基于未决刷新操作的电压调整的制作方法

基于未决刷新操作的电压调整
1.交叉引用
2.本专利申请案要求霍利斯等人在2021年2月1日提交的名称为“基于未决刷新操作的电压调整(voltage adjustment based on pending refresh operations)”的美国专利申请案第17/164,738号和霍利斯等人在2020年2月5日提交的名称为“基于未决刷新操作的电压调整(voltage adjustment based on pending refresh operations)”的美国临时专利申请案第62/970,676号的优先权，将所述美国专利申请案和美国临时专利申请案中的每一者转让给本受让人且所述美国专利申请案和美国临时专利申请案中的每一者明确地以全文引用的方式并入本文中。


背景技术：

3.下文大体上涉及一或多个存储器系统，且更具体地说，涉及基于未决刷新操作的电压调整。
4.存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可以被编程为两个支持状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可以支持超过两个状态，其中的任一状态可存储。为了存取所存储信息，组件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
5.存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可为易失性的或非易失性的。即使在没有电源的情况下，例如feram的非易失性存储器也可以长时间维持其所存储逻辑状态。例如dram的易失性存储器装置在与电源断开连接时可能会丢失其所存储的状态。
附图说明
6.图1说明根据如本文中所公开的实例的支持基于未决刷新操作的电压调整的系统的实例。
7.图2展示根据如本文中所公开的实例的支持基于未决刷新操作的电压调整的存储器系统的实例。
8.图3展示根据如本文中所公开的实例的支持基于未决刷新操作的电压调整的刷新时序的实例。
9.图4a和4b展示根据如本文中所公开的实例的支持基于未决刷新操作的电压调整的电压的实例。
10.图5展示根据如本文中所公开的实例的支持基于未决刷新操作的电压调整的装置的框图。
11.图6和7展示根据如本文中所公开的实例的说明支持基于未决刷新操作的电压调整的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
12.可需要刷新(例如，周期性地刷新)一些易失性存储器单元以在操作期间维持其状态。此类存储器单元可通过读取和恢复存储器单元的状态(例如，恢复回到第一所存储电平)以缓解状态信息由于例如电荷泄漏的潜在损失而刷新。第一所存储电平可为不同于当接着存储器阵列通电时的电压或写入到存储器单元的第一值的电平的实例。在此类情况下，第一所存储电平可为最初所存储电平、希望电平或预期电平的实例。举例来说，dram单元可包含用于存储存储器单元的状态的电容器，且可需要刷新此类存储器单元以补偿随时间推移从电容器的电荷泄漏。存储器装置可因此保留某些时间周期，有时称为刷新间隔，以用于执行一或多个刷新操作。可在刷新间隔期间响应于从例如控制器或主机装置接收到刷新命令而执行一或多个刷新操作。
13.在一些情况下，存储器阵列中的一些或全部可能不可用于一或多种其它存储器存取操作(例如，一或多个读取操作或一或多个写入操作)，例如当存储器阵列正执行刷新操作时。此可用性的缺乏可增加与执行一或多个操作，例如存储器存取操作相关联的时延，这对于一些时延敏感操作可能是不希望的。为了解决此问题，一些存储器装置允许主机装置通过推迟发送一或多个刷新命令直到方便的时间而推迟一或多个刷新操作。在此情况下，可在存储器装置未接收到刷新命令且执行刷新操作的情况下经过一或多个刷新间隔。然而，推迟的刷新命令可导致未决刷新操作的累积，直到存储器装置接收到刷新命令且可执行对应刷新操作的时间。在一些情况下，存储器装置可接收多个连续刷新命令，其使得存储器装置“补充”推迟的刷新操作且确保不超过刷新操作之间的最大持续时间。在此情况下，存储器装置可在相对短时间周期内例如通过在单个刷新间隔期间执行多个刷新操作而执行多个刷新操作。
14.在一些实例中，存储器装置可包含或可与功率管理组件，例如功率管理集成电路(pmic)耦合，所述功率管理组件可用于通过控制一或多个电源轨的电压而管理供应到存储器装置的功率。电源轨可为功率递送网络的部分，所述功率递送网络为存储器装置提供各种供应电压以实现其操作；且可各自与可指定用于存储器装置的标称供应电压相关联。每一刷新操作可从一或多条电源轨汲取相对较大的电流。因此，在相对短时间周期内执行多个补充刷新操作(如有时可发生)可对存储器装置的功率递送网络进行应变，且可使得电源轨的电压下降(例如，降低、减小)到低于标称供应电压。在一些情况下，此类电压下降可足以导致存储器装置的性能降低或存储器错误。
15.在一些实例中，存储器装置可通过确定未决(例如，推迟)刷新操作的数量以及其它参数或条件而确定(例如，预测)来自功率递送网络对功率(例如，电流或电压)的此增加需求。存储器装置可基于未决刷新操作的数量而向功率管理组件指示用于电源轨的目标电压。在一些情况下，登记的时钟驱动器(rcd)可基于未决刷新操作的数量而向功率管理组件指示用于电源轨的目标电压。目标电压可不同于标称供应电压。举例来说，如果存储器装置确定存在多个未决刷新操作，那么存储器装置可请求用于电源轨的高于标称供应电压的目标电压以预先为在“补充”情境下执行多个刷新操作做好准备。
16.存储器装置可通过例如识别(例如，计数或以其它方式确定)在未接收到刷新命令的情况下已经过的刷新间隔的数量、识别(例如，计数或以其它方式确定)接收到的刷新命令的数量并确定(例如，计算)两个数量之间的差而确定未决刷新操作的数量。
17.继而，功率管理组件可基于由存储器装置指示的目标电压而调整(例如，暂时)电源轨的电压，进而有可能在补充刷新操作期间补偿对功率递送网络的增加需求。
18.下文参考图1在存储器系统和裸片的上下文中进一步描述本公开的特征。接着参考图2到4在系统和电压信号的上下文中描述本公开的特征。本公开的这些和其它特征进一步由涉及基于未决刷新操作的电压调整的图5到7中的设备图和流程图说明且参考所述设备图和流程图描述。
19.图1说明根据如本文中所公开的实例的利用一或多个存储器装置的系统100的实例。系统100可包含主机装置105、存储器装置110以及将主机装置105与存储器装置110耦合的多个通道115。系统100可包含一或多个存储器装置110，但所述一或多个存储器装置110的方面可在单个存储器装置(例如，存储器装置110)的上下文中描述。
20.系统100可包含如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、车辆或其它系统等电子装置的部分。举例来说，系统100可说明计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能手机、蜂窝式电话、可穿戴装置、因特网连接装置、车辆控制器等方面。存储器装置110可以是可用于存储用于系统100的一或多个其它组件的数据的系统的组件。
