存储器裸片上的存储器位置年限跟踪的制作方法

1.本公开的实施例大体上涉及存储器装置，且更具体来说，涉及跟踪存储器裸片上的一或多个物理存储器位置的年限，所述存储器裸片可形成存储器装置的部分。


背景技术：

2.存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。举例来说，所述存储器装置可为非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以将数据存储于存储器装置处及从存储器装置检索数据。


技术实现要素：

3.本公开的一方面涉及一种方法，其包括：致使存储器裸片通电，所述存储器裸片包括：一组物理存储器位置；老化分组，其与所述组物理存储器位置相关联，所述老化分组包括与所述组物理存储器位置不同的所述存储器裸片的一或多个物理存储器位置；及逻辑，其用于跟踪所述组物理存储器位置的程序擦除计数，所述程序擦除计数描述数据已写入到所述组物理存储器位置或从所述组物理存储器位置擦除的次数，且所述程序擦除计数存储在所述老化分组上；致使预加载数据的一部分存储在所述组物理存储器位置上，将预加载数据的所述部分存储在所述组物理存储器位置上致使所述程序擦除计数被更新；致使所述存储器裸片断电；及在所述存储器裸片断电之后，将所述存储器裸片焊接安装到印刷电路板。
4.本公开的另一方面涉及一种系统，其包括：存储器裸片，其包括：一组物理存储器位置；及老化分组，其与所述组物理存储器位置相关联，所述老化分组包括所述存储器裸片的一或多个物理存储器位置，且所述老化分组存储描述数据已写入到所述组物理存储器位置或从所述组物理存储器位置擦除的次数的程序擦除计数；处理装置，其操作地耦合到所述存储器裸片，所述处理装置经配置以执行包括以下内容的操作：确定所述老化分组的电荷损耗值；从所述老化分组获得所述程序擦除计数；及基于所述电荷损耗值并进一步基于所述程序擦除计数来确定所述组物理存储器位置的年限。
5.本公开的又一方面涉及至少一种包括指令的非暂时性机器可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行包括以下内容的操作：确定存储器裸片的老化分组的电荷损耗值，所述老化分组与所述存储器裸片的一组物理存储器位置相关联，所述老化分组包括所述存储器裸片的一或多个物理存储器位置；基于所述电荷损耗值确定电压电平阈值，所述电压电平阈值用于从所述组物理存储器位置读取数据；基于所述电压电平阈值从所述组物理存储器位置读取数据；基于所述电荷损耗值确定所述组物理存储器位置的刷新准则；及基于所述刷新准则对存储在所述组物理存储器位置上的数据执行刷新过程。
附图说明
6.将从下文给出的详细描述及本公开的各种实施例的附图更充分理解本公开。然而，图式不应被视为将本公开限定于特定实施例，而仅用于解释及理解。
7.图1是说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统的框图。
8.图2到6是根据本公开的一些实施例的用于跟踪存储器裸片的一组物理存储器位置的年限的实例方法的流程图。
9.图7是说明根据本公开的一些实施例的基于应用于存储器裸片的数目回流焊接工艺的存储器裸片的老化分组的实例电荷/电压分布的图表。
10.图8提供说明在一些实施例的上下文的计算环境的组件之间的交互的交互图，其中执行如本文描述的使用存储器裸片的一或多个物理存储器位置的年限跟踪的方法。
11.图9是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
12.本公开的方面旨在跟踪可形成存储器装置的部分的存储器裸片(例如，存储器集成电路(ic))的一或多个物理存储器位置(例如，物理块)的年限。存储器子系统可为存储器装置、存储器模块或存储装置及存储器模块的混合体。下面结合图1描述存储装置及存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包括一或多个组件的存储器子系统，例如存储数据的存储器装置。主机系统可向存储器子系统发送存取请求，例如以在存储器子系统处存储数据及从存储器子系统读取数据。
13.主机系统可向存储器子系统发送存取请求(例如，写入命令、读取命令)，例如以在存储器子系统处的存储器装置上存储数据，从存储器子系统上的存储器装置读取数据，或者关于存储器子系统上的存储器装置写入/读取构造(例如，提交及完成队列)。如由主机请求指定的待读取或写入的数据在下文称为“主机数据”。主机请求可包含主机数据的逻辑地址信息(例如，逻辑块地址(lba)、命名空间)，逻辑地址信息是主机系统使其与主机数据相关联的位置。逻辑地址信息(例如，lba、命名空间)可为主机数据的元数据的部分。元数据还可包含错误处置数据(例如，错误校正码(ecc)码字、奇偶校验码)、数据版本(例如，用于区分写入数据的年限)、有效位图(哪些lba或逻辑传送单元含有有效数据)等等。
14.存储器子系统可对存储在存储器装置上的主机数据发起媒体管理操作，例如写入操作。举例来说，作为垃圾收集管理操作的部分，存储器子系统的固件可将先前写入的主机数据从存储器装置的位置重新写入到新位置。例如由固件发起的重新写入的数据在下文称为“垃圾收集数据”。
15.以下“用户数据”一般是指主机数据及垃圾收集数据。下文的“系统数据”是指由存储器子系统创建及/或维护的用于响应于主机请求执行操作及用于媒体管理数据。系统数据的实例包含(但不限于)系统表(例如，逻辑到物理存储器地址映射表(在本文也称为l2p表)、来自日志记录的数据、便笺本数据等等)。
16.存储器装置可为非易失性存储器装置。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，“与非”(nand)型装置)，每一平面由一组物理块组成。对于某些存储器装置，块是可擦除的最小区
域。每一块由一组页面组成。每一页面由存储数据位的一组存储器单元组成。存储器装置可为原始存储器装置(例如，nand)，其例如由外部控制器外部地管理。存储器装置可为受管理型存储器装置(例如，受管理型nand)，其为与用于同一存储器装置封装内的存储器管理的本地嵌入式控制器组合的原始存储器装置。
17.对于某些硬件应用，例如与嵌入式、移动及汽车市场相关的硬件应用，可在将存储器裸片(例如，nand型或nor型存储器裸片)焊接安装到在装置(例如，平板计算机、智能电话、导航系统及类似者)中使用的印刷电路板之前用用户数据(在本文也称为预加载数据)预加载存储器裸片。举例来说，印刷电路板可为由计算装置使用的存储器装置或存储器子系统(例如，固态驱动器或受管理型nand存储器装置)。然而，存储在存储器裸片上的预加载数据的数据完整性可能由在将存储器裸片安装到印刷电路板之后存储器裸片经受的一或多个回流焊接工艺引起的电荷损耗而受到影响。回流焊接工艺(在已安装存储器裸片之后执行)可为例如将一或多个额外组件安装到印刷电路板或对印刷电路板的某些组件进行返工。在此时间周期期间，常规存储器裸片无法跟踪其经受了多少回流焊接工艺，或者所述回流焊接工艺对促进存储器裸片上预加载数据的存储的电荷有多大影响。回流焊接工艺的数目(也称为回流曲线)在不同的应用之间变化。
