固态硬盘、电子设备和管理固态硬盘的方法与流程

固态硬盘、电子设备和管理固态硬盘的方法
1.相关申请的交叉引用
2.于2020年7月13日在韩国知识产权局提交的、标题为“solid state drive,electronic device including solid state drive,and method of managing solid state drive(固态硬盘、包括固态硬盘的电子设备和管理固态硬盘的方法)”的韩国专利申请no.10-2020-0086230通过引用全部包含于此。
技术领域
3.实施例涉及电子设备，更具体地，涉及固态硬盘、包括固态硬盘的电子设备和管理固态硬盘的方法。


背景技术：

4.固态硬盘可以包括非易失性存储器。固态硬盘可以将数据存储在非易失性存储器中，并提供从非易失性存储器读取的数据。非易失性存储器可以包括闪存、相变存储器、铁电存储器、磁存储器、电阻存储器等。


技术实现要素：

5.实施例旨在提供一种电子设备，包括：电源，所述电源被配置为提供第一电力和第二电力；第一固态硬盘(ssd)底板(backplane)和第二ssd底板，所述第一ssd底板和所述第二ssd底板被配置为从所述电源接收所述第一电力，所述第一固态硬盘(ssd)底板和所述第二ssd底板均包括两个或更多个ssd；以及基板，所述基板被配置为从所述电源接收所述第二电力，彼此独立地对所述第一ssd底板和所述第二ssd底板进行通电或断电，并且访问所述第一ssd底板和所述第二ssd底板之中的处于通电状态的ssd底板的ssd。响应于所述第一ssd底板和所述第二ssd底板之中的处于断电状态的ssd底板的温度升高，所述处于所述断电状态的ssd底板的至少一个ssd被通电。
6.实施例还旨在提供一种管理固态硬盘(ssd)的方法，所述方法包括：将所述ssd断电；响应于所述ssd的环境温度的升高，对所述ssd进行通电；以及在所述ssd处执行保持恢复操作。
7.实施例还旨在提供一种固态硬盘，包括：非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括多个存储块，每个所述存储块包括多个存储单元；以及控制器，所述控制器包括温度传感器，并且被配置为当由所述温度传感器感测到的温度大于临界值时对所述多个存储块执行保持恢复操作。在通电时，所述控制器可以响应于没有与外部主机设备的通信初始化而执行所述保持恢复操作，或者在通电之后，所述控制器可以响应于所述外部主机设备的请求而执行所述保持恢复操作。
附图说明
8.通过参照附图详细描述的示例实施例，特征对于本领域技术人员将变得更加明
137可以从电子设备100的组件收集信息，并且可以访问这些组件。bmc 137可以基于与第一cpu 131和第二cpu 132的通信接口(例如，pcie)分离的单独的通信接口。例如，bmc 137可以基于智能平台管理接口(ipmi)。bmc 137的通信接口可以与第一cpu 131和第二cpu 132的通信接口通信。
32.第一ssd底板140可以从电源110接收电力pwr，可以与基板130交换信号sig，并且可以从基板130接收电力信号ps。第一ssd底板140可以与基板130的第一cpu 131、第二cpu 132或bmc 137交换信号sig，并且可以从其接收电力信号ps。可以在第一ssd底板140中安装多个ssd。这可以表示第一ssd底板140包括多个ssd。
33.基板130的第一cpu 131和第二cpu 132可以通过信号sig访问(例如，写入、读取和擦除)第一ssd底板140的ssd。基板130的bmc 137可以通过信号sig来监测第一ssd底板140，并且可以访问和控制第一ssd底板140。基板130的第一cpu 131、第二cpu 132或bmc 137可以通过使用电力信号ps对第一ssd底板140进行通电或断电。
34.第二ssd底板150和第三ssd底板160的结构和操作可以与第一ssd底板140的结构和操作相同。因此，将省略附加描述以避免重复。
35.基板130可以彼此独立地对第一ssd底板140、第二ssd底板150和第三ssd底板160进行通电或断电。例如，通过使用第一ssd底板140、第二ssd底板150和第三ssd底板160支持的服务可以是不同的。当电子设备100不提供特定服务时，可以对与特定服务相对应的ssd底板进行断电，并且可以对其余的ssd底板进行通电。
36.例如，对于每个时区(time zone)，通过使用第一ssd底板140、第二ssd底板150和第三ssd底板160支持的服务的使用频率可以不同。在通过使用第一ssd底板140、第二ssd底板150和第三ssd底板160支持的服务的使用频率低的时区中，第一ssd底板140、第二ssd底板150和第三ssd底板160中的至少一个ssd底板可以被断电。
37.冷却控制板170可以从电源110接收电力pwr。冷却控制板170可以在基板130的控制下控制冷却器180。例如，冷却控制板170可以在基板130的第一cpu 131、第二cpu 132或bmc 137的控制下控制冷却器180。冷却控制板170可以控制冷却器180的操作激活和停用以及冷却的强度(例如，风扇速度rpm)。
38.冷却器180可以从电源110接收电力pwr。冷却器180可以在冷却控制板170的控制下执行冷却，使得电子设备100的温度降低。冷却器180可以包括风扇，但是实施例不限于此。冷却器180不限于将冷却器180集中设置在一个位置的情况。例如，冷却器180可以分布并设置在两个或更多个位置。冷却器180的一部分可以被附接到电子设备100的机架(chassis)，并且可以将外部空气注入到电子设备100中。其余的冷却器180可以被设置在特定组件处，并且可以完全负责特定组件的冷却。
