器单元均衡或正规化(例如，以从实际或可能存储器单元压印恢复，以缓解与存储器单元压印相关联的条件的效果)。举例来说，当存储器阵列555中的一或多者采用铁电存储器架构时，压印恢复组件565可执行或控制经配置以使存储器单元从经压印磁滞曲线440移位到或朝向未经压印磁滞曲线430的操作。在一些实例中，压印恢复组件565可独立于压印管理器525或在不存在压印管理器525的情况下操作以支持用于存储器装置540内的压印恢复的各种技术。举例来说，压印恢复组件565可自主操作，而无需协调压印恢复技术与主机装置510(例如，使用存储器装置540的裸片上或其它集成电路系统或处理能力)。在一些实例中，此方法可对受益于对芯片级条件的更深理解或操作条件的其它相对直接理解(例如，无需向主机装置传递此理解)的压印恢复技术有益，且可支持存储器装置540对不同类型或能力的不同主机装置是不可知的。在其它实例中，压印恢复组件565可基于与可支持主机装置510与存储器装置之间的压印管理协调的协调压印管理系统中的压印管理器525交换的信令操作。在一些实例中，此方法可支持将压印管理的方面从存储器装置540卸载到主机装置510，其可支持相对精简的存储器架构(例如，具有相对有限的板载处理能力或性能)、使相对复杂的技术能由主机装置510的增强能力支持、及其它益处。
166.在一些实例中(例如，响应于触发或来自压印检测组件560或压印管理器525的其它信息，以恢复存储器阵列555的存储器单元)，压印恢复组件565可经配置以应用或以其它方式控制各种偏压技术，例如跨存储器单元应用一或多个电压或电压脉冲、或对存储器阵列555的存储器单元执行多个存取操作(例如，多个读取操作、多个写入操作、多个读取及写入操作)。在各个实例中，此偏压可在可或可不与特定数据存取(例如，如由主机装置510基于检测到或预测已发生压印而在经调度基础上请求或命令)相关的维护或恢复模式中执行，或可在修改存取操作(例如，读取操作、写入操作、刷新操作)的参数的压印维护或恢复模式中执行同时支持在压印维护或恢复模式中进行数据传送。在一些情况中，参数可永久或无限期地经修改以支持压印恢复或预防(例如，可修改存取电压的持续时间或量值)。
167.压印恢复组件565的操作可由各种信令(例如，来自压印检测组件560、来自压印管理器525)启动、触发、按比例缩放、或以其它方式控制或修改。举例来说，压印恢复组件565可基于可在存储器装置540内或在主机装置510内产生的初始化、准许、授权信令开始恢复操作。在一些实例中，(例如，存储器装置540的、主机装置510的)各种压印管理组件可检测到与恢复操作相关的各种条件，且压印恢复组件565可将恢复操作调谐或按比例缩放到不同环境(例如，系统或产品)条件或约束、不同单元技术敏感性、及其它因素。另外或替代地，压印恢复组件565可执行根据压印的特性化严重性或方向、存储器装置540、主机装置510或系统500整体上的特定操作条件、或基于各种操作模式、准许、批准、或禁止按比例缩放或选择的压印恢复操作。
168.在一些实例中，压印恢复组件565可基于存储器装置540通电或初始化以进行主机装置510的启动操作来启动操作。在一些实例中，压印恢复组件本身的操作可为启动循环的部分，且如果恢复操作不成功，那么存储器装置540可发信号通知主机装置510以尝试另一存储器装置(例如，辅助存储器装置590)来支持进行中的操作。另外或替代地，存储器装置540可将指示存储器装置540需要更换的信令提供到主机装置(例如，故障信号、故障指示
符)。
169.在一些实例中，压印恢复组件565可将与压印恢复程序相关的一或多个指示发送到主机装置510(例如，指示压印恢复操作开始或恢复操作结束)。在一些实例中，压印恢复组件565可以其它方式提供存储器装置540、或存储器装置540的一或多个存储器阵列555不可用于存取操作的信令。
170.在一些实例中，系统500(例如，主机装置接口515、存储器接口545)可经配置用于在主机装置510与存储器装置540之间的支持各种操作或操作模式的信令。在一些实例中，此类系统或控制器信号可设置在存储器装置540外部或存储器阵列555外部，且可控制恢复处理的某些方面。举例来说，“需要恢复”信号可(例如，由主机装置510、由存储器装置540)配置以发信号通知、请求或以其它方式触发本文中描述的各种压印恢复操作。在一些实例中，“需要恢复”信号可经启用作为默认或初始配置或预配置，使得压印恢复操作在系统500的初始启动时或在运送到客户之前(例如，根据早期寿命恢复或“唤醒”操作)抢先执行。在另一实例中，当压印检测由主机装置510执行时，“控制器指定的恢复”信号可由主机装置510配置以调度将由存储器装置540执行的压印恢复操作。
171.另外或替代地，其它信令可经提供以细化系统500中的压印管理的各个方面。在一些实例中，“停用恢复”可(例如，由主机装置510、由存储器装置540)配置以覆盖(例如，存储器装置540的、存储器阵列555的)内部恢复监测器且防止恢复操作，例如当需要来自存储器装置540的特定性能时。在一些实例中，“强制恢复”信号可(例如，由主机装置510、由存储器装置540)配置于内部恢复监测器之上或以其它方式覆盖内部恢复监测器，以启动恢复操作。在一些实例中，“暂停恢复”信号可(例如，由主机装置510、由存储器装置540)配置以临时覆盖内部恢复操作，例如以支持临时高带宽日期传送案例、临时需要降低电力消耗(例如，低电池)、或其它条件。在一些实例中，“恢复时间”信号可(例如，由主机装置510、由存储器装置540)配置以指定可用于恢复操作(例如，用于存储器阵列555或其子集上的离散恢复事件)的时间。
172.系统500可经配置以支持各种压印恢复技术，其可广泛特性化为全存储器阵列555上的离散恢复事件、操作期间的恢复操作，或出于压印恢复目的修改对存储器阵列555进行的其它操作。尽管可在这些特性化中的一者的上下文中描述某些实例，但此类描述提供为用于说明性目的的非限制性实例，且还可根据所描述技术使用各种其它实例或组合。
173.在第一组实例中，压印管理可包含用于对全存储器阵列555执行离散压印恢复的各种技术。举例来说，压印管理的一些方面可包含于在系统500或主机装置510启动或通电时运行的监测器中。在一些实例中，旗标可在存储器装置540断电前或时设置为压印可能已发生、或应触发本文中描述的压印管理技术的指示。因此，系统500可经配置以主动尝试从压印恢复或缓解压印的效果。
174.在一些实例中，用于执行离散压印恢复的技术可在全存储器阵列555、或存储器阵列555的定义子集上操作(例如，响应于触发)。一些技术可防止系统500的正常操作，且可包含主机装置510与存储器装置540之间的发信号或其它操作理解(例如，“暂停”信令、操作禁止信令、暂停启动操作)。因此，在一些实例中，执行离散压印恢复可在系统500重获正常功能性之前执行，但包含此类操作(例如，以预防性方式)可防止系统500由于压印的效果而简单地发生故障。
175.在一些实例中，离散压印管理技术可包含评估存储器阵列555或存储器阵列555的子集是通过还是未通过监测步骤，例如压印恢复偏压或存取之后的重测操作。重测操作可包含用于启动额外压印恢复偏压或存取的选项、从存储器装置540到主机装置510(例如，到压印管理器525)的状态的信令、或两者，或可与所述选项、所述信令、或所述两者相关联。
176.在一个实例中，全阵列恢复可由启动序列压印监测或其它功能故障(例如，启动故障、蓝屏事件、高严重性压印监测器故障)触发或启动。在另一实例中，在恢复期间无法校正非易失性数据可会触发或启动全阵列恢复，在此情况中，存储器装置540或主机装置510(例如，压印管理器525)可产生存储器阵列555中的数据需要从存储装置(例如，辅助存储器装置590)更换的信号给系统500，且启动干净的重启。
177.在一些情况中，当系统500经配置以从压印恢复方法的各种选项中作出选择时，对全存储器阵列555执行离散恢复事件的选择可为优选或有利的。举例来说，离散恢复事件可经配置以在相对较短时间量内提供相对较强恢复。然而，此类技术可与相对较大电力消耗相关联，可在执行恢复时停止存储器操作的某些方面，可与引起疲劳或加速其它降级相关联，或可具有其它折衷。因此，在一些情况中，全存储器阵列555上的离散恢复的某些方面可经保留用于中度或高严重性压印(例如，当检测到或推断低严重性压印时禁止全存储器阵列555上的离散恢复事件)。
178.在一些情况中，全存储器阵列555上的离散恢复事件可在存储器装置540或主机装置510的操作温度确定为相对较低(例如，处于或低于温度阈值)时应用，因为在其中电荷迁移率或对压印恢复的其它响应受损的情况下，不太积极的压印恢复可是无效的。换句话说，当主机装置510或存储器装置540的操作温度较高时，不太积极的压印恢复技术可在使存储器单元正规化或均衡时是适当有效的。此类恢复技术的选择还可考虑电力供应器或电力可用性，因为全存储器阵列555上的离散恢复操作仅可在某些电力条件(例如，电池电荷电平处于或高于阈值、系统500的电力消耗处于或低于阈值、主机装置510或系统500插上电源)下选择、可用于选择、或启用。
179.在一些实例中，全存储器阵列555上的所描述的离散压印恢复技术可由主机装置510与存储器装置540之间的各种信令支持。举例来说，如由此信令支持，系统500的组件可理解操作应在压印恢复期间暂停或禁止。在一些实例中，信令可包含或伴随有可用时间的协商(例如，如由存储器装置540请求、如由主机装置510批准或以其它方式发信号)。在一些实例中，此类恢复技术可包含相对复杂的压印检测技术或由相对复杂的压印检测技术触发，例如使用多个参考电压在存储器阵列555处进行的检测、执行斜率或梯度计算或分析、或对存储器阵列555处的压印条件提供更大可观测性的其它技术。
180.在第二组实例中，压印管理可包含用于在存储器装置540或存储器阵列555的操作期间(例如，在维护模式中)执行压印恢复的各种技术。存储器阵列555可在此类技术期间继续操作，但单元行为的方面可经检测(例如，检测到或推断出压印存在、可导致压印或其它单元级降级或故障的无意或恶意存取操作的检测)使得恢复操作可在操作期间执行以减轻、缓解、或防止压印。在一些实例中，在操作期间执行压印恢复可降低性能(例如，提高电力消耗、减小带宽、增加延时)，但此降低可在可允许规格内。因此，存储器装置540操作期间的压印恢复可用于在需要低到中度恢复量、但需要装置的正常操作且存储器装置540或主机装置510的性能降低是可接受的时提供恢复。
181.在一些实例中，操作期间的压印恢复可与具有多个阈值、在一些情况下支持相对不太积极的恢复技术(例如，与全存储器阵列555上的离散恢复事件相比相对不太积极)的监测方案相关联。举例来说，如果检测到或推断低严重性压印，那么可在不停止系统500的某些操作的情况下执行低级压印恢复(例如，可执行压印恢复同时允许存储器装置540与主机装置510之间的一些数据交换)。在一些情况中，与可基于检测到可与此类存取错误相关的故障执行的其它恢复技术(例如，故障存储器阵列555的全面恢复)相比，操作期间的压印恢复可视作在压印引起存取错误之前使存储器阵列555均衡或正规化的维护模式或操作。
182.在一些实例中，与操作期间的压印恢复相关的阈值可基于在读取存储器阵列555时利用不同参考电压的检测方案(例如，如参考图7及8描述)。举例来说，与一组参考电压中的每一者、或其某组合相关联的条件可用于单独指示压印检测或预测的严重性。当在多个参考电压下执行压印检测时，如果存储器阵列555处的条件未通过一或多个参考电压下的阈值但通过一或多个其它参考电压下的阈值，那么系统500可继续维护型压印恢复。如果存储器阵列555处的条件未通过全参考电压下的阈值，那么系统500可继续全恢复模式(例如，全存储器阵列555上的离散恢复事件)。在一些实例中，此类技术可由存储器阵列处的芯片级模拟阈值支持，其中不同阈值经配置用于一组施加参考电压中的每一者。
183.操作期间的压印恢复可根据系统500中的各种操作条件触发或按比例缩放。举例来说，此类技术可基于主机装置510与存储器装置540之间的数据负载、或基于主机装置510的处理器负载触发或按比例缩放，其中较高负载可对应于执行破坏性较小的压印恢复维护。在其它实例中，系统500可经配置以检测非功能性或缩减的功能模式(例如，当系统500或主机装置510通宵插上电源时)，且操作期间的压印恢复技术可基于支持维护模式的此检测而启动。在一些实例中，操作期间的压印恢复可考虑主机装置510与存储器装置540之间的交握或其它信令，且各个方面可基于各种要求、操作模式、或其它考虑而启动或按比例缩放。
184.在一个实例中，操作期间的压印恢复可在存储器装置540处利用自刷新配置。举例来说，刷新可通过整个存储器阵列555工作(例如，统一地)，且刷新操作可基于压印检测触发而在存储器装置540处更频繁地执行(例如，提高自刷新操作的速率或频率)。刷新操作的经提高速率或频率可向存储器单元提供偏压，此减轻压印的效果。在各个实例中，经修改刷新操作可包含要延长、改变电压的一或多个临时修改，或包含状态交换/反转，其可影响或可不影响正常操作。尽管此类操作可减慢存储器装置540的操作或增加电力消耗，但此类技术可以其它方式对对接组件(例如，主机装置510)的操作透明，且可能不需要存储器装置540与主机装置之间的发信号或协商。在其它实例中，此延长可与主机装置510的命令或信令相关联，例如指示或批准(例如，授予执行权)相对较低性能操作模式的信令。
185.在一些实例中，操作期间的压印恢复可基于存储器装置540处的ecc或损耗均衡操作、包含于所述ecc或损耗均衡操作中、或以其它方式与所述ecc或损耗均衡操作相关联，其中相关操作可基于相对较低严重性触发而修改。举例来说，可将相对少量恢复(例如，相对低振幅或低持续时间偏压或存取)应用到根据ecc擦除或损耗均衡刷新的每一页面。换句话说，与ecc或损耗均衡相关联的操作或算法可经修改用于压印恢复目的(例如，至少部分基于存储器单元压印的检测或推断)。随着时间的推移，此类技术可通过整个存储器阵列555工作，同时仍支持存储器阵列555的存取操作。
186.在一个实例中，ecc组件570处的ecc校正计数可(例如，按状态、按转变)监测，且如果监测到的计数超过或以其它方式满足阈值，那么可触发或启动压印维护。在另一实例中，损耗均衡的方面可包含与将数据移位到新的页面相关联的物理到逻辑指针的移位。在此移位之前或之后，可将恢复处理应用到未使用的物理页面。在各个实例中，转变中的页面可在某数目(例如，1,000)个快速循环或某数目(例如，10)个延长的脉冲下加偏压。
187.可将此类技术应用到包含旋转数据或任何其它刷新的其它存储器管理方法。举例来说，操作期间的压印恢复可包含将恢复循环或偏压添加到被刷新的页面，从而增加自刷新的数目、减小跳过的系统刷新的数目(例如，如果存储器装置540经配置以跳过系统刷新)、及其它。在一些实例中，减小跳过的系统刷新的数目可不需要任何系统知识(假设部分跳过刷新)，且因此可受到支持，而无需主机装置510与存储器装置540之间的特定信令。当执行快速恢复(例如，根据离散恢复事件)时，电压可更高，而用于不太严重的压印的较慢恢复可具有较低电压。
188.根据各个实例，所描述技术可对应于操作中的永久或不定向变化、或可对应于可在设置时间、通过全阵列的设置数目个遍历之后、或响应于例如处于空闲模式及插上电源的操作条件(例如，通宵电池通电条件)而复位回到正常操作的变化。在一些实例中，操作期间的压印恢复可对存储器阵列555的子集执行以恢复特定子集的操作窗。
189.在一些情况中，当系统500经配置以从压印恢复方法的各种选项中作出选择时，在操作期间执行恢复的选择可为优选或有利的。举例来说，操作期间的恢复可经执行以在电力消耗是一个问题时通过将恢复循环分散在多个操作内来提供恢复。在一些实例中，此类技术可在存储器装置540或主机装置的相对较高操作温度下触发或按比例缩放，因为此类技术可在高温下比在低温下更有效。另外或替代地，此类技术可在相对较早操作寿命(例如，存储器装置的早期寿命或中期寿命)时触发或按比例缩放，因为此类技术可在存储器装置540上相对更温和(例如，与离散恢复事件相比)，且因此可不太倾向于加速存储器阵列555的疲劳或其它降级。另外或替代地，此类技术可基于恢复操作的可用时间触发或按比例缩放。
190.在第三组实例中，压印管理可包含通过修改存储器装置540或存储器阵列555的操作来进行压印恢复的各种技术。通过修改操作来进行压印恢复可指代以希望促进恢复的方式对存储器装置540或存储器阵列555的正常操作中的各种变化，且可与在可允许规格内的性能的降低(例如，电力消耗的提高、带宽减小、延时增加)相关联。在一些实例中，所描述的通过修改操作进行的压印恢复技术与在操作期间的压印恢复的不同之处在于：可不存在又在存储器阵列555的子集上执行的额外操作或程序。确切来说，通过修改操作进行压印恢复可指代改变标准操作如何起作用的各种技术。因此，将所描述的恢复应用到全存储器阵列555阵列可通过存储器阵列555的正常使用而非通过存储器阵列555的显式循环来暗示。在一些实例中，此类技术可希望为存储器装置540或存储器阵列555的操作的相对永久的变化、或至少一不定向变化(例如，没有返回到操作的先前状态或配置的相同方向上的参数的一系列变化)。
191.在一些实例中，通过修改操作进行的压印恢复可在存储器装置540处利用脉冲宽度或振幅的灵活性。举例来说，存储器装置的正常操作可以例如偏压下的较短持续时间的相对较短脉冲(例如，读取脉冲、写入脉冲、刷新脉冲)、具有可对早期寿命操作有利(例如，
针对较低电力消耗、针对较低疲劳或其它降级速率)的相对较低振幅的脉冲开始。基于检测到的或推断的压印条件，可(例如，在寿命的后期)增加脉冲宽度、脉冲振幅、或两者以改进压印恢复或稳健性。在一些实例中，此类技术可在接近(例如，存储器装置540的、主机装置510的)寿命结束时应用，其中对压印的经改进抗拒性可值得对应更高电力消耗或对应存储器阵列降级加速。
192.此类技术的一个实例可包含对例如增加的读取脉冲持续时间、增加的读取脉冲振幅、或两者的读取脉冲(例如，在读取操作期间施加的单元偏压、发出激活或act命令后的单元偏压)的选择性修改。在一些实例中，此修改可支持恢复存储器阵列555的正规化或均衡性能、或以其它方式补偿存储器单元行为中可由压印导致的变化。此类技术的另一实例可包含对例如增加的写入脉冲持续时间、增加的写入脉冲振幅、或两者的写入脉冲(例如，在写入操作或写回操作期间施加的单元偏压、发出预充电或pre命令后的单元偏压)的选择性修改(例如，响应于压印检测或预测)。
193.在另一实例中，“打开页面”时间可修改，此可指代用于在激活页面与将页面预充电之间的时间(其可替代地性称为打开页面与关闭页面之间的时间)期间修改施加偏压的电压或持续时间的各种技术。在一些实例中，此类技术可包含修改激活页面与将页面预充电之间的周期的持续时间，其可对应于行活动时间(tras)或其它时序参数的增加。在一些实例中，打开页面时间可能并非读取操作的部分且并非写入或重写操作的部分。确切来说，至少从存储器阵列555的一些存储器单元的角度来看，打开时间可指代等待状态，且此状态期间的修改可不会影响其它时序规格。因此，打开页面时间期间的偏压可针对各种考虑调谐，而不一定会影响时序性能。在此周期期间施加偏压可对缓解压印是有益的，但可能由于其它原因(例如，降级、疲劳、电力消耗)而是有问题的。因此，出于压印管理的目的改变打开页面时间可在主机装置510或存储器装置540的操作寿命中相对较晚、或在特定操作模式或条件期间启用。
194.另一实例可包含对存储器装置540处的刷新循环的各种修改。举例来说，鉴于典型的刷新脉冲可具有相对较短持续时间(例如，15到25纳秒)，响应于压印的检测或推断的修改可包含将刷新延伸到较长持续时间(例如，200纳秒)。在一个实例中，刷新操作可包含各种循环倍数(例如，每经触发刷新执行两个刷新循环)，此将有效地使刷新操作期间的偏压时间倍增。因此，对压印恢复操作的一些修改可包含延长每页面的刷新时间以包含对被刷新的页面的恢复处理。
195.在另一实例，针对启用了ecc擦除特征的存储器装置540(例如，将ecc码字传递通过ecc引擎以校正错误且接着将经校正数据写回到阵列)，擦除频率可响应于低严重性压印监测器警告而选择性地提高。
196.通过修改操作进行压印恢复的技术可基于各种准则选择或按比例缩放。举例来说，各种技术可基于存储器装置540或主机装置510的操作温度选择或按比例缩放。在一个实例中，通过修改操作进行的压印恢复技术在较高操作温度下关闭或禁止，这是因为其它操作或偏压模式可足够有效以在较高温度下缓解压印。在另一实例中，各种技术可基于组件的使用年限选择或按比例缩放。举例来说，通过修改操作进行的压印恢复技术可在检测到的主机装置510或存储器装置540的使用年限或损耗低于或以其它方式满足阈值时停用或禁止以减少可与此类技术相关联的损耗或疲劳加速，或在检测到的主机装置510或存储
器装置540的使用年限或损耗超过或以其它方式满足阈值时启用，这是因为损耗或疲劳的此加速可被压印管理的益处所掩盖。
197.在一些情况中，当系统500经配置以从压印恢复方法的各种选项中作出选择时，对通过修改存储器装置540或存储器阵列555中的一或多者的操作来进行压印恢复的选择可为优选或有利的。在一些实例中，通过修改操作进行压印恢复可用于例如在需要相对少量恢复时、在需要正常操作及近峰值性能时、或在电力可用性相对较低或受限时提供相对温和、相对较慢、或相对较弱的恢复。在一些实例中，通过修改操作进行压印恢复可优选地在低严重性下应用、或在主机装置510或存储器装置540的早期寿命期间应用，但此类技术可在寿命的整个后期阶段内是有益的。在一些实例中，通过修改操作进行压印恢复可优选地在电力受限时、或在存在可用于恢复的相对有限时间时应用。在一些实例中，此类技术可能不需要存储器装置540与主机装置之间的发信号，在此情况中，此类技术可优选地在嵌入式应用中应用。
198.在其它实例中，恢复操作可在某些情况下禁止。举例来说，如果检测到或预测压印，但对应严重性被确定为低，那么系统500可经配置以禁止或以其它方式不执行恢复操作，其可减少单元上的不必要疲劳。在其它实例中，可优选的是，取决于装置的使用年限避免或禁止恢复操作，此可防止或缓解可由恢复方法引起或加剧的早期寿命终止故障。举例来说，如果存储器装置540或一或多个存储器阵列555在操作寿命中相对较旧或较晚，那么可有利的是，禁止恢复操作直到完全有必要(例如，具有用于执行恢复操作的相对较高阈值)减少存储器阵列555的存储器单元上的疲劳及应力引发的泄漏电流。在另一实例中，如果系统500无法在尝试多次恢复(例如，存储器阵列555阵列的部分在操作寿命终止时或接近操作寿命终止的指示)之后恢复存储器阵列555的部分，那么对存储器阵列555的那个部分的恢复可停用以允许对存储器阵列555的仍在起作用的部分进行操作。在一些实例中，可基于电源或电力可用性避免或禁止恢复操作。举例来说，如果可用电力或电力存储相对较低(例如，不插电模式、仅电池模式、低电池条件)，那么恢复操作可禁止或按比例缩回以降低电力消耗。在一些实例中，系统500的电力状态可改变(例如，主机装置510可插入到有线电力供应器中)，且主机装置510可通过指示维护操作的可用性来作出响应使得存储器装置540可继续压印恢复操作。
199.在一些实例中，系统500可经配置以将检测到的压印的严重性视作所描述压印恢复操作的部分。举例来说，用于压印监测的各种技术可经配置以检测或预测压印严重性，且响应可根据不同严重性阈值启动或配置。在一个实例中，如果严重性监测超过相对较低阈值，其中存储器阵列555仍起作用，那么可触发“低严重性”恢复响应，例如在操作期间恢复或通过经修改操作恢复。在一些实例中，这可包含维护模式或指代在广泛功能故障之前将恢复用作维护模式。在另一实例中，如果严重性监测超过相对较高阈值，其中存储器阵列555不起作用，或错误压倒ecc校正，那么可触发“高严重性”恢复响应，例如整个存储器阵列555上的离散恢复事件。在一些实例中，这可包含或指代存储器阵列555的功能能力的恢复。