18.本公开的方面通过对存储在存储器装置上的数据进行版本化来解决上述及其它缺陷。特定来说，各种实施例提供使用存储器裸片上的一或多个老化分组对存储器裸片(例如，存储器集成电路(ic))的一或多个物理存储器位置(例如，物理块)进行年限跟踪，其中每一老化分组与存储器裸片的一组不同的物理存储器位置相关联。通过针对一组物理存储器位置使用老化分组，本文描述的各种实施例可在存储器裸片已经受一或多个回流焊接工艺之后，使得与存储器裸片交互的处理装置(例如，存储器子系统控制器或媒体控制器的处理装置)能够确定在一或多个回流焊接工艺之后所述组物理存储器位置的老化程度。由一些实施例提供的回流后年限跟踪可由处理装置使用以确定，例如：一或多个物理存储器位置的剩余寿命(例如，故障的可能性)；用于从一或多个物理存储器位置读取所存储数据(例如，在回流焊接之前预加载在存储器裸片上的数据)的电压电平阈值(例如，读取偏移或偏移电压)；或一或多个物理存储器位置的刷新准则(其可确定存储在一或多个物理存储器位置上的数据被刷新的频率)。对于一些实施例，在一或多个物理存储器位置存储在将存储器裸片焊接安装到印刷电路板(pcb)(例如，存储器装置pcb)之前或在将任何回流焊接工艺应用于存储器裸片之前预加载到存储器裸片上的数据(例如，在制造期间)的情况下可使用回流后年限跟踪。预加载的数据可包含(但不限于)固件数据、操作系统数据、映射图数据、预加载移动应用程序或软件应用程序数据及类似者。举例来说，在将存储器裸片焊接安装到集成到移动装置中的印刷电路板上之前，可用对移动装置(例如智能电话)有用的数据预加载存储器裸片。
19.根据一些实施例，存储器裸片上的老化分组由存储器裸片外部的控制器，例如存储器子系统控制器或存储器装置的本地媒体控制器，用于优化用于存储用户数据(例如存储在物理存储器位置上的预加载数据)的物理存储器位置(例如，块)的读取偏移。例如，控制器可确定(例如，测量)与一组物理存储器位置相关联的老化分组的电荷损耗值(例如，-100mv、-200mv、-300mv等)，并确定所述组物理存储器位置的电压电平阈值(例如，读取偏移量)、刷新准则或两者。例如，基于老化分组的电荷损耗值，控制器可从存储器裸片的预特性
化数据获得电压电平阈值(例如，读取偏移)或刷新准则。对于一些实施例，预特性化数据存储在存储器裸片外部，并且可由存储器裸片外部的控制器存取。存储器裸片的预特性化数据可包括将(老化分组的)给定电荷损耗值或电荷损耗值范围关联(例如，映射)到以下中的一或多者的数据：一组物理存储器位置的电压电平阈值(例如，预指派读取偏移)；一组物理存储器位置的刷新准则；或应用于存储器裸片的回流焊接工艺(例如，循环)数目。
20.下表1说明存储器裸片的预特性化数据的实例。如所展示，预特性化数据描述电荷损耗值与老化分组等级(其中a为最好等级)、刷新准则及回流数目的关联。出于说明性目的，存储器分组的老化分组的大于-500mv的电荷损耗值表示其中存储器分组的一组相关联的物理存储器位置(例如，块)正在存储鉴于存储器裸片的规范不可读或存在不可读风险的数据的条件(例如，根据存储器裸片的规格，电荷损耗量超过存储器裸片的操作所需的最低电荷电平)。
[0021][0022]
通过使用各种实施例，可改进在存储器子系统或存储器装置中使用的存储器裸片的性能及数据保留能力。这些改进对于在将存储器裸片安装到印刷电路板上并使其经受一或多个回流焊接工艺之前预加载(例如，存储)在存储器裸片上的数据特别有用。
[0023]
如本文使用，存储器裸片的物理存储器位置可包括块、页面或存储器单元。例如，在物理存储器位置包括页面或存储器单元的情况下，一组物理存储器位置可表示单个块或多个块。所述组物理存储器位置可为一组连续物理存储器位置。如本文使用，在存储器裸片的一或多个物理存储器位置上存储数据可包括将数据写入到一或多个物理存储器位置，其中写入可包括用数据对块的一或多个页面进行编程。如本文使用，老化分组可包括存储器裸片的一或多个物理存储器位置，例如存储器裸片的一或多个块(例如，单电平单元(slc)的块或slc块)。另外，如本文使用，包括slc块的老化分组可称为slc老化分组。用作老化分组的部分的slc块可不同于用于存储用户数据(例如预加载数据的一部分)的slc块。对于一
些实施例，用于存储用户数据(例如，预加载数据)的一组物理存储器位置包括一或多个slc块、多电平单元(mlc)块、三电平单元(tlc)块或四电平单元(qlc)块，而与所述组物理层相关联的老化分组包括一或多个slc块。
[0024]
如本文使用，程序擦除计数(针对一组物理存储器位置)可表示为关于所述组物理存储器位置执行以写入数据或擦除数据的循环数目。例如，程序擦除计数可包括程序擦除循环计数。如本文所用，可使用回流炉或类似设备至少部分地执行回流焊接工艺。如本文使用，电压电荷分布可包括多个数据点，其中的每一者指示每所测量电压电荷的物理存储器位置的数目(例如，存储器单元的数目)。如本文使用，电压电平阈值可包括读取偏移或偏移电压。另外，如本文使用，刷新过程可包括用于刷新存储在存储器裸片的物理存储器位置(例如，存储器单元)上的数据的数据刷新过程。如本文使用，电荷分布及电压分布可互换使用。
[0025]
本文公开的是跟踪存储器裸片上的一或多个物理存储器位置的年限的一些实例，如本文描述。
[0026]
图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算系统100。存储器子系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)或此组合。
[0027]
存储器子系统110可为存储器装置、存储器模块或存储器装置及存储器模块的混合体。存储装置的实例包含固态驱动器(ssd)、快闪驱动器、通用串行总线(usb)快闪驱动器、安全数字(sd)卡、嵌入式多媒体控制器(emmc)驱动器、通用快闪存储(ufs)驱动器及硬盘驱动器(hdd)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(dimm)、小外形dimm(so-dimm)及各种类型的非易失性双列直插式存储器模块(nvdimm)。
[0028]
计算系统100可为计算装置，例如桌上型计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、交通工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它交通工具)、物联网(iot)启用装置、嵌入式计算机(例如，包含在交通工具、工业装备或联网商业装置中的嵌入式计算机)，或包含存储器及处理装置的此计算装置。
[0029]
计算系统100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的存储器子系统110。图1说明耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。如本文使用，“耦合到”或“与
…
耦合”通常指组件之间的连接，其可为间接通信连接或直接通信连接(例如，没有中间组件)，无论是有线还是无线，包含例如电、光学、磁及类似者的连接。
[0030]