39.传感器(sens)190可以从电源110接收电力pwr。传感器190可以与电子设备100的组件相邻设置。传感器190可以在基板130的控制下收集各种信息，并且可以将收集的信息提供给基板130。
40.例如，传感器190可以在基板130的bmc 137的控制下收集信息，并且可以将收集的信息提供给bmc 137。传感器190可以通过ipmi的传感器数据存储库(sdr)将收集的信息提供给bmc 137。例如，可以将不同的记录id分配给传感器190。传感器190可以基于不同的记录id将信息提供给bmc 137。传感器190可以包括各种传感器，诸如，温度传感器、湿度传感
器和振动传感器。
41.虽然在图1中示出了特定数目的cpu和特定数目的存储器被安装在基板130中的示例，但是cpu的数目和存储器的数目不限于此。虽然在图1中示出了特定数目的ssd底板，但是ssd底板的数目不限于此。虽然在图1中示出了冷却器的种类多达特定数目，但是冷却器的种类和冷却器的数目不限于此。虽然在图1中示出了特定数目的传感器，但是传感器的种类和传感器的数目不限于此。
42.图2示出了ssd安装在第一ssd底板140、第二ssd底板150和第三ssd底板160中的示例。参照图1和图2，为了减小电子设备100的尺寸，ssd可以紧密地安装在第一ssd底板140、第二ssd底板150和第三ssd底板160中的每一者中。此外，为了减小电子设备100的尺寸，第一ssd底板140、第二ssd底板150和第三ssd底板160可以彼此紧密接触。
43.当第一ssd底板140、第二ssd底板150和第三ssd底板160之一处于断电状态时，其余的ssd底板可以处于通电状态。由于在处于通电状态的ssd底板产生的热量，处于断电状态的ssd底板的温度可能会升高。由于冷却器180对流传送(convected)的热量，处于断电状态的ssd底板的温度可能会升高。
44.当处于断电状态的ssd底板的温度升高时，升高的温度会加速安装在断电ssd底板中的ssd的保持(retention)的降低。保持的降低可以通过保持恢复操作来恢复。然而，当ssd底板处于断电状态时，不执行保持恢复操作。因此，由于保持的降低，所以安装在处于断电状态的ssd底板中的ssd会发生数据丢失。这样，根据示例实施例的电子设备100可以响应于断电的ssd底板的温度的升高，使安装在处于断电状态的ssd底板中的至少一个ssd通电。通电的ssd可以执行保持恢复操作，以恢复保持的降低。因此，可以防止由于由ssd底板处于断电状态时的高温加速的保持的降低而导致数据丢失。
45.图3示出了根据第一示例实施例的ssd底板200。
46.ssd底板200可以对应于图1的第一ssd底板140、第二ssd底板150和第三ssd底板160。参照图1和图3，ssd底板200可以包括第一至第四ssd插槽211、212、213和214。然而，插槽的数目不受限制。相应的ssd可以安装在第一ssd插槽211、第二ssd插槽212、第三ssd插槽213和第四ssd插槽214中的每一者中。ssd可以通过信号线与基板130交换信号sig。
47.ssd底板200可以包括分别对应于第一至第四ssd插槽211、212、213和214的第一至第四双金属(bi-metal)221、222、223和224，并且可以包括分别对应于第一至第四ssd插槽211、212、213和214的第一至第四调节器231、232、233和234。
48.第一双金属221、第二双金属222、第三双金属223和第四双金属224中的每一者可以包括结合在一起并具有不同热膨胀系数的两种分离的材料(或金属)。响应于温度的升高，具有较大热膨胀系数的材料可以比具有较小热膨胀系数的材料膨胀更多。因此，第一双金属221、第二双金属222、第三双金属223和第四双金属224中的每一者可以在加热时朝向具有较小热膨胀系数的材料弯曲。相反，响应于温度的降低，具有较大热膨胀系数的材料可以比具有较小热膨胀系数的材料收缩更多。因此，第一双金属221、第二双金属222、第三双金属223和第四双金属224中的每一者可以在冷却时朝向具有更大热膨胀系数的材料弯曲。
49.第一双金属221、第二双金属222、第三双金属223和第四双金属224可以分别与第一ssd插槽211、第二ssd插槽212、第三ssd插槽213和第四ssd插槽214相邻设置，从而第一双金属221、第二双金属222、第三双金属223和第四双金属224可以响应于第一ssd插槽211、第
二ssd插槽212、第三ssd插槽213和第四ssd插槽214的温度而弯曲。
50.第一双金属221、第二双金属222、第三双金属223和第四双金属224可以分别从第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234接收电压。响应于温度的升高，第一双金属221、第二双金属222、第三双金属223和第四双金属224可以弯曲，以连接到第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234的端子(或者，与第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234的端子间隔开或断开连接(例如，接触可以常开或常闭，并且可以据此实现适当的逻辑))。因此，第一双金属221、第二双金属222、第三双金属223和第四双金属224可以将从第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234接收的电压返回(或者可以不返回)到第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234。