技术总结
公开了用于经由具有差分阈值电压的MOS晶体管的使用来提供选择性阈值电压特性的系统和方法。在一个示例性实施例中，提供了一种金属氧化物半导体器件，其包括具有源极区、漏极区和在其之间的沟道区、在所述沟道区之上的绝缘层，以及所述绝缘层的栅极部分的半导体材料的衬底。此外，关于该器件，绝缘层的形状和/或结区的形状或注入具有在栅极至漏极与栅极至源极结之间的变化维度，以在其之间提供差分阈值电压。值电压。值电压。
技术研发人员：H.V.特伦 S.萨哈
受保护的技术使用者：硅存储技术公司
技术研发日：2011.03.30
技术公布日：2021/4/23