主机系统120可包含处理器芯片组及由处理器芯片组执行的软件堆叠。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存、存储器控制器(例如，nvdimm控制器)及存储协议控制器(例如，外围组件互连高速(pcie)控制器、串行高级技术附件(sata)控制器)。主机系统120例如使用存储器子系统110将数据写入存储器子系统110及从存储器子系统110读取数据。
[0031]
主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含(但不限于)sata接口、外围组件互连高速(pcie)接口、通用串行总线(usb)接口、光纤通道、串行附接scsi(sas)、小型计算机系统接口(scsi)、双数据速率(ddr)存储器总线、双列直插式存储器模块(dimm)接口(例如，支持双数据速率(ddr)的dimm插槽接口)、开放式
nand快闪接口(onfi)、双数据速率(ddr)、低电力双数据速率(lpddr)或任何其它接口。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间传输数据。当存储器子系统110通过pcie接口与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用nvm直通(nvme)接口来存取组件(例如，存储器装置130)。物理主机接口可提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传递控制、地址、数据及其它信号的接口。图1说明存储器子系统110作为实例。一般来说，主机系统120可经由相同通信连接、多个单独通信连接及/或通信连接的组合来存取多个存储器子系统。
[0032]
存储器装置130、140可包含不同类型的非易失性存储器装置及/或易失性存储器装置的任一组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可为(但不限于)随机存取存储器(ram)，例如动态随机存取存储器(dram)及同步动态随机存取存储器(sdram)。
[0033]
非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包括“与非”(nand)型快闪存储器及就地写入存储器，例如三维交叉点(“3d交叉点”)存储器装置，其为非易失性存储器单元的交叉点阵列。非易失性存储器的交叉点阵列可结合可堆叠的交叉栅格数据存取阵列，基于体积电阻的改变执行位存储。另外，与许多基于快闪的存储器相比，交叉点非易失性存储器可执行就地写入操作，其中可对非易失性存储器单元进行编程，而无需先前擦除所述非易失性存储器单元。nand型快闪存储器包含例如二维nand(2d nand)及三维nand(3d nand)。
[0034]
存储器装置130中的每一者可包含存储器单元的一或多个阵列。一种类型的存储器单元(例如单电平单元(slc))可每单元存储一个位。其它类型的存储器单元(例如多电平单元(mlc)、tlc、四电平单元(qlc)及五电平单元(plc))可每单元存储多个位。在一些实施例中，存储器装置130中的每一者可包含存储器单元的一或多个阵列，例如slc、mlc、tlc、qlc或此任一组合。在一些实施例中，特定存储器装置可包含存储器单元的slc部分及mlc部分、tlc部分或qlc部分。存储器装置130的存储器单元可被分组为可指代用于存储数据的存储器装置的逻辑单位的页面。针对一些类型的存储器(例如，nand)，页面可经分组以形成块。
[0035]
如本文使用，包括slc的块可称为slc块，包括mlc的块可称为mlc块，包括tlc的块可称为tlc块，且包括qlc的块可称为qlc块。
[0036]
尽管描述例如nand型快闪存储器(例如，2d nand、3d nand)及非易失性存储器单元的3d交叉点阵列的非易失性存储器组件，但存储器装置130可基于任何其它类型的非易失性存储器，例如只读存储器(rom)、相变存储器(pcm)、自选择存储器、其它基于硫属化物的存储器、铁电晶体管随机存取存储器(fetram)、铁电随机存取存储器(feram)、磁随机存取存储器(mram)、自旋转移转矩(stt)-mram、导电桥接ram(cbram)、电阻随机存取存储器(rram)、基于氧化物的rram(oxram)、“或非”(nor)快闪存储器以及电可擦除可编程只读存储器(eeprom)。
[0037]
存储器子系统控制器115(或为简单起见控制器115)可与存储器装置130通信以执行例如在存储器装置130处读取数据、写入数据或擦除数据的操作以及其它此类操作。存储器子系统控制器115可包含例如一或多个集成电路及/或离散组件、缓冲存储器或其组合的硬件。硬件可包含具有专用(即，硬编码)逻辑的数字电路系统以执行本文所描述的操作。存储器子系统控制器115可为微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、
专用集成电路(asic)等)或其它合适处理器。
[0038]
存储器子系统控制器115可包含经配置以执行存储在本地存储器119中的指令的处理器(处理装置)117。在所说明实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器119包含经配置以存储用于执行控制存储器子系统110的操作的各种过程、操作、逻辑流程以及例程的指令的嵌入式存储器，所述操作包含处置存储器子系统110与主机系统120之间的通信。
[0039]
在一些实施例中，本地存储器119可包含存储存储器指针、提取数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微代码的只读存储器(rom)。尽管图1中的实例存储器子系统110已说明为包含存储器子系统控制器115，但在本公开的另一实施方案中，存储器子系统110不包含存储器子系统控制器115，而是可替代地依赖于外部控制(例如，由外部主机或由与存储器子系统分离的处理器或控制器提供)。
[0040]
一般来说，存储器子系统控制器115可从主机系统120接收命令或操作，并且可将命令或操作转换为指令或适当命令以实现对存储器装置130及/或存储器装置140的期望存取。存储器子系统控制器115可负责其它操作，例如损耗均衡操作、垃圾收集操作、错误检测及错误校正码(ecc)操作、加密操作、高速缓存操作以及与存储器装置130相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(lba)、名称空间)与物理存储器地址(例如，物理块地址)之间的地址转译。存储器子系统控制器115可进一步包含主机接口电路系统以经由物理主机接口与主机系统120通信。主机接口电路系统可将从主机系统120接收的命令转换为命令指令以存取存储器装置130及/或存储器装置140，以及将与存储器装置130及/或存储器装置140相关联的响应转换为用于主机系统120的信息。
[0041]