相反，响应于温度的降低，第一双金属221、第二双金属222、第三双金属22和第四双金属224可以弯曲，以与第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234的端子间隔开(或者，附接到第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234的端子)。因此，第一双金属221、第二双金属222、第三双金属223和第四双金属224可以将从第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234接收的电压不返回(或者可以返回)到第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234。
51.响应于来自基板130的电力信号ps，可以对ssd底板200进行通电或断电。当ssd底板200通电时，第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234可以向第一ssd插槽211、第二ssd插槽212、第三ssd插槽213和第四ssd插槽214的ssd供电。当ssd底板200断电时，第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234可以阻止电力被提供给第一ssd插槽211、第二ssd插槽212、第三ssd插槽213和第四ssd插槽214的ssd。
52.当ssd底板200断电时，第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234可以监测是否从第一双金属221、第二双金属222、第三双金属223和第四双金属224传递了电压。当未传递电压(或者传递了电压)时，第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234可以保持电力中断。当传递了电压(或者未传递电压)时，第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234可以向第一ssd插槽211、第二ssd插槽212、第三ssd插槽213和第四ssd插槽214的ssd供电。
53.第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234中的每一者可以包括存储电力的电容器“c”。当环境温度足够高，即，从第一双金属221、第二双金属222、第三双金属223和第四双金属224之一传递了电压(或者，未传递电压)时，相应的调节器可以向相应的ssd供电。在相应的ssd的保持恢复操作完成之前由于环境温度降低而未从一个双金属传递电压(或者，从一个双金属传递电压)的情况下，相应的调节器可以阻止向相应的ssd供电。在这种情况下，相应的ssd可以通过使用存储在电容器“c”中的电力来完成保持恢复操作。例如，电容器“c”可以与相应的调节器的输出电力pwr的输出端子连接。
54.在示例实施例中，第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234可以响应于公共电力信号ps而阻止或提供电力。在另一实施方式中，第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234可以分别响应于不同的电力信号ps独立地阻止或提供电力。
55.第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234可以响应于来
自基板130的第一cpu 131、第二cpu 132或bmc 137的电力信号ps而通电或断电。第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234可以集成到一个调节器中。
56.在示例实施例中，可以利用响应于电力信号ps和来自第一双金属221、第二双金属222、第三双金属223和第四双金属224的电压进行操作的电力开关来代替第一调节器231、第二调节器232、第三调节器233和第四调节器234。
57.图4示出了根据示例实施例的电子设备100的操作方法的第一示例。在图4中示出了用于安装在一个ssd插槽(例如，第一ssd插槽211)中的ssd的操作方法。
58.参照图1、图3和图4，在操作s110中，基板130可以通过电力信号ps请求ssd底板(例如，140)断电。可以基于诸如pcie、nvme和ipmi的各种通信接口之一来传递电力信号ps。
59.在操作s120中，第一ssd底板140可以阻止向ssd供电，以断电。在ssd断电的同时，在操作s130中，调节器(例如，第一调节器231)可以将电压提供给与第一ssd插槽211相邻设置的第一双金属221，并且可以确定是否从第一双金属221传递了电压。
60.当未从第一双金属221传递电压(或者，从第二双金属221传递了电压)并且因此双金属信号被停用时，第一调节器231可以保持电力中断。当从第一双金属221传递了电压(或者，未传递电压)并且因此双金属信号被激活时，执行操作s140。在操作s140中，第一调节器231可以向第一ssd插槽211的ssd供电以通电。