21.系统100的至少部分可为主机装置105的实例。主机装置105可为使用存储器执行过程的装置内的处理器或其它电路系统的实例，所述装置例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能手机、蜂窝式电话、可穿戴装置、因特网连接装置，或一些其它静止或便携式电子装置，以及其它实例。在一些实例中，主机装置105可指代实施外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可称为主机或主机装置105。
22.存储器装置110可以是可用以提供可由系统100使用或参考的物理存储器地址/空间的独立装置或组件。在一些实例中，存储器装置110可为可配置的以与一或多种不同类型的主机装置一起工作。主机装置105与存储器装置110之间的信令可用于支持以下中的一或多个：用以调制信号的调制方案、用于传达信号的各种引脚配置、用于主机装置105和存储器装置110的物理封装的各种形状因数、主机装置105与存储器装置110之间的时钟信令和同步、时序惯例，或其它因素。
23.存储器装置110可用以存储用于主机装置105的组件的数据。在一些实例中，存储器装置110可充当主机装置105的从属型装置(例如，响应和执行由主机装置105通过外部存储器控制器120提供的命令)。此类命令可包含用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多者。
24.主机装置105可包含外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(bios)组件130或例如一或多个外围组件或一或多个输入/输出控制器等其它组件中的一或多者。主机装置的组件可使用总线135彼此耦合。
25.处理器125可用以提供用于系统100的至少部分或主机装置105的至少部分的控制或其它功能性。处理器125可以是通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件
组件，或这些组件的组合。在这类实例中，处理器125可以是中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、通用gpu(gpgpu)或芯片上系统(soc)的实例，以及其它实例。在一些实例中，外部存储器控制器120可由处理器125实施或为所述处理器的一部分。
26.bios组件130可以是包含作为固件操作的bios的软件组件，其可初始化且运行系统100或主机装置105的各种硬件组件。bios组件130还可管理处理器125与系统100或主机装置105的各种组件之间的数据流。bios组件130可包含存储于只读存储器(rom)、快闪存储器或其它非易失性存储器中的一或多者中的程序或软件。
27.存储器装置110可包含装置存储器控制器155和一或多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)以支持用于数据存储的所要容量或指定容量。每一存储器裸片160可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b和/或本地存储器控制器165-n)以及存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、存储器阵列170-n)。存储器阵列170可以是存储器单元的集合(例如，一或多个网格、一或多个存储体、一或多个平铺块、一或多个区段)，其中每一存储器单元可用于存储至少一位数据。包含两个或更多个存储器裸片的存储器装置110可称为多裸片存储器或多裸片封装，或多芯片存储器或多芯片封装。
28.一些存储器阵列170可以是或可包含例如dram存储器单元等易失性存储器单元的阵列。一些易失性存储器单元可随时间丢失其状态且可周期性地刷新(例如，读取和恢复)以维持其状态。在一些情况下，易失性存储器单元可表征为可需要被刷新以维持其状态的频率项，所述频率项可以被称作刷新间隔。存储器裸片170可对存储器阵列170的存储器单元的一或多个行周期性地执行刷新操作以维持存储器单元的状态。
29.存储器裸片160可包含逻辑电路系统，其可被配置成通过读取和恢复(例如，启动感测组件以将存储器单元上的电压放大回到最初写入的电压电平)存储器单元的状态而对存储器单元周期性地执行此类刷新操作。在一些情况下，这类逻辑电路系统可为本地存储器控制器165的部分或可为单独电路系统。在一些情况下，存储器裸片160可响应于从外部主机装置接收到刷新命令或基于指定可刷新存储器单元的频率的内部时序而对存储器阵列170的一或多个行的存储器单元执行刷新操作。
30.在一些情况下，存储器裸片160可响应于从外部装置(例如，主机装置)接收到刷新命令而刷新存储器阵列170的一或多个行，这可被称为执行自动刷新操作。外部装置可基于例如维持于外部装置处的时序信息，将刷新命令传输到存储器裸片。
31.在一些情况下，存储器裸片160可基于从存储器裸片的控制器接收到刷新命令而刷新存储器阵列170的一或多个行，所述刷新命令可基于指示自从最后读取或刷新存储器单元行已经过的时间量的内部(例如，裸片上)时序。此类刷新可被称为执行自刷新操作。
32.在一些情况下，对存储器阵列的存储器单元行执行刷新操作可包含执行读取和恢复程序，包含对所述行执行激活(act)操作以激活所述行并且使得存储器单元被读取和恢复(例如，通过感测放大器)，并且接着对数字线执行预充电(pre)操作以为下一个存取操作做好准备并且使数字线返回到经预充电状态以用于下一行激活。这类序列可以被称作act/pre序列。
33.在一些情况下，激活操作可使得激活(例如，断言)与存储器单元行相关联的字线，进而选择与所述字线耦合的存储器单元。选定存储器单元可与对应数字线共享电荷，进而
基于存储器单元存储的逻辑状态改变数字线上的电压。与数字线耦合的感测放大器可基于数字线上的电压将数字线驱动到两个值中的一个，从而使得存储器单元恢复到与逻辑状态(例如，经刷新)相关联的满电荷。预充电操作可使得数字线被施偏压到预充电电压以使数字线为后续存取操作做好准备。
34.在act/pre序列期间，存储器阵列170中的一些或全部可能不可用于其它存储器存取，这可将时延引入到存储器存取操作中。在一些情况下，可推迟一或多个刷新命令以实现存储器装置110的持续存储器存取。在一或多个后续刷新间隔期间，随后可“弥补”推迟的刷新操作。参考图3更详细地描述关于刷新操作的时序的额外细节。
35.在一些实例中，存储器裸片160可与功率管理组件耦合，所述功率管理组件可用于将一或多个供应电压提供到存储器裸片160。举例来说，功率管理组件可使用电源轨(例如，导电线)供应vdd电压、vss电压、vddq电压等。功率管理组件可用于维持轨上的基本恒定的供应电压，以在操作期间向存储器装置110或存储器裸片160提供功率。功率管理组件可包含可用于产生适当供应电压的一或多个电压源组件或可与所述一或多个电压源组件耦合。在一些情况下，功率管理组件可被称为pmic。