存储器子系统110还可包含未说明的额外电路系统或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可包含可从存储器子系统控制器115接收地址并解码所述地址以存取存储器装置130的高速缓存或缓冲器(例如，dram)及地址电路系统(例如，行解码器及列解码器)。
[0042]
在一些实施例中，存储器装置130包含本地媒体控制器135，其与存储器子系统控制器115结合操作以对存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。外部控制器(例如，存储器子系统控制器115)可外部地管理存储器装置130(例如，对存储器装置130执行媒体管理操作)。在一些实施例中，存储器装置130是受管理型存储器装置，其是与用于同一存储器装置封装内的媒体管理的本地控制器(例如，本地媒体控制器135)组合的原始存储器装置。受管理型存储器装置的实例是受管理型nand(mnand)装置。
[0043]
存储器装置130、140中的每一者包含实施如本文描述的年限跟踪的存储器裸片150、160。对于一些实施例，存储器装置130、140中的每一者表示包括印刷电路板的存储器装置，其相应存储器裸片150、160焊接安装在所述印刷电路板上。由于被焊接安装到印刷电路板上，存储器裸片150、160中的每一者可能已经受一或多个回流焊接工艺。对于一些实施例，存储器裸片150、160中的一或两者正在存储在存储器裸片经受一或多个回流焊接工艺之前加载到存储器裸片上的预加载数据(例如，固件、操作系统、映射图数据等)。
[0044]
存储器裸片150、160中的每一者包含存储器位置程序擦除计数器155、165，其可表示逻辑或控制器。对于一些实施例，存储器位置程序擦除计数器155、165中的每一者使其相应存储器裸片能够执行以下中的一或多者：与个别组物理存储器位置(例如，用于存储预加载数据的slc、mlc、tlc、qlc块)相关联地在存储器裸片上维护一或多个老化分组(例如，slc老化块)；跟踪个别组物理存储器位置中的每一者的程序擦除计数；将程序擦除计数存储在
相应老化分组中；及将一或多个程序擦除计数从老化分组提供到存储器裸片外部的处理装置或控制器，例如到存储器子系统控制器115或本地媒体控制器135(在存储器裸片160的情况下)。举例来说，基于存储器位置程序擦除计数器165，存储器裸片160可向存储器子系统控制器115或本地媒体控制器135提供存储在其老化分组上的一或多个程序擦除计数，作为存储器裸片160与存储器子系统控制器115/本地媒体控制器135之间的握手过程的部分，所述握手过程可在存储器裸片160通电时自动执行。对于一些实施例，在将一或多个回流焊接工艺应用于存储器裸片150、160之前在存储器裸片150、160中的一或多者上预加载数据的情况下，与存储预加载数据的物理存储器位置相关联(例如，对应于所述位置)的程序擦除计数可反映(例如，可更新以反映)对物理存储器位置执行的数据写入及擦除操作(以促进预加载的数据的存储)。
[0045]
存储器子系统控制器115包含存储器位置年限跟踪器113，其使得存储器子系统控制器115能够使用或促进存储器子系统控制器115使用本文中关于存储器裸片150、160中的一或两者描述的年限跟踪特征。替代地，存储器位置年限跟踪器113中的一些或全部由本地媒体控制器135包含，借此使得本地媒体控制器135能够使用关于存储器裸片160的年限跟踪特征。基于存储器位置年限跟踪器113，存储器子系统控制器115可基于与存储器裸片150、160的一组物理存储器位置(例如，块)相关联的老化分组来确定所述组物理存储器位置的年限。存储器位置年限跟踪器113可使存储器子系统控制器115能够确定与存储器裸片(例如，150、160)的一组物理存储器位置相关联的老化分组的电荷损耗值，并且基于所确定电荷损耗值，确定用于从所述组物理存储器位置读取数据的电压电平阈值或用于刷新存储在所述组物理存储器位置上的数据的刷新准则。例如，为确定电压电平阈值或刷新准则，存储器位置年限跟踪器113可使得存储器子系统控制器115能够存取存储器裸片150、160中的每一者的预特性化数据。取决于实施例，预特性化数据可包括将(老化分组的)给定电荷损耗值或电荷损耗值范围关联(例如，映射)到以下中的一或多者的数据：一组物理存储器位置的电压电平阈值(例如，预指派读取偏移)；一组物理存储器位置的刷新准则；或应用于存储器裸片的回流焊接工艺(例如，循环)的数目。对于一些实施例，预特性化数据存储在存储器裸片150、160的外部(例如，本地存储器119)，并且可由存储器子系统控制器115向存储器裸片存取。本文通过表1说明实例预特性化数据。
[0046]
图2到6是根据本公开的一些实施例的用于跟踪存储器裸片的一组物理存储器位置的年限的实例方法的流程图。方法200、300、400、500、600可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微代码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法200或300的一或多个操作作为用于制造带有存储器裸片(例如，150、160)的印刷电路板的过程来执行，而方法200或300的任何剩余操作由图1的存储器子系统控制器115基于存储器位置年限跟踪器113或由图1的本地媒体控制器135执行。在一些实施例中，方法400、500、600中的至少一者由图1的存储器子系统控制器115基于存储器位置年限跟踪器113来执行。额外地，或替代地，对于一些实施例，方法200、300、400、500、600中的至少一者至少部分地由图1的存储器装置130的本地媒体控制器135执行。尽管以特定序列或顺序展示，除非另有指定，否则可修改过程的顺序。因此，所说明实施例应仅被理解为实例，并且所说明过程可以不同顺序执行，并且一些过程可并行执行。另外，在各种实施例中可省略一或多个过程。
因此，并非在每一个实施例中都使用所有过程。其它过程流程是可能的。
[0047]
现在参考图2的方法200，根据一些实施例，方法200说明准备用于年限跟踪的存储器裸片(例如，150、160)并将存储器裸片安装到印刷电路板(例如，存储器装置130、140)上的实例。对于一些实施例，方法200作为将一或多个组件与印刷电路板(例如，存储器装置印刷电路板)组装的制造过程的部分来执行。举例来说，方法200可由制造存储器裸片的一方(以下称为制造商或制造方)执行，或者可由下游方执行，例如接收存储器裸片(例如，从裸片制造商)并将所接收存储器裸片(及其它组件)安装到印刷电路板上的一方。
[0048]
在操作202处，耦合到存储器裸片(例如，150、160)的设备(例如存储器裸片测试设备)致使存储器裸片通电。操作202可在已制造存储器裸片之后但在存储器裸片经受回流焊接工艺之前执行。对于一些实施例，存储器裸片包括一组物理存储器位置(例如，一或多个块)及与所述组物理存储器位置相关联的老化分组，其中老化分组包括存储器裸片的一或多个物理存储器位置(例如，一或多个块)。例如，老化分组可包括一或多个slc块，并且所述组物理存储器位置可包括一组slc、mlc、tlc或qlc块。对于一些实施例，一或多个slc块用于老化分组，其可提供高信噪比以用于电压/电荷检测目的。在对存储器裸片执行一或多个回流焊接工艺后，电压/电荷检测可用于测量老化分组的电压分布，并相应地确定老化分组的电荷损耗值。