200.在一些实例中，系统500可经配置以将检测到的压印的方向性视作所描述压印恢复操作的部分。举例来说，一些压印检测技术可能够分辨如关于一种逻辑状态对另一逻辑状态的故障的压印存在或严重性。另外或替代地，一个方向或另一方向上的压印的倾向性可以其它方式来了解或预测(例如，基于与一种逻辑状态或另一逻辑状态相关的已知或经
预测压印现象)。与特定逻辑状态相关的压印的优势可因此用于选择恢复方法或使恢复方法偏向于在那个逻辑状态中对抗压印。
201.在一些实例中，系统500可经配置以将温度(例如，主机装置510的操作温度、存储器装置540的操作温度、存储器阵列555的操作温度)视作所描述压印恢复操作的部分。举例来说，无论使用了哪种恢复方法，例如偏压量值、偏压时间、或循环数目的参数可因装置的当前温度而异。在一些实例中，恢复可在较高温度下更快或以其它方式更容易，使得较低偏压或较少循环可支持给定恢复。与此相关地，恢复可在较低温度下更慢或以其它方式更困难，使得可能需要较高偏压或较多循环来支持给定恢复。在一些实例中，恢复可受低温约束，使得特定恢复技术可能需要在主机装置510或存储器装置540在相对低温下操作时选择。
202.在一些实例中，系统500可经配置以将电力条件(例如，主机装置510或存储器装置510的电力供应器或电力可用性)视作所描述压印恢复操作的部分。举例来说，压印恢复方法的选择可取决于可用电力，例如主机装置510或存储器装置540是关于电池在低电力状态中操作还是插上了电源(例如，插入到主线电源)。在另一实例中，并行度(例如，同时恢复的行或页面的数量)可为基于电力条件，例如在插上电源时增加压印恢复的并行度。在各个实例中，此类技术可对应于或以其它方式考虑主机装置510的性能模式、主机装置510的电力状态、或其它检测到的或推断出的输入电力条件。
203.在一些实例中，系统500可经配置以将存储器装置540的使用年限、存储器阵列555的使用年限、或主机装置510的使用年限视作所描述压印恢复操作的部分。举例来说，可通常认为装置经历可对应于浴盆曲线的三个使用年限范围，称为早期寿命、中期寿命及后期寿命。在各个实例中，装置寿命的此类描述或特性化、或其它监测可由存储器装置540、主机装置510、或两者跟踪，以选择或按比例缩放各种压印恢复技术。
204.在(例如，存储器装置540的、主机装置510的、系统500的)早期寿命条件期间，恢复方法可用于在存储器阵列555中引发“唤醒”。举例来说，早期寿命恢复可为对组装或封装过程(例如，安装期间的制造操作、板上安装、焊接、封装上封装模制化合物固化、钎焊)的经定义热应力的系统触发的维护响应、或通过跟踪使用计数器的状态。在一些实例中，早期寿命恢复技术可选择性地趋向于具有对称的低偏压延伸脉冲宽度的相对较少循环以温和地唤醒存储器阵列555。
205.在(例如，存储器装置540的、主机装置510的、系统500的)中期寿命条件期间，恢复方法可用于从更显著或意外热应力事件恢复。举例来说，在(例如，存储器装置540的、主机装置510的、系统500的)中期寿命条件期间，装置可正经历多个故障机制，例如压印、疲劳、泄漏及其它。在没有使用计数器、或系统触发的益处的情况下，这些事件可能难以与中期寿命故障分离。中期寿命恢复技术可由存储器装置540或主机装置510触发，且可包含预配置技术或整个存储器阵列555上的离散恢复事件、操作期间的恢复、或通过经修改操作进行恢复之间的选择。在一些实例中，中期寿命可定义为“非早期寿命”(例如，定义为二进制旗标)或由使用计数器(例如，存取操作计数器、里程表)定义，其中任一者可应用到恢复方法的选择或按比例缩放。
206.在(例如，存储器装置540的、主机装置510的、系统500的)后期寿命条件期间，恢复方法可趋向于更极端，且可强调对标准操作的修改，例如增加写入偏压或读取偏压。在一些
实例中，后期寿命恢复可特性化为“全有或全无”响应，其中主机装置510或存储器装置540可能没有多少剩余的操作寿命，且压印恢复的益处可大于使用期中的任何对应降级。在一些实例中，后期寿命可定义为“后期寿命”旗标(例如，定义为二进制旗标)，或由使用计数器(例如，存取操作计数器、里程表)定义，其中任一者可应用到恢复方法的选择或按比例缩放。
207.使用年限或损耗评估可由系统500中的各种技术支持。举例来说，存储器装置540可包含裸片上使用计数器，其可与一组预定义寿命使用阈值进行比较(例如，在存储器装置540处、在主机装置510处)以识别存储器装置540是满足早期寿命条件、中期寿命条件、还是后期寿命条件。在另一实例中，主机装置510或存储器装置540可包含设置对应于早期寿命条件、中期寿命条件或晚期寿命条件的旗标或其它指示的控制器。举例来说，早期寿命旗标可在最终系统组装、或板焊接之后或在初始启动及系统测试后设置，且在操作的某持续时间或其它阈值之后转变。
208.在一些实例中，压印管理技术还可考虑用于存储器阵列555的数据保存的方面，其可包含关于是否尝试保存由应用压印恢复的存储器单元存储的数据的静态配置或选择性操作的各种实例。
209.在一个实例中，压印恢复方法可通过从存储器阵列555的子集复制数据来尝试保存存储于存储器阵列555中的数据，所述数据将接收恢复处理以到达替代位置中，例如相同存储器阵列555、不同存储器阵列555、或辅助存储器装置590的另一存储器地址。举例来说，压印恢复过程可包含将数据复制到存储器阵列555的不同子集及重新映射逻辑到物理地址加扰，其中恢复处理可立即执行或在进入空闲状态后执行。在另一实例中，数据可通过执行某数目个重复的循环反转的写回操作，本质上在给定数目个循环内翻转阵列的子集的数据状态来进行本地保存。在一些实例中，如果压印检测或评估操作已递送低严重性警告，且数据仍可在没有不可恢复的错误的情况下从阵列读取且写入到阵列，那么可启用此数据保存。换句话说，如果存储器阵列555没有经历不可恢复的错误，那么系统500可经配置以尝试数据保存。
210.在另一实例中，数据可读取到(例如，感测组件250的)感测放大器或锁存器中且以旁通模式保持在所述感测放大器或锁存器处，其中存储器阵列555的偏压或循环不会盖写感测放大器或锁存器。在各个实例中，在恢复操作之后，来自经恢复存储器单元的数据可从感测放大器或锁存器返回到相同位置，或来自经恢复存储器单元的数据可从感测放大器或锁存器移动到不同位置，且经恢复存储器单元可用于其它数据。
211.在一些实例中，恢复方法可不尝试保存数据。举例来说，如果压印故障是已知的，那么系统500可经配置以避免花费时间来进行数据保存(例如，可禁止数据保存)，此可加速压印恢复的某些方面。此类操作或禁止可在数据无法在没有错误的情况下从存储器阵列555阵列读取或写入到存储器阵列555阵列时、或在用户没有预期进行数据保存(例如，在存储器装置540或存储器阵列555经配置于易失性模式中或以其它方式不期望存储所需信息时的启动操作期间)时响应于高严重性压印监测器故障而选择性地执行。
212.在一些实例中，在其中期望存储器装置540支持某程度的非易失性(例如，当存储器装置540经配置作为非易失性ram操作)的应用中，可特定考虑压印恢复期间数据保存的方面。举例来说，系统500可经配置有其中存储器装置540的目的可是提供相对高速存储的
数据阶层或其它存储阶层。在一个实例中，存储器装置540可经配置以提供快于其它辅助存储器装置590的虚拟存储器功能性。在一些实例中，这可包含在非易失性模式中操作存储器装置540的存储器阵列555以快速初始化(例如，从其中存储器装置540掉电的睡眠模式唤醒)。在此类情况中，在进入低电力模式前，系统500可经配置使得虚拟存储器中的数据被刷新(例如，复制)到辅助存储器装置590，其中辅助存储器装置可支持或期望支持比存储器装置540更大程度的非易失性或压印抗拒力。换句话说，存储器装置540可经配置以支持快速启动(例如，利用所存储信息仍存在的概率)，但可能不明确或单独地依赖于存储器装置540处此数据的存在。举例来说，系统500可经配置以尝试使用存储器装置540的信息初始化，且在故障(例如，启动故障)事件中，压印管理技术(例如，检测操作、恢复操作)可在使用复制到辅助存储器装置590的信息尝试初始化之前、期间或之后在存储器装置540上执行。
213.刷新、复制、或其它冗余技术可另外或替代地包含按地址空间标识符(asid)进行的刷新、程序及操作系统数据的刷新、由用户进行的刷新、根据程序对数据的刷新、或由其它配置或启动进行的刷新或复制，且各种操作管理方案可相应地配置。举例来说，当在存取存储器装置540时的错误无法通过ecc操作恢复时，数据可在错误恢复期间使用页表或映射图(例如，虚拟存储器映射图、数据冗余映射图)撤回，数据可包含存储于不同存储器阵列555或辅助存储器装置590(例如，快闪存储器、硬盘、或其它存储装置)处的数据。换句话说，根据这些及其它技术，系统500可经配置以确定是否从存储器阵列555提取数据或从其它存储器(例如，另一存储器阵列555、或辅助存储器装置590)提取其副本，其可具有不同(例如，更大)程度的非易失性或压印程度中的其它差异。用于确定用于存取数据副本的位置的此类技术可与本文中描述的各种压印管理技术组合。
214.在存储器阶层中应用所描述技术的另一实例中，系统500可经配置以在压印检测或压印恢复期间将信息从存储器装置540复制到辅助存储器装置590。举例来说，系统500可经配置以应用此类技术作为备份或恢复在将信息写回到存储器装置540的经压印存储器单元时原本将丢失的信息的尝试(例如，将数据备份到辅助存储器装置590)。此类技术可优选地应用于经配置以用于相对快速操作的辅助存储器装置590(例如采用dram或feram架构的辅助存储器装置590)。
215.在一些实例中，系统500可经配置以基于各种考虑选择性地启用或配置数据保存的各个方面。举例来说，如果存储器装置540处的ecc校正失败，那么系统500可经配置以理解存储器装置540中的数据可能受到损坏，使得存储器装置540或特定存储器阵列555中的数据在压印恢复期间无需保存(例如，代替地依赖于存储于另一位置中的数据)。在另一实例中，系统500可经配置以基于系统或产品约束执行各种操作，例如存储器装置540的易失性或非易失性的配置。举例来说，如果系统500经配置以在非易失性模式中使用存储器装置540或存储器装置540以其他方式不经配置用于非易失性，那么系统500(例如，主机装置510、存储器装置540)可设置将存储器装置540或其操作识别为非易失性的旗标或模式寄存器且相应地执行压印管理技术。在一些实例中，如果压印恢复在加电之后或另外在存储器装置540的操作期间执行，那么数据可能需要被保存，除非系统500提供存储器阵列555的给定子集不需要数据保存的指示。在另一实例中，本文中描述的各种压印恢复技术可基于备份位置是否可用于另一存储器阵列555或辅助存储器装置590中的检测来选择性地启用或配置。举例来说，压印检测限制或阈值可基于此检测的存在或不存在来设置，或各种恢复类
型可基于此检测的存在或不存在来选择。
216.在一些实例中，所描述技术中的一或多者可用于缓解或解决安全漏洞、恶意攻击、或无意的不利存取模式的方面。举例来说，随着存储器装置中的非易失性移动更接近于处理器(例如，根据存储器阶层)，系统架构的配置可能需要考虑存储器装置、及可能引起此类故障(例如，是由于压印还是某其它现象)的机构中的数据保留故障的可能性。在一些实例中，存储器装置540中的压印可与某些漏洞相关联，且因此，主机装置510、存储器装置540、或系统500整体上可经配置以解决此类漏洞或改进对此类漏洞的免疫或稳健性。
217.在一个实例中，存储器装置可对存取模式具有安全或操作漏洞，例如行锤击，其中行锤击可用于存取存储器装置的不同部分。在一些情况中，可开发经压印或以其它方式降级的存储器单元。举例来说，如果主机装置510(例如，主机装置510的cpu)响应于存储器装置540的错误继续进行推测性事件，那么存储器装置540的压印或其它故障或现象可为触发此事件的原因。为了改进稳健性及安全性，系统500可经配置而在存储器装置540(例如，压印检测组件560、压印恢复组件565、存储器控制器550)与主机装置510(例如，压印管理器525、主机装置控制器520)之间具有某水平的交接以缓解此漏洞。在一些实例中，例如本文中描述的压印检测技术可以此方式配置使得此开发被中断。
218.在一个实例中，不可恢复的数据错误(例如，一或多个故障位)可在启动事件、或维护或恢复事件(例如，压印检测事件、压印恢复程序)期间识别。在各个实例中，不可恢复的ecc错误可为有意工程、无意的不利存取模式、或随机故障的结果。举例来说，关于有意开发，不利的行为者可有意地在存储器阵列555的关键位置中压印位、或识别关于数据保留具有经压印偏压方向或其它相对弱点的阵列中的存储器单元，且设计错误以在这些存储器单元上发生(例如，将关键数据写入到已知具有经压印或其它降级能力来存储数据的存储器阵列555的位置)。另外或替代地，可通过有意地将存储器装置540、主机装置510、或系统500断电来产生随机开发以尝试设计保留故障、或轰击经配置用于以辐射进行非易失性操作的存储器装置540。在一些实例中，当主机装置510(例如，主机装置510的cpu)接收到损坏的数据或代码时，主机装置510可能会不可预测地分支。在良性环境下，此分支可简单地导致主机装置510或系统500崩溃。避免此崩溃(例如，为避免不便)可为有益的，但此崩溃可不与其它下游相关联。然而，在不利条件下，分支可表示安全问题。
219.根据本公开的方面，当系统500(例如，存储器装置540、主机装置510)识别错误时，例如不可校正的ecc错误，无论是与压印还是与某其它原因相关，系统500可经配置以继续各种操作及发信号以缓解或解决安全漏洞。
220.根据各个实例，存储器装置540可检测到数据错误(例如，不可校正的错误)或可能会不利地影响存储器装置540的存储特性的存取模式(例如，一或多个读取命令、一或多个写入命令)，例如可弱化存储器阵列555中的存储器单元将写入或以其它方式存储数据的能力的存取模式。此检测可例如在启动操作期间或在(例如，存储器装置540的)系统500的正常操作期间发生。在一些实例中，存储器装置540可检测到可引起主机装置510启动或以其它方式执行预测性分支的存取模式。在一些实例中，存储器装置540可识别压印攻击或识别强制压印，其可与可引起铁电电容器的压印(例如，在feram应用中)、另一类型的电容器的压印(例如，在dram应用中)、材料存储器元件的压印或其它类型的压印的条件相关联。在一些实例中，存储器装置540可确定数据错误超出了在(例如，ecc程序的)存储器装置540处校
正的能力。
221.响应于此检测，存储器装置540可确定停止正常起作用(例如，至少临时)，其可与违反了非易失性的假设或配置相关。在一些实例中，这可包含存储器装置540进入安全模式、进入维护模式、或进入恢复模式、或其某组合。在一些实例中，存储器装置540可对存储器阵列555启动恢复操作，例如压印恢复操作，且在一些实例中，恢复来自系统500的另一部分(例如，来自不同存储器阵列555、来自辅助存储器装置590)的数据。在一些实例中，存储器装置540可确定完全停止操作，或至少直到后续初始化或启动操作(例如，由主机装置510启动)。
222.另外或替代地，存储器装置540可经配置以通过隐式信令或缺少隐式信令、或通过显式信令向主机装置510指示错误。在一些实例中，存储器装置540可锁定或取消激活(例如，存储器控制器550的)存储器装置540的地址解码器或封锁(例如，一或多个存储器阵列555的)存储器装置540的某些地址。在一些实例中，存储器装置540可经配置以传回随机数据(例如，而非所请求数据)，主机装置510可将所述数据解译为错误指示。在一些实例中，存储器装置540可经配置以抑制或禁止对主机装置510的响应(例如，忽略来自主机装置510的命令)，使得存储器装置540可视作至少临时完全封锁(例如，从主机装置510的角度来看)。在一些实例中，存储器装置540可经配置以向主机装置510发送强制执行异常、处理责任以对主机装置510作出响应的消息。在一些实例中，存储器装置540的响应可经配置以有意地在主机装置510处引起故障，例如特意设计的蓝屏事件(例如，而非尝试从会打开安全漏洞或准许恶意存取的错误恢复)。
223.在一些实例中，存储器装置540可经配置以交接或授权控制到(例如，切换到)维护模式的操作，借此避免或禁止存取或允许恶意压印的其它操作。在一些实例中，此交接可伴随着存储器装置540向主机装置510发送消息或其它信令，此可在主机装置510处强制执行异常。在一些实例中，此信令可伴随着存储器装置540向主机装置510指示具有ecc错误的地址。
224.在一些实例中，主机装置510可经配置以辨认存储器装置540的错误，且尝试从另一位置恢复数据，例如另一存储器阵列555或辅助存储器装置590。换句话说，主机装置510可尝试用存储器装置540执行存取操作，且基于检测到存储器装置540的不可恢复的错误(例如，基于响应的特性或缺少来自存储器装置540的响应是隐式的，或基于来自存储器装置540的特定配置的信令、基于存储器装置540处的检测或预测或压印或其它降级是显式的)，主机装置510可尝试至少部分基于辅助存储器装置590恢复数据(例如，备份数据、冗余数据)。在一个实例中，此数据恢复可通过存储器装置540发信号通知此错误的地址、或在存取具有错误的地址时传回ecc错误来促进。在一些实例中，此信令可包含存储器装置540发信号通知故障来代替或取代读取操作的所请求数据。因此，主机装置510可尝试从备份位置提取最初请求的数据。
225.系统500可经配置以根据各种程序从此类条件恢复。举例来说，主机装置510可通过使用地址表来执行恢复，例如转译后备缓冲器(tlb)、高速缓存表、或地址的任何其它逻辑或虚拟映射。使用此表或其它查找资源，主机装置可尝试从替代存储装置检索数据以取代可能受到损坏的数据。在一些实例中，此方法可防止主机装置处的其它故障，例如防止蓝屏事件。在一些实例中，此方法可使主机装置510能从存储器装置540处的ecc错误恢复。在
一些实例中，异常可传递给主机装置处的处理器(例如，cpu)，此可启动新的启动操作，其中主机装置510可经配置以重新尝试使用存储器装置540(例如，针对预配置数量的重新尝试)、或使用辅助存储器装置590。
226.在此恢复的一个实例中，系统500可经配置使得奇偶校验位存储于系统500中的其它地方(例如，与存储器装置540分离)。换句话说，当将数据写入到存储器装置540时，与那些数据相关的奇偶校验位可写入到辅助存储器装置590。在此类实例中，系统500可经配置使得主机装置510可尝试使用多个存储器装置(例如，至少一个辅助存储器装置590)校正存储器装置540处的数据错误，其可包含执行比在存储器装置540处执行或支持的(例如，芯片级或裸片上ecc方案)更复杂的错误校正方案(例如，如在主机装置510处协调)。
227.在一些实例中，此类方案可由存储器装置540的位翻转器支持或扩增，此可改进存储器装置540对某些类型的恶意攻击的稳健性。举例来说，包含经反转写回的位翻转器功能性可固有地增加对恶意压印的稳健性，因为经反转写回本身可禁止或恢复压印的某些方面。然而，所描述技术可阻挠其它恶意攻击、或其中经反转写回不足以禁止或防止压印的攻击。此外，所描述技术有益于未经配置有某些经反转写回技术、或对可被开发的压印或其它存储器降级的其它固有抗拒的系统500或存储器装置540。
228.图6说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的过程流程600的实例。过程流程600的特征可由参考图1到5所描述的存储器装置(例如，参考图1到5描述的存储器装置110、存储器裸片160、存储器裸片200、或存储器装置540)或存储器装置的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165、本地存储器控制器265、存储器控制器550、或压印检测组件560)实施或执行。在一些实例中，所描述技术中的一或多者可卸载到主机装置(例如，由参考图5描述的主机装置510或压印管理器525执行或以其它方式控制)。
229.在一些情况中，当对存储器阵列的存储器单元执行压印检测程序时，由存储器单元存储的逻辑状态从压印检测程序的角度来看可为随机的。举例来说，由存储器单元存储的逻辑状态可为未知的或以其它方式未明确配置以支持压印检测程序。换句话说，在一些情况中，存储器装置可在615对存储器单元执行压印检测程序，其中先前存储的数据与压印检测程序不相关(例如，不论压印检测程序如何、未特定于压印检测程序)。举例来说，对其执行压印检测程序的存储器阵列的存储器单元可能已用于在压印检测程序前(例如，在与压印相关联的条件前)存储应用数据。在此类情况中，存储器装置可使用碰巧在615起始压印检测程序前存储到存储器单元的任何数据作为潜在被压印的数据、或潜在被压印的逻辑状态。在此类情况中，存储器装置可或可不依赖于所存储数据的随机性程度来支持用于615处的压印检测程序中的整个存储器阵列的经评估存储器单元、或其部分的逻辑状态的混合。
230.在其它情况中，在615执行压印检测程序前，存储器装置可在605将强制(例如，已知、预配置)数据写入到将被评估的存储器单元(例如，阵列的子集)，使得在后续压印检测程序的事件中，存储器装置可对这些存储器单元执行压印检测程序且将强制数据视作潜在被压印的逻辑状态。存储器装置可在确定启动压印检测程序之前(例如，在610处的关闭及后续取消激活之前)积极地且根据各种技术写入强制数据。写入强制数据可包含存储器装置将所有存储器单元(例如，进行压印评估的单元的子集)写入到相同逻辑状态(例如，写入“实心”强制数据)、写入到逻辑状态的所期望混合(例如，写入“混合”强制数据、写入已知或预配置比例的不同逻辑状态)、或入写到逻辑状态的已知模式(例如，交替逻辑状态、“棋盘”模式)。
231.作为一个实例，存储器装置可使用一或多个复制字线或页面(例如，可由损耗均衡或其它程序使用的存储器单元、存储器页面、或存储器区段)作为将在605写入强制数据的存储器单元的子集。在一些实例中，存储器控制器可在存储器阵列中的一或多者的存储器单元之间传送数据、或基于损耗均衡程序或算法与辅助存储器装置传送数据。损耗均衡可包含例如将应用数据从存储器阵列内的一个物理位置传送到另一物理位置、或跨存储器阵列或在存储器阵列之间传送应用数据，此可防止存储器阵列的一个存储器单元或子集比另一存储器单元或另一子集更多(例如，更显著)地写入或读取。相较于不经常存取的存储器单元，过度存取可减小过度使用的存储器单元的寿命，且因此损耗均衡可保护存储器装置免受可引起存储器单元过早故障的个别存储器单元的过度使用。
232.在一些情况中，存储器阵列可包含额外(例如，待机)存储器单元、行、或页面，此可支持在存储器阵列内传送或以其它方式移位应用数据。在一些实例中，存储器阵列中的此空间、或应用数据的此移位可为损耗均衡功能性的部分。在一些实例中，此备用存储器单元可称为间隙存储器单元、或可与一或多个间隙字线或间隙页面相关联。因此，由于操作或配置的这些及其它方面，在任何给定时间，存储器阵列的一些存储器单元可能没有主动存储应用数据，或此数据可能对存储器装置或主机装置不重要。
233.在一些情况中，备用存储器单元可为可用的且用于存储可用于后续压印检测程序中的已知或强制数据。随着应用数据的物理位置根据损耗均衡程序移位，用于后续压印检测程序中的已知或强制数据也可移位(例如，移位到没有主动用于应用数据的最新可用的行或页面)。在一些情况中，损耗均衡操作可在字线基础上执行，且与目前未用于应用数据的存储器单元耦合的字线可称为复制字线或移位字线。因而，第一组逻辑状态(例如，在已知或强制模式中)可写入到与损耗均衡操作可用的一或多个复制字线耦合的存储器单元。在存储器装置的激活、或存储器装置的其它触发后，存储器控制器可使用写入到损耗均衡程序可用的存储器阵列的存储器单元(例如，与复制字线耦合的存储器单元)的已知或强制模式的逻辑状态执行压印检测程序。