36.在一些情况下，功率管理组件可用于从存储器装置110或存储器裸片160接收用于电源轨的目标电压的指示，且可基于所指示的目标电压调整所述轨上的供应电压。可在有限持续时间内(例如，暂时)调整供应电压。存储器装置110或存储器裸片160可基于例如未决(例如，推迟)刷新操作的数量来确定目标电压。存储器裸片160(或存储器装置110)可包含用于将指示目标电压的信号提供到功率管理组件的引脚，进而使得功率管理组件能够适当地调整供应电压。
37.装置存储器控制器155可包含可用于控制存储器装置110的操作的电路、逻辑或组件。装置存储器控制器155可包含使得存储器装置110能够执行各种操作且可用于接收、传输或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据或控制信息的硬件、固件或指令。装置存储器控制器155可用于与外部存储器控制器120、一或多个存储器裸片160或处理器125中的一或多者通信。在一些实例中，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165控制本文中所描述的存储器装置110的操作。在一些实例中，装置存储器控制器155可包含rcd。rcd可包含用于缓冲存储器控制信号或命令的寄存器。
38.本地存储器控制器165(例如，存储器裸片160的本地)可用于控制存储器裸片160的操作。在一些实例中，本地存储器控制器165可用于与装置存储器控制器155通信(例如，接收或传输数据或命令或这两者)。在一些实例中，存储器装置110可不包含可执行本文所描述的各种功能的装置存储器控制器155和本地存储器控制器165或外部存储器控制器120。由此，本地存储器控制器165可用于与装置存储器控制器155、与其它本地存储器控制器165或直接与外部存储器控制器120或处理器125或其组合通信。装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者中可包含的组件的实例可包含用于(例如，从外部存储器控制器120)接收信号的接收器、用于传输信号(例如，到外部存储器控制器120)的传输器、用于解码或解调所接收信号的解码器、用于编码或调制待传输信号的编码器，或可操作用于支持所描述的装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者的操作的各种其它电路或控制器。
39.在一些实例中，装置存储器控制器155或存储器裸片160的本地存储器控制器165
可用于确定未决刷新操作的数量。存储器装置110可用于基于未决刷新操作的数量调整与存储器装置相关联的供应电压。
40.外部存储器控制器120可用于使得能够在系统100或主机装置105的组件(例如，处理器125)与存储器装置110之间传达信息、数据或命令中的一或多者。外部存储器控制器120可转换或转译在主机装置105的组件与存储器装置110之间交换的通信。在一些实例中，外部存储器控制器120或系统100或主机装置105的其它组件或本文中所描述的功能可由处理器125实施。例如，外部存储器控制器120可为由处理器125或系统100或主机装置105的其它组件实施的硬件、固件或软件或其某一组合。尽管外部存储器控制器120描绘为在存储器装置110外部，但在一些实例中，外部存储器控制器120或本文中所描述的功能可由存储器装置110的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165)实施，反之亦然。
41.主机装置105的组件可使用一或多个通道115与存储器装置110交换信息。通道115可用以支持外部存储器控制器120与存储器装置110之间的通信。每一通道115可为在主机装置105与存储器装置之间携载信息的传输媒体的实例。每一通道115可包含与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或传输媒体(例如，导体)。信号路径可以是可用以携载信号的导电路径的实例。举例来说，通道115可包含第一端子，其包含在主机装置105处的一或多个引脚或衬垫以及在存储器装置110处的一或多个引脚或衬垫。引脚可以是系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可用以充当通道的部分。
42.通道115(和相关联的信号路径和端子)可专用于传达一或多种类型的信息。举例来说，通道115可包含一或多个命令和地址(ca)通道186、一或多个时钟信号(ck)通道188、一或多个数据(dq)通道190、一或多个其它通道192，或其组合。在一些实例中，可使用单倍数据速率(sdr)信令或双倍数据速率(ddr)信令经由通道115传达。在sdr信令中，可针对(例如，在时钟信号的上升或下降沿上的)每一时钟循环登记信号的一个调制符号(例如，信号电平)。在ddr信令中，可针对(例如，在时钟信号的上升沿和下降沿两者上的)每一时钟循环登记信号的两个调制符号(例如，信号电平)。
43.图2说明支持基于未决刷新操作的电压调整的存储器系统200的实例。存储器系统200可包含功率管理组件205、包含存储器阵列215的存储器装置210，和功率管理组件205与存储器装置210之间的信号路径230和供应路径225。在存储器系统200的实例中，信号路径230和/或供应路径225可为将功率管理组件205与存储器装置210耦合的导电线的实例。存储器装置210可为如参考图1所描述的存储器装置110的实例，且还可包含例如存储器装置110的装置存储器控制器、rcd和/或其它组件。存储器阵列215可以是参考图1描述的存储器阵列170的实例。
44.功率管理组件205可包含供应接口235，低压降调节器(ldo)240、245，电源(swa、swb)250、255(例如，开关式调节器)，以及多次可编程存储器(mtp)260。供应接口235可用于接收用以激活功率管理组件205且待通过功率管理组件205分配给存储器系统的其它组件(例如，存储器装置210)的功率。
45.低压降调节器240、245可用于将功率(例如，dc功率)输出到存储器系统的存储器装置，包含存储器装置210。在一些情况下，低压降调节器240、245可用于调节输出电压，例如供应电压。电源250、255可用于将功率输出到存储器系统的存储器装置，包含存储器装置
210。功率管理组件205可包含任何数量的低压降调节器(例如，一个、二个、三个、四个、五个、六个、七个、八个)，或可包含任何数量的电源(例如，一个、二个、三个、四个、五个、六个、七个、八个)，或任何数量的这两者。
46.多次可编程存储器260可以是由功率管理组件205使用以用于执行本文中所描述的功能的任何类型的存储器。在一些情况下，多次可编程存储器260可以是电可擦除可编程只读存储器(eeprom)或其它类型的存储器技术的实例。多次可编程存储器260可用于保护电路，改进通电序列或断电序列的可靠性，设置输出电压，设置输出下拉电阻，或其它功能，或其任何组合。
47.供应路径225可以是电源轨(或可与电源轨耦合)，以例如使得功率管理组件205能够将供应电压提供到存储器装置210。供应电压可在存储器装置210的操作期间由存储器装置210使用，且可包含例如vdd电压、vss电压或另一供应电压。