[0049]
对于一些实施例，存储器裸片(例如，150、160)包括用于跟踪所述组物理存储器位置的程序擦除计数的逻辑(例如，存储器位置程序擦除计数器155、165)，其中程序擦除计数描述数据已写入到所述组物理存储器位置或从所述组物理存储器位置擦除的次数。对于各种实施例，所述组物理存储器位置的程序擦除计数存储在老化分组上。在老化分组上存储程序擦除计数可致使老化分组具有在存储器裸片经受一或多个回流焊接工艺之前的电荷分布。对于各种实施例，应用于存储器裸片的一或多个回流焊接工艺引起老化分组的电荷损耗，其中对存储器裸片执行的回流焊接工艺越多，老化分组经历的电荷损耗越大。在将存储器裸片安装到印刷电路板并使其经受一或多个回流焊接工艺之后，电荷分布最终可由后续操作/过程用来确定在存储器裸片已经受一或多个回流焊接工艺之后老化分组的电荷损耗值。此外，如本文描述，存储在老化分组上的程序擦除计数最终可由一些实施例用来确定所述组物理存储器位置的年限。
[0050]
对于一些实施例，存储器裸片包括多个老化分组，其中每一老化分组与存储器裸片的一组不同的物理存储器位置相关联(例如，对应于所述位置)。以此方式，可基于与一组给定物理存储器位置相关联的老化分组的电荷损耗来确定存储器裸片的所述组给定物理存储器位置的年限、刷新准则或电压电平阈值。对于一些实施例，逻辑跟踪多个程序擦除计数，其中每一者跟踪存储器裸片的一组不同的物理存储器位置的计数。给定一组物理存储器位置的程序擦除计数可存储在与给定组物理存储器位置相关联的老化分组中。
[0051]
在存储器裸片通电之后，在操作204处，耦合到存储器裸片(例如，150、160)的设备致使预加载数据的一部分存储在所述组物理存储器位置上，其中预加载数据的部分存储在所述组物理存储器位置上致使程序擦除计数(与所述组物理存储器位置相关联)被更新。更新是基于对所述组物理存储器位置执行以促进将预加载数据的部分存储到所述组物理存储器位置的写入及擦除。操作204可作为致使预加载数据跨越存储器裸片的多组物理存储器位置存储的操作的部分来执行。如本文指出，预加载数据可包含(但不限于)固件数据、操
作系统数据、映射图数据、软件应用程序数据及类似者，其可由最终使用存储器裸片的装置(例如，计算装置)利用。可通过在计算装置上操作的软件应用程序(例如，存储器裸片测试软件或类似者)来执行操作204，所述软件应用程序可通过设备与存储器裸片交互，并致使在存储器裸片上存储预加载数据。
[0052]
最终，所述设备在操作206处致使存储器裸片(例如，150、160)断电。在存储器裸片断电后，可在操作208处将存储器裸片焊接安装到印刷电路板。取决于实施例，存储器裸片可通过回流焊接工艺安装到印刷电路板，并且存储器裸片可与一或多个其它组件(例如，一或多个其它存储器裸片)同时安装在印刷电路板上。
[0053]
现在参考图3的方法300，根据一些实施例，方法300说明准备用于年限跟踪的存储器裸片(例如，150、160)、将存储器裸片安装到印刷电路板(例如，130、140)以及此后与存储器裸片交互的实例。对于一些实施例，方法300作为将一或多个组件与印刷电路板(例如，存储器装置印刷电路板)组装的制造过程的部分来执行。举例来说，方法300可由制造存储器裸片的一方执行，或者可由下游方执行，例如接收存储器裸片(例如，来自裸片制造商)并将所接收存储器裸片(及其它组件)安装到印刷电路板上的一方。另外，方法300的操作312到316可作为测试印刷电路板或测试包含印刷电路板的装置的部分来执行。对于一些实施例，操作302到308分别类似于关于图2描述的方法200的操作202到208。
[0054]
在操作310处，回流设备(例如，回流炉)对印刷电路板(具有安装的存储器裸片)执行一或多个回流焊接工艺，以将一或多个额外组件焊接到印刷电路板。举例来说，在印刷电路板是存储器装置(例如，130、140)印刷电路板的情况下，操作310可用于在存储器装置印刷电路板上焊接安装控制器，例如本地媒体控制器(例如，135)。
[0055]
在操作312处，处理装置(例如，存储器子系统控制器115的处理器117)基于老化分组的电荷损耗值并进一步基于程序擦除计数来确定所述组物理存储器位置的年限。对于一些实施例，处理装置操作地耦合到印刷电路板(例如，存储器装置130、140的印刷电路板)，存储器裸片(例如，150、160)焊接安装在所述印刷电路板上(通过操作308)。通过印刷电路板，处理装置可与存储器裸片(例如，150、160)交互(例如，通信)，这可使得操作312能够由处理装置执行。对于一些实施例，通过操作312确定老化包括：测量老化分组的当前电荷分布；基于当前电荷分布与参考电荷分布之间的差来确定电荷损耗值；以及基于电荷损耗值与程序擦除计数来计算所述组物理存储器位置的年限。例如，可通过将电荷损耗值乘以程序擦除计数来计算年限。所确定的所述组物理存储器位置的年限可使处理装置(例如，存储器子系统控制器115)能够确定所述组物理存储器位置(例如，存储器裸片的一或多个块)何时可能失效或呈现为有缺陷。
[0056]
对于一些实施例，所述组物理存储器位置的程序擦除计数存储在(相关联的)老化分组上，并且程序擦除计数由处理装置从老化分组获得。对于一些实施例，操作312包括从老化分组获得程序擦除计数。另外，作为存储器裸片与处理装置之间的握手过程的部分(例如，当存储器裸片最初通电时)，可从老化分组获得程序擦除计数，在此期间，存储器裸片可向处理装置提供存储器裸片的一或多组物理存储器位置的一或多个程序擦除计数。替代地，处理装置可请求存储器裸片提供程序擦除计数，且接着接收响应于所述请求的程序擦除计数。
[0057]
所使用的参考电荷分布(用于确定老化分组的电荷损耗值)可为通过测试存储器
裸片或测试类似于存储器裸片的另一存储器裸片而确定或测量的电荷分布(例如，由存储器裸片的制造商确定或测量)。例如，在测试期间及在回流焊接工艺之前，存储器裸片或类似存储器可加载有预加载数据，这可引起存储预加载数据的相应组物理存储器位置的一或多个程序擦除计数的更新，并引起一或多个程序擦除计数。在将预加载数据存储在相应组物理存储器位置上之后，可测量一或多个老化分组的参考电荷分布并将其存储为数据(例如，参考电荷分布数据)，所述数据可稍后(例如，由处理装置)用来确定所述一或多个老化分组的电荷损耗值，如本文描述。
[0058]
在操作314处，处理装置(例如，117)基于老化分组的电荷损耗值确定电压电平阈值，其中电压电平阈值用于从所述组物理存储器位置读取数据。特定来说，电压电平阈值可包括电压值(例如，-100mv)，其确定由物理存储器位置保持的电荷(例如，由块的存储器单元保持的电子电荷)是表示所存储二进制值1还是表示所存储二进制值0。例如，由操作314确定的电压电平阈值可由处理装置用来读取存储在所述组物理存储器位置上(由操作304存储)的预加载数据的部分。对于一些实施例，一旦确定，就可使用电压电平阈值通过应用(例如，存储)与所述组物理存储器位置相关联的电压电平阈值设置来从所述组物理存储器位置读取数据。
[0059]