234.在一些情况中，已知或强制数据可在存储器阵列处连续更新(例如，刷新)。在此类情况中，已知或强制数据可在突发性或未预期的取消激活事件(例如，电力损耗、崩溃)、或其中主机装置或存储器装置可能没有被主动监测或以其它方式操作的其它待机事件的事件中存在于存储器阵列处。在一些情况中，存储器控制器可在存储器阵列处强制执行一组逻辑状态作为一或多个取消激活程序的部分，其可在启动关闭或待机模式时包含。举例来说，当例如主机装置的装置启动取消激活程序时，主机装置控制器520、压印管理器525、存储器控制器550、或压印检测组件560可识别存储器阵列555的一或多个部分以强制执行数据条件，且存储器装置可将强制数据写入到存储器阵列的经识别部分。
235.在一些实例中，存储器装置(例如，压印检测组件560)可记录或以其它方式跟踪强制逻辑状态使得存储器单元的相同子集的后续存取操作(例如，读取操作、写入操作)可与强制逻辑状态进行比较、或以其它方式基于强制逻辑状态(例如，当基于经压印数据条件确定评估数据条件时)。在一些实例中，压印检测组件560或存储器控制器550可写入数据模式
作为强制逻辑逻辑。举例来说，强制数据可包含逻辑0及逻辑1的交替模式，其可称为棋盘模式、全逻辑0或全逻辑1的实心模式、或逻辑0及逻辑1的各种其它组合或分布。在一些实例中，强制执行已知数据条件可包含读取及记录已经写入到存储器单元的子集的一组逻辑状态。在这方面，经写入或经存储数据的记录可用作强制或已知逻辑状态。
236.在一些情况中，存储器装置或主机装置可响应于存储器装置的取消激活及重新激活来执行压印检测程序。举例来说，在610，存储器装置可被取消激活(例如，作为与存储器装置相关联的装置的掉电程序的部分、作为进入待机模式的部分)。在取消激活时，存储器装置可暴露到各种环境条件(例如，提高的温度)，此可与存储器装置的存储器单元是否被压印相关。无论是由于不利环境条件还是其它，在一些情况中，压印可在存储器装置被取消激活或处于待机状态中时发生。在取消激活状态或待机状态中，存储器装置可不跟踪或感测其暴露到的环境条件、或其被取消激活的持续时间。存储器装置随后可在610处激活(例如，在615前)。
237.在激活后，存储器装置或主机装置可不具有可用于确定是否执行压印恢复程序的数据或信息(例如，与在存储器装置被取消激活时的压印概率相关)。在一些情况中，主机装置可启动，或存储器装置可在激活后以其它方式执行(例如，自主地)一或多个评估。举例来说，作为开机自检(post)过程的部分，主机装置可指示存储器装置执行，或存储器装置可以其它方式启动或执行一或多个测试以确定存储器装置是否在一或多个规格(例如，与存储器单元均衡或正规化相关的规格)内起作用，其可包含压印检测程序。
238.在615，存储器装置或主机装置可执行压印检测程序。在一些情况中，存储器装置可基于610处的取消激活及激活、或在如本文中所描述的另一基础上执行压印检测程序。在各个实例中，操作615可跟随存储器装置的激活(例如，由存储器装置的激活触发)，或可基于在存储器装置或主机装置的其它操作期间执行的压印评估触发。在一些实例中，操作615可连续执行直到检测到压印的存在、或基于压印的某其它指示(例如，静态烘烤条件、识别或可引起压印的无意或恶意存取模式)启动。在一些实例中，压印检测程序可包含识别存储器阵列555的存储器单元的子集来执行压印检测过程的一或多个步骤。
239.在一些情况中，用于压印检测程序的存储器单元的子集可基于被写入到强制逻辑状态的存储器的位置。举例来说，单元的子集可基于或对应于在步骤605写入的存储器阵列555的部分。在其中存储器装置先前没有强制执行数据的情况中，存储器装置可在615选择存储器单元的子集来执行压印检测程序。存储器单元的子集可基于一或多个其它配置或激活程序预定义、随机选择、或选择。在一些实例中，经选择用于压印检测程序的存储器单元的子集可包含一或多个存储器阵列555或存储器装置的不同区段。
240.作为压印检测程序的部分，在615，存储器装置可将第一组逻辑状态写入到存储器单元的子集。在一些实例中，第一组逻辑状态可包含已知(例如，预配置、预定义、强制)模式。举例来说，存储器装置可将全逻辑0或逻辑1的实心数据写入到存储器单元的子集。在一些实例中，存储器装置可例如通过读取存储器单元的当前数据状态(例如，使用默认参考电压)及接着将相反状态写入到相应存储器单元而将相反逻辑状态写入到子集的每一存储器单元，此可称为读取-反转-写回程序。在一些实例中，存储器装置可写入逻辑状态的混合作为第一组逻辑状态。这可包含写入一模式，例如交替逻辑1及逻辑0的模式、一组随机逻辑状态、或逻辑状态的任何其它组合。
241.在其中强制数据在疑似压印事件前(例如，在存储器装置的取消激活前、在存储器装置进入待机状态前)写入到存储器阵列的情况中，第一组逻辑状态可基于强制数据。举例来说，如果一组实心逻辑状态(例如，全逻辑0)在取消激活前强制执行，那么存储器装置可写入一组相反的实心逻辑状态(例如，全逻辑1)、相同逻辑状态(例如，全逻辑0)或如本文中所描述的其它逻辑模式。在一些情况中，存储器装置可在取消激活前将数据模式写入到存储器单元的子集。
242.作为压印检测程序的另一部分，存储器装置可对存储器单元(例如，存储器单元)的子集的一或多个部分执行一或多个读取操作。对存储器单元的子集进行的读取操作可产生另一组逻辑状态(例如，第二组逻辑状态)，存储器装置可将另一组逻辑状态与第一组逻辑状态(例如，如在615处写入)进行比较。在一些情况中，存储器装置可对存储器单元的子集执行额外读取或写入操作以获得若干组额外逻辑状态作为压印检测分析的部分。
243.在一些情况中，存储器装置或主机装置可基于使用一或多个不同参考电压读取经评估存储器单元来获得第二组逻辑状态或若干组其它额外逻辑状态。举例来说，存储器装置可经配置有默认或操作参考电压以在读取存储器阵列的逻辑状态时(例如，在正常操作下)使用。默认或操作参考电压可经设置以减小或最小化在读取操作期间、在正常操作期间(例如，当存储器阵列555处于存取模式或正常操作模式中时)发生的读取错误的量。在一些情况中，存储器装置或主机装置可通过使用默认参考电压读取经评估存储器单元来获得第二组逻辑状态。在一些实例中，存储器装置或主机装置可通过使用一或多个偏移参考电压读取经评估存储器单元来获得第二组逻辑状态。在此类情况中，偏移参考电压可与错误或失配的预期数目相关联，如本文中论述(例如，根据存储器单元行为的概率性分布)。
244.存储器装置可基于写入逻辑状态(例如，第一组逻辑状态、前一写入操作的一或多个目标逻辑状态)与读取逻辑状态(例如，第二组逻辑状态)之间的失配或差异确定错误的一或多个数量。在一些情况中，存储器装置或主机装置可比较从每一存储器单元读取的逻辑状态与先前写入到那个存储器单元的逻辑状态的已知、经记录或强制值。如果逻辑状态不同，那么存储器装置或主机装置可确定错误或失配，且如果逻辑状态相同，那么确定没有发生错误或失配。存储器装置或主机装置可对存储器单元的子集的一或多个部分的错误的数目进行计数以确定错误的数量。
245.在620，存储器装置或主机装置可确定是否应执行恢复操作(例如，至少部分基于在615执行的压印检测程序)。在一些实例中(例如，当615处的压印检测程序包含识别错误或失配的数量时)，是否应执行恢复操作的此确定可基于错误或失配的经识别数量，例如比较错误或失配的经识别数量与阈值。举例来说，如果第二组逻辑状态通过使用默认参考电压读取存储器单元来获得，那么阈值可相对较低(例如，基于ecc操作或ecc组件570的能力，处于或接近零错误)。在一些情况中，在第二组逻辑状态通过使用偏移参考电压(例如，高于或低于默认参考电压的参考电压)读取存储器单元来获得的情况下，阈值可相对较高(例如，基于在偏移电压下读取时将发生的错误的预期或概率性数目，如本文中例如关于图7描述)。
246.在一些情况中，存储器装置或主机装置可确定错误的第一数量(例如，来自使用第一阈值电压进行的读取)及错误的第二数量(例如，来自使用第二阈值电压进行的读取)且基于错误的第一及第二数量两者确定是否应执行恢复操作。这可包含确定错误的第一数量
与错误的第二数量之间的梯度参数(例如，差异、线性斜率、非线性回归)，其实例在本文中进一步描述(例如，关于图7)。在一些情况中，存储器装置或主机装置可例如基于确定满足阈值而确定执行恢复操作。阈值可例如与错误的数目、梯度参数、或其它参数相关。
247.在一些实例中，存储器装置可向主机装置指示需要恢复操作，且存储器装置可等待从主机装置接收指令(例如，执行恢复操作的命令、或进入存取或其它操作模式的命令、继续恢复程序的批准)。因此，在一些情况中，主机装置可作出存储器装置是否或何时应响应于来自存储器装置的信令执行修复程序的确定。在其中存储器装置确定不需要修复操作(例如，未满足阈值)的情况中，存储器装置可向主机装置指示其准备好完成启动程序或以其它方式进入存取或其它操作模式(例如，由存储器装置540至少部分基于确定存储器阵列555未压印或未压印到超过阈值而指示存储器装置540可用于存取操作)。
248.在625，存储器装置或主机装置可执行恢复操作，其可包含循环存储器阵列的存储器单元一或多次(例如，根据偏压模式、根据存取操作的模式)。举例来说，存储器装置可对存储器装置的一或多个存储器阵列执行多个存取操作(例如，读取及写入操作)。在一些情况中，写入操作可包括经反转写回操作，其中相应存储器单元被读取(例如，使用默认参考电压)且经确定(例如，经读取)逻辑状态的补充或相反状态被写回到相应存储器单元。在一些实例中，恢复操作620可包含基于分析来自相同存储器阵列、或不同存储器阵列的存储器单元的子集的数据对存储器阵列中的所有或基本上所有存储器单元执行多个写入操作。
249.在一些实例中，存储器装置可确定恢复操作已完成且向主机装置发送一或多个相关指示。在一些情况中，存储器装置可执行循环操作，且接着，向主机装置发送存储器装置可由主机装置启动且使用、或存储器装置可进入存取或其它操作模式的指示。在一些情况中，在完成恢复操作后，存储器装置可执行后续或第二压印检测程序以确定或以其它方式评估修复操作是否成功(例如，以在向主机装置指示可用性或转变到正常操作模式前确认恢复操作成功)。
250.在620确定不执行恢复操作之后或在625处完成恢复操作之后，在630，主机装置的存储器装置可进入操作模式(例如，正常操作模式、存取模式)。在各个实例中，这可包含复原存取模式或正常操作模式、或完成启动过程。
251.尽管过程流程600的实例说明利用存储器阵列的写入及读取逻辑状态(例如，根据压印存在的直接检测或评估)的压印检测，但过程流程600的其它实例可利用其它压印检测技术，或可代替地基于关于存储器单元压印的预测或推断作出关于恢复操作(例如，在620处)的决策，例如检测或识别可与存储器单元压印或其它存储器单元的故障不对称相关或以其它方式伴随有存储器单元压印或其它存储器单元的故障不对称的条件(例如，高温、不活动持续时间、可引起压印或其它偏斜、不对称、或其它不利存储器单元特性的检测或无意或恶意存取操作或模式)。
252.图7说明根据如本文中所公开的实例的可支持用于存储器系统的压印管理的压印检测条件的曲线图700。曲线图700可说明目标逻辑状态(例如，写入逻辑状态、尝试写入的逻辑状态、预期逻辑状态)与检测到的逻辑状态(例如，读取逻辑状态)之间的失配的数量，其依据用于检测经存储逻辑状态(例如，通过感测组件250，经由参考线255)的参考电压而变化。所说明压印检测条件中的一或多者可由如参考图1到5所描述的存储器装置(例如，参考图1到5描述的存储器装置110、存储器裸片160、存储器裸片200、或存储器装置540)或存
储器装置的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165、本地存储器控制器265、存储器控制器550、或压印检测组件560)实施或执行作为压印检测程序的部分。
253.在曲线图700的实例中，未经压印特性740可说明当在没有压印的情况下(例如，当存储器单元205的代表性群体经均衡或正规化时)以不同参考电压读取存储器单元205的代表性群体时的失配的预期数目。举例来说，失配的预期数目可与由读取操作引起的读取电压与相应参考电压的随机或概率性关系相关。根据曲线图700的所说明实例，高于(例如，参考线255的)参考电压的(例如，数字线215的)读取信号可指示逻辑1，且低于参考电压的读取信号可指示逻辑0。在中间电压区中(例如，在默认参考电压附近)，针对给定参考电压的失配的预期数目可为零。在一些实例中，失配的预期数目可在对应于读取窗的参考电压的整个范围内为零。随着参考电压增加或减小到超过此中间区，预期失配或错误可根据概率性或随机关系沿着斜率增加。
254.在曲线图700的实例中，经压印特性750可说明在当存储器单元205的代表性群体已压印有一或多个逻辑状态时以不同参考电压读取存储器单元的相同代表性群体时失配的数目。与未经压印特性740相比，经压印特性750可具有与多个或混合逻辑状态的压印相关的扭结斜率。举例来说，在中心区的任一侧上(例如，在默认参考电压702周围)，扭结的一个侧可与压印于一种逻辑状态中的存储器单元的行为相关，且扭结的另一侧可与压印于另一不同逻辑状态中的存储器单元的行为相关。在一些实例中，可利用此扭结行为作为压印检测操作的部分。
255.在其它实例中，存储器单元的代表性群体可经压印有单个逻辑状态(未展示)，且经压印特性750可具有与未经压印特性740相同或类似的斜率，但经压印特性750可沿着参考电压轴移位。在此类实例中，可利用特性的移位作为压印检测操作的部分(例如，基于检测到或识别相对于默认参考电压702的不对称、基于检测到比在默认参考电压702的一个侧而非另一侧上预期的更高的失配)。
256.在一些实例中，压印检测程序可包含以一或多个参考电压(例如，默认参考电压702、一或多个偏移参考电压705)读取存储器单元的子集及确定使用相应参考电压读取的逻辑状态与先前写入的逻辑状态或目标逻辑状态之间的失配(例如，错误、差异)的数目，如本文中描述。曲线图700说明用于读取逻辑状态的不同参考电压702及705、在以相应参考电压702或705读取时的失配715(例如，根据概率性或随机关系预期的正规化或均衡存储器阵列555的故障、错误或差异)的预期数目、与在以相应参考电压702或705读取时经压印存储器阵列555的实例的失配720(例如，故障、错误、或差异)的经测量数目之间的实例关系。
257.默认参考电压702可为用于存储器装置的默认或操作参考电压。可预期使用默认参考电压702进行读取操作不会产生错误(例如，其中失配715-a的预期数目等于零)、统计上微不足道的错误数目、或小于在存储器阵列的存储器单元适当地起作用时(例如，当在均衡或正规化存储器阵列555中没有发生压印时)可通过ecc操作校正的错误数目。在一些情况中，默认参考电压702可为存储器装置在正常操作程序(例如与应用数据相关联的数据存取)期间执行存取操作时使用的参考电压。在一些实例中，尽管默认参考电压702可在存储器装置处是固定的，但在其它实例中，默认参考电压702(例如，用于正常操作、用于默认操作)可在操作存储器装置的整个过程中出于与压印不相关的原因而在存储器装置处调整
(例如，作为自适应参考电压、作为可配置参考电压，以补偿可适用于正规化或均衡操作的存储器装置或存储器单元行为中的变化)。
258.作为压印检测程序的部分，存储器装置可使用可小于默认参考电压702(例如，偏移参考电压705-b或705-c)或大于默认参考电压702(例如，偏移参考电压705-d或705-e)的一或多个偏移参考电压705读取存储器单元。在一些情况中，作为压印检测程序的部分，如以不同偏移参考电压705检测到的失配720的经测量数目可偏离可与压印于不同逻辑状态中的存储器单元相关联的失配715的预期数目。
259.在一些情况中，存储器装置可确定存储于将被评估以使用高于或低于默认参考电压702的偏移参考电压705进行压印的存储器单元处的逻辑状态，且可比较偏移参考电压705处的失配的经测量数量与偏移参考电压处的失配715的预期数量作为压印评估的部分。举例来说，偏移参考电压705-b可与在读取正常操作的存储器单元(例如，未压印、未降级、均衡、正规化)时失配715-b的预期数目相关联，偏移参考电压705-b可与在读取正常操作的存储器单元时失配715-b的预期数目相关联，偏移参考电压705-b可与在读取正常操作的存储器单元时失配715-b的预期数目相关联，且偏移参考电压705-b可与在读取正常操作的存储器单元时失配715-b的预期数目相关联。
260.在一些情况中，存储器装置可使用偏移参考电压705-b读取存储器单元的子集作为压印检测程序的部分。存储器装置可确定来自使用偏移参考电压705-b读取存储器单元的子集的失配720-b的经测量数目，且如果存储器单元的至少一部分已被压印，那么失配720-b的经测量数目可大于或等于失配715-b的预期数目。在一些情况中，使用偏移参考电压705-b读取存储器单元的子集可指示或测量写入到逻辑0状态(例如，目标逻辑状态)的单元是否压印于逻辑1状态中。举例来说，如果压印检测程序正测量希望存储逻辑0状态但压印于逻辑1状态中的存储器单元，那么失配720-b的经测量数目可大于失配715-b的预期数目。
261.在一些情况中，存储器装置可使用偏移参考电压705-c读取存储器单元的子集作为压印检测程序的部分。存储器装置可确定来自使用偏移参考电压705-c读取存储器单元的子集的失配720-c的经测量数目，且如果存储器单元的至少一部分已被压印，那么失配720-c的经测量数目可小于或等于失配715-c的预期数目。在一些情况中，使用偏移参考电压705-c读取存储器单元的子集可指示或测量写入到逻辑0状态(例如，目标逻辑状态)的单元是否也压印于逻辑0状态中。举例来说，如果压印检测程序正测量希望存储逻辑0状态、也压印于逻辑0状态中的存储器单元，那么失配720-c的经测量数目可小于失配715-c的预期数目。
262.在一些情况中，存储器装置可使用偏移参考电压705-d读取存储器单元的子集。存储器装置可确定来自使用偏移参考电压705-d读取存储器单元的子集的失配720-d的经测量数目，且如果存储器单元的至少一部分已被压印，那么失配720-d的经测量数目可大于或等于失配715-d的预期数目。在一些情况中，使用偏移参考电压705-d读取存储器单元的子集可指示或测量写入到逻辑1状态(例如，目标逻辑状态)的单元是否压印于逻辑0状态中。举例来说，如果压印检测程序正测量希望存储逻辑1状态但压印于逻辑0状态中的存储器单元，那么失配720-d的经测量数目可大于失配715-d的预期数目。
263.在一些情况中，存储器装置可使用偏移参考电压705-e读取存储器单元的子集作
为压印检测程序的部分。存储器装置可确定来自使用偏移参考电压705-e读取存储器单元的子集的失配720-e的经测量数目，且如果存储器单元的至少一部分已被压印，那么失配720-e的经测量数目可小于或等于失配715-e的预期数目。在一些情况中，使用偏移参考电压705-e读取存储器单元的子集可指示或测量写入到逻辑1状态(例如，目标逻辑状态)的单元是否也压印于逻辑1状态中。举例来说，如果压印检测程序正测量希望存储逻辑1状态、也压印于逻辑1状态中的存储器单元，那么失配720-e的经测量数目可小于失配715-e的预期数目。
264.在一些情况中，基于希望存储逻辑状态的可压印于相同逻辑状态或不同逻辑状态中的存储器单元检测存储器阵列中的压印的能力可取决于经压印存储器单元的初始分布(例如，压印于逻辑0状态中的存储器单元的数量或比例及压印于逻辑1状态中的存储器单元的数量或比例)、写入到存储器单元的子集的一组逻辑状态(例如，一组经压印逻辑状态、第一组逻辑状态)、经压印存储器单元的数量、或其组合。因此，为了支持压印评估的各个实例，存储器装置可经配置以根据默认参考电压702、一或多个偏移参考电压705、或其各种组合读取存储器单元，其中此类条件可由主机装置的存储器装置预配置、或选择或指示。
265.图8a说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的压印评估过程800-a的实例。压印评估过程800-a的操作可由如参考图1到5所描述的存储器装置(例如，参考图1到5描述的存储器装置110、存储器裸片160、存储器裸片200、或存储器装置540)或存储器装置的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165、本地存储器控制器265、存储器控制器550、或压印检测组件560)实施或执行。在一些实例中，所描述技术中的一或多者可卸载到主机装置(例如，由参考图5描述的主机装置510或压印管理器525执行或以其它方式控制)。换句话说，系统(例如，系统500)可经配置以根据存储器装置与主机装置之间的操作的各种分布执行压印评估过程800-a。压印评估过程800-a的操作可包含参考图1到7描述的一或多种技术。在一些实例中，压印评估过程800-a可经配置以评估存储器阵列的一或多个存储器单元是否已经历从未经压印磁滞曲线430到经压印磁滞曲线440的移位、或可由存储器单元压印引起的磁滞或电荷迁移率性质的任何其它变化。
266.压印评估过程800-a说明可不同地组合以支持压印检测程序的多个可能实施方案的操作的实例，其中用于执行程序的存储器单元的逻辑状态在程序开始时是未知的(例如，在程序开始前不强制执行)。举例来说，在取消激活事件、待机事件、或以其它方式触发的压印检测程序或评估模式前，压印检测电路(例如，压印检测组件560、压印管理器525)或控制器(例如，存储器控制器550、主机装置控制器520)可能尚未写入到存储器阵列或从存储器阵列读取以稍后用于压印检测程序中。在一些实例中，压印检测程序可作为启动序列的部分执行，且存储器装置可能尚未存储关于哪些逻辑状态存储在相应存储器单元处的记录。在一些实例中，存储器装置在取消激活之后可能尚未执行读取操作来确定存储器单元的逻辑状态。压印检测程序可基于各种准则(例如存储器装置或主机装置通电、存储器装置或主机装置初始化、存储器装置或主机装置从休眠或待机状态唤醒)、基于操作准则(例如(例如，如由ecc组件或算法校正的)错误的数量或速率超过或以其它方式满足阈值，或进入诊断模式或维护模式)、及其它准则触发或启动。
267.在805，存储器装置或主机装置可识别存储器单元的一或多个子集以执行压印检
测程序，其可存储非强制逻辑状态(例如，未知逻辑状态、可未特定于压印检测操作的逻辑状态、可或可不被压印的一组逻辑状态)。存储器单元的(若干)子集可包含存储器单元的部分，例如存储器阵列555的部分，可横跨多于一个阵列，可分布遍及一或多个存储器阵列555的不同部分、或其组合。存储器单元的子集可由存储器装置或主机装置在启动压印检测程序后确定或可专用于(例如，经预配置以用于)执行压印检测程序。
268.在810，存储器装置或主机装置可将一组逻辑状态(例如，第一组逻辑状态)写入到存储器阵列的存储器单元的子集。写入到存储器单元的子集的逻辑状态可称为一组压印评估逻辑状态、写入评估逻辑状态、或更一般来说，压印评估数据。压印评估过程800-a说明写入一组逻辑状态以支持压印检测评估的三个实例，其中一或多者可由存储器装置或主机装置基于各种准则(例如，存储器装置或主机装置的配置、存储器装置或主机装置的预配置、由主机装置对存储器装置的选择及命令、主机装置或存储器装置的操作条件、数据类型、可经压印的逻辑状态的分布、及其它)选择或执行。