61.在操作s150中，响应于ssd通电，ssd可以执行与基板130的通信初始化。通信初始化可以是用于在基板130与ssd之间执行信号sig的通信的以下初始化：定时调整、终端电阻调整以及信号强度调整。在通信初始化之前或者与通信初始化并行执行，ssd可以执行内部初始化。内部初始化可以是ssd的内部操作的以下初始化：加载固件以及设置内部电压电平。
62.在操作s160中，通电的ssd可以作为后台操作执行保持恢复操作。例如，保持恢复操作可以包括：通过读取操作检测保持-降低的数据的检测操作，以及在任何其他位置再次写入保持-降低的数据的回收操作。ssd可以根据内部给定算法来调度保持恢复操作，并且可以根据调度来执行保持恢复操作。
63.可以对属于断电的ssd底板的各个ssd并行地执行图4所示的操作。当执行后台操作时温度降低时，电力可以被阻止。在这种情况下，每个ssd可以通过使用电容器“c”中充电的电力来执行保持恢复操作。在维持高温持续供电的情况下，ssd可以基于内部给定算法两次或更多次地执行保持恢复操作。
64.在示例实施例中，每个ssd可以包括温度传感器。每个ssd可以基于由温度传感器感测到的温度，根据内部给定算法来调度保持恢复操作，并且可以根据调度执行保持恢复操作。
65.图5示出了根据示例实施例的电子设备100的操作方法的第二示例。
66.参照图1、图3和图5，以与图4的操作s110、操作s120、操作s130和操作s140相同的方案执行操作s210、操作s220、操作s230和操作s240。因此，将省略附加描述以避免重复。
67.在调节器(例如，第一调节器231)将安装在第一ssd插槽211中的ssd通电之后，基板130可以不执行与ssd的通信初始化。在示例实施例中，即使由基板130断电的ssd(或ssd底板)请求了通信初始化，或者通信初始化的过程被执行，基板130也可以忽略通信初始化的请求或过程。
68.在操作s250中，响应于没有通信初始化，ssd可以执行保持恢复操作。响应于没有通信初始化，ssd可以识别出由于温度升高而临时通电。在通电后，ssd可以立即执行保持恢复操作，并且可以快速检测保持的降低，因此快速防止由于保持的降低而导致的数据丢失。
69.在另一示例实施例中，即使不执行通信初始化，每个ssd也可以根据内部给定算法作为后台操作调度保持恢复操作，并且可以执行所调度的保持恢复操作。
70.图6示出了根据示例实施例的电子设备100的操作方法的第三示例。
71.参照图1、图3和图6，以与图4的操作s110、操作s120、操作s130、操作s140和操作s150相同的方案执行操作s310、操作s320、操作s330、操作s340和操作s350。因此，将省略附加描述以避免重复。
72.响应于操作s350中的通信初始化，基板130的第一cpu 131、第二cpu132或bmc 137可以识别出安装在ssd插槽(例如，第一ssd插槽211)中的ssd被通电。响应于断电的ssd底板(例如，第一ssd底板140)的ssd被通电，基板130可以识别出由于温度升高而使ssd被通电。
73.在操作s360中，基板130可以请求通电的ssd执行保持恢复操作。基板130可以通过信号sig请求通电的ssd执行保持恢复操作。在操作s370中，通电的ssd可以响应于来自基板130的请求，执行保持恢复操作。
74.在以上描述中，基板130通过通信初始化识别出温度的升高(操作s350)。然而，基板130识别温度升高的方式不受限制。例如，响应于双金属信号被激活(操作s330)，调节器(例如，第一调节器231)可以通过单独的信号线向基板130通知温度升高。单独的信号线可以基于诸如pcie、nvme和ipmi的各种通信接口之一。
75.当在操作s360中基板130传递保持恢复请求时，基板130可以将附加信息传递给通电的ssd。例如，基板130可以向通电的ssd提供环境信息(诸如，温度信息)以及影响通电的ssd的保持的附加信息。通电的ssd可以基于来自基板130的信息执行保持恢复操作。
76.在示例实施例中，当识别出温度升高时，在操作s395中，基板130可以使得冷却控制板170能够加强冷却器180的冷却。在示例实施例中，用于加强冷却的参考温度可以不同于用于对ssd进行通电的参考温度。用于冷却的参考温度和用于通电的参考温度可以通过分别设置与用于冷却的参考温度相对应的双金属以及与用于通电的参考温度相对应的双金属来不同地实现。用于冷却的参考温度可以低于或高于用于通电的参考温度。
77.图7示出了根据第二示例实施例的ssd底板300。
78.ssd底板300可以对应于图1的第一ssd底板140、第二ssd底板150和第三ssd底板160。参照图1和图7，ssd底板300可以包括第一至第四ssd插槽311、312、313和314。安装在第一至第四ssd插槽311、312、313和314中的ssd可以通过信号线与基板130交换信号sig。
79.与图3相比，一个双金属321或322可以与两个ssd插槽311和312、或者313和314相邻设置。此外，一个调节器331或332可以向两个ssd插槽311和312、或者313和314提供电力pwr，可以向一个双金属321或322提供电压，并且可以确定是否从一个双金属321或322接收到电压。
80.因此，当在ssd底板300处于断电状态的状态下温度升高时，可以将两个或更多个ssd一起通电。每个通电的ssd可以执行保持恢复操作。之后，当温度再次降低时，可以将两个或多个ssd一起断电。当两个或更多个ssd中的至少一个ssd的保持恢复操作没有完成时，该至少一个ssd可以通过使用存储在电容器“c”中的电力来继续保持恢复操作。
81.图8示出了根据第三示例实施例的ssd底板400。ssd底板400可以对应于图1的第一ssd底板140、第二ssd底板150和第三ssd底板160。
