技术特征：
1.一种存储系统，包括：存储控制器，被配置为在第一时间间隔期间基于具有n个不同电压电平之一的数据输入/输出信号向第一通道发送命令、地址或数据，所述存储控制器被配置为在第二时间间隔期间基于具有两个不同电压电平之一的所述数据输入/输出信号向所述第一通道发送在所述第一时间间隔期间未发送的命令、地址或数据，n是3或更大的自然数；以及存储器件，被配置为在脉冲幅度调制pam-n模式下对在所述第一时间间隔期间经由所述第一通道接收的数据输入/输出信号进行采样，所述存储器件被配置为在非归零nrz模式下对在所述第二时间间隔期间经由所述第一通道接收的数据输入/输出信号进行采样。2.根据权利要求1所述的存储系统，其中，所述存储控制器在所述第一时间间隔期间向所述第一通道发送命令和地址，并在所述第二时间间隔期间向所述第一通道发送数据。3.根据权利要求2所述的存储系统，其中，所述存储控制器还被配置为：当向所述第一通道发送包括命令的数据输入/输出信号时，向所述第一通道发送处于使能状态的命令锁存使能信号，并且当向所述第一通道发送包括地址的数据输入/输出信号时，向所述第一通道发送处于使能状态的地址锁存使能信号，其中，当所述命令锁存使能信号或所述地址锁存使能信号处于使能状态时，所述存储器件以所述pam-n模式操作，以及当所述命令锁存使能信号和所述地址锁存使能信号中的每一个均处于禁用状态时，所述存储器件以所述nrz模式操作。4.根据权利要求2所述的存储系统，其中，所述存储控制器还被配置为：当向所述第一通道发送所述数据输入/输出信号时，向所述第一通道发送具有第一电压电平至第四电压电平之一的数据输入/输出信号使能信号，其中，当经由所述第一通道接收的所述数据输入/输出信号使能信号具有指示命令的第一电压电平或指示地址的第二电压电平时，所述存储器件以所述pam-n模式操作，以及当所述数据输入/输出信号使能信号具有指示数据的第三电压电平时，所述存储器件以所述nrz模式操作。5.根据权利要求2所述的存储系统，其中，所述存储控制器被配置为：当向所述第一通道发送包括命令或地址的数据输入/输出信号时，向所述第一通道发送处于切换状态的写使能信号，其中，当所述写使能信号处于所述切换状态时，所述存储器件以所述pam-n模式操作，以及当所述写使能信号处于切换关闭状态时，所述存储器件以所述nrz模式操作。6.根据权利要求2所述的存储系统，其中，所述存储控制器还被配置为：当向所述第一通道发送包括数据的数据输入/输出信号时，向所述第一通道发送处于切换状态的数据选通信号，其中，当所述数据选通信号处于切换关闭状态时，所述存储器件以所述pam-n模式操作，以及当所述数据选通信号处于所述切换状态时，所述存储器件以所述nrz模式操作。7.根据权利要求1所述的存储系统，其中，所述存储控制器在所述第一时间间隔期间向所述第一通道发送数据，并在所述第二时间间隔期间向所述第一通道发送命令和地址。8.根据权利要求7所述的存储系统，其中，所述存储控制器还被配置为：当向所述第一通道发送包括命令的数据输入/输出信号时，向所述第一通道发送处于使能状态的命令锁存使能信号，并且当向所述第一通道发送包括地址的数据输入/输出信号时，向所述第一通
道发送处于使能状态的地址锁存使能信号，其中，当所述命令锁存使能信号或所述地址锁存使能信号处于使能状态时，所述存储器件以所述nrz模式操作，以及当所述命令锁存使能信号和所述地址锁存使能信号中的每一个均处于禁用状态时，所述存储器件以所述pam-n模式操作。9.根据权利要求7所述的存储系统，其中，所述存储控制器还被配置为：当向所述第一通道发送所述数据输入/输出信号时，向所述第一通道发送具有第一电压电平至第四电压电平之一的数据输入/输出信号使能信号，其中，当所述数据输入/输出信号使能信号具有指示命令的第一电压电平或指示地址的第二电压电平时，所述存储器件以所述nrz模式操作，以及当所述数据输入/输出信号使能信号具有指示数据的第三电压电平时，所述存储器件以所述pam-n模式操作。10.根据权利要求1所述的存储系统，其中，所述存储控制器还被配置为向所述第一通道发送模式设置信号，并且所述存储器件根据所述模式设置信号以pam-n模式或nrz模式操作。11.根据权利要求1所述的存储系统，其中，所述存储控制器包括：位分离器，被配置为将命令、地址或数据的位分离为m个位，m是2或更大的自然数；预处理电路，被配置为通过在所述pam-n模式或所述nrz模式下对所述位分离器输出的m个位进行预处理来生成第一位至第m位；以及第一驱动器至第m驱动器，被配置为基于所述第一位至第m位，生成具有第一电压电平至第n电压电平之一的数据输入/输出信号。12.根据权利要求11所述的存储系统，其中，所述预处理电路在所述pam-n模式下生成与所述第一电压电平至第n电压电平之一对应的第一位至第m位，并且在所述nrz模式下生成与所述第一电压电平和所述第n电压电平对应的第一位至第m位。13.