269.作为第一实例，在810-a，存储器装置或主机装置可将一组实心(例如，相同、相等、同样)逻辑状态写入到存储器单元的所有子集。在一些情况中，这可包含写入每一单元以表示逻辑0。在其它情况中，存储器装置或主机装置可写入每一单元以表示逻辑1。在各个实例中，存储器装置或主机装置可在读取或确定或没有读取或确定写入到每一单元的当前(例如，经压印、潜在被压印)逻辑状态的情况下写入一组实心逻辑状态。
270.作为第二实例，在810-b，存储器装置或主机装置可将一组相反逻辑状态写入到存储器单元的子集。在一些实例中，写入一组相反逻辑状态可包含针对每一单元执行读取-反转-写回程序。举例来说，针对存储器单元的子集中的每一者，存储器装置或主机装置可读取相应存储器单元的当前逻辑状态(例如，使用默认参考电压702)、反转那个逻辑状态(例如，确定读取逻辑状态的相反或补充状态)、及将经反转或相反逻辑状态写回到相应存储器单元。在一些实例中，此类技术可假设或依赖于在810-b处存储于相应存储器单元810-b中的一定量的电荷或其它特性，其将指示潜在被压印的逻辑状态。
271.作为第三实例，在810-c，存储器装置或主机装置可将一组混合数据写入到存储器单元的子集。在一些情况中，写入一组混合数据可包含写入一模式(例如，棋盘模式、交替逻辑状态)、写入随机数据、写入多个逻辑状态的分布或比例、将相同逻辑状态(例如，所读取逻辑状态、未反转逻辑状态，基于使用默认参考电压702读取存储器单元的子集)、或其它逻辑状态读取及写回到存储器阵列的子集。
272.在一些实例中，存储器装置或主机装置可记录或跟踪哪些逻辑状态写入到相应存储器单元。存储器装置或主机装置可记录或跟踪第一组逻辑状态以在稍后点在压印检测程序中进行比较(例如，在评估操作期间)。
273.在一些情况中，一或多个存储器阵列的不同部分可用于执行压印评估过程800-a的不同部分(例如，子操作)。举例来说，存储器装置或主机装置可将第一组逻辑状态的第一部分写入到存储器单元的子集的第一部分且将第一组逻辑状态的第二(例如，剩余)部分写入到存储器单元的子集的第二部分。在一些实例中，存储器装置或主机装置可将相同模式或一组逻辑状态写入到存储器单元的子集的多个部分。举例来说，存储器单元的子集可含有多组重复的逻辑状态。在这方面，存储器装置或主机装置可使用写入到阵列的不同部分的若干组不同的逻辑状态来执行后续读取操作的不同部分(例如，在815)。
274.在815，存储器装置或主机装置可读取存储器单元的子集，其可包含读取在步骤810写入(例如，测试数据、评估数据)或尝试写入到存储器单元的子集的逻辑状态，以获得第二组逻辑状态。在一些情况中，存储器装置或主机装置可在810写入一组完整的测试数据，且接着，在815对存储器单元的子集执行读取操作。在一些情况中，存储器装置或主机装置可在写入测试数据与读取测试数据之间(例如，在810的写入与815的读取之间)等待经定义或预定持续时间或延迟。
275.存储器装置或主机装置可使用例如默认参考电压702或一或多个偏移参考电压705的一或多个参考电压读取测试数据(例如，读取子集的存储器单元)一或多次。在一些情况中，用于读取写入到存储器单元的子集的测试数据的参考电压可取决于用于评估压印是否已发生或存储器装置是否应执行恢复程序的分析方法(例如，至少部分基于分析方法选择或确定)。
276.在820，存储器装置或主机装置可至少部分基于在815读取或确定的测试数据执行压印评估方法(例如，以确定是否执行压印恢复)。压印评估过程800-a说明执行压印检测评估的三个实例，其中一或多者可基于各种准则(例如，存储器装置或主机装置的配置、存储器装置或主机装置的预配置、由主机装置对存储器装置的选择及命令、主机装置或存储器装置的操作条件、数据类型、可压印的逻辑状态的分布、及其它)选择及执行。
277.在820-a，存储器装置或主机装置可执行第一分析方法(例如，方法1)，其可包含以两个偏移参考电压读取存储器单元的子集。举例来说，存储器装置或主机装置可评估或比较使用第一偏移参考电压705获得的数据(例如，失配720或错误的经测量数量)与使用第二偏移参考电压705获得的数据(例如，失配720或错误的经测量数量)。在一些情况中，第一及第二偏移参考电压705两者都可低于、或两者都可高于默认参考电压702。举例来说，存储器装置或主机装置可通过使用低于默认参考电压702(例如，偏移参考电压705-b)的第一偏移参考电压705读取存储器单元的子集获得第二组逻辑状态。存储器装置或主机装置可通过使用也低于默认参考电压(例如，偏移参考电压705-c)的第二偏移参考电压705读取存储器单元的子集获得第三组逻辑状态。
278.在一些情况中，第一及第二偏移参考电压705两者可小于默认参考电压702，且第二偏移参考电压705(例如，偏移参考电压705-c)可小于第一偏移参考电压705(例如，偏移参考电压705-b、比第一偏移参考电压705更远离默认参考电压702的偏移参考电压705)。存储器装置或主机装置可通过在通过使用第二偏移参考电压705进行读取来获得第三组逻辑状态之前使用第一偏移参考电压705进行读取来获得第二组逻辑状态。在这些情况中，存储器装置或主机装置可能不需要将第一组逻辑状态重写到存储器单元的子集，因为由于以第二偏移参考电压705进行读取的失配715的预期数量可大于由于以第一偏移参考电压705进行读取的失配715的预期数量、或因为施加第一偏移参考电压705可与比施加第二偏移参考电压705更小的电荷状态或极化状态的变化相关联(例如，第一偏移参考电压与非破坏性读取操作相关联，第一偏移参考电压与可能不会不利地影响使用第二偏移参考电压进行的读取操作的结果的读取操作相关联)。在此类实例中，存储器装置可或可不在以第一偏移参考电压705进行读取与以第二偏移参考电压705进行读取之间执行重写操作。
279.在一些情况中，存储器装置或主机装置可在以第一偏移参考电压705进行读取前以第二偏移参考电压705(例如，相比于第一偏移参考电压与默认参考电压702的差异更大
的偏移参考电压705)进行读取。在这些情况中，存储器装置在使用第二偏移参考电压705进行读取之后且在使用第一偏移参考电压705进行读取前可或可不将第一组逻辑状态重写到存储器单元的子集(例如，取决于由存储器单元的子集存储的逻辑状态是否可通过以第二偏移参考电压705进行读取来干扰)。举例来说，如果使用第二偏移参考电压705进行读取可由于以更远离默认参考电压702的偏移参考电压705进行读取而引入更大数目个失配或错误、或如果使用第二偏移参考电压705进行读取与存储器单元的电荷状态或极化状态的变化相关联(例如，当以第二偏移参考电压705进行读取与存储器单元中的一或多者的极化的减小相关联时、当以第二偏移参考电压进行的读取可影响以第一偏移参考电压进行读取的结果时)，那么存储器装置可重写第一组逻辑状态。在一些实例中，存储器单元的不同子集可用于以不同偏移参考电压705进行的读取(例如，存储器单元的第一子集以第一偏移参考电压705进行读取、存储器单元的第二子集用于以第二偏移参考电压705进行读取，其中第一与第二子集不同或不重叠)，此可克服与以不同参考电压读取相同存储器单元相关的任何问题。
280.在一些情况中，第一及第二偏移参考电压705两者可大于默认参考电压702，且第二偏移参考电压705(例如，偏移参考电压705-e)可大于第一偏移参考电压705(例如，偏移参考电压705-d、比第一偏移参考电压705更远离默认参考电压702的偏移参考电压705)。存储器装置或主机装置可通过在通过使用第二偏移参考电压705进行读取来获得第三组逻辑状态之前使用第一偏移参考电压705进行读取来获得第二组逻辑状态。在这些情况中，存储器装置或主机装置可能不需要将第一组逻辑状态重写到存储器单元的子集，这是因为由于以第二偏移参考电压705进行读取的失配715的预期数量可大于由于以第一偏移参考电压705进行读取的失配715的预期数量、或因为施加第一偏移参考电压705可与比施加第二偏移参考电压705更小的电荷状态或极化状态的变化相关联(例如，第一偏移参考电压与非破坏性读取操作相关联，第一偏移参考电压与可能不会不利地影响使用第二偏移参考电压进行的读取操作的结果的读取操作相关联)。在此类实例中，存储器装置可或可不在以第一偏移参考电压705进行读取与以第二偏移参考电压705进行读取之间执行重写操作。
281.在一些情况中，存储器装置或主机装置可在以第一偏移参考电压705进行读取前以第二偏移参考电压705(例如，相比于第一偏移参考电压与默认参考电压702的差异更大的偏移参考电压705)进行读取。在这些情况中，存储器装置在使用第二偏移参考电压705进行读取之后且在使用第一偏移参考电压705进行读取前可或可不将第一组逻辑状态重写到存储器单元的子集(例如，取决于由存储器单元的子集存储的逻辑状态是否可通过以第二偏移参考电压705进行读取来干扰)。举例来说，如果使用第二偏移参考电压705进行读取可由于以更远离默认参考电压702的偏移参考电压705进行读取而引入更大数目个失配或错误、或如果使用第二偏移参考电压705进行读取与存储器单元的电荷状态或极化状态的变化相关联(例如，当以第二偏移参考电压705进行读取与存储器单元中的一或多者的极化的减小相关联时、当以第二偏移参考电压进行的读取可影响以第一偏移参考电压进行读取的结果时)，那么存储器装置可重写第一组逻辑状态。在一些实例中，存储器单元的不同子集可用于以不同偏移参考电压705进行的读取(例如，存储器单元的第一子集以第一偏移参考电压705进行读取、存储器单元的第二子集用于以第二偏移参考电压705进行读取，其中第一与第二子集不同或不重叠)，此可克服与以不同参考电压读取相同存储器单元相关的任
何问题。
282.存储器装置或主机装置可通过比较第二组逻辑状态与第一组逻辑状态来确定失配或错误的第一数量(例如，失配720的第一经测量数目)。举例来说，失配或错误可在815处从存储器单元读取的逻辑状态不匹配在810处写入到那个存储器单元的逻辑状态(例如，预期写入逻辑状态、目标逻辑状态)时进行计数。这个失配可指示存储器单元被压印(例如，在写入操作810前，经历从未经压印磁滞曲线430到经压印磁滞曲线的变化)，且响应于写入操作810，无法改变到写入逻辑状态或改变或翻转回到经压印逻辑状态。类似地，存储器装置或主机装置可通过比较第三组逻辑状态与第一组逻辑状态(例如，如在810处写入或如在确定第二组逻辑状态之后重写)来确定失配或错误的第二数量(例如，失配720的第二经测量数目)。
283.在一些情况中，存储器装置或主机装置可确定失配或错误的第一数量与失配或错误的第二数量之间的差异(例如，失配720的第一经测量数目与失配720的第二预期数目之间的差异)，且比较这个经确定或经测量差异与和以第一及第二偏移参考电压705进行读取相关联的失配或错误之间的预期差异(例如，失配715的对应第一预期数目与失配715的对应第二预期数目之间的差异)。举例来说，存储器装置或主机装置可存储或以其它方式识别与以第一偏移参考电压705进行读取相关联的失配或错误的第一预期数目(例如，失配715-b的预期数目或失配715-d的预期数目)及与以第二偏移参考电压705进行读取相关联的失配或错误的第二预期数据(例如，失配715-c的预期数目或失配715-e的预期数目)。因而，存储器装置或主机装置可基于比较失配或错误的第一预期数目与失配或错误的第二预期数目来确定预期差异(例如，失配715-c的预期数目与失配715-b的预期数目之间的差异、失配715-e的预期数目与失配715-d的预期数目之间的差异)。
284.存储器装置或主机装置可基于比较两个偏移参考电压705的经测量条件的差异与两个偏移参考电压705的预期条件的差异来确定执行恢复操作。如果经测量差异偏离(例如，高于或低于)预期差异达经定义量或以其它方式满足阈值，那么压印恢复操作将启动或执行。在一个实例中，如果失配720-c的经测量数目与失配720-b的经测量数目之间的差异小于失配715-c的预期数目与失配715-b的预期数目之间的差异、或低于失配715-c的预期数目与失配715-b的预期数目之间的差异达某阈值量，那么将执行压印恢复操作。
285.在一些情况中，存储器装置或主机装置可基于失配或错误的第一数量与失配或错误的第二数量(例如，失配720的第一经测量数目与失配720的第二经测量数目之间的斜率)来确定经测量梯度(例如，斜率或其它梯度，无论是线性的还是非线性的，例如非线性回归)，且比较这个经确定或经测量梯度与和以第一及第二偏移参考电压705进行读取相关联的失配或错误之间的预期梯度(例如，失配715的对应第一预期数目与失配715的对应第二预期数目之间的斜率)。
286.举例来说，存储器装置或主机装置可存储或以其它方式识别两个偏移参考电压705处的失配或错误之间的预期梯度(例如，分别在偏移参考电压705-c及705-b处的失配715-c及715-b的预期数目之间的斜率)，且存储器装置或主机装置可基于比较两个偏移参考电压705处的失配或错误之间的经测量梯度(例如，分别在偏移参考电压705-c及705-b处的失配720-c及720-b的经测量数目之间的斜率)与预期梯度来确定是否执行恢复操作。在一个实例中，如果失配720-c的经测量数目与失配720-b的经测量数目之间的斜率比失配
715-c的预期数目与失配715-b的预期数目之间的斜率更浅、或比失配715-c的预期数目与失配715-b的预期数目之间的斜率浅某阈值量，那么将执行压印恢复操作。在一些实例中，此类技术可在启动序列期间是有益的，因为斜率或梯度可为可能压印特性提供有利的可观测性，且存储器装置可在掉电或以其它方式保持存储器阵列中的逻辑状态或电荷状态时对压印特别敏感。
287.在另一实例中，失配715的预期数目可基于失配720的经测量数目及预期斜率来计算或以其它方式确定(例如，动态地)。此类技术可说明从一组经测量失配进行外插以基于已知斜率及经评估参考电压之间的已知差异识别失配的预期数目，其中失配的另一经测量可与计算得到的预期值进行比较。如果失配的第二经测量数目与失配715的经外插预期数目相差某阈值量(例如，16x)，那么可启动恢复操作。此技术的计算密集度可不如直接斜率计算或比较，且可在斜率被充分理解或特性化时是有益的，此可支持硬编码或以其它方式配置压印检测的各个方面。
288.在820-b，存储器装置或主机装置可执行第二分析方法(例如，方法2)，其可包含使用默认或操作参考电压(例如，默认参考电压702)读取存储器单元的子集。存储器装置或主机装置可比较以默认参考电压进行读取而获得的数据(例如，失配720-a的经测量数目)与阈值，其中阈值可与错误的预期数目相关(例如，与失配715-a的预期数目相关)。在一些情况中，使用默认参考电压读取存储器单元的子集可能不会导致任何失配错误，或可预期基本上不会产生错误。
289.在这些实例中，存储器装置或主机装置可将阈值设置为零或基本上零失配或错误，且如果满足(例如，满足或超过)这个阈值，那么可确定压印已发生、或将执行恢复操作。在一些实例中，存储器装置或主机装置可基于错误容限设置阈值以使用默认参考电压702执行读取操作。举例来说，如果与默认参考电压702相关的错误容限指定在读取经定义数目个单元时发生的读取错误的容许或预期数目，那么阈值可基于这个容限(例如，高于、低于、等于等)来设置。在这方面，存储器装置或主机装置可在来自使用默认参考电压进行读取的错误的数目超过容限时确定已发生压印。
290.在一些情况中，相关阈值(例如，相关于失配715的预期数目与失配720的经测量数目之间的差异)可基于由存储器装置执行的ecc操作。在这方面，阈值可处于或高于可由存储器单元的子集的ecc操作校正的错误的数目。举例来说，如果ecc操作使用单个错误校正(sec)码字，那么阈值可设置为一个错误。在其它实例，阈值可设置到低于可由存储器单元的子集的ecc操作校正错误的数目的水平。
291.在820-c，存储器装置或主机装置可执行第三分析方法(例如，方法3)，其可包含使用一或多个偏移参考电压705读取存储器单元的子集。存储器装置或主机装置可比较使用一或多个偏移参考电压705获得的数据(例如，失配720的经测量数目)与和使用相同一或多个偏移参考电压705进行读取相关联的失配715的预期数目。在一些情况中，存储器装置或主机装置可通过使用第一参考电压(例如，偏移参考电压705中的一者)进行读取来获得第二组逻辑状态且确定第二组逻辑状态与第一组逻辑状态之间的错误或失配的数量(例如，失配720的经测量数目)。存储器装置或主机装置可比较失配720的经测量数目与失配715的预期数目(例如，针对相应偏移参考电压705)，且基于比较确定压印是否已发生、或是否执行恢复操作。举例来说，如果针对经评估偏移参考电压705中的一或多者失配720的经测量
数目比失配715的对应预期数目大或小经定义因子或阈值量，那么存储器装置可确定压印已发生或确定执行恢复程序。
292.在一些情况中，存储器装置或主机装置仅可确定单个偏移参考电压705处的失配720的经测量数目。举例来说，在启动压印检测程序前(例如，在810前)存储器单元的子集含有逻辑状态的随机或混合分布时、或在写入第一组逻辑状态(例如，在810)包含将数据的随机或混合分布写入到存储器单元的子集时，确定单个偏移参考电压705处的错误可发生(例如，由存储器装置或主机装置选择)。
293.在一些情况中(例如，当以多个偏移参考电压705执行压印评估时)，存储器装置或主机装置可使用第二偏移参考电压705确定失配720的第二经测量数目，其可使用与用于确定失配720的第一经测量数目不同的存储器单元子集、或相同的存储器单元子集(例如，当在以不同偏移参考电压705进行评估之间执行例如压印评估重写的重写操作时)。举例来说，存储器装置或主机装置可将第三组逻辑状态写入到存储器阵列的存储器单元的第二子集且通过使用第二偏移参考电压705读取第三组逻辑状态来获得第四组逻辑状态。这可包含使用小于默认参考电压702的一个偏移参考电压705及大于默认参考电压702的一个偏移参考电压705。举例来说，第一偏移参考电压705可小于默认参考电压702(例如，偏移参考电压705-b或偏移参考电压705-c)，且第二偏移参考电压705可大于默认参考电压702(例如，偏移参考电压705-d或偏移参考电压705-e)。因而，失配720的第一经测量数目可通过使用第一偏移参考电压705读取存储器单元的第一子集来获得，且失配720的第二经测量数目可通过使用第二偏移参考电压705读取存储器单元的第二子集来获得。
294.存储器装置或主机装置可基于比较失配720的第一经测量数目与失配715的第一预期数目、基于比较失配720的第二测量数目与失配715的第二预期数目、或其组合来确定压印是否已发生、或是否执行恢复操作。举例来说，如果失配720的第一或第二经测量数目比失配715的对应预期数目大或小经定义因子，那么存储器装置或主机或装置可确定压印已发生、或执行或触发恢复程序。
295.图8b说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的压印评估过程800-b的实例。压印评估过程800-b可实施或执行参考图8a的压印评估过程800-a描述的一或多个特征。压印评估过程800-b的特征可由如参考图1到5所描述的存储器装置(例如，参考图1到5描述的存储器装置110、存储器裸片160、存储器裸片200、或存储器装置540)或存储器装置的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165、本地存储器控制器265、存储器控制器550、或压印检测组件560)实施或执行。在一些实例中，所描述技术中的一或多者可卸载到主机装置(例如，由参考图5描述的主机装置510或压印管理器525执行或以其它方式控制)。换句话说，系统(例如，系统500)可经配置以根据存储器装置与主机装置之间的操作的各种分布执行压印评估过程800-b。压印评估过程800-b的特征可包含参考图1到8a描述的一或多种技术。在一些实例中，压印评估过程800-b可经配置以评估存储器阵列的一或多个存储器单元是否已经历从未经压印磁滞曲线430到经压印磁滞曲线440的移位、或可由存储器单元压印引起的磁滞或电荷迁移率性质的任何其它变化。
296.压印评估过程800-b说明可不同地组合以支持压印检测程序的多个可能实施方案的操作的实例，其中用于执行程序的存储器单元的逻辑状态在程序开始时是已知的(例如，
在程序开始前强制执行或以其它方式配置)。举例来说，在取消激活事件、待机事件、或以其它方式触发的压印检测程序或评估模式前，压印检测电路(例如，压印检测组件560、压印管理器525)或控制器(例如，存储器控制器550、主机装置控制器520)可能对存储器阵列写入或强制执行数据以稍后用于压印检测程序中，如本文中描述。压印检测程序可基于各种准则(例如存储器装置或主机装置通电、存储器装置或主机装置初始化、存储器装置或主机装置从休眠或待机状态唤醒)、基于操作准则(例如(例如，如由ecc组件或算法校正的)错误的数量或速率超过或以其它方式满足阈值、或进入诊断模式或维护模式)、及其它准则触发或启动。
297.在850，存储器装置或主机装置可识别存储器单元的一或多个子集以执行压印检测程序，其可存储强制或以其它方式已知的逻辑状态(例如，可能已经或可能尚未经压印的一组逻辑状态)。存储器单元的(若干)子集可包含存储器单元的部分(例如阵列的部分)，可横跨多于一个阵列，可分布遍及一或多个阵列的不同部分、或其组合。存储器单元的子集可能已存储由存储器装置在启动压印检测程序前强制执行的逻辑状态。举例来说，为了支持压印检测程序，存储器装置或主机装置可能已将一组经记录或跟踪的逻辑状态写入到存储器单元的子集(例如，在取消激活前、或以其它方式在启动压印检测程序前)，如本文中描述。因此，在实例800-b中，存储器装置可具有可能已经压印或可能尚未经压印的已知数据背景，此可促进包含本文中描述的压印检测的某些方面。
298.在一个实例中，损耗均衡可在进行中基础上在存储器装置上操作，此可用于强制执行已知数据模式。举例来说，在变成打开或可用的每一间隙行或页面中，损耗均衡操作可包含或以其它方式实现将棋盘逻辑模式写入到间隙行或页面。存储器装置可保持跟踪哪些行或页面已经以棋盘模式写入，且因此，间隙行或页面可经选择以在理解间隙行或页面已经以棋盘模式写入的情况下进行压印评估。在其它实例中，可用行或页面可以固态数据模式、或数据状态的其它模式或比例写入。在其它实例中，已知数据模式可在存储器阵列的专用部分中强制执行，此可随着时间重写或反转以避免存储器阵列的专用部分的非代表性压印或其它条件。
299.在855，存储器装置或主机装置可将一组逻辑状态(例如，第一组逻辑状态)写入到存储器阵列的存储器单元的子集。写入到存储器单元的子集的逻辑状态可称为一组压印评估逻辑状态、写入评估逻辑状态、或更一般来说，压印评估数据。压印评估过程800-b说明写入一组逻辑状态以支持压印检测评估的三个实例，其中一或多者可由存储器装置或主机装置基于各种准则(例如，存储器装置或主机装置的配置、存储器装置或主机装置的预配置、由主机装置对存储器装置的选择及命令、存储器装置或主机装置的操作条件、数据类型、可经压印的逻辑状态的分布、及其它)选择及执行。
300.作为第一实例，在855-a，存储器装置可将一组相反实心逻辑状态写入到存储器单元的子集。如果存储器装置或主机装置在取消激活前将第一组实心或相同逻辑状态写入到存储器单元的子集，那么可能发生这种情况。举例来说，如果一组全逻辑0在取消激活前被写入到存储器单元的子集，那么在855-a，存储器装置或主机装置可将全逻辑1写入到存储器单元的相同子集。在各个实例中，855-a的写入可包含或可不包含读取存储器单元的子集的初始状态，因为存储器单元的子集可能已保持于强制数据模式中。
301.作为第二实例，在855-b，存储器装置或主机装置可将一组相同实心逻辑状态写入