48.在一些情况下，功率管理组件205可与感测线(例如，模拟感测线)耦合，所述感测线将关于电源轨的电压(例如，供应路径225的电压)的反馈提供到功率管理组件205。此类模拟感测线可供功率管理组件205用于尝试维持电源轨上的标称电压，例如维持vdd电压、vss电压或另一电压。功率管理组件205可比较感测线的电压与参考电压，且可基于比较调整供应电压。
49.存储器装置210可用于确定未决刷新操作的数量且基于未决刷新操作的数量而将用于电源轨的目标电压提供到功率管理组件205。目标电压可不同于或与标称供应电压相同，取决于未决刷新操作的数量。
50.为了确定未决刷新操作的数量，存储器装置210可包含一或多个计数器265以对未决刷新操作的数量、经过的刷新间隔的数量、接收到的刷新命令的数量或这些数量的组合进行计数。在一些实例中，存储器装置210可包含被调谐到刷新间隔时间(其可被称为trefi)的振荡器，且每当在未接收到刷新命令的情况下经过刷新间隔时，计数器265可递增。在一些情况下，识别刷新间隔的数量包括针对每一经过的刷新间隔使刷新间隔计数器递增，且识别刷新命令的数量包括针对每一接收到的刷新命令使刷新间隔计数器递减。在一些实例中，计数器265可位于存储器装置210的装置存储器控制器、rcd或dram上。在一些实例中，功率管理组件205可包含rcd。在此情况下，计数器265可直接与功率管理组件205耦合。
51.在一些情况下，存储器装置210可用于将指示目标电压的信号提供(例如，传输)到功率管理组件205以使得功率管理组件205将电源轨的电压调整为不同于标称供应电压的电压。此信号可为模拟或数字信号。当存储器装置210执行一或多个补充刷新操作时，可在从功率管理组件205接收指示目标电压的信号时延长的持续时间内调整电压。
52.举例来说，存储器装置210可传输(例如，产生、驱动、提供)模拟信号，其基于未决刷新操作的确定数量而调整模拟感测线的电压，以便将目标电压间接提供到功率管理组件205。举例来说，存储器装置210可减小模拟感测线上的电压以使得功率管理组件205增大电源轨上的供应电压，反之亦然。即，存储器装置210可被配置成操控感测线上由功率管理组件205接收的反馈以控制由功率管理组件205提供的供应电压。
53.如先前所论述，功率管理组件205可比较感测线的电压与参考电压，且可基于比较调整供应电压。在一些实例中，存储器装置210可传输操控参考电压而非感测线电压以使得
功率管理组件205调整电源轨上的供应电压的信号。信号路径230可与提供参考电压的参考线耦合，且存储器装置210可通过在信号路径230上传输模拟或数字信号而调整参考电压。
54.如果计数器265直接与功率管理组件耦合(例如，如果rcd驻留于功率管理组件205中)，那么信号可包含计数器265的输出，功率管理组件205可接着使用所述输出以确定如何调整供应电压。
55.通过存储器装置210传输到功率管理组件205的反馈信号可由存储器装置210的各种组件，例如存储器阵列、装置存储器控制器、rcd或另一组件产生(例如，可起源于所述组件)。举例来说，rcd可将反馈信号传输到功率管理组件205。
56.在一些情况下，存储器装置210可包含用于将指示目标电压的信号提供到功率管理组件205的引脚220。信号路径230可将存储器装置210的引脚220与功率管理组件205，例如与感测线、参考线或到功率管理组件205的另一输入耦合。在一些实例中，存储器装置210可将指示目标电压的数字或模拟信号提供到功率管理组件205。
57.引脚可以是例如允许集成电路与其它组件或电路系统连接的集成电路封装的导电端子。引脚220也可称为例如衬垫、插座、连接件、触点或(球栅阵列的)球。在一些情况下，引脚220可以是位于集成电路封装内或集成电路封装外部的导电点。在一些情况下，引脚220可与预定义的功能性(例如，信号的预定义类型或格式)相关联，所述预定义的功能性可指定为例如允许集成电路连接到其它电路系统或组件的标准化接口的部分。
58.信号路径230可包含在存储器装置210与功率管理组件205之间建立通信链路的一或多条线的任何集合。信号路径230可直接耦合存储器装置210与功率管理组件205，这意味着信号路径230可在两个组件之间建立连接，这允许使用导电线在所述组件之间路由信号。
59.存储器系统200或存储器装置210可指代单列直插式存储器模块(simm)、双列直插式存储器模块(dimm)或另一类型的模块或组合件。在一些情况下，simm或dimm可包含功率管理组件(例如，存储器系统200中所描绘)。在一些情况下，功率管理组件205可位于simm或dimm外部。
60.在一些情况下，存储器系统200可包含单个dram集成电路(例如，单个存储器装置210)。包含单个dram集成电路的存储器系统200可包含第一数量的引脚(例如，72个引脚或另一数量的引脚)，其可例如用于将存储器系统200与功率管理组件、主机处理器或其它电子组件耦合。在此情况下，存储器系统200的每一引脚可支持32位数据传送。
61.在一些情况下，存储器系统200可包含一系列dram集成电路，例如一系列存储器装置210。包含一系列dram集成电路的存储器系统200可包含第二数量的引脚(例如，100、144、168、172、184、204、214、240或另一数量的引脚)，其可例如用于将存储器系统200与功率管理组件、主机处理器或其它电子组件耦合。在此情况下，存储器系统200的每一引脚可支持64位数据传送。
62.在一些情况下，用于存储器系统200的上述数量的引脚可包含用于将反馈提供到功率管理组件的引脚。在一些情况下，可将额外引脚添加到存储器系统200以提供此功能性，且因此引脚的数量相对于用于存储器系统200的上述数量的引脚可增加一个。
63.本文中提供用于存储器装置210将信号提供到功率管理组件205以使得功率管理组件205能够预先调整供应电压以为执行一或多个补充刷新操作，例如先前推迟的刷新操作做好准备的技术。可在延长直到存储器装置210执行一或多个补充刷新操作的持续时间
内调整供应电压。举例来说，存储器装置210可确定推迟的刷新操作的数量。存储器装置210可基于未决刷新操作的数量确定供应电压的目标电压。存储器装置210可将指示目标电压的信号(例如，使用信号路径230)发送到功率管理组件205。在一些实例中，rcd可将指示目标电压的信号(例如，使用信号路径230)发送到功率管理组件205。信号可由功率管理组件205(和/或由另一装置，例如主机装置)接收且可供功率管理组件205用于调节(例如，维持或调整)供应电压或调节存储器装置210的另一操作方面。
64.图3说明支持基于未决刷新操作的电压调整的刷新时间线300的实例。刷新时间线300描绘两个持续时间：刷新间隔305(trefi)和刷新循环间隔310(trfc)。
65.刷新间隔305可为由存储器装置保留(例如，分配)以用于响应于接收到一或多个刷新命令而执行一或多个刷新操作的持续时间。刷新间隔的持续时间可针对不同存储器装置而变化。举例来说，刷新间隔305对于某些存储器装置可为7.8μs，且对于其它存储器装置可为不同持续时间。在一些情况下，刷新间隔305可指定为处理器循环，例如主机装置或控制器的处理器循环的数量。