对于一些实施例，操作314包括存取预特性化数据以获得与老化分组的电荷损耗值相关联的电压电平阈值，其中预特性化数据描述电压电平阈值与电荷损耗值之间的关联(例如，将电荷损耗值或电荷损耗值范围映射到电压电平阈值)。对于各种实施例，预特性化数据存储在存储器裸片外部。例如，处理装置可从处理装置可存取但与存储器裸片不同或分离的存储器存取预特性化数据(例如，存储在存储器子系统控制器115的本地存储器119上)。预特性化数据可具体地与存储器裸片相关联，或者与类似于存储器裸片的存储器裸片相关联。预特性化数据可由例如存储器裸片的制造商提供。对于一些实施例，基于对存储器裸片的测试或对类似于存储器裸片的另一存储器裸片的测试来产生或收集预特性化数据。此测试可由存储器裸片的制造商执行。
[0060]
关于操作316，处理装置(例如，117)基于老化分组的电荷损耗值确定所述组物理存储器位置的刷新准则。对于一些实施例，处理装置基于刷新准则对存储在所述组物理存储器位置上的数据(例如，预加载数据的部分)执行刷新过程。例如，刷新准则可指示应以每5年、4年、3年、2年、1年的速率或立即基于老化分组的电荷损耗值对存储在所述组物理存储器位置上的数据执行刷新过程。对于一些实施例，用于确定刷新准则的公式可包括从存储器裸片的电荷保留规范减去回流工艺(例如，循环)的数目。回流焊接工艺的数目可通过预特性化数据提供，所述预特性化数据可描述给定电荷损耗值与回流焊接工艺的数目之间的关联。取决于实施例，刷新过程可包括将所存储数据从所述组物理存储器位置复制并移动到存储器裸片的另一组物理存储器位置。对存储器裸片的一或多个物理存储器位置(例如，块的存储器单元)执行刷新过程可处置由所述一或多个物理存储器位置保持的电荷的自然劣化。对于一些实施例，为能够对存储在所述组物理存储器位置上的数据执行刷新过程，由刷新过程使用针对所述组物理存储器位置确定的电压电平阈值(通过操作314)从所述组物理存储器位置读取所存储数据并刷新所存储数据(例如，通过复制及移动所存储数据)。
[0061]
对于一些实施例，操作316包括存取预特性化数据以获得与老化分组的电荷损耗值相关联的刷新准则，其中预特性化数据描述刷新准则与电荷损耗值之间的关联(例如，将
电荷损耗值或电荷损耗值范围映射到刷新准则)。如本文描述，预特性化数据可存储在存储器裸片外部(例如，存储在存储器子系统控制器115的本地存储器119上)。预特性化数据可具体地与存储器裸片相关联，或者与类似于存储器裸片的存储器裸片相关联。另外，预特性化数据可由存储器裸片的制造商提供，并可基于存储器裸片的测试或类似于存储器裸片的另一存储器裸片的测试产生或收集。
[0062]
现在参考图4的方法400，根据一些实施例，方法400说明基于年限跟踪确定存储器裸片的一组物理存储器位置的年限的实例。在操作402处，处理装置(例如，存储器子系统控制器115的处理器117)确定存储器裸片(例如，150、160)的老化分组的电荷损耗，其中老化分组与存储器裸片(例如，150、160)的一组物理存储器位置相关联。对于一些实施例，操作402包括测量老化分组的当前电荷分布，并基于当前电荷分布及参考电荷分布之间的差来确定电荷损耗值。对于一些实施例，在存储器裸片经受一或多个回流焊接工艺之前存储在老化分组上的数据(例如，程序擦除计数)致使老化分组具有在一或多个回流焊接工艺之前的电荷分布。如本文指出，应用于存储器裸片的一或多个回流焊接工艺可引起老化分组的电荷损耗。如本文还指出，所使用的参考电荷分布(用于确定老化分组的电荷损耗值)可为通过测试存储器裸片或测试类似于存储器裸片的另一存储器裸片而确定或测量的电荷分布(例如，通过存储器裸片的制造商确定或测量)。
[0063]
对于一些实施例，老化分组存储程序擦除计数，其描述在对存储器裸片执行一或多个回流焊接工艺之前数据已写入到所述组物理存储器位置或从所述组物理存储器位置擦除的次数。对于各种实施例，在将存储器裸片焊接安装在(例如，存储器装置130、140的)印刷电路板上之前，将程序擦除计数存储在老化分组上，其中存储器裸片通过印刷电路板操作地耦合到存储器裸片。例如，处理装置可与存储器裸片一起安装在印刷电路板上(例如，本地媒体控制器135)，或可在印刷电路板外部(例如，存储器子系统控制器115)。对于一些实施例，在老化分组上存储程序擦除计数为老化分组提供在存储器裸片经受一或多个回流焊接工艺之前的电荷分布(例如，初始电荷分布)。
[0064]
在操作404处，处理装置(例如，117)从与所述组物理存储器位置相关联的老化分组获取程序擦除计数。对于一些实施例，操作404作为存储器裸片与处理装置之间的握手过程的部分执行(例如，当存储器裸片最初通电时)，在此期间，存储器裸片可向处理装置提供存储器裸片的一或多组物理存储器位置的一或多个程序擦除计数。替代地，处理装置可请求存储器裸片提供程序擦除计数，且接着接收响应于所述请求的程序擦除计数。
[0065]
在操作406处，处理装置(例如，117)基于电荷损耗值(由操作402确定)并进一步基于程序擦除计数(由操作404获得)确定所述组物理存储器位置的年限。对于一些实施例，操作406包括：测量老化分组的当前电荷分布；基于当前电荷分布及参考电荷分布之间的差来确定电荷损耗值；以及基于电荷损耗值及程序擦除计数计算所述组物理存储器位置的年限。例如，可通过将电荷损耗值乘以程序擦除计数来计算年限。如本文指出，所确定的所述组物理存储器位置的年限可使处理装置(例如，存储器子系统控制器115)能够确定所述组物理存储器位置(例如，存储器裸片的一或多个块)何时可能失效或呈现为有缺陷。
[0066]
现在参考图5的方法500，根据一些实施例，方法500说明基于年限跟踪确定从存储器裸片的一组物理存储器位置读取数据的电压电平阈值的实例。在操作502处，处理装置(例如，存储器子系统控制器115的处理器117)确定存储器裸片(例如，150、160)的老化分组
的电荷损耗，其中老化分组与存储器裸片(例如，150、160)的一组物理存储器位置相关联。对于一些实施例，操作502类似于关于图4描述的方法400的操作402。
[0067]
在操作504处，处理装置(例如，117)基于老化分组的电荷损耗值(由操作502确定)确定电压电平阈值，其中电压电平阈值用于从所述组物理存储器位置读取数据。对于一些实施例，电压电平阈值与所述组物理存储器位置相关联地应用(例如，存储)，这可使得处理装置能够基于(例如，使用)电压电平阈值从所述组物理存储器位置读取数据。
[0068]
对于一些实施例，操作504包括存取预特性化数据以获得与老化分组的电荷损耗值相关联的电压电平阈值，其中预特性化数据描述电压电平阈值与电荷损耗值之间的关联(例如，将电荷损耗值或电荷损耗值范围映射到电压电平阈值)。对于各种实施例，预特性化数据存储在存储器裸片外部。例如，处理装置可从处理装置可存取但与存储器裸片不同或分离的存储器存取预特性化数据(例如，存储在存储器子系统控制器115的本地存储器119上)。预特性化数据可具体地与存储器裸片相关联，或者与类似于存储器裸片的存储器裸片相关联。预特性化数据可由例如存储器裸片的制造商提供。对于一些实施例，基于对存储器裸片的测试或对类似于存储器裸片的另一存储器裸片的测试来产生或收集预特性化数据。此测试可由存储器裸片的制造商执行。
[0069]