到存储器单元的子集。如果存储器装置或主机装置在取消激活前将第一组实心或相同逻辑状态写入到存储器单元的子集，那么可能发生这种情况。举例来说，如果一组全逻辑0在取消激活前被写入到存储器单元的子集，那么在855-a，存储器装置可将全逻辑0重写到存储器单元的相同子集。在一些情况中，因为存储器单元在可被压印的相同逻辑状态中评估，所以使用这种方法可与在识别比预期更少的失配后启动或触发恢复操作相关联。
302.作为第三实例，在855-c，存储器装置或主机装置可将一组经定义(例如，混合)数据写入到存储器单元的子集。在一些情况中，写入一组混合数据可包含写入一模式(例如，棋盘模式、交替逻辑状态)、写入随机数据、写入多个逻辑状态的分布或比例、将相同逻辑状态(例如，所读取逻辑状态、未反转逻辑状态，基于使用默认参考电压702读取存储器单元的子集)、或其它逻辑状态读取及写回到存储器阵列的子集。
303.作为第四实例，在855-d，存储器装置或主机装置可将一组实心逻辑状态写入到存储器单元的子集。在一些情况中，这可包含写入每一单元以表示逻辑0。在其它情况中，存储器装置或主机装置可写入每一单元以表示逻辑1。存储器装置或主机装置可在没有读取或确定写入到每一单元的当前逻辑状态的情况下写入一组实心逻辑状态。
304.在一些实例中，存储器装置或主机装置可记录或跟踪哪些逻辑状态被写入到相应存储器单元。存储器装置或主机装置可记录或跟踪第一组逻辑状态以在稍后点在压印检测程序中进行比较(例如，在评估操作期间)。
305.在一些情况中，一或多个存储器阵列的不同部分可用于执行压印评估过程800-b的不同部分(例如，子操作)。举例来说，存储器装置或主机装置可将第一组逻辑状态的第一部分写入到存储器单元的子集的第一部分且将第一组逻辑状态的第二(例如，剩余)部分写入到存储器单元的子集的第二部分。在一些实例中，存储器装置或主机装置可将相同模式或一组逻辑状态写入到存储器单元的子集的多个部分。举例来说，存储器单元的子集可含有多组重复的逻辑状态。在这方面，存储器装置或主机装置可使用写入到阵列的不同部分的若干组不同的逻辑状态来执行后续读取操作的不同部分(例如，在815)。
306.在860，存储器装置或主机装置可读取存储器单元的子集，其可包含读取在步骤850写入(例如，测试数据、评估数据)或尝试写入到存储器单元的子集的逻辑状态，以获得第二组逻辑状态。在一些情况中，存储器装置或主机装置可在850写入一组完整的测试数据，且接着，在860对存储器单元的子集执行读取操作。在一些情况中，存储器装置或主机装置可等待写入测试数据与读取测试数据之间(例如，在855的写入与860的读取之间)经定义或预定持续时间或延迟。
307.存储器装置或主机装置可使用例如默认参考电压702或一或多个偏移参考电压705的一或多个参考电压读取测试数据(例如，读取子集的存储器单元)一或多次。在一些情况中，用于读取写入到存储器单元的子集的测试数据的参考电压可取决于用于评估压印是否已发生或存储器装置是否应执行恢复程序的分析方法(例如，至少部分基于分析方法选择或确定)。
308.在865，存储器装置或主机装置可至少部分基于在860处读取或确定的测试数据执行压印评估方法(例如，以确定是否执行压印恢复)。压印评估过程800-b说明执行压印检测评估(例如，方法1、方法2、及方法3，其可包含与参考图8a的压印评估过程800-a描述的类似的技术)的三个实例，其中一或多者可基于各种准则(例如，存储器装置或主机装置的配置、
存储器装置或主机装置的预配置、由主机装置对存储器装置的选择及命令、主机装置或存储器装置的操作条件、数据类型、可经压印的逻辑状态的分布、及其它)选择及执行。举例来说，步骤865-a可包含如参考步骤820-a所描述的一或多种技术，步骤865-b可包含如参考步骤820-b所描述的一或多种技术，且步骤865-c可包含如参考步骤820-c所描述的一或多种技术。如本文中描述，与方法1、方法2或方法3中的任何者相关联的任何功能可与描述为与任何其它方法相关联的任何其它功能重新组合。
309.[0310][0311]
表1-阵列压印及压印评估案例
[0312]
表1说明由用于经压印数据条件、经压印数据分布、评估数据条件、参考压印评估过程800-a及800-b描述的评估方法的选项的组合预期的案例，其中任一者可由存储器装置处的操作、主机装置处的操作、或存储器装置两者处的协调操作支持。所描述案例中的每一者可具有各种优点或其它考虑来在存储器系统中实施压印管理。
[0313]
关于针对经压印数据条件描述的实例，在一些案例中，强制数据可支持相对改进的压印检测，因为压印的已知或以其它方式假设的条件可支持对潜在地压印的条件的有利见解。然而，非强制数据条件(例如，随机数据、未明确配置用于压印管理的数据)可相对较快或更节能，因为系统可能无需执行强制写入操作。在一些实例中，强制数据条件可在受限情况中应用(例如，在存储器装置关闭或空闲期间)，此可缓解与强制数据模式相关联的减慢或电力消耗。此外，在一些情况中，非强制数据条件可为足够随机的以支持对压印条件的合适可观测性。举例来说，针对页面数目n，与实心数据模式的“最差情况”条件的差异可等于1/2n。当数据条件与使用(32x8)个页面进行的损耗均衡操作相关时，超过70％的数据处于相同状态中的概率是大约1/257、或几乎是零。因此，在具有256个页面的一些案例中，无论实际写入什么，假设随机数据可是合理的。因此，尽管所描述技术可支持实心非强制经压印数据条件，但此类条件可能是不太可能的。
[0314]
关于所描述的经压印数据分布的实例，混合数据分布可在其中压印现象针对不同逻辑状态可能相对不均匀的条件下或在压印检测方法依赖于默认参考电压的两个侧上的不同偏移参考电压705时支持相对更大的可观测性(例如，根据评估方法3的实例)。在一些实例中，实心数据可在压印现象或流行相对偏向一种逻辑状态时、或在评估方法不依赖于默认参考电压的两个侧上的不同偏移参考电压705时提供优点(例如，根据评估方法1、2或3的实例)。在一些情况中，评估方法2或3可在实心经压印数据分布、或相反状态或相同状态评估数据分布下比评估方法1更合适，因为实心经压印数据分布可不与扭结特性740相关联，且因此可不与压印后可检测到的斜率变化相关联(例如，可不支持方法1的检测)。
[0315]
关于所描述的评估数据条件的实例，在一些情况中，实心评估数据模式可取决于所使用的评估方法支持对实心及混合经压印数据分布的相对更大或更深可观测性。在一些情况中，匹配实心经压印数据模式与相反实心评估模式可为有利的，例如当执行评估方法3的单侧式配置时。在一些情况中，混合评估数据模式可在针对多个状态的压印评估时是优选的，且混合数据可经预配置或选择性地配置为相同状态、不同状态、或非强制的(例如，随机)。在一些案例中，经压印逻辑状态在不强制执行时(例如，在压印本身引起经存储逻辑状
态丢失时)可是未知的，在此情况中，可优选的是，当依赖于相反状态评估数据条件时应用强制数据条件。
[0316]
关于所描述的评估方法的实例，通过执行与斜率或梯度相关的各种评估(例如，在不同参考电压下的条件之间)，评估方法1可对压印特性提供相对较强的可观测性(例如，如关于扭结经压印特性740)，其可支持区分存储器单元压印与其它故障或现象之间。此类方法可由相对复杂的曲线拟合、或经测量斜率与预期斜率或至少部分基于失配的经测量数目识别的失配的预期数目与预期斜率之间的芯片级评估(例如，对不同参考电压)支持。
[0317]
在一些实例中，如果两个逻辑状态对压印具有类似敏感度、或如果期望相对稳健的计算，那么评估方法1可经配置以在默认参考电压702的两个侧上进行斜率或梯度计算。在一些实例中，如果一个逻辑状态对压印比另一逻辑状态更敏感、或如果单个斜率或梯度计算提供合适可观测性，那么评估方法1可经配置以在默认参考电压702的一个侧上进行斜率或梯度计算。在一些情况中，评估方法3可经预配置以用单个斜率或梯度计算执行，或可基于压印数据选择性地用单个斜率或梯度计算执行(例如，当仅读取默认参考电压702的一个侧将指示压印是否已发生时、当仅预期经压印逻辑状态或评估逻辑状态的一个条件时)。
[0318]
在一个实例中，评估方法2可与低于ecc校正下限的失配阈值(例如，低于ecc算法的故障校正能力或在所述故障校正能力内的阈值)一起使用，且系统可经配置以准许失配的某非零水平或速率或准许在启动压印恢复操作之前进行ecc校正。尽管此技术可对与压印相关的特定故障模式具有相对较低可见性或可观测性(例如，由于评估方法2可不分辨硬故障与压印故障之间)，但此技术可相对较快且相对有效。在一些案例中，方法2可具有不可测量的结果或以其它方式缺少敏感性，但恢复操作可在使用评估方法2时检测到任何失配后触发。换句话说，使用评估方法2可关于压印(例如，潜在地比必要情况下更频繁地触发或启动压印恢复)是相对保守的。
[0319]
在一些实例中，评估方法3可与将参考电压电平裕度微调(margining)到其中预期非零数量的失配的点相关联。在一些实例中，评估方法3的计算可类似于评估方法2的计算，但偏移参考电压705的使用可对压印提供比如在评估方法2中般默认参考电压的使用更佳的可见性或可观测性。在一些情况中，如果存储器装置540在其操作内降级，那么可因此预期失配的预期数目增加，其可能没有与压印明确相关。因此，在操作寿命中的后期，可预期执行评估方法3关于压印具有假正(例如，由于磨损而错误地检测到读取窗倒塌缩)，此可比必要情况更频繁地触发或启动压印恢复。然而，在一些实例中，评估方法3的各种阈值可随时间调整(例如，基于检测到或监测到的年限或损耗)。
[0320]
在一些实例中，评估方法3可经配置有以两种不同偏移参考电压进行的读取操作，且如果任一条件下的失配超过硬编码限制，那么压印恢复可启动、继续。然而，不同于评估方法1，评估方法3可省略斜率计算，当与评估方法1比较时，此可支持特定硬件或计算效率。在一些情况中，不对称的比率、或其它指示。在一些实例中，如果两个逻辑状态对压印具有类似敏感性，那么评估方法3可用两个偏移参考电压来配置，或如果一个逻辑状态对压印比另一逻辑状态更敏感，那么用一个偏移参考电压来配置。在一些情况中，评估方法3可经预配置以用单个偏移参考电压705执行，或可基于压印数据选择性地用单个偏移参考电压705执行(例如，当仅读取默认参考电压702的一个侧将指示压印是否已发生时、当仅预期经压印逻辑状态或评估逻辑状态的一个条件时)。
[0321]
在一些实例中，可优选的是，执行评估方法3或配置一系统以用无论是强制的还是概率性(例如，非强制的)的混合经压印数据分布执行评估方法3。当经压印数据条件是非强制的时，评估方法1或2可在使用实心评估数据条件时是有利的(例如，根据案例10或11)，或方法3可在使用混合评估数据条件时是有利的(例如，根据案例18)。当经压印数据条件是强制的时，可有利的是在相反状态评估数据条件下使用评估方法1或3(例如，根据案例31或33)。然而，这些仅是说明性实例，且所描述案例中的任何者可用于支持本文中描述的压印管理技术。在一些情况中，各种选择或配置可基于经评估子集中的存储器单元的数量、子集的数量、数据处于此状态中的概率(例如，当是非强制或概率性的时)。
[0322]
在所描述技术的一些实例中，压印评估过程800-a或压印评估过程800-b的选项可至少部分基于先前步骤的结果来选择或识别。举例来说，如果存储器装置540具有针对压印的已知最差数据状态，那么存储器装置540可经配置以写入强制实心压印数据模式、且对写入于相反实心状态中的评估数据状态执行评估方法3。在其它情况中，更保守的方法可为优选的，其可包含例如对混合评估数据条件执行评估方法3。
[0323]
图9说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的单元偏压900的实例。单元偏压900-a到900-j中的每一者可包含一或多个脉冲905，其可经配置或经启动以促进或鼓励单元均衡或正规化、或以其它方式解决关于存储不同逻辑状态的不对称。在一些实例中，单元偏压900可经配置以使铁电存储器单元返回到未经压印磁滞曲线430，如参考图4a及4b描述。然而，所描述技术可应用到经历压印或其它降级的其它单元，其可与或可不与存储器单元的磁滞性质或电荷迁移率相关。举例来说，在一些情况中，单元偏压900可经施加以使存储器单元被编程有不同原子配置、被编程有不同程度的结晶度、被编程有不同原子分布、或被编程有与不同逻辑状态相关联的某其它特性的能力均衡或正规化。在各个实例中，单元偏压900的一或多个循环可包含于如本文中所描述的修复操作或程序的恢复中。
[0324]
脉冲905中的每一者可与读取操作(例如，其中脉冲905表示读取偏压或响应于压印评估触发或启动的读取操作的偏压)、或写入操作(例如，其中脉冲905表示写入偏压或响应于压印评估触发或启动的写入操作的偏压)、或刷新操作(例如，其中脉冲905表示刷新偏压或响应于压印评估触发或启动的刷新操作的偏压)、或某其它存取操作相关联。在一些实例中，脉冲905可为不一定是存取操作的部分的修复或恢复操作的专用脉冲。在所描述的单元偏压900的实例中，正电压v可与逻辑0相关联(例如，可具有与将逻辑0写入到存储器单元相同的极性)，尽管应理解，逻辑状态与极性之间的关联或对应性可改变(例如，根据位翻转配置、根据存储器管理配置、根据逻辑状态映射配置)。举例来说，正电压v可对应于正v
cap
，如参考图3a、3b、4a及4b描述，其中正电压315可与写入逻辑0相关联。在一些实例中，施加正电压通常可与缓解或减少具有逻辑1(例如，经压印逻辑1)的存储器单元的压印相关联。换句话说，当确定增加存储器单元在逻辑1与逻辑0之间切换、或从逻辑1切换到逻辑0的能力时，修复或恢复操作可包含施加具有与逻辑0相关联的极性的至少一电压或电压脉冲905(例如，正电压v)。如参考单元偏压900-a到900-j描述，电压脉冲905可经配置有各种持续时间、各种振幅、各种极性、或相同或不同持续时间、振幅、或极性的各种组合，以支持各种压印管理技术。
[0325]
在一些实例中，单元偏压900可施加到存储器阵列的标准可寻址子集(例如，一个
页面)，或单元偏压900可施加到包括通常可能无法由用户存取(例如，根据成组、或并行恢复操作)的多个可寻址子集的存储器阵列的更大子集。换句话说，单元偏压可不限于用户一次可寻址的内容。确切来说，所描述单元偏压900可一次施加到任何数目个行或页面(例如，一次两个页面、一次十个页面、一次1000个页面)，其可支持通过存储器阵列工作的恢复操作比在单元偏压900一次施加到单个页面情况下更快。
[0326]
单元偏压900-a到900-d说明根据如本文中所描述的实例的单极单元偏压900的实例。单极单元偏压900可指代在特定持续时间内将单个极性的一或多个脉冲905施加到存储器单元的各个实例。如本文中描述，单极单元偏压900可经施加作为单个脉冲905、或多于一个脉冲905(例如，脉冲串)。在各个实例中，总偏压时间、偏压电平(例如，振幅)、脉冲905的总数、或脉冲905之间的持续时间可为可配置或可选择的。在一些实例中，如果所期望恢复是在特定方向(例如，从一种逻辑状态到另一逻辑状态的已知方向)上进行，那么可选择或施加单极单元偏压900。因此，单元偏压900-a到900-d(例如，具有正极性)中的任一者或多者可施加到其压印条件(例如，方向)是已知的特定存储器单元。在一些实例中，类似于单元偏压900-a到900-d中的任何者但具有负极性的单元偏压900可施加到具有不同压印方向的存储器单元，例如压印有逻辑0的存储器单元。
[0327]
在单极单元偏压900的第一实例中，单元偏压900-a可包含单个脉冲905-a-1。在单极单元偏压900的第二实例中，单元偏压900-b可包含多个脉冲(例如，脉冲905-b-1及脉冲905-b-2)，其各自可具有相同持续时间及振幅。尽管单极单元偏压900-b说明具有两个脉冲905的实例，但根据本公开的单极单元偏压900可包含任何数目个脉冲905，包含多于两个脉冲。在单极单元偏压900的第三实例中，单元偏压900-c可包含各自具有不同持续时间的多个脉冲(例如，脉冲905-c-1及脉冲905-c-2)。尽管单极单元偏压900-c说明具有越来越短的持续时间的脉冲905的实例，但根据本公开的单极单元偏压900可包含具有越来越长的持续时间或随其它模式改变的持续时间的脉冲905。在单极单元偏压900的第四实例中，单元偏压900-d可包含各自具有不同持续时间的多个脉冲(例如，脉冲905-d-1及脉冲905-d-2)。尽管单极单元偏压900-d说明具有越来越小的振幅的脉冲905的实例，但根据本公开的单极单元偏压900可包含具有越来越大的振幅或随其它模式改变的振幅的脉冲905。此外，尽管说明单元偏压900-d在脉冲905-d-1与905-d-2之间具有间隙(例如，零偏压持续时间或区)，但在一些实例中，单极单元偏压900可在没有此间隙的情况下执行(例如，根据增加或减小的阶梯偏压)。在单元偏压900的其它实例中，连续脉冲905两者可具有不同持续时间及不同振幅，且此单元偏压可包含多于两个脉冲905。
[0328]
施加单极单元偏压900以进行压印恢复可在一些情况中是有利的。举例来说，单极单元偏压900可与相对低电力消耗相关联，因为电压可能不会摆动得太远或越过零或接地电压。在一些实例中，如果(例如，正常读取操作的、压印检测或评估的)初始读取电压在寿命即将结束时偏压，那么单极单元偏压900可为有益的，在此情况中可期望关于一种逻辑状态更积极地恢复(例如，如果此逻辑状态用较小读取裕度修整)。
[0329]
单元偏压900-e及900-f说明根据如本文中所描述的实例的对称双极单元偏压900的实例。双极单元偏压900可指代在特定持续时间内将一或多个脉冲905各自以不同极性施加到存储器单元的各个实例。举例来说，第一脉冲905可以第一极性施加，且第二脉冲905可以第二(例如，相反)极性施加。在各个实例中，总偏压时间、偏压电平(例如，振幅)、脉冲905
的总数、或脉冲905之间的持续时间可为可配置或可选择的。在对称双极单元偏压900的实例中，针对每一极性中的脉冲905，可同等地或另外以相同方式施加此类配置。因此，可在先前不了解压印方向性的情况下将单元偏压900-e或900-f中的任一者或多者施加到存储器单元。
[0330]
在对称双极单元偏压900的第一实例中，单元偏压900-e可包含多个脉冲(例如，脉冲905-e-1及脉冲905-e-2)，其各自可具有相同持续时间及振幅、及其间的间隙周期。在对称双极单元偏压900的第二实例中，单元偏压900-f可包含多个脉冲(例如，脉冲905-f-1及脉冲905-f-2)，其各自可具有相同持续时间及振幅，且其间没有间隙周期。尽管单元偏压900-e及900-f说明根据单对脉冲905的对称双极单元偏压，但对称单元偏压900的其它实例可包含多于一对脉冲905，在其间可具有或可不具有间隙周期。此外，若干对连续脉冲905可具有不同(例如，减小、增加、交替)振幅、不同(例如，较短、较长、交替)持续时间、及其它不同特性。
[0331]
施加对称双极单元偏压900以进行压印恢复可在一些情况中是有利的。举例来说，对称双极单元偏压900可与比单极单元偏压900更有效(例如，由于电荷状态切换、由于循环效应)的压印恢复相关联。此外，对称双极单元偏压900可不取决于或依赖于已知或预测压印方向性，或可另外在没有指定恢复方向时是合适的。
[0332]
单元偏压900-g及900-j说明根据如本文中所描述的实例的不对称双极单元偏压的实例。不对称单极单元偏压900可指代将一或多个脉冲905各自以不同极性施加到存储器单元的各个实例，其中不同极性的脉冲905具有不同特性。举例来说，第一脉冲905可以第一极性施加，且第二脉冲905可以第二(例如，相反)极性且以不同振幅、不同持续时间、不同重复、或其各种组合施加。
[0333]
在不对称双极单元偏压900的第一实例中，单元偏压900-g可包含多个脉冲(例如，脉冲905-g-1及脉冲905-g-2)，其中相反极性的脉冲以不同持续时间施加。尽管不对称双极单元偏压900-g说明针对具有正极性(例如，用于支持恢复逻辑1的压印)的脉冲905具有较长持续时间或不同工作循环的脉冲905的实例，但根据本公开的不对称单元偏压900可包含针对具有负极性(例如，用于支持恢复逻辑0的压印)的脉冲905具有较长持续时间或不同工作循环、或具有随其它模式改变或以其它模式施加的持续时间的脉冲905。此外，若干对连续脉冲905可具有不同(例如，减小、增加、交替)振幅、不同(例如，较短、较长、交替)持续时间、及其它不同特性，其可包含或省略脉冲905或若干对脉冲905之间的间隙周期。
[0334]
在不对称双极单元偏压900的第二实例中，单元偏压900-h可包含多个脉冲(例如，脉冲905-h-1及脉冲905-h-2)，其中相反极性的脉冲以不同振幅施加。尽管不对称双极单元偏压900-h说明针对具有正极性(例如，用于支持恢复逻辑1的压印)的脉冲905具有较大振幅的脉冲905的实例，但根据本公开的不对称单元偏压900可包含针对具有负极性(例如，用于支持恢复逻辑0的压印)的脉冲905具有较大振幅的脉冲905。此外，若干对连续脉冲905可具有不同(例如，减小、增加、交替)振幅、不同(例如，较短、较长、交替)持续时间、及其它不同特性，其可包含或省略脉冲905或若干对脉冲905之间的间隙周期。
[0335]
在不对称双极单元偏压900的第三实例中，单元偏压900-i可包含多个脉冲(例如，脉冲905-i-1、脉冲905-i-2及脉冲905-i-3)，其中相反极性的脉冲根据不同数量、及交替极性施加。尽管不对称双极单元偏压900-i说明具有具正极性(例如，用于支持恢复逻辑1的压
印)的较大数量的脉冲905的实例，但根据本公开的不对称单元偏压900可包含具有具负极性(例如，用于支持恢复逻辑0的压印)的较大数量的脉冲905的脉冲905。此外，尽管脉冲905-i被说明为具有相同持续时间及振幅，但连续脉冲905或脉冲905的子集(例如，三个脉冲905-i-1到905-i-3的子集、或不同数量的子集)可具有不同(例如，减小、增加、交替)振幅、不同(例如，较短、较长、交替)持续时间及其它不同特性，其可包含或省略脉冲905或若干对脉冲905之间的间隙周期。
[0336]
在不对称双极单元偏压900的第四实例中，单元偏压900-j可包含多个脉冲(例如，脉冲905-j-1、脉冲905-j-2、及脉冲905-j-3)，其中相反极性的脉冲根据不同数量施加，且具有相同极性的一或多个顺序脉冲905的子集(例如，对应于具有正极性的脉冲905-j-1及905-j-2的第一子集、及对应于具有负极性的脉冲905-j-3的第二子集)。尽管不对称双极单元偏压900-j说明具有具正极性(例如，用于支持恢复逻辑1的压印)的较大数量的脉冲905的实例，但根据本公开的不对称单元偏压900可包含具有负极性(例如，用于支持恢复逻辑0的压印)的较大数量的脉冲905。此外，尽管脉冲905-j被说明为具有相同持续时间及振幅，但连续脉冲905或脉冲905的子集(例如，三个脉冲905-h-1到905-h-3的子集、或不同数量的子集)可具有不同(例如，减小、增加、交替)振幅、不同(例如，较短、较长、交替)持续时间及其它不同特性，其可包含或省略脉冲905或若干对脉冲905之间的间隙周期。
[0337]
尽管脉冲905被说明为电压的步阶变化，但在其它实例中，不同偏压轮廓可用于支持脉冲905的施加作为恢复或修复操作的部分。举例来说，脉冲905可在电压斜升、电压斜降、电压逐步增加、电压逐步减小、电压对数增加、电压对数减小、或其它轮廓或轮廓的组合的情况下施加。在一些实例中，此类轮廓可从脉冲串中的一个脉冲905改变到另一脉冲905，且此类轮廓可不对称地施加以支持不同恢复技术。
[0338]
在一些实例中，要执行多少个循环、或要执行哪种循环的确定可基于各种条件或特性配置或选择。
[0339]
