技术特征：
1.一种基于浮栅电荷泄漏的信息记录方法，应用于电子设备计时，所述设备包括由浮栅晶体管组成存储单元的存储器，其特征在于，包括以下步骤：响应于关闭电源指令或设备断电，对所述存储器中预设的存储单元进行编程操作，并进行第一adc采样所述存储单元的电荷量，记为第一电荷量；电源开启后，对所述存储单元进行第二adc采样所述存储单元的电荷量，记为第二电荷量；根据所述第一电荷量和所述第二电荷量，基于所述浮栅晶体管的电荷泄漏速度计算关闭电源操作和开启电源操作的时间间隔。2.根据权利要求1所述的基于浮栅电荷泄漏的信息记录方法，其特征在于，所述方法还包括：在进行编程操作之前，在所述存储单元中预置浮栅晶体管阵列，所述浮栅晶体管阵列为多个浮栅结构的晶体管构成一个阵列，共用一个栅极，同一行的晶体管级联；进行编程操作时，对所述浮栅晶体管阵列从晶体管漏极注入电荷；进行第一adc采样和第二adc采样时，从晶体管源极进行adc采样。3.根据权利要求1所述的基于浮栅电荷泄漏的信息记录方法，其特征在于，所述方法还包括：在进行编程操作之前，在所述存储单元中预置不同浮栅厚度的浮栅晶体管，并记录不同浮栅厚度对应的电荷泄漏速度；根据所需计时精度，选择相应的浮栅晶体管，并进行编程操作。4.根据权利要求1所述的基于浮栅电荷泄漏的信息记录方法，其特征在于，所述方法还包括：在进行编程操作之前，在所述存储单元中预置不同栅极结构的浮栅晶体管，并记录不同栅极结构对应的电荷泄漏速度；根据所需计时精度，选择相应的浮栅晶体管，并进行编程操作。5.一种基于浮栅电荷泄漏的信息记录装置，应用于电子设备计时，其特征在于，包括：由浮栅晶体管组成存储单元的第一存储器；与所述第一存储器电性连接的adc采样模块；处理器；第二存储器，存储有计算机程序；所述处理器执行所述计算机程序，实现如权利要求1所述的方法。6.根据权利要求5所述的基于浮栅电荷泄漏的信息记录装置，其特征在于，所述浮栅晶体管组成浮栅晶体管阵列，所述浮栅晶体管阵列为多个浮栅结构的晶体管，共用一个栅极，同一行的晶体管级联；所述浮栅晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的浮栅厚度不同。7.根据权利要求5所述的基于浮栅电荷泄漏的信息记录装置，其特征在于，所述浮栅晶体管包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的栅极结构和所述第四晶体管的栅极结构不同。
技术总结
本发明实施例公开了基于浮栅电荷泄漏的信息记录方法及装置，应用于电子设备计时，所述设备包括由浮栅晶体管组成存储单元的存储器，方法包括以下步骤：响应于关闭电源指令或设备断电，对所述存储器中预设的存储单元进行编程操作，并进行第一ADC采样所述存储单元的电荷量，记为第一电荷量；电源开启后，对所述存储单元进行第二ADC采样所述存储单元的电荷量，记为第二电荷量；根据所述第一电荷量和所述第二电荷量，基于所述浮栅晶体管的电荷泄漏速度计算关闭电源操作和开启电源操作的时间间隔。本发明实施例能够在关闭电源时仍然可以记录信息如时间/温度等。记录信息如时间/温度等。记录信息如时间/温度等。
技术研发人员：刘林 原顺
受保护的技术使用者：广州匠芯创科技有限公司
技术研发日：2021.08.26
技术公布日：2021/9/24