在操作506处，处理装置(例如，117)基于(例如，使用)由操作504确定的电压电平阈值从所述组物理存储器位置读取数据，例如预加载数据的一部分。如本文指出，电压电平阈值可包括电压值(例如，-100mv)，其确定由物理存储器位置保持的电荷(例如，由块的存储器单元保持的电子电荷)是表示所存储二进制值1或还是表示所存储二进制值0。
[0070]
现在参考图6的方法600，根据一些实施例，方法600说明基于年限跟踪确定存储器裸片的一组物理存储器位置的刷新准则(刷新存储在其上的数据)的实例。在操作602处，处理装置(例如，存储器子系统控制器115的处理器117)确定存储器裸片(例如，150、160)的老化分组的电荷损耗，其中老化分组与存储器裸片(例如，150、160)的一组物理存储器位置相关联。对于一些实施例，操作602类似于关于图4描述的方法400的操作402。
[0071]
关于操作604，处理装置(例如，117)基于老化分组的电荷损耗值(由操作602确定)确定所述组物理存储器位置的刷新准则。对于一些实施例，处理装置基于刷新准则对存储在所述组物理存储器位置上的数据(例如，预加载数据的部分)执行刷新过程。例如，刷新准则可指示应以每5年、4年、3年、2年、1年的速率或立即基于老化分组的电荷损耗值对存储在所述组物理存储器位置上的数据执行刷新过程。对于一些实施例，用于确定刷新准则的公式可包括从存储器裸片的电荷保留规范减去回流工艺(例如，循环)的数目。回流焊接工艺的数目可通过预特性化数据提供，所述预特性化数据可描述给定电荷损耗值与回流焊接工艺的数目之间的关联。取决于实施例，刷新过程可包括将所存储数据从所述组物理存储器位置复制并移动到存储器裸片的另一组物理存储器位置。对存储器裸片的一或多个物理存储器位置(例如，块的存储器单元)执行刷新过程可处置由所述一或多个物理存储器位置保持的电荷的自然劣化。
[0072]
对于一些实施例，操作604包括存取预特性化数据以获得与老化分组的电荷损耗值相关联的刷新准则，其中预特性化数据描述刷新准则与电荷损耗值之间的关联(例如，将电荷损耗值或电荷损耗值范围映射到刷新准则)。如本文描述，预特性化数据可存储在存储器裸片外部(例如，存储在存储器子系统控制器115的本地存储器119上)。预特性化数据可
具体地与存储器裸片相关联，或者与类似于存储器裸片的存储器裸片相关联。另外，预特性化数据可由存储器裸片的制造商提供，并可基于存储器裸片的测试或类似于存储器裸片的另一存储器裸片的测试产生或收集。
[0073]
在操作606处，处理装置(例如，117)基于由操作604确定的刷新准则，对存储在所述组物理存储器位置上的数据(例如，预加载数据的一部分)执行刷新过程。
[0074]
图7是说明根据本公开的一些实施例的基于应用于存储器裸片的数目回流焊接工艺的存储器裸片的老化分组的实例电荷/电压分布的图表700。如所展示，图表700包括曲线702到714，其中每一曲线表示老化分组在给定时刻的电荷/电压分布。曲线702、704、706、708、710、712、714中的任一者上的给定数据点可指示老化分组(例如，包括一或多个slc块)的具有所测量电荷/电压值的物理存储器位置(例如，存储器单元)的数目。曲线702可表示老化分组的电荷/电压分布，其表示与老化分组相关联的一组物理存储器位置处于擦除状态或以其它方式不可读(例如，在由针对存储器裸片的操作规范定义的最小电压电平之外)。相比之下，曲线704可表示老化分组的电荷/电压分布，其表示与老化分组相关联的一组物理存储器位置处于编程状态(例如，存储数据)或以其它方式可读。曲线706表示在已对存储器裸片应用一次回流焊接工艺之后老化分组的电荷/电压分布；曲线708表示在已对存储器裸片应用两次回流焊接工艺之后老化分组的电荷/电压分布；曲线710表示在已对存储器裸片应用三次回流焊接工艺之后老化分组的电荷/电压分布；曲线712表示在已对存储器裸片应用四次回流焊接工艺之后老化分组的电荷/电压分布；曲线714表示在已对存储器裸片应用五次回流焊接工艺之后老化分组的电荷/电压分布。
[0075]
图8提供说明在一些实施例的上下文中的计算环境的组件之间的交互的交互图，其中执行如本文描述的使用存储器裸片的一或多个物理存储器位置的年限跟踪的方法。方法的操作可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微代码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，所述方法由主机系统(例如，120)、存储器子系统控制器(例如，115)、存储器裸片(例如，150或160)或其一些组合执行。尽管以特定序列或顺序展示所述操作，但除非另有指定，否则可修改过程的顺序。因此，所说明实施例应仅被理解为实例，并且所说明过程可以不同顺序执行，并且一些过程可并行执行。另外，在各种实施例中可省略一或多个过程。因此，并非在每一个实施例中都使用所有过程。在图8中所说明的实例的上下文中，主机系统可包含主机系统120，存储器子系统控制器可包含存储器子系统控制器115，并且存储器裸片可包含存储器裸片160。
[0076]
如图8中展示，在操作810处，存储器子系统控制器115从存储器裸片160获得存储器裸片160的一或多组物理存储器位置的一或多个程序擦除计数。为促进此，在操作830处，存储器裸片160提供来自存储器裸片160的一或多个老化分组的程序擦除计数，其中所述老化分组与所述组物理存储器位置相关联。在操作812处，存储器子系统控制器115确定存储器裸片160的选择老化分组的电荷损耗值，其中选择老化分组与存储器裸片160的一组选择物理存储器位置相关联。对于一些实施例，所述组选择物理存储器位置存储预加载数据的至少一部分，所述预加载数据在存储器裸片160经受一或多个回流焊接工艺之前加载(例如，存储)在所述组选择物理存储器位置上。另外，对于一些实施例，存储器子系统控制器115通过测量选择老化分组的当前电荷分布来确定电荷损耗值。存储器裸片160通过在操作
832处向存储器子系统控制器115提供对选择老化分组的存取来实现此测量，这可允许存储器子系统控制器115测量选择老化分组的个别电荷。替代地，存储器裸片160可确定存储器子系统控制器115的选择老化分组的当前电荷分布，且接着将当前电荷分布提供到存储器子系统控制器115。
[0077]
在操作814处，存储器子系统控制器115基于选择老化分组的电荷损耗值及程序擦除计数来确定所述组选择物理存储器位置的年限。所述组选择物理存储器位置的年限可向存储器子系统控制器115指示所述组选择物理存储器位置可失效的可能性。另外，在操作816处，存储器子系统控制器115确定所述组选择物理存储器位置的电压电平阈值、刷新准则或两者。如本文描述，刷新准则可由存储器子系统控制器115用来对存储在所述组选择物理存储器位置上的数据执行刷新过程。
[0078]
如本文还描述，电压电平阈值可由存储器子系统控制器115用来读取存储在所述组选择物理存储器位置上的数据。因此，在操作818处，存储器子系统控制器115基于由操作816确定的电压电平阈值向主机系统120提供对存储在所述组选择物理存储器位置上的数据的读取存取。在操作834处，存储器裸片160向存储器子系统控制器115提供对所述组选择物理存储器位置的存取。在操作802处，主机系统120读取存储在所述组选择物理存储器位置上的由存储器子系统控制器115提供的数据。操作802可包括主机系统120：向存储器子系统控制器115发送对与逻辑存储器地址(例如，lba)相关联的数据的请求，所述逻辑存储器地址与所述组选择物理存储器位置相关联；及从存储器子系统控制器115接收所请求数据。