82.参照图1和图8，ssd底板400可以包括第一至第四ssd插槽411、412、413和414。然而，插槽的数目不受限制。ssd可以被安装在第一ssd插槽411、第二ssd插槽412、第三ssd插槽413和第四ssd插槽414中的每一者中。ssd可以通过信号线与基板130交换信号sig。
83.ssd底板400可以包括分别与第一至第四ssd插槽411、412、413和414相对应的第一至第四传感器421、422、423和424，并且可以包括分别与第一至第四ssd插槽411、412、413和414相对应的第一至第四调节器431、432、433和434。第一传感器421、第二传感器422、第三传感器423和第四传感器424可以是温度传感器。第一传感器421、第二传感器422、第三传感器423和第四传感器424中的每一者可以定期地感测环境温度，并且可以将关于感测到的温度的信息传递给基板130。
84.例如，第一传感器421、第二传感器422、第三传感器423和第四传感器424中的每一者可以基于ipmi的通信接口将温度信息传递给基板130的bmc137。温度信息可以通过ipmi的消息的传感器数据存储库(sdr)字段被传递给bmc 137。在示例实施例中，第一传感器421、第二传感器422、第三传感器423和第四传感器424可以是图1的传感器190之中的设置在ssd底板400上的传感器。
85.响应于来自基板130的电力信号ps，可以将ssd底板400通电或断电。当ssd底板400通电时，第一调节器431、第二调节器432、第三调节器433、第四调节器434可以向第一ssd插槽411、第二ssd插槽412、第三ssd插槽413和第四ssd插槽414的ssd供电。当ssd底板400断电时，第一调节器431、第二调节器432、第三调节器433和第四调节器434可以阻止向第一ssd插槽411、第二ssd插槽412、第三ssd插槽413和第四ssd插槽414的ssd供电。
86.bmc 137可以基于从第一传感器421、第二传感器422、第三传感器423和第四传感器424传递的温度信息，监测ssd的温度是否大于临界值。当ssd的温度等于或小于临界值时，断电的ssd底板400的ssd可以保持断电状态。当特定ssd的温度大于临界值时，基板130的第一cpu 131、第二cpu 132或bmc 137可以通过相应的电力信号ps来控制相应的调节器，以将电力提供给该特定ssd。
87.第一调节器431、第二调节器432、第三调节器433和第四调节器434中的每一者可以包括电容器“c”，以存储电力。当环境温度高于临界值时，相应的调节器可以向相应的ssd供电。在相应的ssd的保持恢复操作完成之前环境温度降低的情况下，相应的调节器可以阻止向相应的ssd供电。在这种情况下，相应的ssd可以通过使用存储在电容器“c”中的电力来完成保持恢复操作。因此，电容器“c”可以与相应的调节器的输出电力pwr的输出端子连接。
88.在示例实施例中，可以利用响应于电力信号ps而操作的电力开关来代替第一调节器431、第二调节器432、第三调节器433和第四调节器434。
89.图9示出了根据示例实施例的电子设备100的操作方法的第四示例。在示例实施例中，图9示出了用于安装在一个ssd插槽(例如，第一ssd插槽411)中的ssd的操作方法。
90.参照图1、图8和图9，在操作s410中，基板130可以通过电力信号ps请求ssd底板(例如，第一ssd底板140)断电。可以基于诸如pcie、nvme和ipmi的各种通信接口之一来传递电力信号ps。
91.在操作s420中，第一ssd底板140可以阻止向ssd供电以断电。在ssd断电的同时，在
操作s430中，安装在ssd底板400中的传感器(例如，第一传感器421)可以定期地将温度信息传递给基板130的bmc 137。bmc 137可以接收温度信息，并且可以记录接收到的温度信息。
92.在操作s440中，基板130的第一cpu 131、第二cpu 132或bmc 137可以确定ssd的温度是否大于临界值。当ssd的温度不大于临界值时，基板130可以不对ssd底板400执行单独的控制。
93.当ssd的温度大于临界值时，在操作s450中，基板130可以请求ssd底板400中的ssd的通电。可以通过使用电力信号ps来传递通电请求。在操作s460中，第一调节器431可以向第一ssd插槽411的ssd供电以通电。
94.在操作s470中，响应于ssd被通电，ssd可以执行与基板130的通信初始化。在通信初始化之前、之后或者与通信初始化并行，ssd可以执行内部初始化。
95.在操作s480中，通电的ssd可以作为后台操作执行保持恢复操作。例如，保持恢复操作可以包括：通过读取操作检测保持-降低的数据的检测操作，以及在任何其他位置再次写入保持-降低的数据的回收操作。ssd可以基于内部给定算法来调度保持恢复操作，并且可以根据调度来执行保持恢复操作。
96.可以对属于断电的ssd底板的各个ssd并行地执行图9的操作。当执行后台操作时温度降低时，电力可以被阻止。在这种情况下，每个ssd可以通过使用电容器“c”中充电的电力来执行保持恢复操作。在由于高温被维持而持续供电的情况下，ssd可以基于内部给定算法两次或更多次执行保持恢复操作。
97.在示例实施例中，每个ssd可以包括温度传感器。每个ssd可以基于由温度传感器感测到的温度，根据内部给定算法来调度保持恢复操作，并且可以根据调度执行保持恢复操作。
98.在示例实施例中，当识别出温度升高时，在操作s495中，基板130可以使得冷却控制板170能够加强冷却器180的冷却。在示例实施例中，用于加强冷却的参考温度可以不同于用于对ssd进行通电的参考温度。基板130可以将ssd的温度与两个不同的临界值进行比较，使得用于冷却的参考温度和用于通电的参考温度被不同地实现。用于冷却的参考温度可以低于或高于用于通电的参考温度。