66.刷新循环间隔310可为由存储器装置使用或分配到存储器装置以执行刷新操作的持续时间。举例来说，刷新循环间隔310可相同于或短于刷新间隔305。即，单个刷新间隔305的持续时间可包含一或多个刷新循环310的持续时间。举例来说，可响应于接收到刷新命令而起始刷新循环310。
67.一些存储器装置可指定刷新操作可(或应)在每一刷新间隔305处发布到存储器装置。一些存储器装置可以允许存储器控制器推迟将一或多个刷新命令发布到后一刷新间隔305。举例来说，存储器装置可指定可(或应)在8
×
trefi的持续时间内(或基于某一其它时序准则)发布八个刷新命令以满足指定刷新频率，这可使得存储器控制器能够在调度刷新操作时具有一定灵活性以提供存储器装置的较佳整体性能。
68.在刷新时间线300的实例中，在存储器装置未接收到刷新命令的情况下，时间t1与时间t2之间可经过九个刷新间隔305。在时间t2之后，可存在例如八个未决刷新操作。
69.在时间t3处或在这之前，存储器装置可接收八个刷新命令(例如，对应于八个推迟的刷新命令)且可在时间t3与时间t4之间的刷新间隔305期间执行八个对应刷新操作。即，存储器装置可在时间t3与时间t4之间的刷新间隔305内执行八个“补充”刷新操作，其中的每一者可在对应刷新循环间隔310期间执行。此类紧密间隔的刷新操作可通过汲取相对较大电流而对功率递送网络提出高需求，从而有可能使得供应电压下降。
70.为了抵消此效应，存储器装置可识别在未接收到刷新命令的情况下经过的刷新间隔305的数量(在此实例中，九个刷新间隔)且确定未决刷新操作的数量。
71.存储器装置可将指示用于功率递送网络的电源轨的目标电压的信号传输到功率管理组件，其中目标电压基于未决刷新操作的数量。即，存储器装置可跟踪未决刷新操作且预先请求较高供应电压以为未决刷新操作的补充执行做好准备。功率管理组件可接收指示目标电压的信号，且可基于接收到的目标电压而调整供应电压。举例来说，功率管理组件可调整供应电压以与目标电压匹配(例如，满足或接近)。
72.信号中可从存储器装置传输到功率管理组件的目标电压和可作为响应由功率管理组件提供的所得供应电压的实例分别在图4a和4b中描绘。
73.图4a说明可在支持基于未决刷新操作的电压调整的信号中指示的目标电压405的
实例。目标电压405可为供应电压的目标，例如电源轨上由功率管理组件供应的电压。存储器装置(例如，存储器装置110、210)可将指示目标电压405的信号传输到功率管理组件(例如，功率管理组件205)以使得功率管理组件能够基于目标电压调整供应电压。
74.在一些实例中，存储器装置可连续地或几乎连续地传输指示目标电压的信号，且可基于未决刷新操作的数量的进行中确定而动态地更新目标电压的值。在一些实例中，存储器装置可间歇性地传输指示目标电压的信号，例如周期性地传输所述信号或当存储器装置改变目标电压时或基于这些或其它因数的某一组合。存储器装置可避免在其它时间传输所述信号。
75.在图4a的实例中，每当存储器装置确定未决刷新操作的数量已增大时，例如每当存储器装置确定在未接收到刷新命令的情况下已经过刷新间隔时，存储器装置可增大目标电压。存储器装置可递增地(例如每次增大相同量)增大目标电压，或可以某一其它方式增大目标电压。在一些实例中，存储器装置可增大目标电压直到其达到最大目标电压，且可响应于确定未决刷新操作的数量已经进一步增加而不进一步增大目标电压。
76.尽管图4a中未展示，但每当存储器装置确定未决刷新操作的数量已减小时，例如每当存储器装置接收到刷新命令时，存储器装置还可减小目标电压，直到未决刷新操作的数量达到零。
77.在图4a中，电压v1可对应于与存储器装置相关联的标称供应电压，例如vdd电压、vddq、vss或其它固定供应电压。在时间t0之前，存储器装置可确定不存在未决刷新间隔，且可因此将目标电压设置为电压v1。
78.在时间t0，存储器装置可确定在存储器装置未接收到刷新命令的情况下已经过第一刷新间隔(例如，刷新间隔305)。即，存储器装置可确定存在一(1)个未决刷新操作。存储器装置可响应于确定存在一个未决刷新操作而将目标电压405从v1增大到v2。
79.在时间t1，存储器装置可确定在存储器装置未接收到刷新命令的情况下已经过第二刷新间隔，且可因此确定现在存在两(2)个未决刷新操作。存储器装置可响应于确定存在两个未决刷新操作而将目标电压405从v2增大到v3。
80.在时间t2，存储器装置可确定在存储器装置未接收到刷新命令的情况下已经过第三刷新间隔，且可因此确定现在存在三(3)个未决刷新操作。存储器装置可响应于确定存在三个未决刷新操作而将目标电压405从v3增大到v4。
81.在时间t3，存储器装置可接收一或多个刷新命令，其可对应于未决刷新操作。存储器装置可基于接收到一或多个刷新命令而增大接收到的刷新命令的识别数量，且可基于接收到的刷新命令的增加数量而调整未决刷新操作的数量。存储器装置可响应于接收到刷新命令而开始执行未决刷新操作中的至少一些且可将目标电压从v4减小到v0。在一些情况下，存储器装置可基于调整供应电压，例如在调整供应电压之后执行未决刷新操作中的至少一些。
82.在一些情况下，v0可为低于标称供应电压的电压，其可在功率管理组件尝试将供应电压调整回到标称供应电压v1时减小或消除由功率管理组件提供的供应电压的后续过冲。在其它情况下，v0可等效于电压v1。
83.在时间t4，存储器装置可确定不存在未决刷新操作，且可将目标电压从v0增大到v1，假设v0和v1为不同电压。
84.图4b说明支持基于未决刷新操作的电压调整的供应电压410的实例。供应电压410可为响应于接收到指示图4a中展示的目标电压的信号而由功率管理组件供应的电压。即，图4a可描绘由存储器装置产生且传输到功率管理组件的目标电压，且图4b可描绘功率管理组件的对应响应。
85.在时间t0之前，功率管理组件可提供v5的供应电压，其可为用于存储器装置的标称供应电压。举例来说，电压v5可接近于或等于电压v1。
86.在时间t0(或此后不久)，功率管理组件可从存储器装置接收指示v2的目标电压的信号，且可响应于接收到信号而开始朝向v2增大供应电压。
87.在时间t1(或此后不久)，功率管理组件可从存储器装置接收指示v3的目标电压的信号，且可响应于接收到信号而开始朝向v3增大供应电压。
88.在时间t2(或此后不久)，功率管理组件可从存储器装置接收指示v4的目标电压的信号，且可响应于接收到信号而开始朝向v4增大供应电压。供应电压可达到电压v6，其可接近于或等于电压v4。
89.在时间t3(或此后不久)，功率管理组件可从存储器装置接收指示v0的目标电压的信号，且可响应于接收到信号而开始朝向v0减小供应电压。因此，功率管理组件可基于v0的目标电压重新调整供应电压，所述目标电压继而可基于接收到的刷新命令的调整数量。
90.在时间t4(或此后不久)，功率管理组件可从存储器装置接收指示v1的目标电压的信号，且可响应于接收到信号而开始朝向v1增大供应电压。供应电压可达到电压v5，其可接近于或等于电压v1。在一些情况下，供应电压可在下降回到电压v5之前过冲电压v5；过冲量可在存储器装置在时间t3选择低于标称供应电压的目标电压v0的情况下减小或消除。