关于循环恢复选项，执行恢复事件的阵列空间的大小可影响在恢复期间施加的应力。如果恢复整个阵列，例如，以相对较长持续时间及相对较高振幅以及相对较高并行度施加相对少量循环(例如，相对许多页面同时恢复或在重叠持续时间期间恢复)可有益于减小电力或电流汲取。如果恢复阵列的相对较小子集，例如，以相对较短持续时间及中等到高振幅施加相对大量循环可有益于尽快恢复单元。在各个实例中，可作出维持数据(例如，及在恢复期间将数据移动到不同位置)、或在恢复期间净化数据的决策。
[0340]
在一些实例中，单元偏压900可在配置对应脉冲905时考虑检测到或预测的严重性。举例来说，针对相对较高严重性的压印，施加更大数量的脉冲905可为优选的。在一个实例中，针对低严重性，可施加相对少量脉冲905(例如，少于1,000个)，针对中等严重性，可施加中等数目的脉冲905(例如，小于10,000个)，且针对高严重性，可施加大量脉冲905(例如，大于10,000个)。另外或替代地，随着检测到的或预测的严重性增加施加更高偏压可为优选的。举例来说，针对相对较低严重性，可施加具有相对较低振幅的脉冲905，且针对相交较高严重性，可施加具有相交较高振幅的脉冲905。
[0341]
另外或替代地，在一些实例中，单元偏压900可在配置对应脉冲905时考虑检测到的年限或损耗。举例来说，单元偏压可取决于年限按比例缩放脉冲905的数量，例如随着年限施加更大数目个脉冲905。在一个实例中，在早期寿命期间，可施加1/10的默认数目个目
标循环或脉冲905，且在后期寿命期间，可施加10倍的默认数目个目标循环或脉冲905。另外或替代地，随着年限增加施加较高偏压可为优选的，此可对应于在早期寿命条件期间减少存储器单元的疲劳或耗尽。举例来说，针对早期寿命，脉冲905的振幅可相对减小，针对中期寿命，脉冲905的振幅可为标准或以其它方式维持的偏压，且针对后期寿命，脉冲905的振幅可相对增加。
[0342]
另外或替代地，在一些实例中，单元偏压900可在配置对应脉冲905时考虑检测到的(例如，主机装置的、存储器装置的)温度。举例来说，当恢复偏压在高温下相对改进时(例如，由于电荷迁移率或原子分布迁移率增加)，在相对低温下，可施加更大数目(例如，10倍的默认数目)个脉冲905，且在相对高温下，可施加更少数目(例如，1/10的默认数目)个脉冲905。另外或替代地，在相对低温下，可施加更大振幅的脉冲905，且在相对高温下，可施加较低或默认振幅的脉冲905。
[0343]
另外或替代地，在一些实例中，单元偏压900可在配置对应脉冲905时考虑用于执行恢复的可用时间。举例来说，假设所执行循环的数目小于目标循环的数目，那么系统可经配置以在可用时间期间施加尽可能多的脉冲905。在另一实例中，如果存在有限量的时间可用于恢复，那么系统可经配置以施加较高偏压以减少恢复时间。
[0344]
另外或替代地，在一些实例中，单元偏压900可在配置对应脉冲905时考虑可用电力或其它电力条件。在一些实例中，系统可经配置以在可用电力量内按比例缩放循环的数目以及并行度及速度。在一个实例中，当系统或主机装置插上电源时，压印恢复可经配置以执行尽可能多的循环且尽可能块地执行(例如，如由电源规格允许)。在另一实例中，当系统或主机装置是电池供电时，恢复操作可按比例缩小(例如，速率缩小到1/10、振幅缩小到1/10、数量缩小到1/10)以节省电池电力。
[0345]
图10说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的信令1000的实例。信令1000可在主机装置与存储器装置之间交换(例如，经由通道)，例如在主机装置接口515与存储器接口545之间的交换，如参考图5描述。尽管信令1000被说明为位序列，但信令1000可作为存储或写入到单个16位寄存器或某其它数目个寄存器的值传递，可或可不经调制(例如，根据pam3、pam4、pam8、及其它pam配置、正交振幅调制(qam)、正交相移键控(qpsk)、及/或其它)，且可经由单个通道或信号路径或信号路径的多个通道传递。举例来说，信令1000可或可不在主机装置与存储器装置之间以相干分组或位流传递。在一些实例中，信令可说明可由主机装置、存储器装置、或两者读取或写入的寄存器或其它值或指示符。另外或替代地，信令1000可说明可经轮询或触发(例如，通过由存储器装置或主机装置中的一者发送的触发信号)以由主机装置或存储器装置读取的寄存器或其它值或指示符。
[0346]
在一些实例中，信令1000可称为恢复旗标编码，且位置中的每一者可表示恢复旗标编码的二进制或以其它方式调制的值。信令1000可经配置用于主机装置与存储器装置之间(例如，压印管理器525与压印检测组件560或压印恢复组件565中的一或多者之间，如参考图5描述)的双向通信，使得主机装置及存储器装置中的每一者具有将值写入到所指示字段中的一或多者的命令权限(例如，使得总的来说，信令1000可经配置用于主机装置与存储器装置之间的双向设置)。在一些实例中，信令1000的部分中的一或多者可硬编码或融合，此可包含在主机装置或存储器装置中的一或多者的制造或初始供电期间的固定配置或设置。
[0347]
在一些实例中，部分1005可称为请求旗标。在一些实例中，部分1005可支持存储器装置传递或指示与压印恢复相关的紧迫感。
[0348]
在一些实例中，部分1010可称为压印状态指示符。在一些实例中，部分1010可支持存储器装置传递或指示压印状态、压印严重性、或两者。
[0349]
在一些实例中，部分1015可称为恢复时间指示符。在一些实例中，部分1015可支持存储器装置传递或指示经估计恢复时间。另外或替代地，部分1015可支持主机装置传递或指示用于恢复操作的可用时间，其可包含主机装置盖写由存储器装置写入(例如，在启用状态期间)的部分1015的值。
[0350]
在一些实例中，部分1020可称为恢复方法指示符。在一些实例中，部分1020可支持存储器装置传递或指示经配置、经确定、或所选择的恢复方法。另外或替代地，部分1020可支持主机装置传递或指示经配置、经确定、或所选择的恢复方法，其可包含主机装置盖写由存储器装置写入(例如，在启用状态期间)的部分1020的值。
[0351]
在一些实例中，部分1025可称为强制启用/停用旗标。在一些实例中，部分1025可支持存储器装置传递或指示与压印恢复相关的紧迫感(例如，作为覆盖)。举例来说，部分1025可用作部分1035的覆盖。
[0352]
在一些实例中，部分1030可称为暂停恢复旗标。在一些实例中，部分1030可支持主机装置暂停压印恢复，例如在相对较高用户需求或其它性能要求期间暂停。
[0353]
在一些实例中，部分1035可称为启用/停用旗标。在一些实例中，部分1035可支持主机装置传递或指示对启用恢复的批准。在一些实例中，主机装置可响应于由存储器装置在部分1005中的恢复指示将批准指示写入到部分1035。在一些实例中，主机装置可基于系统状态或用户需求作出此决策。
[0354]
尽管部分中的每一者被说明且描述为包含某数量的二进制字段，但信令1000的实例仅是用于支持主机装置与存储器装置之间的16位信令的一个实例。在其它实例中，信令可跨16位寄存器、或具有任何其它数量的字段的寄存器不同地分布，其可为二进制的或根据某其它数量的调制方案级来调整。在一些实例中，信令1000的部分中的一或多者可在存储器装置内组合。
[0355]
图11说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的状态图1100的实例。举例来说，状态流程1110可说明存储器装置处的操作管理状态机的方面，且状态流程1150可说明存储器装置或与存储器装置耦合的主机装置、或其某组合处的压印管理状态机的方面。在各个实例中，状态流程1110及状态流程1150可并发操作，或状态流程1110可将(例如，存储器装置的)操作状态移交给状态流程1150。在一些实例中，状态流程1150可视作状态流程1110的部分，例如空闲状态1115内的子状态的说明性流程。在一些实例中，状态流程1110可说明根据各个存储器系统标准(例如，一或多个联合电子设备工程委员会(jedec)标准)的ram状态机的方面。
[0356]
空闲状态1115可说明其中存储器装置没有主动与主机装置交换数据或没有以其它方式对来自主机装置的存取命令作出响应的状态。空闲状态1115可对应于存储器装置的低电力但启用的操作状态(例如，当通电但没有主动操作等待状态时)。举例来说，空闲状态1115可对应于其中没有激活存储器装置的存储体的状态(例如，与可对应于其中激活一或多个存储体的状态的活动状态1120相比)。在一些实例中，状态流程1150可经配置使得每当
过程流程处于空闲状态1115中时，可启用压印检测(例如，与检测状态1160相关)。在一些实例中，状态流程1110可响应于来自主机装置的命令从空闲状态1115转变到活动状态1120，其中此转变可与主机装置与存储器装置之间的激活(act)命令或信号相关联。
[0357]
活动状态1120可对应于“行活动”状态，其可包含存储器装置的部分以通常支持在存储器装置处的存取操作(例如，读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作)的方式启用或偏压，例如启用存储器阵列或施加阵列级偏压(例如，加偏压于存储器阵列的共同板)。在一些实例中，状态流程1110可响应于来自主机装置的例如特定存取命令(例如，读取命令、写入命令、重写命令、刷新命令)或存储器装置的特定部分的其它存取的命令从活动状态1120转变到存取模式状态1125。
[0358]
存取模式状态1125可对应于支持存取存储器装置的特定存储器单元且与存储器装置的特定存储器单元传达信息的“读取”状态、“写入”状态、或其它状态中的任一者或多者。举例来说，在存取模式状态1125中操作时，存储器装置读取特定存储器单元且将数据传递给主机装置可从主机装置接收数据且将数据写入到特定存储器单元、或两者。在一些实例中，存取模式状态可包含单元级或地址级偏压、特定行或列多路复用器的激活、感测放大或锁存、及其它操作。在一些实例中，状态流程1110可在完成存取操作后(例如，在没有显式命令的情况下对一组接收到的或高速缓存的存取命令作出响应后)从存取模式状态1125转变到活动状态1120。
[0359]
预充电状态1130可对应于其中存储器装置的所有存储体经预充电或以其它方式偏压(例如，准备好返回到空闲状态1115)的状态。预充电状态1130可为跟随存取操作的活动状态1120与空闲状态1115之间的过渡状态，其可包含调节或以其它方式使存储器阵列准备好返回到空闲状态1115。在一些实例中，状态流程1110可响应于来自主机装置的命令从活动状态1120转变到预充电状态1130，其中此转变可与主机装置与存储器装置之间的预充电(pre)命令或信号相关联。从预充电状态1130到空闲状态1115的转变可在没有显式命令(例如，来自主机装置)的情况下发生。
[0360]
参考状态流程1150，检测状态1160可指代在其期间可执行压印检测的各个实例的状态。在各个实例中，此检测可为事件驱动的(例如，触发或启动)或以其它方式调度(例如，连续发生、根据经定义周期发生)。当检测到或预测存储器装置的压印时，检测状态1160可在一些实例中设置请求旗标或指示符，且状态流程可继续到标记状态1155。在此类实例中，状态流程1150可基于与主机装置或状态流程1110交换的信令而从标记状态1150转变到恢复状态1165。在一些实例中，此类技术或状态转变可在压印严重性相对较低时、或在需要存储器装置支持特定操作约束(例如，需要信令或与主机装置进行协商来执行恢复)时、或基于其它考虑来应用。
[0361]
在另一实例中，当检测到或预测存储器装置的压印时，检测状态1160可在一些实例中设置强制恢复旗标或指示符，且状态流程可直接继续到恢复状态1165。在一些实例中，此类技术或状态转变可在压印严重性相对较高时、在存储器装置无法支持特定操作(例如，由于不可恢复的错误)时应用，或以其它方式经配置以自主地支持恢复确定及操作。
[0362]
恢复状态1165可指代在其期间可执行压印检测的各个实例的状态，包含整个存储器阵列上的离散恢复事件、或操作期间或通过修改操作(例如，在状态流程1110及状态流程1150并发地操作时)进行的恢复。在一些实例中，在执行恢复操作之后，状态流程1150可从
恢复状态1165转变到检测状态1160以评估或确认恢复，此可称为恢复测试。
[0363]
在一些实例中，空闲状态1115与标记状态1155之间的信令或更一般来说，状态流程1110与状态流程1150之间的信令可包含各种恢复请求、批准或拒绝信令，如本文中描述。举例来说，标记状态1155可向状态流程1110发出恢复请求，在状态流程1110处于空闲状态1115中时可响应于所述恢复请求。空闲状态1115又可向状态流程1150发出批准或拒绝，其可用于保持于标记状态1155中或继续到恢复状态1165。在一些实例中，空闲状态1115与标记状态1155之间的转变可根据此信令启动(例如，当系统操作于状态流程1110或状态流程1150的单个状态中时)。
[0364]
在一些实例中，空闲状态1115与标记状态1155之间的信令或更一般来说，状态流程1110与状态流程1150之间的信令可包含对状态流程1110的操作的各种修改。举例来说，为了支持在操作期间的恢复或通过本文中描述的经修改操作进行的恢复的各个实例，此信令可包含可在状态流程1110的操作期间使用的触发、指示符或参数(例如，修改空闲状态1115、活动状态1120、存取模式状态1125、或预充电状态1130中的任一者或多者的操作或参数)。
[0365]
图12说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的过程流程1200的实例。在一些实例中，过程流程1200可由存储器装置(例如，如参考图5所描述的存储器装置540)执行，其中操作可在存储器装置内执行(例如，在没有信令或没有与主机装置进行其它交互的情况下自主地执行)。在其它实例中，过程流程1200可在包含存储器装置及主机装置的系统(例如，如参考图5所描述的系统500)中执行，且过程流程1200的各个操作可由存储器装置或主机装置执行。
[0366]
在1205，过程流程1200可包含执行压印检测程序。举例来说，在1205，过程流程1200可包含执行参考图5到8描述的压印检测程序中的任一者或多者。在各个实例中，操作1205可包含写入强制或非强制逻辑状态(例如，对应于经压印数据条件)、根据评估数据条件写入存储器阵列的存储器单元的子集、或执行一或多个压印评估方法(例如，如参考图8a或图8b描述)中的一或多者。在各个实例中，操作1205可连续执行，可基于周期性调度触发或启动，或可为事件驱动的(例如，经触发或启动作为存储器装置或系统的加电或启动的部分)。在一些实例中，操作1205可包含参考图6描述的操作605或615的一或多个方面。
[0367]
在1210，过程流程1200可包含确定是否执行压印恢复操作。如果作出要执行压印恢复的确定，那么过程流程1200可继续到1215。如果作出不执行压印恢复的确定，那么过程流程1200可继续到1235。在一些实例中，1210处的确定可基于如本文中所描述的压印评估方法的结果。在一些实例中，操作1210可包含参考图6描述的操作620的一或多个方面。
[0368]
在1215，过程流程1200可包含确定压印的方向。在一些实例中，可在逐单元基础上针对个别存储器单元作出此确定。在一些实例中，总的来说，可针对存储器阵列的存储器单元的子集作出此确定。在各个实例中，1215的确定可包含压印的经预测或概率性方向、基于压印关于逻辑状态的已知敏感性、或基于一或多个存储器单元或存储器单元的代表性群体的压印的测量的预测的方面。
[0369]
在1220，过程流程1200可包含配置恢复参数，其可为至少部分基于1215处确定的压印的方向。举例来说，主机装置或存储器装置可确定是否执行单极单元偏压900或不对称双极单元偏压900，如参考图9描述。在一些实例中，1220的配置可包含确定电压脉冲905的
振幅、电压脉冲905的持续时间、电压脉冲905的循环数量、或其它配置中的一或多者。在一些实例中，1220的配置可至少部分基于检测到的或预测的压印的严重性、检测到的主机装置或存储器装置的温度、检测到的老化或损耗、检测到的电力条件、发信号通知的用于恢复操作的可用持续时间、或其它条件。
[0370]
在1225，过程流程1200可包含执行压印恢复程序。举例来说，在1225，过程流程可包含执行全存储器阵列555上的离散恢复事件、操作期间的恢复操作、或出于压印恢复目的修改对存储器阵列555进行的其它操作，如参考图5描述，其中任何者可至少部分基于用于此类方法的预配置或从一组此类恢复方法进行的选择。在一些实例中，操作1225可包含参考图6描述的操作625的一或多个方面。
[0371]
在1230，过程流程1200可包含确定1225的压印恢复程序是否成功。如果所述确定指示1225的压印恢复程序成功，那么过程流程1200可继续到1235。如果所述确定指示1225的压印恢复程序没有成功，那么过程流程1200可返回到1225(例如，以根据相同配置或参数或经修改配置或参数重复压印恢复程序)。在一些实例中，操作1230可包含1205的压印检测程序的一或多个方面。
[0372]
在1235，过程流程1200可包含进入操作模式，其可包含其中在主机装置与存储器装置之间支持数据交换(例如，根据正常操作或条件、根据存取模式)的正常操作。在一些实例中，操作1235可包含参考图6描述的操作630的一或多个方面。
[0373]
图13说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的过程流程1300的实例。在一些实例中，过程流程1300可由存储器装置(例如，如参考图5所描述的存储器装置540)执行，其中操作可在存储器装置内执行(例如，在没有信令或没有与主机装置进行其它交互的情况下自主地执行)。在其它实例中，过程流程1300可在包含存储器装置及主机装置的系统(例如，如参考图5所描述的系统500)中执行，且过程流程1300的各个操作可由存储器装置或主机装置执行。
[0374]
在1305，过程流程1300可包含执行压印检测程序。举例来说，在1305，过程流程1300可包含执行参考图5到8描述的压印检测程序中的任一者或多者。在各个实例中，操作1305可包含写入强制或非强制逻辑状态(例如，对应于经压印数据条件)、根据评估数据条件写入存储器阵列的存储器单元的子集、或执行一或多个压印评估方法(例如，如参考图8a或图8b描述)中的一或多者。在各个实例中，操作1305可连续执行，可基于周期性调度触发或启动，或可为事件驱动的(例如，经触发或启动作为存储器装置或系统的加电或启动的部分)。在一些实例中，操作1305可包含参考图6描述的操作605或615的一或多个方面。
[0375]
在1310，过程流程1300可包含确定是否执行压印恢复操作。如果作出要执行压印恢复的确定，那么过程流程1300可继续到1315。如果作出不执行压印恢复的确定，那么过程流程1300可继续到1335。在一些实例中，1310处的确定可基于如本文中所描述的压印评估方法的结果。在一些实例中，操作1310可包含参考图6描述的操作620的一或多个方面。
[0376]
在1315，过程流程1300可包含确定恢复操作模式。举例来说，操作1315可包含在执行离散恢复事件、在操作期间执行压印恢复、或通过经修改操作执行压印恢复之间作出选择(例如，由存储器装置、由主机装置)，如参考图5描述。如果作出要执行离散恢复的确定，那么过程流程1300可继续到1320。如果作出在操作期间执行压印恢复的确定，那么过程流程1300可继续到1325。如果作出要执行通过经修改操作进行压印恢复的确定，那么过程流
程可继续到1330。
[0377]
在1320，过程流程1300可包含对存储器阵列执行离散恢复程序(例如，如参考图5描述)。在1320的离散恢复程序后，那么过程流程1300可继续到1335。
[0378]
在1325，过程流程1300可包含在存储器装置的操作期间执行压印恢复(例如，如参考图5描述)。在1325的存储器装置的操作期间进行压印恢复后，过程流程1300可继续到1335。
[0379]
在1330，过程流程1300可包含通过修改存储器装置或存储器装置的存储器阵列的操作来执行压印恢复(例如，如参考图5描述)。在通过1330的经修改操作进行压印恢复后，那么过程流程1300可继续到1335。
[0380]
在1335，过程流程1300可包含进入操作模式，其可包含其中在主机装置与存储器装置之间支持数据交换(例如，根据正常操作或条件、根据存取模式)的正常操作。在一些实例中，操作1335可包含参考图6描述的操作630的一或多个方面。
[0381]
图14说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的过程流程1400的实例。在一些实例中，过程流程1400可在包含存储器装置及主机装置的系统(例如，如参考图5所描述的系统500)中执行，且过程流程1400的各个操作可由存储器装置或主机装置执行。
[0382]
在1405，过程流程1400可包含执行压印检测程序。举例来说，在1405，过程流程1400可包含执行参考图5到8描述的压印检测程序中的任一者或多者。在各个实例中，操作1405可包含写入强制或非强制逻辑状态(例如，对应于经压印数据条件)、根据评估数据条件写入存储器阵列的存储器单元的子集、或执行一或多个压印评估方法(例如，如参考图8a或图8b描述)中的一或多者。在各个实例中，操作1405可连续执行，可基于周期性调度触发或启动，或可为事件驱动的(例如，经触发或启动作为存储器装置或系统的加电或启动的部分)。在一些实例中，操作1405可包含参考图6描述的操作605或615的一或多个方面。
[0383]
在1410，过程流程1400可包含确定是否执行压印恢复操作、或以其它方式确定是否检测到或预测压印。如果作出要执行压印恢复的确定、或如果以其它方式检测到或预测压印，那么过程流程1400可继续到1415。如果作出不执行压印恢复的确定、或如果以其它方式未检测到或预测到压印，那么过程流程1400可继续到1435。在一些实例中，1410处的确定可基于如本文中所描述的压印评估方法的结果。在一些实例中，操作1410可包含参考图6描述的操作620的一或多个方面。
[0384]
在1415，过程流程1400可包含存储器装置向主机装置警示已检测到压印、或需要压印恢复过程。在一些实例中，此警示可根据参考图10描述的信令1000提供。举例来说，1415的警示可包含根据部分1005、1010、1015、1020、或1025中的任一者或多者写入或发信号。
[0385]
在1420，过程流程1400可包含主机装置向存储器装置指示压印恢复被批准、或以其它方式将执行。在一些实例中，此批准可根据参考图10描述的信令1000提供。举例来说，1415的警示可包含根据部分1005、1010、1015、1020、或1025中的任一者或多者写入或发信号。
[0386]
在1425，过程流程1400可包含执行压印恢复程序。举例来说，在1425，过程流程可包含对全存储器阵列555执行离散恢复事件、操作期间的恢复操作、或出于压印恢复目的修
改对存储器阵列555进行的其它操作，如参考图5描述，其中任何者可至少部分基于用于此类方法的预配置或从一组此类恢复方法进行的选择。在一些实例中，操作1425可包含参考图6描述的操作625的一或多个方面。
[0387]
在1430，过程流程1400可包含确定1425的压印恢复程序是否成功。如果所述确定指示1425的压印恢复程序成功，那么过程流程1400可继续到1435。如果所述确定指示1425的压印恢复程序没有成功，那么过程流程1400可返回到1415(例如，以重复向主机装置发出警报指示、等待另一批准、执行另一压印恢复程序)。在一些实例中，操作1430可包含1405的压印检测程序的一或多个方面。