99.图10示出了根据示例实施例的电子设备100的操作方法的第五示例。参照图1、图8和图10，操作s510、操作s520、操作s530、操作s540、操作s550、操作s560和操作s595可以与图9的操作s410、操作s420、操作s430、操作s440、操作s450、s460和操作s495相同地执行。因此，将省略附加描述以避免重复。
100.在调节器(例如，第一调节器431)将安装在第一ssd插槽211中的ssd断电之后，基板130可以不执行与ssd的通信初始化。在示例实施例中，即使通过由于温度升高而断电的ssd请求了通信初始化，或者当用于通信初始化的过程被执行时，基板130也可以忽略用于通信初始化的请求或过程。
101.在操作s570中，响应于没有通信初始化，ssd可以执行保持恢复操作。由于没有通信初始化，ssd可以识别出由于温度升高而临时通电。通电后，ssd可以立即执行保持恢复操作，并且可以快速检测到保持的降低，因此可以快速防止由于保持的降低而导致的数据丢失。
102.在另一示例实施例中，即使不执行通信初始化，每个ssd也可以根据内部给定算法
作为后台操作调度保持恢复操作，并且可以执行所调度的保持恢复操作。
103.图11示出了根据示例实施例的电子设备100的操作方法的第六示例。参照图1、图8和图11，操作s610、操作s620、操作s630、操作s640、操作s650、操作s660、操作s670和操作s695可以与图9的操作s410、操作s420、操作s430、操作s440、操作s450、操作s460、操作s470和操作s495相同地执行。因此，将省略附加描述以避免重复。
104.在操作s680中，基板130可以请求通电的ssd执行保持恢复操作。基板130可以通过信号sig请求通电的ssd执行保持恢复操作。在操作s690中，通电的ssd可以响应于来自基板130的请求，执行保持恢复操作。
105.当在操作s680中基板130传递保持恢复请求时，基板130可以将附加信息传递给通电的ssd。例如，基板130可以向通电的ssd提供环境信息(诸如，温度信息)以及影响通电的ssd的保持的附加信息。通电的ssd可以基于来自基板130的信息执行保持恢复操作。
106.图12示出了根据示例实施例的电子设备100的操作方法的第七示例。参照图1、图8和图12，操作s710、操作s720、操作s730、操作s750、操作s760、操作s770、操作s780和操作s795可以与图9的操作s410、操作s420、操作s430、操作s450、操作s460、操作s470、操作s480和操作s495相同地执行。因此，将省略附加描述以避免重复。
107.在将ssd底板400断电之前，在操作s701中，基板130的第一cpu 131、第二cpu 132或bmc 137可以从ssd请求磨损(wear)信息。在操作s702中，ssd可以将磨损信息传递给基板130。之后，基板130可以在操作s710中请求断电。
108.磨损信息可以是指示由于诸如编程操作和擦除操作的操作而使ssd磨损的信息。随着磨损的进行，ssd的保持特性可能会降低。在将ssd断电之前，基板130可以收集ssd的磨损信息并且可以基于磨损信息来调整临界值。之后，当在操作s740中确定温度大于调整后的临界值时，基板130可以请求ssd通电(操作s750)。
109.在示例实施例中，磨损信息可以包括ssd的smart(自我监测分析和报告技术)信息。可以基于ipmi来收集磨损信息。详细地，可以通过使用ipmi的消息的sdr字段来收集磨损信息。
110.在示例实施例中，在操作s701和操作s702中收集磨损信息的配置以及在操作s740中使用调整后的临界值的配置也可以应用于图10和图11的实施例。
111.图13示出了作为磨损信息的示例的编程/擦除(pe)循环和调整后的临界值的示例。参照图1和图13，当pe循环数等于或小于0.1k时，临界值可以为80；当pe循环数超过0.1k并且等于或小于1k时，临界值可以为70；当pe循环数超过1k并且等于或小于3k时，临界值可以为60；当pe循环数超过3k并且等于或小于5k时，临界值可以为50；当pe循环数超过5k并且等于或小于7k时，临界值可以为40；当pe循环数超过7k并且小于或等于10k时，临界值可以为30。随着pe循环数的增加，ssd的磨损程度可以增加，临界值可以减小。
112.根据示例实施例的基板130可以进一步将温度与小于临界值的谨慎值(cautious value)进行比较。当pe循环数等于或小于0.1k时，谨慎值可以为70；当pe循环数超过0.1k并且等于或小于1k时，谨慎值可以为60；当pe循环数超过1k并且等于或小于3k时，谨慎值可以为50；当pe循环数超过3k并且等于或小于5k时，谨慎值可以为40；当pe循环数超过5k等于并且等于或小于7k时，谨慎值可以为30；当pe循环数超过7k并且等于或小于10k时，谨慎值可以为20。
113.在示例实施例中，当ssd的温度等于或小于临界值时，并且当ssd的温度大于谨慎值的时间量超过给定时间段时，基板130可以将ssd通电，以指示ssd的保持恢复操作(或请求ssd执行保持恢复操作)。因此，可以检测到当ssd的温度等于或小于临界值但是在接近于临界值的温度下长时间不管ssd时发生的ssd的保持的降低，并且可以防止由于保持的降低而导致数据丢失。
114.图14示出了根据示例实施例的电子设备100的操作方法的第八示例。