[0079]
图9说明呈计算机系统900的形式的实例机器，在计算机系统900内可执行用于致使所述机器执行本文所论述的方法中的任一或多者的一组指令。在一些实施例中，计算机系统900可对应于主机系统(例如，图1的主机系统120)，其包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)，或者可用以执行本文描述的操作。在替代实施例中，所述机器可连接(例如，联网)到局域网(lan)、内联网、外联网及/或因特网中的其它机器。所述计算机可在客户端-服务器网络环境中以服务器或客户端机器的身份操作，在对等(或分布式)网络环境中作为对等机器操作，或在云计算基础设施或环境中作为服务器或客户端机器操作。
[0080]
机器可为个人计算机(pc)、平板pc、机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)、蜂窝电话、网络器械、服务器、网络路由器、交换机或网桥或能够执行指定待由所述机器采取的动作的一组指令(循序或以其它方式)的任何机器。此外，虽然说明单个机器，但是术语“机器”也应被认为包含机器的任何集合，其个别地或共同地执行一组(或多组)指令以执行本文所论述的方法中的任一者或多者。
[0081]
实例计算机系统900包含处理装置902、主存储器904(例如，只读存储器(rom)、快闪存储器、动态随机存取存储器(dram)，例如同步dram(sdram)或rambus dram(rdram)等)、静态存储器906(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(sram)等)及数据存储装置918，其经由总线930彼此通信。
[0082]
处理装置902表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元或类似者。更特定来说，处理装置902可为复杂指令集计算(cisc)微处理器、精简指令集计算(risc)微处理器、超长指令字(vliw)微处理器、实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置902也可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(asic)、现
场可编程门阵列(fpga)、数字信号处理器(dsp)、网络处理器或类似者。处理装置902经配置以执行用于执行本文所论述的操作及步骤的指令926。计算机系统900可进一步包含用于通过网络920进行通信的网络接口装置908。
[0083]
数据存储装置918可包含机器可读存储媒体924(也称为计算机可读媒体)，在其上存储体现本文所描述的方法或功能中的任一者或多者的一或多组指令926或软件。在由计算机系统900执行指令926期间，指令926也可全部或至少部分地驻留在主存储器904内及/或处理装置902内，主存储器904及处理装置902也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体924、数据存储装置918及/或主存储器904可对应于图1的存储器子系统110。
[0084]
在一个实施例中，指令926包含用以实施对应于使用如本文描述的存储器裸片的存储器位置年限跟踪(例如，图1的存储器位置年限跟踪器113)的功能性的指令。尽管在实例实施例中将机器可读存储媒体924展示为单个媒体，但是术语“机器可读存储媒体”应被认为包含存储一或多组指令的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”也应被认为包含能够存储或编码一组指令以供机器执行并且致使机器执行本公开的方法中的任一者或多者的任何媒体。因此，术语“机器可读存储媒体”应被认为包含(但不限于)固态存储器、光学媒体及磁性媒体。
[0085]
已根据对计算机存储器内的数据位的操作的算法及符号表示来呈现前述详细描述的某些部分。这些算法描述及表示是数据处理领域的技术人员用来最有效地向所属领域的其它技术人员传达其工作实质的方式。此处，算法通常被认为是导致所需结果的自洽操作序列。所述操作是需要对物理量的物理操纵的操作。通常但不是必须的，这些量采用能够被存储、组合、比较及以其它方式操纵的电或磁信号的形式。已证明，有时主要出于通用的原因将这些信号称为位、值、元素、符号、字符、项、数字或类似者是方便的。
[0086]
然而，应牢记，所有这些及类似术语均应与适当物理量相关联并且仅仅是应用于这些量的方便标签。本公开内容可涉及计算机系统或类似电子计算装置的动作及过程，所述计算机系统或类似电子计算装置将表示为计算机系统的寄存器及存储器内的物理(电子)数的数据操纵及变换为类似地表示为计算机系统存储器或寄存器或其它此类信息存储系统内的物理量。
[0087]
本公开还涉及用于执行本文的操作的设备。此设备可经特定构造用于预期目的，或者其可包含由存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。此计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，例如(但不限于)任何类型的磁盘，包含软盘、光盘、cd-rom及磁光盘、只读存储器(rom)、随机存取存储器(ram)、eprom、eeprom、磁卡或光卡或适用于存储电子指令的任何类型的媒体，其各自耦合到计算机系统总线。
[0088]
本文提出的算法及显示并非固有地与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可与根据本文的教示的程序一起使用，或者可证明构造更专用设备来执行所述方法是方便的。各种这些系统的结构将如下文描述中所阐述那样出现。另外，未参考任何特定编程语言来描述本公开。将了解，可使用各种编程语言来实施如本文所描述的本公开的教示。
[0089]
本公开可被提供为计算机程序产品或软件，其可包含其上存储有指令的机器可读媒体，所述指令可用于对计算机系统(或其它电子装置)进行编程以执行根据本公开的过程。机器可读媒体包含用于以由机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机制。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，例
如只读存储器(“rom”)、随机存取存储器(“ram”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器组件等。
[0090]
在前述说明书中，已参考本公开的特定实例实施例描述本公开的实施例。显而易见的是，在不脱离如所附权利要求书中阐述的本公开的实施例的更广泛精神及范围的情况下，可对其进行各种修改。因此，说明书及图式应被认为是说明意义而不是限制意义的。