91.在一些情况下，代替递增地调整目标电压(且对应地调整供应电压)，每当在未接收到如图4a和4b中所描绘的刷新命令的情况下经过刷新间隔时，存储器装置可确定未决刷新间隔的数量何时满足(例如，符合或超过)阈值，例如何时存在三个或更多个未决刷新间隔(或另一预定数量的未决刷新间隔)。存储器装置可在刷新操作的数量满足阈值时调整供应电压，且可在未决刷新操作的数量不满足阈值时避免调整供应电压。存储器装置可基于两个或更多个此类阈值而调整供应电压。
92.在一些实例中，存储器装置可基于窗口持续时间而确定未决刷新操作的数量。即，存储器装置可基于滚动时间窗口而非基于累积时间量而确定未决刷新操作的数量。
93.图2展示根据如本文中所公开的实例的支持基于未决刷新操作的电压调整的存储器装置205的框图200。存储器装置205可以是如参考图1和2所描述的存储器装置的各方面的实例。存储器装置205可包含刷新间隔识别组件210、刷新命令识别组件215、刷新操作确定组件220、电压调整组件225、命令组件230、信号传输组件235、开视窗组件240和刷新执行组件245。这些模块中的每一者可以直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线)。
94.刷新间隔识别组件210可识别与刷新存储器装置的存储器单元相关联的刷新间隔的数量。
95.刷新命令识别组件215可识别接收到的刷新命令的数量。在一些实例中，刷新命令识别组件215可基于接收到第一刷新命令而增大接收到的刷新命令的识别数量。
96.刷新操作确定组件220可通过确定刷新间隔的数量与接收到的刷新命令的数量之间的差而确定刷新操作的数量。在一些情况下，刷新操作为未决刷新操作。在一些实例中，
刷新操作确定组件220可基于增大接收到的刷新命令的识别数量而调整刷新操作的数量。
97.在一些实例中，刷新操作确定组件220可确定刷新操作的数量满足阈值，其中调整供应电压包含基于确定刷新操作的数量满足阈值而调整供应电压。
98.在一些实例中，刷新操作确定组件220可在调整供应电压之后通过确定刷新间隔的第二数量与接收到的刷新命令的第二数量之间的第二差而确定刷新操作的第二数量。在一些实例中，刷新操作确定组件220可确定刷新操作的第二数量满足第二阈值。
99.电压调整组件225可基于刷新操作的数量而调整与存储器装置相关联的供应电压。在一些实例中，电压调整组件225可在执行未决刷新操作中的至少一些之前基于未决刷新操作的数量而调整与存储器装置相关联的供应电压。在一些实例中，调整供应电压包含基于刷新操作的数量而将供应电压从第一电压增大到第二电压。
100.在一些实例中，电压调整组件225可基于接收到的刷新命令的调整数量而重新调整供应电压。
101.在一些实例中，电压调整组件225可基于识别第一刷新间隔而将目标电压从第一目标电压增大到第二目标电压。
102.在一些实例中，电压调整组件225可至少部分地基于识别第二刷新间隔而将目标电压从第二目标电压增大到第三目标电压。
103.在一些实例中，电压调整组件225可基于接收到刷新命令而将目标电压从第二目标电压减小到第三目标电压。
104.在一些实例中，电压调整组件225可基于确定刷新操作的第二数量满足第二阈值而重新调整供应电压。
105.在一些实例中，调整供应电压包含基于未决刷新操作的数量而将供应电压从第一电压增大到第二电压。在一些情况下，第二电压的值基于刷新操作的数量。
106.刷新执行组件245可基于调整与存储器装置相关联的供应电压而执行未决刷新操作中的至少一些。
107.命令组件230可在调整供应电压之后接收第一刷新命令。在一些实例中，命令组件230可在将目标电压从第一目标电压增大到第二目标电压之后接收刷新命令。
108.信号传输组件235可基于刷新操作的数量将指示目标电压的信号传输到功率管理组件，其中调整供应电压包含通过功率管理组件基于目标电压调整供应电压。
109.开视窗组件240可识别窗口持续时间，其中识别刷新间隔和刷新命令包含在窗口持续时间期间识别刷新间隔和刷新命令。
110.图3展示根据如本文中所公开的实例的说明支持基于未决刷新操作的电压调整的一或多种方法300的流程图。方法300的操作可由如本文中所描述的存储器阵列或其组件实施。举例来说，方法300的操作可由参考图2所描述的存储器阵列执行。在一些实例中，存储器阵列可执行指令集以控制存储器阵列的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，存储器阵列可使用专用硬件执行所描述功能的方面。
111.在305处，存储器阵列可识别与刷新存储器装置的存储器单元相关联的刷新间隔的数量。可根据参考图1到4所描述的方法来执行305的操作。在一些实例中，305的操作的各方面可由如参考图2所描述的刷新间隔识别组件执行。
112.在310处，存储器阵列可识别接收到的刷新命令的数量。可根据图1到4所描述的方
法执行310的操作。在一些实例中，310的操作的各方面可由如参考图2所描述的刷新命令识别组件执行。
113.在315处，存储器阵列可通过确定刷新间隔的数量与接收到的刷新命令的数量之间的差而确定刷新操作的数量。可根据图1到4所描述的方法来执行315的操作。在一些实例中，315的操作的各方面可由如参考图2所描述的刷新操作确定组件执行。
114.在320处，存储器阵列可基于刷新操作的数量调整与存储器装置相关联的供应电压。可根据参考图1到4所描述的方法来执行320的操作。在一些实例中，320的操作的各方面可由如参考图2所描述的电压调整组件执行。
115.在一些实例中，如本文所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法300。所述设备可包含用于进行以下操作的特征、装置或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：识别与刷新存储器装置的存储器单元相关联的刷新间隔的数量；识别接收到的刷新命令的数量；通过确定刷新间隔的数量与接收到的刷新命令的数量之间的差而确定刷新操作的数量；以及基于刷新操作的数量调整与存储器装置相关联的供应电压。
116.在本文中所描述的方法300和设备的一些实例中，刷新操作可为未决刷新操作。
117.在本文中所描述的方法300和设备的一些实例中，调整供应电压可包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于刷新操作的数量而将供应电压从第一电压增大到第二电压。在本文中所描述的方法300和设备的一些实例中，第二电压的值可基于刷新操作的数量。
118.本文中所描述的方法300和设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：在调整供应电压之后接收第一刷新命令；基于接收到第一刷新命令而增大接收到的刷新命令的识别数量；以及基于增大接收到的刷新命令的识别数量而调整刷新操作的数量。本文中所描述的方法300和设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于接收到的刷新命令的调整数量而重新调整供应电压。