115.参照图1、图8和图14，在操作s810中，基板130可以从与ssd底板400的一个ssd插槽(例如，第一ssd插槽411)相邻的第一传感器421接收温度信息。
116.在操作s820中，基板130可以确定出ssd的温度是否属于谨慎值的范围。例如，基板130可以确定出ssd的温度是否等于或小于临界值并且大于谨慎值。当ssd的温度属于谨慎值的范围时，在操作s830中，基板130可以增加ssd的计数。
117.在操作s840中，基板130可以确定出ssd的计数是否大于阈值。当ssd的计数不大于阈值时，基板130可以不对ssd执行单独的控制。当ssd的计数大于阈值时，在操作s850中，基板130可以请求ssd的通电。在操作s860中，基板130可以重置ssd的计数。
118.操作s850可以对应于图9的操作s450、图10的操作s550、图11的操作s650和图12的操作s750。可以在操作s850之后执行图9的操作s452之后的操作、图10的操作s550之后的操作、图11的操作s650之后的操作或者图12的操作s750之后的操作。
119.当在操作s820中确定ssd的温度不属于谨慎值的范围时，在操作s870中，基板130可以确定出ssd的温度是否属于临界值的范围。例如，基板130可以确定出ssd的温度是否大于临界值。当温度大于临界值时，可以执行操作s850。
120.当温度不大于临界值时，基板130可以不对ssd执行单独的控制。当温度大于临界值时，在操作s850中，基板130可以请求ssd的通电。在操作s860中，基板130可以重置ssd的计数。
121.每当从与ssd底板400的一个ssd插槽(例如，第一ssd插槽411)相对应的传感器(例如，第一传感器421)接收到温度信息时，可以执行图14的步骤。在另一实施方式中，第一传感器421可以基于第一时间段向基板130传递温度信息。基板130可以基于第二时间段，通过使用最近转移的温度，执行图14的操作。第二时间段可以比第一时间段长。
122.图15示出了根据第四示例实施例的ssd底板500。ssd底板500可以对应于图1的第一ssd底板140、第二ssd底板150和第三ssd底板160。
123.参照图1和图15，ssd底板500可以包括第一至第四ssd插槽511、512、513和514。安装在第一至第四ssd插槽511、512、513和514中的ssd可以通过信号线与基板130交换信号sig。
124.与图8相比，一个传感器521或522可以与两个ssd插槽511和512、或者513和514相邻设置。此外，一个调节器531或532可以向两个ssd插槽511和512、或者513和514提供电力pwr。
125.因此，当在ssd底板500处于断电状态的状态下温度升高时，可以将两个或更多个ssd一起通电。每个通电的ssd都可以执行保持恢复操作。之后，当温度再次降低时，可以将两个或多个ssd一起断电。当两个或更多个ssd中的至少一个ssd的保持恢复操作没有完成时，该至少一个ssd可以通过使用存储在电容器“c”中的电力来继续保持恢复操作。
126.图16示出了根据示例实施例的ssd 600。
127.参照图16，ssd 600可以包括非易失性存储器件610、存储控制器620和缓冲存储器630。非易失性存储器件610可以包括多个存储单元。多个存储单元中的每个存储单元可以存储两个或更多个位。例如，非易失性存储器件610可以包括各种非易失性存储器件中的至少一种，诸如闪存器件、相变存储器件、铁电存储器件、磁存储器件和电阻存储器件。
128.存储控制器620可以从电子设备100接收用于将数据写入非易失性存储器件610中或从非易失性存储器件610读取数据的各种请求。存储控制器620可以将用于与电子设备100通信的用户数据存储(或缓冲)在缓冲存储器630中，并且可以将用于管理ssd 600的元数据存储在缓冲存储器630中。
129.存储控制器620可以通过第一信道ch1和第二信道ch2访问非易失性存储器件610。例如，存储控制器620可以通过第一信道ch1将命令和地址发送给非易失性存储器件610。存储控制器620可以通过第一信道ch1与非易失性存储器件610交换数据。
130.存储控制器620可以通过第二信道ch2将第一控制信号发送给非易失性存储器件610。存储控制器620可以通过第二信道ch2从非易失性存储器件610接收第二控制信号。
131.在示例实施例中，存储控制器620可以被配置为控制两个或更多个非易失性存储器件。存储控制器620可以为两个或更多个非易失性存储器件中的每一者提供不同的第一信道和不同的第二信道。
132.在另一示例实施例中，存储控制器620可以相对于两个或更多个非易失性存储器件共享一个第一信道。存储控制器620可以关于两个或更多个非易失性存储器件，共享第二信道ch2的一部分，并且可以单独提供其余部分。
133.缓冲存储器630可以包括随机存取存储器。例如，缓冲存储器630可以包括动态随机存取存储器、相变随机存取存储器、铁电随机存取存储器、磁随机存取存储器或电阻随机存取存储器中的至少一种。
134.存储器控制器620可以包括总线621、主机接口622、内部缓冲器623、处理器624、缓冲控制器626、存储管理器627和纠错码(ecc)块628。
135.总线621可以在存储控制器620中的组件之间提供通信信道。主机接口622可以从电子设备100接收各种请求，并且可以解析所接收的请求。主机接口622可以将解析的请求存储到内部缓冲器623。
136.主机接口622可以向电子设备100发送各种响应。主机接口622可以根据给定的通信协议与电子设备100交换信号。内部缓冲器623可以包括随机存取存储器。例如，内部缓冲器623可以包括静态随机存取存储器或动态随机存取存储器。