[0388]
在1435，过程流程1400可包含进入操作模式，其可包含其中在主机装置与存储器装置之间支持数据交换(例如，根据正常操作或条件)的正常操作。在一些实例中，操作1435可包含参考图6描述的操作630的一或多个方面。
[0389]
图15说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的过程流程1500的实例。在一些实例中，过程流程1500可由存储器装置(例如，如参考图5所描述的存储器装置540)执行，其中操作可在存储器装置内执行(例如，在没有信令或没有与主机装置进行其它交互的情况下自主地执行)。在其它实例中，过程流程1500可在包含存储器装置及主机装置的系统(例如，如参考图5所描述的系统500)中执行，且过程流程1500的各个操作可由存储器装置或主机装置执行。
[0390]
在1505，过程流程1500可包含执行压印检测程序。举例来说，在1505，过程流程1500可包含执行参考图5到8描述的压印检测程序中的任一者或多者。在各个实例中，操作1505可包含写入强制或非强制逻辑状态(例如，对应于经压印数据条件)、根据评估数据条件写入存储器阵列的存储器单元的子集、或执行一或多个压印评估方法(例如，如参考图8a或图8b描述)中的一或多者。在各个实例中，操作1505可基于周期性调度触发或启动，或可为事件驱动的(例如，经触发或启动作为存储器装置或系统的加电或启动的部分)。在一些实例中，操作1505可包含参考图6描述的操作605或615的一或多个方面。
[0391]
在1510，过程流程1500可包含确定是否执行压印恢复操作、或以其它方式确定是否检测到或预测压印。如果作出要执行压印恢复的确定、或如果以其它方式检测到或预测压印，那么过程流程1500可继续到1515。如果作出不执行压印恢复的确定、或如果以其它方式未检测到或预测到压印，那么过程流程1500可继续到1535。在一些实例中，1510处的确定可基于如本文中所描述的压印评估方法的结果。在一些实例中，操作1510可包含参考图6描述的操作620的一或多个方面。
[0392]
在1515，过程流程1500可包含保存存储于与检测到或预测的压印相关联的存储器装置或存储器阵列的部分处的数据。举例来说，与经压印存储器单元相关联的数据可传送到存储器阵列的另一部分、另一存储器阵列、一或多个感测放大器或锁存器、或辅助存储器装置。在各个实例中，所保存数据可传回到存储器单元的相同子集、或维持于存储器单元的不同子集处，其可包含或可不包含更新地址表或其它查找资源。
[0393]
在1520，过程流程1500可包含执行压印恢复程序。举例来说，在1520，过程流程可包含对全存储器阵列555执行离散恢复事件、操作期间的恢复操作、或出于压印恢复目的修改对存储器阵列555进行的其它操作，如参考图5描述，其中任何者可至少部分基于用于此类方法的预配置或从一组此类恢复方法进行的选择。在一些实例中，操作1520可包含参考
图6描述的操作625的一或多个方面。
[0394]
在1525，过程流程1500可包含确定1520的压印恢复程序是否成功。如果所述确定指示1520的压印恢复程序成功，那么过程流程1500可继续到1530。如果所述确定指示1520的压印恢复程序没有成功，那么过程流程1500可返回到1520(例如，以根据相同配置或参数或经修改配置或参数重复压印恢复程序)。在一些实例中，操作1525可包含1505的压印检测程序的一或多个方面。
[0395]
在1530，过程流程1500可包含进入操作模式，其可包含其中在主机装置与存储器装置之间支持数据交换(例如，根据正常操作或条件)的正常操作。在一些实例中，操作1530可包含参考图6描述的操作630的一或多个方面。
[0396]
图16说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的过程流程1600的实例。在一些实例中，过程流程1600可在包含存储器装置及主机装置的系统(例如，如参考图5所描述的系统500)中执行，且过程流程1600的各个操作可由存储器装置或主机装置执行。
[0397]
在1605，过程流程1600可包含存储器装置从主机装置接收存取命令。在各个实例中，存取命令可包含读取命令、写入命令、刷新命令或其组合。
[0398]
在1610，过程流程1600可包含确定操作存储器装置的存取命令或某其它方面是否与数据错误相关联。举例来说，1610处的操作可包含由ecc算法进行的错误的识别、或存储器装置的另一部分识别与压印或引起某其它存储器单元降级相关联的无意或恶意存取模式。如果1610的确定与经识别数据错误相关联，那么过程流程1600可继续到1615。如果1610的确定不与经识别数据错误相关联，那么过程流程1600可继续到1635。
[0399]
在1615，过程流程1600可包含确定数据错误是否超过ecc算法或程序的能力。如果1615处的确定指示数据错误没有超过ecc算法或程序的能力，那么过程流程1600可继续到1635。如果1615处的确定指示数据错误超过ecc算法或程序的能力，那么过程流程1600可继续到1620。
[0400]
在1620，过程流程1600可包含将存储器装置切换到安全模式。举例来说，存储器装置可切换到不可操作模式、维护模式、恢复模式、或某其它确定以停止正常功能。在一些实例中，存储器装置可向主机装置指示存储器装置不可用于存取命令、或根据安全模式执行各种其它操作(例如，如参考图5描述)，其可与违反了非易失性的假设相关。在一些实例中，操作1620可经配置以引起主机装置处发生故障，例如工程蓝屏事件。
[0401]
在1625，过程流程1600可包含执行压印恢复程序。举例来说，在1625，过程流程可包含对全存储器阵列555执行离散恢复事件、操作期间的恢复操作、或出于压印恢复目的修改对存储器阵列555进行的其它操作，如参考图5描述，其中任何者可至少部分基于用于此类方法的预配置或从一组此类恢复方法进行的选择。在一些实例中，操作1625可包含参考图6描述的操作625的一或多个方面。
[0402]
在1630，过程流程1600可包含确定1625的压印恢复程序是否成功。如果所述确定指示1625的压印恢复程序成功，那么过程流程1600可继续到1635。如果所述确定指示1625的压印恢复程序没有成功，那么过程流程1600可返回到1625(例如，以根据相同配置或参数或经修改配置或参数重复压印恢复程序)。在一些实例中，操作1630可包含1605的压印检测程序的一或多个方面。
[0403]
在1635，过程流程1600可包含执行与1605的存取命令相关联的存取操作、或某其它存取操作(例如，返回到正常操作模式)。在一些实例中，过程流程还可包含恢复与数据错误相关联的数据，其可包含从存储器阵列的另一位置、另一存储器阵列、或辅助存储器装置提取备份数据。
[0404]
图17展示根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器系统的压印管理的存储器装置1705的框图1700。存储器装置1705可为如参考图1到23所描述的存储器装置的方面的实例。存储器装置1705可包含压印评估器1710、压印恢复管理器1715、压印检测写入管理器1720、压印检测读取管理器1725、参考电压管理器1730、错误校正组件1735、损耗均衡管理器1740、存取操作管理器1745、操作状态管理器1750、或数据定位管理器1755中的一或多者。这些模块中的每一者可彼此直接或间接通信(例如，经由一或多个总线)。
[0405]
压印评估器1710可管理评估存储器单元压印的各个实例，包含本文中描述的技术的各个实例。
[0406]
在一些实例中，压印评估器1710可确定对经配置以存储一组逻辑状态中的一者的存储器单元执行压印恢复程序。在一些实例中，压印恢复程序可经配置以提高存储器单元在存储一组逻辑状态中的不同逻辑状态之间切换的能力(例如，提高存储器单元在存储一组逻辑状态中的第一逻辑状态与存储一组逻辑状态中的第二逻辑状态之间切换的能力)。在一些实例中，压印恢复程序可经配置以使存储器单元的存取操作行为正规化或均衡，例如通过减少或缓解关于不同逻辑状态的存取操作差异或不对称(例如，使存储器单元对读取操作或写入操作的响应关于不同逻辑状态均衡或正规化)。在一些实例中，压印恢复程序可经配置以增加或均衡铁电存储器单元的电荷迁移率、或改进或均衡铁电存储器单元响应于写入操作具有极化变化的能力、或两者。
[0407]
在一些实例中，压印评估器1710可确定与第二组逻辑状态相关联的错误(例如，写入操作的目标逻辑状态与读取操作的检测到的逻辑状态之间的失配、差异)的第一数量及与第三组逻辑状态相关联的错误的第二数量。
[0408]
在一些实例中，压印评估器1710可基于以参考电压进行的读取确定第二组逻辑状态与第一组逻辑状态之间的差异的数量。
[0409]
在一些实例中，压印评估器1710可确定第二组逻辑状态与第一组逻辑状态之间的差异的数量满足阈值。
[0410]
在一些实例中，压印评估器1710可基于比较第三组逻辑状态与第一组逻辑状态确定存储器单元的子集的错误(例如，写入操作的目标逻辑状态与读取操作的检测到的逻辑状态之间的失配、差异)的第一数量。
[0411]
在一些实例中，压印评估器1710可基于错误(例如，写入操作的目标逻辑状态与读取操作的检测到的逻辑状态之间的失配、差异)的第一数量及错误的第二数量计算梯度。
[0412]
在一些实例中，压印评估器1710可比较计算得到的梯度与预期梯度，且执行恢复操作可基于比较计算得到的梯度与预期梯度。
[0413]
在一些情况中，预期梯度可基于来自以第一参考电压读取存储器单元的子集的错误(例如，写入操作的目标逻辑状态与读取操作的检测到的逻辑状态之间的失配、差异)的第一预期数量及来自以第二参考电压读取存储器单元的子集的错误的第二预期数量。
[0414]
在一些实例中，压印评估器1710可基于使用第二参考电压进行的读取确定第四组
逻辑状态与第三组逻辑状态之间的差异的第二数量。
[0415]
在一些实例中，压印评估器1710可基于比较第四组逻辑状态与第一组逻辑状态确定存储器单元的子集的错误(例如，写入操作的目标逻辑状态与读取操作的检测到的逻辑状态之间的失配、差异)的第二数量。
[0416]
在一些情况中，阈值可基于可由与ecc操作相关联的码字校正的错误的数量。
[0417]
在一些情况中，阈值可基于与以第一参考电压读取相关联的错误的预期数量。
[0418]
压印恢复管理器1715可管理执行存储器单元压印操作的各个实例，包含本文中描述的技术的各个实例。在一些实例中，压印恢复程序可经配置以提高存储器单元在存储一组逻辑状态中的不同逻辑状态之间切换的能力(例如，提高存储器单元在存储一组逻辑状态中的第一逻辑状态与存储一组逻辑状态中的第二逻辑状态之间切换的能力)。在一些实例中，压印恢复程序可经配置以使存储器单元的存取操作行为正规化或均衡，例如减少或缓解关于不同逻辑状态的存取操作差异或不对称(例如，使存储器单元对读取操作或写入操作的响应均衡或正规化)。在一些实例中，压印恢复程序可经配置以增加铁电存储器单元的电荷迁移率、或改进铁电存储器单元响应于写入操作具有极化变化的能力、或两者。
[0419]
在一些实例中，压印恢复管理器1715可基于错误(例如，写入操作的目标逻辑状态与读取操作的检测到的逻辑状态之间的失配、差异)的第一数量与错误的第二数量之间的差异对存储器阵列执行恢复操作。
[0420]
在一些实例中，压印恢复管理器1715可基于比较差异的数量与和以参考电压进行读取相关联的差异的预期数量对存储器阵列执行恢复操作。
[0421]
在一些实例中，压印恢复管理器1715可基于差异的数量满足阈值而对存储器阵列执行恢复操作。
[0422]
在一些实例中，压印恢复管理器1715可在错误的第一数量满足阈值时对存储器阵列执行恢复操作。
[0423]
在一些实例中，压印恢复管理器1715可基于比较差异的第二数量与和以第二参考电压进行读取相关联的差异的第二预期数量执行恢复操作。
[0424]
在一些实例中，压印恢复管理器1715可基于错误(例如，写入操作的目标逻辑状态与读取操作的检测到的逻辑状态之间的失配、差异)的第一数量与错误的第二数量之间的差异在存储器阵列处执行恢复操作。
[0425]
压印检测写入管理器1720可管理执行关于存储器单元压印的检测的写入操作的各个实例，包含本文中描述的技术的各个实例。
[0426]
在一些实例中，压印检测写入管理器1720可将第一组逻辑状态写入到存储器阵列的存储器单元的子集。
[0427]
在一些实例中，压印检测写入管理器1720可在存储器阵列取消激活之前将第一组逻辑状态写入到存储器阵列内的存储器单元的子集。
[0428]
在一些实例中，压印检测写入管理器1720可在存储器阵列重新激活之后将第二组逻辑状态写入到存储器单元的子集。
[0429]
在一些实例中，写入第一组逻辑状态包含将第一逻辑状态写入到存储器单元的子集的第一部分及将第二逻辑状态写入到存储器单元的子集的第二部分。
[0430]
在一些实例中，压印检测写入管理器1720可将第三组逻辑状态写入到存储器阵列
的存储器单元的第二子集。
[0431]
在一些实例中，写入第一组逻辑状态包含将相同逻辑状态写入到子集的每一存储器单元。
[0432]
在一些实例中，压印检测写入管理器1720可在包含存储器阵列的系统的启动序列完成之前执行一组写入操作。
[0433]
在一些实例中，写入第一组逻辑状态包含将相同逻辑状态写入到子集的每一存储器单元、将存储器单元的子集的第一部分写入到第一逻辑状态及将存储器单元的子集的第二部分写入到第二逻辑状态、或其组合。
[0434]
在一些实例中，写入第一组逻辑状态包含将第一逻辑状态写入到存储器单元的子集的第一部分及将第二逻辑状态写入到存储器单元的子集的第二部分。
[0435]
在一些实例中，写入第二组逻辑状态包含将相同逻辑状态写入到子集的每一存储器单元。
[0436]
压印检测读取管理器1725可管理执行关于存储器单元压印的检测的读取操作的各个实例，包含本文中描述的技术的各个实例。
[0437]
在一些实例中，压印检测读取管理器1725可使用第一参考电压读取存储器单元的子集以获得基于第一组逻辑状态的第二组逻辑状态。
[0438]
在一些实例中，压印检测读取管理器1725可使用第二参考电压读取存储器单元的子集以获得基于第一组逻辑状态的第三组逻辑状态。
[0439]
在一些实例中，压印检测读取管理器1725可使用参考电压读取存储器单元的子集以获得基于第一组逻辑状态的第二组逻辑状态。
[0440]
在一些实例中，压印检测读取管理器1725可读取存储器单元的子集以获得基于第一组逻辑状态的第二组逻辑状态。
[0441]
在一些实例中，压印检测读取管理器1725可读取存储器单元的子集以获得基于写入第二组逻辑状态的第三组逻辑状态。
[0442]
在一些实例中，压印检测读取管理器1725可使用第二参考电压读取存储器单元的第二子集以获得基于写入第三组逻辑状态的第四组逻辑状态。
[0443]
在一些实例中，压印检测读取管理器1725可读取子集的每一存储器单元以获得对应初始逻辑状态，且第一组的每一逻辑状态可不同于对应初始逻辑状态。
[0444]
在一些实例中，读取存储器单元的子集以获得第三组逻辑状态可基于第一参考电压，且压印检测读取管理器1725可基于不同于第一参考电压的第二参考电压读取存储器单元的子集以获得基于写入第二组逻辑状态的第四组逻辑状态。
[0445]
在一些实例中，压印检测读取管理器1725可在存储器阵列取消激活之前基于第三参考电压读取存储器单元的子集，其中第一参考电压及第二参考电压两者都小于或两者都大于第三参考电压。
[0446]
在一些实例中，读取存储器单元的子集以获得第三组逻辑状态包含使用第一参考电压。
[0447]
错误校正组件1735可识别数据的数据错误。
[0448]
在一些实例中，包含存储器阵列的存储器装置支持存储器阵列的错误校正码(ecc)操作(例如，使用错误校正组件1735)。
[0449]
存取操作管理器1745可管理执行或修改关于压印管理的存取操作的各个实例，包含本文中描述的技术的各个实例。
[0450]
操作状态管理器1750可管理存储器装置、主机装置、或包含存储器装置及主机装置两者的系统的状态或状态信令的各个实例，包含本文中描述的技术的各个实例。
[0451]
在一些实例中，操作状态管理器1750可识别存储器阵列的激活，其中压印检测程序(例如，写入逻辑状态、读取逻辑状态、确定错误、确定写入操作的目标逻辑状态与读取操作的检测到的逻辑状态之间的失配或差异)的各个方面可响应于存储器阵列的激活执行。
[0452]
数据定位管理器1755可管理数据定位的各个方面，例如数据寻址、数据移动、或其它方面，包含本文中描述的技术的各个实例。
[0453]
参考电压管理器1730可管理用于读取存储器单元或评估存储器单元压印的参考电压的各个方面，包含本文中描述的技术的各个实例。
[0454]
在一些实例中，参考电压管理器1730可识别用于读取存储器阵列的存储器单元的参考电压。
[0455]
在一些实例中，第一参考电压及第二参考电压(例如，偏移参考电压)小于其它存储器单元的参考电压(例如，用于典型读取操作的参考电压、默认参考电压)。在一些实例中，第一参考电压及第二参考电压大于其它存储器单元的参考电压。
[0456]
在一些实例中，执行恢复操作可基于错误(例如，写入操作的目标逻辑状态与读取操作的检测到的逻辑状态之间的失配、差异)的第一数量大于用于以第一参考电压进行读取的错误的第一预期数量、错误的第二数量小于用于以第二参考电压进行读取的错误的第二预期数量、或两者。
[0457]
在一些实例中，参考电压管理器1730可在使用第二参考电压进行读取之前使用第一参考电压进行读取。
[0458]
在一些情况中，第二参考电压小于第一参考电压。
[0459]
在一些情况中，第二参考电压大于第一参考电压。
[0460]
在一些情况中，参考电压低于用于读取存储器阵列的存储器单元的默认参考电压。
[0461]
在一些情况中，第二参考电压高于默认参考电压。
[0462]
损耗均衡管理器1740可管理存储器装置中的损耗均衡的各个方面，包含本文中描述的技术的各个实例。
[0463]
在一些实例中，损耗均衡管理器1740可在存储器阵列的取消激活之前针对存储器阵列执行损耗均衡程序，且损耗均衡程序可使存储器单元的子集可用于存储第一组逻辑状态。
[0464]
在一些情况中，存储器阵列包含一组字线，且子集的存储器单元可与所述组的一或多个字线耦合，且一或多个字线可基于损耗均衡程序是可用的。
[0465]
图18展示说明根据本公开的方面的支持用于存储器系统的压印管理的一或若干方法1800的流程图。方法1800的操作可由如本文中所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，方法1800的操作可由如参考图17所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器装置可执行一组指令以控制存储器装置的功能元件执行所描述功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件或电路系统执行所描述功能的方面。
[0466]
在1805，存储器装置可将第一组逻辑状态写入到存储器阵列的存储器单元的子集。操作1805可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作1805的方面可由如参考图17所描述的压印检测写入管理器执行。
[0467]
在1810，存储器装置可使用第一参考电压读取存储器单元的子集以获得基于第一组逻辑状态的第二组逻辑状态。操作1810可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作1810的方面可由如参考图17所描述的压印检测读取管理器执行。
[0468]
在1815，存储器装置可使用第二参考电压读取存储器单元的子集以获得基于第一组逻辑状态的第三组逻辑状态。操作1815可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作1815的方面可由如参考图17所描述的压印检测读取管理器执行。
[0469]
在1820，存储器装置可确定与第二组逻辑状态相关联的错误(例如，写入操作的目标逻辑状态与读取操作的检测到的逻辑状态之间的失配、差异)的第一数量及与第三组逻辑状态相关联的错误的第二数量。操作1820可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作1820的方面可由如参考图17所描述的压印评估器执行。
[0470]
在1825，存储器装置可基于错误的第一数量与错误的第二数量之间的差异对存储器阵列执行恢复操作。操作1825可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作1825的方面可由如参考图17所描述的压印恢复管理器执行。
[0471]
在一些实例中，本文中所描述的设备可执行一或若干方法，例如方法1800。设备可包含用于以下的电路系统、特征、构件、或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：将第一组逻辑状态写入到存储器阵列的存储器单元的子集；使用第一参考电压读取存储器单元的所述子集以获得基于所述第一组逻辑状态的第二组逻辑状态；使用第二参考电压读取存储器单元的所述子集以获得基于所述第一组逻辑状态的第三组逻辑状态；确定与所述第二组逻辑状态相关联的错误(例如，写入操作的目标逻辑状态与读取操作的检测到的逻辑状态之间的失配、差异)的第一数量及与所述第三组逻辑状态相关联的错误的第二数量；及基于错误的所述第一数量与错误的所述第二数量之间的差异对所述存储器阵列执行恢复操作。
[0472]
本文中描述的方法1800及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、电路系统、特征、构件、或指令：基于错误的所述第一数量及错误的所述第二数量计算梯度；及比较所述计算得到的梯度与预期梯度，且执行所述恢复操作可基于比较所述计算得到的梯度与所述预期梯度。
[0473]
在本文中描述的方法1800及设备的一些实例中，所述预期梯度可基于来自以所述第一参考电压读取存储器单元的所述子集的错误的第一预期数量及来自以所述第二参考电压读取存储器单元的所述子集的错误的第二预期数量。
[0474]
本文中描述的方法1800及设备的一些实例可进一步包含用于识别用于读取所述存储器阵列的其它存储器单元的参考电压的操作、电路系统、特征、构件或指令。在一些情况中，所述第一参考电压及所述第二参考电压大于所述参考电压，且写入所述第一组逻辑状态包含将相同逻辑状态写入到所述子集的每一存储器单元。在一些情况中，执行所述恢复操作可基于错误的所述第一数量大于用于以所述第一参考电压读取的错误的第一预期数量、错误的所述第二数量小于用于以所述第二参考电压读取的错误的第二预期数量、或两者。
[0475]
在本文中描述的方法1800及设备的一些实例中，所述第二参考电压小于所述第一参考电压，且使用所述第一参考电压进行读取可在使用所述第二参考电压进行读取之前发生。
[0476]
本文中描述的方法1800及设备的一些实例可进一步包含用于识别用于读取所述存储器阵列的其它存储器单元的参考电压的操作、电路系统、特征、构件或指令。在一些情况中，所述第一参考电压及所述第二参考电压大于所述参考电压，且写入所述第一组逻辑状态包含将相同逻辑状态写入到所述子集的每一存储器单元。在一些情况中，执行所述恢复操作可基于错误的所述第一数量大于用于以所述第一参考电压读取的错误的第一预期数量、错误的所述第二数量小于用于以所述第二参考电压读取的错误的第二预期数量、或两者。