119.本文中所描述的方法300和设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于刷新操作的数量将指示目标电压的信号传输到功率管理组件，其中调整供应电压包含通过功率管理组件基于目标电压调整供应电压。
120.在本文中所描述的方法300和设备的一些实例中，识别刷新间隔的数量可包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于识别第一刷新间隔而将目标电压从第一目标电压增大到第二目标电压。
121.在本文中所描述的方法300和设备的一些实例中，识别刷新间隔的数量可包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：至少部分地基于识别第二刷新间隔而将目标电压从第二目标电压增大到第三目标电压。
122.本文中所描述的方法300和设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：在将目标电压从第一目标电压增大到第二目标电压之后接收刷新命令，并基于接收到刷新命令而将目标电压从第二目标电压减小到第三目标电压。
123.本文中所描述的方法300和设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：确定刷新操作的数量满足阈值，其中调整供应电压包含基于确定刷新操作的数量满足阈值而调整供应电压。
124.本文中所描述的方法300和设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：在调整供应电压之后通过确定刷新间隔的第二数量与接收到的刷新命令的第二数量之间的第二差而确定刷新操作的第二数量；确定刷新操作的第二数量满足第二阈值；以及基于确定刷新操作的第二数量满足第二阈值而重新调整供应电压。
125.本文中所描述的方法300和设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：识别窗口持续时间，其中识别刷新间隔和刷新命令包含在窗口持续时间期间识别刷新间隔和刷新命令。
126.图4展示根据如本文中所公开的实例的说明支持基于未决刷新操作的电压调整的一或多种方法400的流程图。方法400的操作可由如本文中所描述的存储器阵列或其组件实施。举例来说，方法400的操作可由参考图2所描述的存储器阵列执行。在一些实例中，存储器阵列可执行指令集以控制存储器阵列的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，存储器阵列可使用专用硬件执行所描述功能的方面。
127.在405处，存储器阵列可通过存储器装置确定未决刷新操作的数量。可根据参考图1到4所描述的方法来执行405的操作。在一些实例中，405的操作的各方面可由如参考图2所描述的刷新操作确定组件执行。
128.在410处，存储器阵列可在执行未决刷新操作中的至少一些之前基于未决刷新操作的数量而调整与存储器装置相关联的供应电压。可根据参考图1到4所描述的方法来执行410的操作。在一些实例中，410的操作的各方面可由如参考图2所描述的电压调整组件执行。
129.在415处，存储器阵列可基于调整与存储器装置相关联的供应电压而执行未决刷新操作中的至少一些。可根据参考图1到4所描述的方法来执行415的操作。在一些实例中，415的操作的各方面可由如参考图2所描述的刷新执行组件执行。
130.在一些实例中，如本文所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法400。所述设备可包含用于进行以下操作的特征、装置或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：通过存储器装置确定未决刷新操作的数量；在执行未决刷新操作中的至少一些之前基于未决刷新操作的数量调整与存储器装置相关联的供应电压；以及基于调整与存储器装置相关联的供应电压执行未决刷新操作中的至少一些。
131.在本文中所描述的方法400和设备的一些实例中，调整供应电压可包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于未决刷新操作的数量而将供应电压从第一电压增大到第二电压。
132.本文中所描述的方法400和设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于未决刷新操作的数量而将指示供应电压的目标电压的信号传输到功率管理组件，其中调整供应电压包含通过功率管理组件基于目标电压调整供应电压。
133.应注意，上文所描述的方法描述了可能的实施方案，且操作和步骤可经重新布置或以其它方式修改，且其它实施方案是可能的。此外，可以组合来自方法中的两种或更多种的部分。
134.描述一种设备。所述设备可包含存储器阵列；功率管理组件，其与存储器阵列耦合且用于将供应电压提供到存储器阵列，所述设备被配置成对刷新间隔的数量进行计数、对接收到的刷新命令的数量进行计数、通过确定刷新间隔的数量与接收到的刷新命令的数量
之间的差确定刷新操作的数量并使用功率管理组件基于刷新操作的数量调整供应电压。
135.所述设备的一些实例可包含用于对刷新间隔的数量进行计数的计数器。
136.在一些实例中，所述设备可被配置成通过基于刷新操作的数量将供应电压从第一电压增大到第二电压而调整供应电压。
137.在一些实例中，第二电压的值可基于刷新操作的数量。
138.一些实例可进一步包含基于刷新操作的数量将指示供应电压的目标电压的信号从存储器阵列传输到功率管理组件，其中功率管理组件可被配置成基于目标电压调整供应电压。
139.可使用多种不同技术和技艺中的任一者来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信令说明为单个信号；然而，所属领域的一般技术人员应理解，信号可表示信号的总线，其中总线可具有各种位宽度。
140.术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指组件之间支持信号在组件之间流动的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么组件被视为彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含如开关、晶体管或其它组件等中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号流一段时间。
141.术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前无法经由导电路径在组件之间传达，在闭路关系中，信号能够经由导电路径在组件之间传达。当例如控制器等组件将其它组件耦合在一起时，组件起始允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。