137.处理器624可以驱动用于驱动存储控制器620的操作系统或固件。处理器624可以读取存储在内部缓冲器623中的被解析的请求，并且可以生成用于控制非易失性存储器件610的命令和地址。处理器624可以将所生成的命令和地址传递给存储管理器627。
138.处理器624可以将用于管理ssd 600的各种元信息存储到内部缓冲器623。处理器624可以通过缓冲控制器626访问缓冲存储器630。处理器624可以控制缓冲控制器626和存储管理器627，使得存储在缓冲存储器630中的用户数据被发送给非易失性存储器件610。
139.处理器624可以控制主机接口622和缓冲控制器626，使得存储在缓冲存储器630中的数据被发送给电子设备100。处理器624可以控制缓冲控制器626和存储管理器627，使得
从非易失性存储器件610接收的数据被存储到缓冲存储器630。处理器624可以控制主机接口622和缓冲控制器626，使得从电子设备100接收的数据被存储到缓冲存储器630。
140.处理器624可以包括保持控制器(rc)625。保持控制器625可以控制保持恢复操作。保持恢复操作可以包括检测读取和回收。保持控制器625可以执行检测写入在非易失性存储器件610中的数据的保持是否降低的检测读取。例如，保持控制器625可以根据内部给定算法来调度检测读取，并且可以执行所调度的检测读取。
141.在示例实施例中，保持控制器625可以基于由传感器629获得的温度信息、包括在元数据中的包括磨损信息的非易失性存储器件610的管理信息、以及能够从电子设备100传递的环境信息，来调度检测读取。当在检测读取中检测到保持的降低时，保持控制器625可以调度与相应数据相关联的回收。回收可以包括：读取相应数据的常规读取，以及在其他任何存储空间中写入读取数据的常规写入。可以以不同于常规读取的方式执行检测读取。
142.在通电中，保持控制器625可以检测是否由于温度升高而由电子设备100进行了通电。例如，当不执行通信初始化时，保持控制器625可以识别出由于温度升高而进行了通电。在这种情况下，保持控制器625可以立即执行保持恢复操作的检测读取。在另一实施方式中，响应于从电子设备100接收到的保持恢复的请求，保持控制器625可以执行保持恢复操作的检测读取。
143.在处理器624的控制下，缓冲控制器626可以将数据写入缓冲存储器630中或者可以从缓冲存储器630读取数据。存储管理器627可以在处理器624的控制下通过第一信道ch1和第二信道ch2与非易失性存储器件610通信。
144.纠错码块628可以通过使用纠错码ecc，对要发送给非易失性存储器件610的数据执行纠错编码。纠错码块628可以通过使用纠错码ecc，对从非易失性存储器件610接收的数据执行纠错解码。
145.在示例实施例中，ssd 600可以不包括缓冲存储器630和缓冲控制器626。当ssd 600中不包括缓冲存储器630和缓冲控制器626时，可以由内部缓冲器623执行缓冲存储器630和缓冲控制器626的上述功能。
146.在以上实施例中，通过使用术语“第一”“第二”“第三”等来描述组件。然而，术语“第一”“第二”“第三”等可以用于将组件彼此区分并且一致。例如，术语“第一”“第二”“第三”等不涉及任何形式的顺序或数字含义。
147.在以上实施例中，通过使用块来描述组件。这些块可以利用各种硬件设备(诸如，集成电路、专用ic(asic)、现场可编程门阵列(fpga)和复杂可编程逻辑设备(cpld))、在硬件设备中驱动的固件、软件(诸如，应用)、或者硬件设备和软件的组合来实现。此外，这些块可以包括利用集成电路中的半导体元件实现的电路或注册为知识产权(ip)的电路。
148.通过总结和回顾，存储在非易失性存储器中的数据保留的特性被称为“保持”。闪存可以以阈值电压的形式存储数据，并且相变存储器、铁电存储器、磁存储器和电阻存储器可以以电阻值的形式存储数据。当在写操作中将阈值电压或电阻值保留在预定范围内时，可以维持该保持。当阈值电压或电阻值随时间超出预期范围时，保持会降低。
149.固态硬盘可以检测到保持的降低，并且可以执行恢复降低的保持的保持恢复操作。通过保持恢复操作，固态硬盘可以防止由于保持的降低而导致存储在非易失性存储器中的数据丢失。然而，在固态硬盘处于断电状态而不管的情况下，不会执行保持恢复操作。
这可能意味着非易失性存储器中存储的数据由于保持的降低而丢失。
150.根据示例实施例，处于高温状态(在该状态下保持的降低被加速)的固态硬盘可以被通电，并且通电的固态硬盘可以执行保持恢复操作。因此，提供了防止由于保持的降低而导致数据丢失的固态硬盘、包括该固态硬盘的电子设备以及管理该固态硬盘的方法。
151.如上所述，实施例可以提供一种避免由于外部温度导致保持损失的固态硬盘、包括该固态硬盘的电子设备以及管理该固态硬盘的方法。实施例可以提供一种防止由于在断电状态下不管时的保持的降低而导致数据丢失的固态硬盘、包括该固态硬盘的电子设备以及管理该固态硬盘的方法。
152.本文已经公开了示例实施例，并且尽管采用了特定术语，但是它们仅在一般和描述性意义上使用和解释，而不是为了限制的目的。在某些情况下，在提交本技术时，对于本领域普通技术人员明显的是，除非另外特别指出，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以被单独使用，或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离如所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。