根据权利要求1所述的存储系统，其中，所述存储器件还包括：第一读出放大器至第n-1读出放大器，被配置为在所述pam-n模式下，通过比较所述数据输入/输出信号的电压电平与第一参考电压至第n-1参考电压中的每一个来输出第一比较结果至第n-1比较结果，以及在所述nrz模式下，通过比较所述数据输入/输出信号的电压电平与所述第一参考电压至第n-1参考电压中的一个参考电压来输出所述第一比较结果至第n-1比较结果；输出解码器，被配置为通过基于所述第一比较结果至第n-1比较结果执行解码来输出m个位；以及寄存器电路，被配置为在所述pam-n模式下将由所述输出解码器输出的m个位作为命令、地址或数据输出，以及在所述nrz模式下将由所述输出解码器输出的m个位中的一个位作为命令、地址或数据输出。14.根据权利要求13所述的存储系统，其中，所述第一读出放大器至第n-1读出放大器在所述nrz模式下将所述第一比较结果至所述第n-1比较结果之中与所述一个参考电压对应的比较结果之外的其余比较结果中的每一个作为特定值输出。15.根据权利要求1所述的存储系统，其中，所述存储器件包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括连接到多条字线和多条位线以用于存储数据的存储单元，并且所述存储单元中的每一个包括nand闪存单元。
16.一种存储器件，包括：接收器，被配置为在脉冲幅度调制pam-n模式下，基于第一参考电压至第n-1参考电压，输出与经由数据输入/输出信号引脚接收的数据输入/输出信号的电压电平对应的m个位，n是3或更大的自然数，m是2或更大的自然数，以及在非归零nrz模式下，基于所述第一参考电压至所述第n-1参考电压中的特定参考电压，输出与所述数据输入/输出信号的电压电平对应的一个位；以及控制逻辑电路，被配置为基于所述数据输入/输出信号的与命令、地址和数据之一对应的符号类型，控制所述接收器处于所述pam-n模式或所述nrz模式。17.根据权利要求16所述的存储器件，其中，当经由命令锁存使能信号引脚接收的命令锁存使能信号或经由地址锁存使能信号引脚接收的地址锁存使能信号处于使能状态时，所述控制逻辑电路控制所述接收器处于所述pam-n模式，以及当所述命令锁存使能信号和所述地址锁存使能信号中的每一个均处于禁用状态时，所述控制逻辑电路控制所述接收器处于所述nrz模式。18.根据权利要求16所述的存储器件，其中，当经由命令锁存使能信号引脚接收的命令锁存使能信号或经由地址锁存使能信号引脚接收的地址锁存使能信号处于使能状态时，所述控制逻辑电路控制所述接收器处于所述nrz模式，以及当所述命令锁存使能信号和所述地址锁存使能信号中的每一个均处于禁用状态时，所述控制逻辑电路控制所述接收器处于所述pam-n模式。19.根据权利要求16所述的存储器件，其中，所述接收器包括：第一读出放大器至第n-1读出放大器，被配置为在所述pam-n模式下，通过比较所述数据输入/输出信号的电压电平与所述第一参考电压至所述第n-1参考电压中的每一个来输出第一比较结果至第n-1比较结果，以及在所述nrz模式下，通过比较所述数据输入/输出信号的电压电平与所述特定参考电压来输出所述第一比较结果至第n-1比较结果；输出解码器，被配置为通过基于所述第一比较结果至第n-1比较结果执行解码来输出m个位；以及寄存器电路，被配置为在所述pam-n模式下，将所述输出解码器输出的m个位作为命令、地址或数据输出，以及在所述nrz模式下，将所述输出解码器输出的m个位中的一个位作为命令、地址或数据输出。20.一种存储系统，包括：存储控制器，被配置为根据数据输入/输出信号的与命令、地址和数据之一对应的符号类型，将具有两个不同电压电平之一的数据输入/输出信号或具有n个不同电压电平之一的数据输入/输出信号发送给第一通道，n是3或更大的自然数；以及存储器件，被配置为根据经由所述第一通道接收的所述数据输入/输出信号的所述符号类型，在非归零nrz模式或脉冲幅度调制pam-n模式下对所述数据输入/输出信号进行采样。
技术总结
一种存储系统，包括：存储控制器，在第一时间间隔期间基于具有N(N是3或更大的自然数)个不同电压电平之一的数据输入/输出信号向第一通道发送命令、地址或数据，所述存储控制器在第二时间间隔期间基于具有两个不同电压电平之一的数据输入/输出信号向第一通道发送在所述第一时间间隔期间未发送的命令、地址或数据；以及存储器件，在脉冲幅度调制(PAM)-N模式下对在所述第一时间间隔期间经由所述第一通道接收的数据输入/输出信号进行采样，所述存储器件在非归零(NRZ)模式下对在所述第二时间间隔期间经由所述第一通道接收的数据输入/输出信号进行采样。出信号进行采样。出信号进行采样。
技术研发人员：陈炯珉 卞辰瑫 孙永训 崔荣暾 崔桢焕
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.08.09
技术公布日：2022/4/22