142.术语“隔离”是指信号当前不能在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，那么组件彼此隔离。举例来说，由定位在两个组件之间的开关间隔开的组件在开关断开时彼此隔离。当控制器隔离两个组件时，所述控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
143.本文中论述的装置，包含存储器阵列，可形成于例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可以是绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。
144.本文中所论述的开关组件或晶体管可以表示场效应晶体管(fet)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端子装置。所述端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可以是导电的，且可包括重度掺杂(例如，简并)的半导体区。源极与漏极可通过经轻掺杂半导体区或通道分离。如果通道是n型(即，大多数载流子为信号)，那么fet可以被
称作n型fet。如果通道是p型(即，大多数载流子是空穴)，那么fet可被称为p型fet。通道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制通道导电性。例如，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可导致通道变得导电。当将大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“激活”。当将小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“撤销激活”。
145.本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示例性”意味着“充当实例、例子或说明”，且不“优选于”或“优于其它实例”。详细描述包含具体细节，以提供对所描述技术的理解。然而，可以在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式展示熟知结构和装置，以免混淆所描述实例的概念。
146.在附图中，类似组件或特征可以具有相同的参考标记。另外，可通过在参考标记之后跟着短划线及在类似组件当中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一者，与第二参考标记无关。
147.可使用多种不同技术和技艺中的任一者来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。
148.结合本文中本公开所描述的各种说明性块和模块可使用通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件、或经设计以执行本文所描述的功能的其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器；但在替代方案中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可被实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器，或任何其它这类配置)。
149.本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施。如果以由处理器执行的软件来实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体予以传输。其它实例和实施方案在本公开和所附权利要求书的范围内。举例来说，由于软件的本质，上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任一者的组合来实施。实施功能的特征还可物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的部分在不同物理位置处实施。并且，如本文中所使用，包含在权利要求书中，项目的列表(例如，以例如“中的至少一者”或“中的一或多者”的短语开始的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得例如a、b或c中的至少一者的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。另外，如本文所用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示例性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
150.计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体与通信媒体两者，通信媒体包含促进计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括ram、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、压缩光盘(cd)rom或其它光盘存储装置、磁
盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机或者通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。并且，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或例如红外线、无线电和微波等无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或例如红外线、无线电和微波等无线技术包含在媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含cd、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(dvd)、软性磁盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘利用激光以光学方式再现数据。以上各者的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。
151.提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。所属领域的技术人员将清楚对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文所述的实例和设计，而是被赋予与本文中所公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。