[0477]
在本文中描述的方法1800及设备的一些实例中，所述第二参考电压大于所述第一参考电压，且使用所述第一参考电压进行读取可在使用所述第二参考电压进行读取之前发生。
[0478]
在本文中描述的方法1800及设备的一些实例中，写入所述第一组逻辑状态可包含用于将第一逻辑状态写入到存储器单元的所述子集的第一部分及将第二逻辑状态写入到存储器单元的所述子集的第二部分的操作、电路系统、特征、构件、或指令。
[0479]
图19展示说明根据本公开的方面的支持用于存储器系统的压印管理的一或若干方法1900的流程图。方法1900的操作可由如本文中所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，方法1900的操作可由参考图17所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器装置可执行一组指令以控制存储器装置的功能元件执行所描述功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件或电路系统执行所描述功能的方面。
[0480]
在1905，存储器装置可将第一组逻辑状态写入到存储器阵列的存储器单元的子集。操作1905可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作1905的方面可由如参考图17所描述的压印检测写入管理器执行。
[0481]
在1910，存储器装置可使用参考电压读取存储器单元的子集以获得基于第一组逻辑状态的第二组逻辑状态。操作1910可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作1910的方面可由如参考图17所描述的压印检测读取管理器执行。
[0482]
在1915，存储器装置可基于以参考电压进行读取确定第二组逻辑状态与第一组逻辑状态之间的差异的数量。操作1915可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作1915的方面可由如参考图17所描述的压印评估器执行。
[0483]
在1920，存储器装置可基于比较差异的数量与和以参考电压进行读取相关联的差异的预期数量对存储器阵列执行恢复操作。操作1920可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作1920的方面可由如参考图17所描述的压印恢复管理器执行。
[0484]
在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或若干方法，例如方法1900。设备可包含用于以下的电路系统、特征、构件、或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：将第一组逻辑状态写入到存储器阵列的存储器单元的子集；使用参考电压读取存储器单元的所述子集以获得基于所述第一组逻辑状态的第二组逻辑状态；基于以所述参考电压的所述读取确定所述第二组逻辑状态与所述第一组逻辑状态之间的差异的数量；及基于比较差异的所述数量与和以所述参考电压的读取相关联的差异的预期数
量对所述存储器阵列执行恢复操作。
[0485]
本文中描述的方法1900及设备的一些实例可包含用于以下的操作、电路系统、特征、构件、或指令：将第三组逻辑状态写入到所述存储器阵列的存储器单元的第二子集；使用第二参考电压读取存储器单元的所述第二子集以获得基于写入所述第三组逻辑状态的第四组逻辑状态；基于使用所述第二参考电压读取来确定所述第四组逻辑状态与所述第三组逻辑状态之间的差异的第二数量；及基于比较差异的所述第二数量与和以所述第二参考电压的读取相关联的差异的第二预期数量执行所述恢复操作。
[0486]
在本文中描述的方法1900及设备的一些实例中，所述参考电压可低于用于读取所述存储器阵列的存储器单元的默认参考电压，且所述第二参考电压可高于所述默认参考电压。
[0487]
在本文中描述的方法1900及设备的一些实例中，写入所述第一组逻辑状态可包含用于将相同逻辑状态写入到所述子集的每一存储器单元的操作、电路系统、特征、构件、或指令。
[0488]
本文中描述的方法1900及设备的一些实例可进一步包含用于读取所述子集的每一存储器单元以获得对应初始逻辑状态的操作、电路系统、特征、构件、或指令，且所述第一组的每一逻辑状态可不同于所述对应初始逻辑状态。
[0489]
在本文中描述的方法1900及设备的一些实例中，写入所述第一组逻辑状态可包含用于将第一逻辑状态写入到存储器单元的所述子集的第一部分及将第二逻辑状态写入到存储器单元的所述子集的第二部分的操作、电路系统、特征、构件、或指令。
[0490]
图20展示说明根据本公开的方面的支持用于存储器系统的压印管理的一或若干方法2000的流程图。方法2000的操作可由如本文中所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，方法2000的操作可由如参考图17所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器装置可执行一组指令以控制存储器装置的功能元件执行所描述功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件或电路系统执行所描述功能的方面。
[0491]
在2005，存储器装置可将第一组逻辑状态写入到存储器阵列的存储器单元的子集。操作2005可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作2005的方面可由如参考图17所描述的压印检测写入管理器执行。
[0492]
在2010，存储器装置可读取存储器单元的子集以获得基于第一组逻辑状态的第二组逻辑状态。操作2010可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作2010的方面可由如参考图17所描述的压印检测读取管理器执行。
[0493]
在2015，存储器装置可确定第二组逻辑状态与第一组逻辑状态之间的差异的数量满足阈值。操作2015可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作2015的方面可由如参考图17所描述的压印评估器执行。
[0494]
在2020，存储器装置可基于差异的数量满足阈值而对存储器阵列执行恢复操作。操作2020可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作2020的方面可由如参考图17所描述的压印恢复管理器执行。
[0495]
在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或若干方法，例如方法2000。设备可包含用于以下的电路系统、特征、构件、或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：将第一组逻辑状态写入到存储器阵列的存储器单元的子集；读取存
储器单元的所述子集以获得基于所述第一组逻辑状态的第二组逻辑状态；确定所述第二组逻辑状态与所述第一组逻辑状态之间的差异的数量满足阈值；及基于差异的所述数量满足所述阈值而对所述存储器阵列执行恢复操作。
[0496]
本文中描述的方法2000及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、电路系统、特征、构件、或指令：识别所述存储器阵列的激活；响应于所述存储器阵列的所述激活执行的写入、读取、及确定；及在包含所述存储器阵列的系统的启动序列完成之前执行一组写入操作。
[0497]
在本文中描述的方法2000及设备的一些实例中，写入所述第一组逻辑状态可包含用于以下的操作、电路系统、特征、构件、或指令：将相同逻辑状态写入到所述子集的每一存储器单元；将存储器单元的所述子集的第一部分写入到第一逻辑状态且将存储器单元的所述子集的第二部分写入到第二逻辑状态、或其组合。
[0498]
在本文中描述的方法2000及设备的一些实例中，包含所述存储器阵列的所述存储器装置支持所述存储器阵列的错误校正码(ecc)操作，且所述阈值可基于可由与所述ecc操作相关联的码字校正的错误的数量。
[0499]
图21展示说明根据本公开的方面的支持用于存储器系统的压印管理的一或若干方法2100的流程图。方法2100的操作可由本文中所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，方法2100的操作可由如参考图17所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器装置可执行一组指令以控制存储器装置的功能元件执行所描述功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件或电路系统执行所描述功能的方面。
[0500]
在2105，存储器装置可在存储器阵列的取消激活之前将第一组逻辑状态写入到所述存储器阵列内的存储器单元的子集。操作2105可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作2105的方面可由如参考图17所描述的压印检测写入管理器执行。
[0501]
在2110，存储器装置可在存储器阵列的重新激活之后将第二组逻辑状态写入到存储器单元的子集。操作2110可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作2110的方面可由如参考图17所描述的压印检测写入管理器执行。
[0502]
在2115，存储器装置可读取存储器单元的子集以获得基于写入第二组逻辑状态的第三组逻辑状态。操作2115可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作2115的方面可由如参考图17所描述的压印检测读取管理器执行。
[0503]
在2120，存储器装置可基于比较第三组逻辑状态与第一组逻辑状态确定存储器单元的子集的错误(例如，写入操作的目标逻辑状态与读取操作的检测到的逻辑状态之间的失配、差异)的第一数量。操作2120可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作2120的方面可由如参考图17所描述的压印评估器执行。
[0504]
在2125，存储器装置可在错误的第一数量满足阈值时对存储器阵列执行恢复操作。操作2125可根据本文中描述的方法执行。在一些实例中，操作2125的方面可由如参考图17所描述的压印恢复管理器执行。
[0505]
在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或若干方法，例如方法2100。设备可包含用于以下的电路系统、特征、构件、或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：在存储器阵列的取消激活之前将第一组逻辑状态写入到所述存储器阵列内的存储器单元的子集；在所述存储器阵列的重新激活之后将第二组逻辑状态写入
到存储器单元的所述子集；读取存储器单元的所述子集以获得基于写入所述第二组逻辑状态的第三组逻辑状态；基于比较所述第三组逻辑状态与所述第一组逻辑状态确定存储器单元的所述子集的错误(例如，写入操作的目标逻辑状态与读取操作的检测到的逻辑状态之间的失配、差异)的第一数量；及当错误的所述第一数量满足阈值时，对所述存储器阵列执行恢复操作。
[0506]
本文中描述的方法2100及设备的一些实例可进一步包含用于在所述存储器阵列的所述取消激活之前针对所述存储器阵列执行损耗均衡程序的操作、电路系统、特征、构件、或指令，其中所述损耗均衡程序使存储器单元的所述子集可用于存储所述第一组逻辑状态。
[0507]
在本文中描述的方法2100及设备的一些实例中，存储器阵列包含一组字线，且子集的存储器单元可与所述组的一或多个字线耦合，一或多个字线基于损耗均衡程序是可用的。
[0508]
在本文中描述的方法2100及设备的一些实例中，写入所述第一组逻辑状态可包含用于将第一逻辑状态写入到存储器单元的所述子集的第一部分且将第二逻辑状态写入到存储器单元的所述子集的第二部分的操作、电路系统、特征、构件、或指令，且写入所述第二组逻辑状态可包含用于将相同逻辑状态写入到所述子集的每一存储器单元的操作、电路系统、特征、构件、或指令。
[0509]
本文中描述的方法2100及设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、电路系统、特征、构件、或指令：基于不同于所述第一参考电压的第二参考电压，读取存储器单元的所述子集以获得基于写入所述第二组逻辑状态的第四组逻辑状态；基于比较所述第四组逻辑状态与所述第一组逻辑状态确定存储器单元的所述子集的错误的第二数量；及基于错误的所述第一数量与错误的所述第二数量之间的差异在所述存储器阵列处执行所述恢复操作。
[0510]
本文中描述的方法2100及设备的一些实例可进一步包含在存储器阵列的取消激活之前基于第三参考电压读取存储器单元的子集的操作、电路系统、特征、构件、或指令，其中第一参考电压及第二参考电压两者都小于或两者都大于第三参考电压。
[0511]
在本文中描述的方法2100及设备的一些实例中，读取存储器单元的所述子集以获得所述第三组逻辑状态可包含用于使用第一参考电压的操作、电路系统、特征、构件、或指令，且所述阈值可基于与以所述第一参考电压读取相关联的错误的预期数量。
[0512]
应注意，本文中描述的方法是可能实施方案，且操作及步骤可经重新布置或以其它方式修改且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自方法中的两者或更多者的部分。
[0513]
本文中描述的信息及信号可使用各种不同技术及科技中的任一者表示。举例来说，在整个以上描述中可引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合表示。一些图可将信号说明为单个信号；然而，所属领域的技术人员应理解，信号可表示信号总线，其中总线可具有多种位宽度。
[0514]
如本文中使用，术语“虚拟接地”指代保持在约零伏特(0v)的电压下但不与接地直接耦合的电路的节点。因此，虚拟接地的电压可暂时波动且在稳态下返回到约0v。虚拟接地可使用各种电子电路元件(例如由运算放大器及电阻器组成的分压器)实施。其它实施方案
也是可能的。“虚拟接地”或“虚拟地接地”意味着连接到约0v。
[0515]
术语“电子通信”、“导电触点”、“连接”及“耦合”可指代组件之间支持组件之间的信号流动的关系。如果在组件之间存在可在任何时间支持组件之间的信号流动的任何导电路径，那么认为组件彼此电子通信(或彼此导电接触或彼此连接或彼此耦合)。在任何给定时间，彼此电子通信(或彼此导电接触或彼此连接或彼此耦合)的组件之间的导电路径可基于包含经连接组件的装置的操作而为开路或闭路。经连接组件之间的导电路径可为组件之间的直接导电路径，或经连接组件之间的导电路径可为可包含中间组件(例如开关、晶体管或其它组件)的间接导电路径。在一些情况中，在一段时间内可例如使用一或多个中间组件(例如开关或晶体管)中断经连接组件之间的信号流动。
[0516]
术语“耦合”指代从组件之间的开路关系(其中信号目前不能通过导电路径在组件之间传达)移动到组件之间的闭路关系(其中信号可通过导电路径在组件之间传达)的状态。当例如控制器的组件将其它组件耦合在一起时，那么组件引发允许信号通过先前不允许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。
[0517]
术语“隔离”指代组件之间的一种关系，其中信号目前不能在组件之间流动。如果在其之间存在开路，那么组件彼此隔离。举例来说，如果开关断开，那么通过定位在组件之间的开关分离的两个组件彼此隔离。当控制器隔离两个组件彼此时，那么控制器带来防止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动的变化。
[0518]
如本文中使用，术语“基本上”意味着经修改特性(例如由术语基本上修饰的动词或形容词)无需是绝对的但足够接近以便实现特性的优点。
[0519]
如本文中使用，术语“电极”可指代电导体，且在一些情况中，可用作到存储器阵列的存储器单元或其它组件的电接点。电极可包含迹线、线、导电线、导电层或在存储器阵列的元件或组件之间提供导电路径的类似物。
[0520]
如本文中使用，术语“短接”指代其中导电路径经由讨论中的两个组件之间的单个中间组件的激活建立于组件之间的组件之间的关系。举例来说，短接到第二组件的第一组件可在两个组件之间的开关闭合时与第二组件交换信号。因此，短接可为使电荷能够在电子通信的组件(或线)之间流动的动态操作。
[0521]
本文论述的装置，包含存储器阵列，可经形成在半导体衬底上，例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓、及其它衬底。在一些情况中，衬底是半导体晶片。在其它情况中，衬底可为绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sos)或另一衬底上的半导体材料外延层。衬底或衬底的子区域的导电性可通过使用各种化学物种(包含(但不限于)磷、硼或砷)进行掺杂控制。掺杂可在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂方法而执行。
[0522]
本文中论述的开关组件或晶体管可表示场效晶体管(fet)，且包括包含源极、漏极及栅极的三端子装置。端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极及漏极可为导电的且可包括重掺杂(例如简并)半导体区域。源极及漏极可通过轻掺杂半导体区域或沟道分离。如果沟道是n型(即，多数载子是电子)，那么fet可称为n型fet。如果沟道是p型(即，多数载子是空穴)，那么fet可称为p型fet。沟道可由绝缘栅极氧化物覆盖。沟道导电性可通过将电压施加到栅极来控制。举例来说，分别将正电压或负电压施加到n型fet或p型fet可导致沟道变成导电的。当将大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极
时，晶体管可“接通”或“激活”。当将小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“取消激活”。
[0523]
本文中陈述的描述连同附图描述实例配置且并不代表可实施或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中使用的术语“示范性”意味着“用作实例、例子或说明，而非“优选的”或“优于其它实例”。具体实施方式包含用于提供对所描述技术的理解的特定细节。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些例子中，以框图形式展示众所周知的结构及装置，以避免模糊所描述实例的概念。
[0524]
在附图中，类似组件或特征可具有相同的参考标记。此外，可通过在参考标记之后加上连字符及在类似组件当中进行区分的第二标记而区分相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记，那么所述描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一者，而与第二参考标记无关。
[0525]
结合本文的公开内容描述的各种说明性框及模块可用通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或经设计以执行本文描述的功能的其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但替代地，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可被实施为计算装置的组合，例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器，或任何其它此配置。
[0526]
本文中描述的功能可经实施于由处理器、固件或其任何组合执行的硬件、软件中。如果实施于由处理器执行的软件中，那么功能可作为一或多个指令或代码被存储在计算机可读媒体上或作为一或多个指令或代码经由计算机可读媒体传输。其它实例及实施方案在本公开及所附权利要求书的范围内。举例来说，由于软件的性质，所描述功能可使用由处理器、硬件、固件、硬接线或这些内容中的任一者的组合执行的软件实施。实施功能的特征也可物理地定位在各个位置处，包含经分布使得功能的部分在不同物理位置处实施。如本文中使用，包含权利要求书中的内容，项目列表(例如，以例如
“…
中的至少一者”或
“…
中的一或多者”的短语开头的项目列表)中所使用的“或”指示包含列表，使得(例如)a、b或c中的至少一者的列表意味着a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a及b及c)。而且，如本文中使用，短语“基于”不应被解释为对一组封闭条件的引用。举例来说，被描述为“基于条件a”的示范性步骤可为基于条件a及条件b两者而不脱离本公开的范围。换句话说，如本文中使用，短语“基于”应以与短语“至少部分基于”相同的方式来解释。
[0527]
计算机可读媒体包括非暂时性计算机存储媒体及通信媒体两者，通信媒体包含促进将计算机程序从一个地方传送到另一个地方的任何媒体。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。通过实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、光盘(cd)rom或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置或可用于载送或存储呈指令或数据结构形式的所期望程序代码构件且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。而且，任何连接都适当地称为计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字用户线(dsl)或无线技术(例如红外、无线电及微波)从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么媒体定义中包含同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或无线技术(例如红外、无线电及微波)。如本文中使用，磁盘及光盘包含cd、激光盘、光学光盘、数字多功能盘(dvd)、软盘及蓝光盘，其中磁盘通常磁性地再现数据，而光盘用激光光学地再现数
据。上述内容的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。
[0528]
提供本文中的描述以使所属领域的技术人员能够制作或使用本公开。所属领域的技术人员将明白对本公开的各种修改，且在不脱离本公开的范围的情况下，本文中定义的一般原理可应用到其它变动。因此，本公开不限于本文中描述的实例及设计，而是应符合与本文中公开的原理及新型特征一致的最广范围。